【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ_２膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_２膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２５°〜５５°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３基板１２上に、Ａｌと比べて密度が高い金属もしくは合金からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板１２上に周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ_２膜１５が形成されている、弾性表面波装置１１。 （もっと読む）

【課題】アイソレーション特性と挿入損失と耐電力性を改善した弾性表面波デュプレクサならびに、これらの弾性表面波フィルタ、弾性表面波デュプレクサ又は弾性表面波共振子を用いた通信装置を提供する。
【解決手段】圧電基板１９と、圧電基板１９上に形成され、バスバー電極１２ａを有するＩＤＴ電極１と、ＩＤＴ電極１の弾性表面波の主伝搬方向Ｆの両端に隣接して配置された反射器電極２と、繰り返し形成された電極を有し、反射器電極２の外側の位置であって、ＩＤＴ電極１のバスバー電極１２ａを仮想的に延長した直線上に配置された補助反射器電極３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１２上にＩＤＴ１４と反射器２２（２２ａ，２２ｂ）とを有するＳＡＷ素子片１０を備える。前記圧電基板１２は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向を正として−６２°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝播方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、前記ＩＤＴ１４を含む励振電極がＷ又はＷを主成分とする合金にて形成されていることを特徴とする。また、このような特徴を有するＳＡＷ共振子１００では、励振するＳＡＷの波長をλ、励振電極の膜厚をＨ、ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率をｍｒとした時に、基準化膜厚Ｈ／λとライン占有率ｍｒとの積を、０．００１≦Ｈ／λ・ｍｒ＜０．０２７の範囲内となるように定める。 （もっと読む）

【課題】 水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Q値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】 圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極を陽極酸化してＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】 小型化可能で高いＱ値及び優れた周波数温度特性を発揮し、特に液相系に適した高感度なＳＡＷセンサを提供する。
【解決手段】 ＳＡＷセンサ１は、回転Ｙカット水晶板であり、そのカット面及びＳＡＷの伝搬方向をオイラー角表示で（０°，−６４〜−４９．３°＋９０°，９０±５°）＝（０°，２６〜４０．７°，９０±５°）とした水晶平板からなる圧電基板１を用いる。圧電基板の表面には、ＩＤＴ２，３が、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金からなる電極膜で形成され、該電極膜の膜厚ＨをＳＡＷの波長をλとして、０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。ＳＡＷの伝搬面には、目的の物質を認識するための受容体５が設けられる。ＩＤＴの両側には、更に１対の反射器１５，１５を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】 電極に含まれる各層の接合強度及び環状電極と圧電基板との接合強度を向上し、かつ、電極の腐食を抑制すること。
【解決手段】 弾性表面波装置は、回路基板と、回路基板上にワイヤレスボンディング方式で実装した弾性表面波素子とを有している。弾性表面波素子は、圧電基板１の主面１ａに形成された励振電極と、圧電基板１の主面１ａに形成され、励振電極の外周を取り囲む位置に形成されている環状電極１１とを有している。環状電極１１は、圧電基板１の主面１ａに、Ａｌを主成分とする金属材料で形成されている下地層１２と、下地層１２を覆う位置に形成されている密着電極層１３と、密着電極層１３上に形成されているバリアメタル電極層１４とを含んでいる。また、環状電極１１の周縁の主面１ａ上には、保護膜１０が形成されており、保護膜１０は、密着電極層１３より厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 安価な水晶基板を用い、しかもＳＨ型弾性境界波を利用することが可能であり、電気機械結合係数Ｋ²等の物性や特性を高めること等が可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】 水晶基板２上に、少なくともＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように、誘電体３が形成されており、水晶基板２と誘電体３との界面を弾性境界波が伝搬する弾性境界波装置であって、ＩＤＴ４の厚みは、ＳＨ型境界波の音速は、水晶基板２を伝搬する遅い横波及び誘電体３を伝搬する遅い横波の各音速よりも低音速となるように設定されており、かつ水晶基板２のオイラー角が、図１３に示されている斜線を付した領域内とされている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】水晶板をストップバンドの上限モードで励振する場合に、スプリアスを主共振から所定周波数以上遠ざけることができるようにする。
【解決手段】弾性表面波素子片は、水晶板の表面にすだれ状電極からなるＩＤＴが設けてある。水晶板は、オイラー角表示で（０°，θ，０°≦｜ψ｜≦９０°）となっている。弾性表面波素子片は、ＩＤＴにより水晶板に生成された弾性表面波の波長をλ、ＩＤＴの電極指の膜厚をＨ、電極指の対数をＮとした場合、０．０９≦Ｈ／λ≦０．１１、かつ、Ｎ≦−２０００００×（Ｈ／λ）^２＋３７０００×（Ｈ／λ）−１５７０の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】 バンプ接合により高密度実装が可能であり、かつ水分の侵入等による特性の変動が生じ難い、信頼性に優れた弾性境界波装置を得る。
【解決手段】 圧電基板１Ａ上にＩＤＴ９が形成されており、ＩＤＴ９を覆うように絶縁膜７が積層されており、絶縁膜７上に吸音膜８が積層されており、アンダーバンプメタルを電解メッキにより形成するためのＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７の開口部に至っており、絶縁膜７の開口部においてＩＤＴ９とＵＢＭ下地層１３と電気的に接続している配線１２に接続されており、吸音膜８にＵＢＭ下地層１３の一部を露出している吸音膜開口部８ａが形成されており、ＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７と吸音膜８との境界において給電ライン１４に接続されており、該給電ラインから電流を通電することによりＵＢＭ下地層１３上にＵＢＭが電解メッキにより形成されている、弾性境界波装置６。 （もっと読む）

