【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、電極指片２１ａ〜２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、前記複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、ラム波の波長をλとすると、水晶基板の厚さｔが、０＜ｔ／λ≦３であり、電極指片の交差領域の電極指片の線幅比η＿ＩＤＴ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ＩＤＴ／λ、ギャップ部の電極指片の線幅比η＿ｇ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ｇ／λ、とすると、η＿ＩＤＴ＝η＿ｇ＝０のときの周波数Ｆを基準とした場合の前記交差領域での周波数変化ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆと、前記ギャップ部での周波数変化ΔＦ＿ｇ／Ｆと、の関係が、ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆ＜ΔＦ＿ｇ／Ｆ、を満たす。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、音速が５０００ｍ／ｓ以上となる高次モードのラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。圧電体薄膜１０６の結晶方位は、圧電体薄膜１０６の支持構造体１２２の側にある下面１０６２のフッ酸に対するエッチングレートが、十分に遅くなるように選択する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性に優れた複合酸化物積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０と、前記基板２０の上方に形成され、一般式ＡＢＯ₃で表される第１複合酸化物層２４と、前記第１複合酸化物層２４の上方に形成され、一般式ＡＢ_1-xＣ_xＯ₃で表される第２複合酸化物層２６と、を含み、Ａ元素は、少なくともＰｂからなり、Ｂ元素は、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなる。 （もっと読む）

【課題】ＡＴカット水晶振動子と同等かそれ以上の優れた周波数温度特性を有する弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、カット角がオイラー角（φ°，θ°，ψ°）による表示で（０±０．２５°，１１３〜１３５°，±（４０〜４９°））となる水晶基板２と、水晶基板２上に設けられ、複数の電極指３１ａ、３１ｂを備えるＩＤＴ３（櫛歯電極）と、ＩＤＴ３を水晶基板２とは反対側から覆うように設けられ、ＳｉＯ_２を主成分として構成されたＳｉＯ_２膜６とを有し、ＳｉＯ_２膜６の規格化膜厚ｈｓ／λ（ただし、ｈｓは、ＳｉＯ_２膜６の平均厚さ［ｎｍ］であり、λは、弾性表面波の波長［ｎｍ］である）が、０．００４６〜０．０２３３である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、エージング特性およびリフロー特性の優れる弾性表面波素子およびそれを備える圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子２は、圧電性を有する圧電体材料で構成された圧電体基板２１と、圧電体基板２１の一方の面上に設けられ、圧電体基板２１に弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ２２とを有している。圧電体基板２１の厚さは、６０μｍ〜２００μｍである。また、圧電体基板２１は、ＩＤＴ２２の構成材料の収縮力により生じる応力により、ＩＤＴ２２が設けられた面側に凹むように反っている。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い、ＳＨ波を利用した、端面反射波の影響が少なく、小型化したＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、水晶基板７１と、水晶基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極７２とを備え、水晶基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角が負となる回転方向とした時に、カット角を結晶Ｚ軸より−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とした励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスであって、弾性表面波の伝搬方向と水晶基板の長辺方向の間のなす傾斜角θ_Eを０°＜θ_E＜３°とする。 （もっと読む）

【課題】 異なる複数の周波数特性を有すると共に、ＩＤＴ電極の電極指間の短絡等の問題を改善した弾性表面波装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成され、第1膜厚を有する第1のＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成され、第1膜厚より大きい第２膜厚を有する第２のＩＤＴ電極１３と、第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３のうち第1のＩＤＴ電極９のみを被覆する絶縁膜２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】添加物を含む圧電基板を用いたＳＡＷ装置についてより適切な基板カット角を示し、電気特性を向上させる。
【解決手段】単結晶圧電基板と、この圧電基板の表面に設けたアルミニウムを主成分とする材料により形成された交差指状電極とを備えた弾性表面波装置であって、交差指状電極の厚さｈを当該交差指状電極の電極間隔λで規格化した規格化膜厚ｈ／λが７〜１１％であり、単結晶圧電基板は、タンタル酸リチウム基板であり、添加物として鉄を含み、かつ、Ｘ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４６°±０．３°の範囲の角度で回転させた方位を有する。 （もっと読む）

