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Fターム[5J097DD28]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 電極の形態サイズ (1,722) | 電極厚み限定 (155)

Fターム[5J097DD28]に分類される特許

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【課題】各種特性(特にQ値)に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波共振子1は、いわゆる1ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板2と、圧電体基板2上に設けられたIDT(櫛歯電極)3と、IDT3の両側に設けられた1対の反射器4、5とを有している。IDT3は、複数の電極指31a、31bを有しており、また、圧電体基板2の電極指31a、31b間には第2の溝25が形成されている。一方、反射器4、5は、複数の導体ストリップ41、51を有しており、また、圧電体基板2の導体ストリップ41、51間には第2の溝25より深い第1の溝26が形成されている。このような深さの異なる第1の溝26および第2の溝25は、レジスト層と着脱自在のマスク部材とを用い、これらを重複して使用しても相互に悪影響を及ぼさないことを利用して形成される。 (もっと読む)


【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、SAWを励振するIDT12およびこれを挟む一対の反射器20と、電極指18間の水晶基板30を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、0.01λ≦Gを満たし、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGとライン占有率ηとが−2×G/λ+0.72≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.01λ≦G≦0.05λ)、および、−3.5898×G/λ+0.7995≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.05λ<G≦0.0695λ)の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】 高周波を直接発振させることができると共に、ATカット振動子並みの周波数精度が得られ、発振器を構成した場合において位相雑音やジッタ特性が良好な弾性波素子を提供することである。
【解決手段】 基板内部を板波が伝搬するようにオイラー角(0±2°、35〜40°、0±2°)によってカット形成された水晶基板12と、この水晶基板12の表面に板波を励振させる少なくとも1つの櫛形励振電極13と、裏面に周波数の調整を行う周波数調整膜14とを備え、位相速度が4500〜6000m/sの範囲にある板波の温度特性が25℃付近に変曲点を持つ略3次温度特性になるように櫛形励振電極13と周波数調整膜14の膜厚を調整した。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波装置の耐電力性の向上を図ること。
【解決手段】弾性表面波装置は、圧電性単結晶基板10と、上記圧電性単結晶基板上に形成された導電性材料からなる下地電極層21と、この下地電極層上にエピタキシャル成長により形成されたアルミニウムを含有する主電極層22と、により構成された交差指状の電極20と、を備える。そして、上記電極20は、上記主電極層22上に形成された、当該主電極層及び上記下地電極層とは異なりアルミニウムよりも比重の大きい導電性材料からなる上部層23を有する。 (もっと読む)


【課題】IDT電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板1上に、積層金属膜からなるIDT電極2を形成する工程と、IDT電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、IDT電極2において複数の金属膜のうちの少なくとも1つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるIDT電極20と、前記IDT電極20のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器25,26と、を備えるラム波型共振子1であって、前記圧電基板の厚さtが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、0<t/λ≦3であらわされる範囲にあり、前記IDT電極の前記電極指の幅をWとしたときの、W/(λ/2)=ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η0と、前記IDT電極の電極膜厚Hを前記波長λにより規格化したH/λの関係が以下を満たす。η0=−60416.6667(H/λ)4+8208.3333(H/λ)3−413.9583(H/λ)2+9.7292(H/λ)+0.4900 (もっと読む)


【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるIDT電極20と、前記IDT電極20のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器25,26と、を備えるラム波型共振子1であって、前記圧電基板の厚さtが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、0<t/λ≦3で表される範囲にあり、前記IDT電極の前記電極指の幅をWとしたときの、W/(λ/2)=ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η0と、前記IDT電極の電極膜厚Hを前記波長λにより規格化したH/λの関係が以下を満たす。η0=−691.6667(H/λ)3+1.3929(H/λ)2+1.5331(H/λ)+0.2081 (もっと読む)


【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるIDT電極と、前記IDT電極のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器と、を備えるラム波型共振子であって、前記圧電基板の厚さtが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、0<t/λ≦3であらわされる範囲にあり、前記IDT電極の前記電極指の幅をWとしたときの、W/(λ/2)=ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η0と、前記IDT電極の電極膜厚Hを前記波長λにより規格化したH/λの関係が以下を満たす。
η0=−70.0000(H/λ)2+4.6000(H/λ)+0.3254 (もっと読む)


【課題】漏洩弾性表面波を用いており、音速を高めることができ、高周波化を容易に果たすことができる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】LiNbO基板2上にIDT電極3が形成されており、LiNbO基板2上のIDT電極3を覆うように酸化ケイ素膜6が形成されており、酸化ケイ素膜6上に誘電体層7が形成されており、誘電体層7の横波音速が、LiNbOにおける遅い横波音速よりも速く、誘電体層7の膜厚H3としたときに、漏洩弾性表面波の波長λで規格化してなる規格化膜厚H3/λが0.25〜0.6の範囲にある弾性表面波装置1。 (もっと読む)


【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス1は、C面を主面とするサファイア基板10と、サファイア基板10の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極21,22と、櫛歯電極21,22及び主面11を覆う窒化アルミニウム膜30と、窒化アルミニウム膜30の表面に形成される二酸化シリコン膜40と、を有し、櫛歯電極21,22にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚KH‐AlNと、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚KH‐SiO2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数K2、高い音速を有する弾性表面波デバイス1が実現できる。 (もっと読む)