【課題】添加物を含む圧電基板を用いたＳＡＷ装置についてより適切な基板カット角を示し、電気特性を向上させる。
【解決手段】単結晶圧電基板（例えばＬｉＴａＯ₃，ＬｉＮｂＯ₃）と、この圧電基板の表面に設けたＡｌを主成分とする材料により形成されたＩＤＴとを備えたＳＡＷ装置で、圧電基板は、添加物（例えばＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ）を含みかつＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４２°〜４８°（より好ましくは４６°±０．３°）の範囲の角度で回転させた方位を有する。ＩＤＴは、規格化膜厚ｈ／λ（ｈ：電極厚、λ：電極間隔）を７〜１１％とする。 （もっと読む）

【課題】 低損失、且つ通過帯域の低域側の減衰量が十分得られる縦結合多重モードＳＡＷフィルタを提供する。
【解決手段】 回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板１と、この水晶基板１上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ２とを備え、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して直交方向、励振されるＳＡＷを水晶基板１の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、ＳＡＷの波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部１１ａ、１１ｂを２段縦続接続にて形成し、各々の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部１１ａ、１１ｂのＩＤＴピッチＬｔと反射器ピッチＬｒの比Ｌｔ／Ｌｒを異ならせるようにした。 （もっと読む）

【課題】 従来構造よりデバイスサイズが小型で、Ｑ値が高く、周波数温度特性に優れたＳＡＷデバイスで、且つ、横高次モードスプリアスレベルを抑制することができるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板１と、該水晶基板１上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ２とを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して直交方向、励振される弾性表面波を水晶基板１の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した弾性表面波デバイスにおいてＩＤＴ２にダミー電極１１を設けるようにした。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、共振点より低域側に生じるスプリアスを抑圧することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１上に、ＩＤＴ２とその両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定している。そして、ＩＤＴ２のＳＡＷの伝搬方向の全長をＬとしたとき、ＩＤＴの左端を基準位置として、基準位置から０．２５Ｌまでの範囲、又は０．７５ＬからＬまでの範囲のどちらか一方、又は両方の範囲に配置された電極指に重み付けを施す。 （もっと読む）