【課題】電極指の線幅が変動した場合における周波数変動量の差を少なくし、量産化に適した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】少なくともＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるための電極パターン１４としてのＩＤＴ１６を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波デバイス１０であって、ＩＤＴ１６を形成するための圧電基板１２として、（φ，θ，ψ）で示すオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）のカット角で切り出された水晶基板を採用し、ＩＤＴ１６を構成する櫛歯状電極１８（１８ａ，１８ｂ）の電極指間に電極指間溝（溝２８）を形成することで、溝２８で挟まれた水晶部分を電極指台座３０とし、電極指台座３０の上面に電極指２２が位置する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクト部における接触抵抗を低めることができるだけでなく、例えばフォトリソグラフィー法より製造するに際し、エッチング液による電極の腐食が生じ難い、弾性波装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３の電極指部分を含むように第１の積層金属膜１１が形成されており、第１の積層金属膜１１に重なり合う部分においてコンタクト部が形成されており、圧電基板２上に第２の積層金属膜が形成されており、第１の積層金属膜の最上部の金属膜がＴｉ膜であり、第２の積層金属膜１２の最下層の金属膜がＴｉ膜であり、コンタクト部ＣにおいてＴｉ膜同士が接触されている、弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】 異なる複数の周波数特性を有すると共に、ＩＤＴ電極のメカニカルマイグレーションを抑制した弾性表面波装置及びその製造方法を提供する
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成され、第１導電膜３１を有する第１のＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成された第２のＩＤＴ電極１３であって、第１導電膜３１、第２導電膜３２及び第３導電膜３３を順次積層した第１の積層体を有する第２のＩＤＴ電極１３と、を備えるとともに、第２導電膜３２がＴｉからなり、第１導電膜３１及び第３導電膜３３が第２導電膜３２とは異なる材料で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】境界弾性波装置は、小型で温度安定性に優れている。しかし、Ｑ値を高く出来ない、また高コストな薄膜技術を必要とする。本発明の目的は、Ｑ値が優れ、低コストな境界弾性波装置を提供することにある。
【解決手段】θＹＸ−ＬＮ単結晶圧電基板の表面に、アルミニウムを主成分とする膜厚ｈｍ、電極指周期λの櫛形電極と短絡型反射器（厚さｈｒ）をパターニングし、その櫛形電極と反射器上に、膜厚がｈ1の酸化珪素膜と膜厚がｈ2の窒化アルミニウム膜６を形成した境界弾性波装置において、
２．５≦ｈｒ／λ≦８．５％、
とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴの抵抗を低減させ、挿入損失を改善することが可能な弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に設けられたＩＤＴ３と、ＩＤＴ３を形成する互いに対向した複数の櫛型電極４及び１０の各々と電気的に接続され、複数の櫛型電極４及び１０を形成する複数の電極指６及び１２の少なくとも一部を覆うように、ＩＤＴ３の上に設けられた複数のブリッジ１６及び２０と、を具備する弾性表面波デバイスである。ＩＤＴの抵抗を低減させ、挿入損失を改善することが可能な弾性表面波デバイスを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は弾性波基板における不要応答発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は圧電基板１上面に設けられた第１の誘電体層２と、第１の誘電体層２上面に設けられた第２の誘電体層４の膜厚を適切に与えることにより主要波として用いるＳＨ波のエネルギーを圧電基板１と第１の誘電体層２の境界に閉じ込めつつ、不要波として検出されるストンリー波と同様の変位分布を有するＳＶ波の変位を第２の誘電体層４の上面に分布させることにより、第２の誘電体層４の上面に設けられた吸音層５を用いて不要波を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電極指の線幅が変動した場合における周波数変動量の差を少なくし、量産化に適した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】少なくともＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるための電極パターン１４としてのＩＤＴ１６を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波デバイス１０であって、ＩＤＴ１６を形成するための圧電基板１２として、（φ，θ，ψ）で示すオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）のカット角で切り出された水晶基板を採用し、ＩＤＴ１６を構成する櫛歯状電極１８（１８ａ，１８ｂ）の電極指間に電極指間溝（溝２８）を形成することで、溝２８で挟まれた水晶部分を電極指台座３０とし、電極指台座３０の上面に電極指２２が位置する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐電力性（マイグレーション耐性）のさらなる向上を図るとともに温度変化による周波数変動を抑えた信頼性の高い弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とする圧電体層４を有する基板２と、前記基板２上に形成された少なくとも一対の櫛歯型電極５ａ，５ｂからなるＩＤＴ６と、を有し、前記櫛歯型電極５ａ，５ｂは、Ａｌ−Ｔｉ合金からなる第１電極層１６Ａと、Ａｌ−Ｎｄ合金からなる第２電極層１６Ｂとが前記圧電体層４上にこの順で積層されて構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＬｉＮｂＯ_３基板を用いた弾性表面波装置であって、ＩＤＴの反射係数が大きいだけでなく、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、かつ該電気機械結合係数ｋ^２が大きい範囲を実現するＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角範囲が拡げられる、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３基板２の上面２ａに複数本の溝２ｂが形成されており、複数本の溝２ｂに充填された金属材料からなる複数本の電極指を有するＩＤＴ３が設けられており、該金属材料がＴａもしくはＭｏまたはこれらの金属の少なくとも１種を主体とする合金からなる、弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】共振周波数の温度特性と反共振周波数の温度特性との差を小さくすることができる弾性波素子を実現する。
【解決手段】圧電基板５と、圧電基板５上に形成された櫛形電極２と、櫛形電極２を覆うように圧電基板５上に形成された誘電体層２１とを備えた弾性波素子であって、圧電基板５上に形成された誘電体層２１の厚さは、櫛形電極２の厚さと櫛形電極２上に形成された誘電体層２１の厚さとの和より大きいことを特徴としている。 （もっと読む）