【課題】STカット弾性表面波共振子と比べて小型の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】弾性表面波共振子は、水晶基板10上に形成され、SHタイプの弾性表面波の位相伝搬方向に沿った周期λi内に対数が2対以上、本数が4本以上の電極指202,203が配置されたすだれ状電極20と、水晶基板10上において位相伝搬方向におけるすだれ状電極20の両側にそれぞれ配置されるように形成され、位相伝搬方向に沿った周期λr内のメタライゼーションレシオηrが(λi/λr)×ηr≧0.6の関係式を満足する電極指300,301が配置された反射器30,31とを備える。すだれ状電極20と反射器30,31とは、導電性重金属を主成分とする金属からなり、すだれ状電極20の電極厚みHと周期λiとの比H/λiは、0.014以上0.026以下である。 (もっと読む)


【課題】 圧電基板上の各電極における静電破壊を防止した上で、圧電基板上の複数のパッド電極における現像による膜減り量を均一化して、極端に膜減り量が大きいパッド電極が発生するのを防止することができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 SAW素子の製造方法における素子領域形成工程では、圧電基板11上に、複数のSAW素子領域10a,10b,10c,10dと、複数のSAW素子領域のそれぞれの外周部に設けられるダイシング用の配線導体41とを形成する。そして、複数のSAW素子領域のそれぞれには、IDT電極12と、IDT電極12から導出される複数の接地パッド電極13,14および入出力パッド電極15,16と、複数の接地パッド電極13,14同士を電気的に接続する接地パッド電極接続パターン導体18とを形成する。 (もっと読む)


【課題】広帯域・低損失・超角型で、位相特性に優れた弾性表面波機能素子を実現する。
【解決手段】圧電性基板1または/或いは圧電性薄膜基板表面上に、弾性表面波を励振または受信するすだれ状電極を有する弾性表面波機能素子において、伝搬方向に向かって徐々に電極幅及び周期が短くなる正負の電極を交互に配置した、ダウン方向に一方向性をもつ分散型すだれ状電極、あるいは伝搬方向に向かって徐々に電極幅及び周期が長くなる正負の電極を交互に配置した、アップ方向に一方向性をもつ分散型すだれ状電極を構成し、これらを相互に組み合わせることにより、その方向性を向かい合わせ、周波数の変化に対して遅延時間が変化しない非分散型遅延線及びフィルター、又は周波数の増加ともに遅延時間が長く/短かくなるアップ/ダウン型分散型遅延線及びフィルターを実現する。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するためのSAW共振子は、オイラー角(−1°≦φ≦1°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、AlまたはAlを主体とした合金により構成されてストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT12と、IDT12を構成する電極指18間に位置する基板を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、


を満たし、かつ、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】LBO基板の水に対する潮解性を防止しつつ温度特性を限りなく小さくでき、周波数帯2〜3GHzでの良好な特性を持つ表面弾性波装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面弾性波装置1は、オイラー角(0°,35〜50°,90°)のLBO基板10と、LBO基板10の表面に設けられ、KH0.05〜0.10の酸化膜あるいは窒化膜からなる保護膜11と、保護膜11上に設けられ、KH0.04〜0.15の電極20と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、信号配線を通過する信号の伝搬損失を抑制し、これにより弾性波フィルタの通過特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、本発明の弾性波フィルタ1は、圧電体2と、圧電体2の上に設けられたIDT電極3と、IDT電極3と電気的に接続された信号配線5とを備え、信号配線5の膜厚は、信号配線5を流れる信号の周波数及び信号配線5の導電率に基づいて規定される表皮深さ以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】同一圧電基板上に、複数の弾性波フィルタを精度よく形成し、かつ特性の改善が可能な弾性波デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板2上に第1金属膜4を形成する工程と、第1金属膜4をドライエッチングすることにより、圧電基板2上に第1金属膜4から第1IDT8を形成する工程と、第1IDT8上にレジスト10を形成する工程と、レジスト10上、及び圧電基板2上に、第1金属膜4とは膜厚及び材料の少なくとも一方が異なる第2金属膜12を形成する工程と、第2金属膜12をドライエッチングすることにより、圧電基板2上に、第2金属膜12から第2IDT16を形成する工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】電気機械結合係数Kを高め、かつ電極指一本あたりの反射係数を効果的に高め得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】水晶基板2上にIDT電極3が形成されており、IDT電極3を覆うように水晶基板2上にc軸配向のZnO膜6が形成されており、IDT電極3のメタライゼーション比が0.25〜0.45の範囲にある、弾性表面波装置。 (もっと読む)


【課題】 抵抗損失を低減させることができる弾性表面波装置を提供する。また、製造工程におけるIDT電極の損傷を抑制することができる弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置1は、圧電基板7と、圧電基板7上に形成されたIDT電極9と、圧電基板7上に形成され、IDT電極9を外部端子に接続するための電極パッド11と、圧電基板7上に形成され、IDT電極9と電極パッド11とを接続する接続配線13と、を備える。IDT電極9は、第1の厚さを有し、電極パッド11は
、第1の厚さより大きい第2の厚さを有している。接続配線13の厚さは、第1の厚さより大きく且つ第2の厚さより小さいことを特徴とする。また、本発明に係る弾性表面波装置1の製造方法は、IDT電極9及び接続配線13上にレジストR3を塗布し、IDT電極9と接続配線13との接続部分を少なくとも覆うようにレジストR3をパターニングする工程を含む。 (もっと読む)


【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するためのSAW共振子は、オイラー角(−1°≦φ≦1°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、ストップバンド上端モードのSAWを励振するIDT12と、IDT12を構成する電極指18間に位置する基板を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、
【数35】


を満たし、かつ、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGと前記ライン占有率ηとが
【数36】


の関係を満たすことを特徴とする。 (もっと読む)


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