【課題】 ＳＨ波型表面波を用いた縦続接続型縦結合二重モードＳＡＷフィルタのスプリアスを改善する手段を得る。
【解決手段】 カット角θをＺ軸より反時計方向に−６４.０°＜θ＜−４９.３°とした回転Ｙカット水晶基板のＺ軸方向に沿って、第１及び第２の２つのＩＤＴ電極を近接配置すると共に、その両側にグレーティング反射器を配設し、該電極の膜厚Ｈを前記ＩＤＴ電極の電極ピッチλで基準化して０.０４＜Ｈ／λ＜０.１２とした縦結合二重モードＳＡＷフィルタを２段縦続接続した縦続接続型縦結合二重モードＳＡＷフィルタにおいて、第一段のＩＤＴ電極の電極周期と、第二段のＩＤＴ電極の電極周期とを互いに異ならせた弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性表面波デバイスに関して、耐電力特性を備えた弾性表面波デバイスの挿入損失を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、特に、弾性表面波デバイスを構成する複数の弾性表面波共振器２，４のうち少なくとも一つの弾性表面波共振器２の電極構造を他の弾性表面波共振器４を構成する電極構造と積層数を異ならせた構造としたことにより、耐電力特性を備えた弾性表面波デバイスにおける挿入損失を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数が大きく、周波数温度特性が良いとともに、特に耐電力性が高く、大きな電力を印加しても電極が劣化しない複合圧電基板を提供する。
【解決手段】圧電基板と支持基板とを貼り合せて形成された複合圧電基板であって、前記圧電基板の表面には弾性表面波を励振するための金属電極が形成されており、該金属電極の厚さは、漏洩弾性表面波の波長で規格化した値で０．０４以上であり、前記支持基板と前記圧電基板とは接着剤を介して又は直接的に接合されたものであることを特徴とする複合圧電基板。 （もっと読む）

【課題】重み付けが施されたＩＤＴを有し、電極指先端のギャップ部分による弾性境界波の回折現象に起因する特性の劣化が生じ難い、弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】第１の媒質１１と、第２の媒質１２とが積層されており、第１，第２の媒質１１，１２間に、ＩＤＴ１３が配置されており、ＩＤＴ１３に重み付けが施されており、かつ該ＩＤＴ１３が互いに間挿し合う複数本の電極指１３ａ，１３ｂを有し、電極指１３ａまたは１３ｂの先端と、当該電極指と異なる電位に接続されるダミー電極指とがギャップＢを隔てて対向配置されており、ギャップＢの電極指長さ方向に沿う寸法ＧＤが、電極指の周期をλとしたときに、０．０５μｍ〜０．２２λの範囲とされており、かつλが０．２３μｍよりも大きくされている、弾性境界波装置１０。 （もっと読む）

【課題】 トランスバーサル型弾性表面波フィルタの保証減衰量を改善する手段を得る。
【解決手段】 圧電基板上に第１及び第２のＩＤＴ電極と遮蔽用電極とを配置して形成したトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子と、段差部に入出力用端子電極と接地用端子電極とを備えたパッケージとからなり、前記第１及び第２のＩＤＴ電極のバスバーと前記入出力用端子電極とをそれぞれボンディングワイヤにて接続し、遮蔽用電極のボンディングパッドａ、ｂと前記２つの接地用端子電極とをそれぞれボンディングワイヤにて接続して構成したトランスバーサル型弾性表面波フィルタにおいて、前記遮蔽用電極のボンディングパッドｂと第２のＩＤＴ電極の接地側のバスバーとをボンディングワイヤにて接続して構成した弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を覆うように絶縁物層が形成されている構造を備えた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が十分に大きく、所望でないリップルによる特性の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】電気機械結合係数ｋの２乗が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ₃からなる圧電性基板１と、前記圧電性基板１上に形成されており、Ａｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金、またはＡｌよりも密度の大きい金属もしくは該金属を主成分とする合金と他の金属とからなる積層膜からなる少なくとも１つの電極４Ａと、前記少なくとも１つの電極４Ａが形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と略等しい膜厚に形成された第１絶縁物層２と、前記電極及び第１絶縁物層２を被覆するように形成された第２絶縁物層６とを備え、前記電極４Ａの密度が、前記第１絶縁物層４の１．５倍以上である、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【目的】本発明は、溝（グレーティンググルーブ）を設けた圧電性基板上にすだれ状電極を作製することにより、温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい擬似弾性表面波基板、或いは電気機械結合係数の大きな基板を得ることを目的としている。
【構成】圧電性基板１の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝（グルーブ）２を作製した構造の圧電性基板上に溝に埋め込まれたすだれ状電極を用いた構造であって、圧電性基板として、回転Ｙ−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３、ＬｉＮｂＯ_３、或いは水晶、ランガサイトなどの零ＴＣＦ基板を用いて従来の特性より大きなｋ^２の基板、或いは従来より優れたＴＣＦの基板を得るのが本特許の構成である。 （もっと読む）