本発明は一般に、蛋白質や核酸を含む目標検体を含有するテストサンプルを分析するためのＳＡＷ共振器マイクロセンサに対する信号増幅方法に関する。本発明は、圧電性基板表面上に配置された反射器マイクロチャネルと複数の３次元インターデジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴＥ）とを備えた、少なくとも１つの表面音響波共振器ユニットに関する。本発明は、更に、上記３次元マイクロチャンネル中の固体／液体体積比の変化に関する。液体／固体体積比におけるその変化は、テストサンプル中の目標検体濃度に相関して検出することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 通過帯域内のリップルの発生を低減し、かつ通過帯域の平衡度を向上できる優れた特性の弾性表面波装置及びそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 第１，第２の弾性表面波素子３１，３２は、不平衡信号端子１２に接続され、それぞれが平衡信号端子１３，１４に接続されており、第１，第２の弾性表面波素子３１，３２のＩＤＴ電極の平衡信号端子１３，１４側のバスバー電極に接続された接地用引き出し配線２７，２８と、第１，第２の弾性表面波素子３１，３２と平衡信号端子１３，１４とを接続した全ての信号用引き出し配線１９〜２２とが、絶縁体１５〜１８を介して交差して配設された交差配線部２３〜２６を形成しており、交差配線部２３〜２６は、奇数個のＩＤＴ電極２〜４及び５〜７において中央に配設されたＩＤＴ電極３，６を中心に対称的に形成され、各々の交差配線部２３〜２６によって生じる抵抗が略同じである。 （もっと読む）

【課題】 挿入損失劣化を低減し、小型化を実現した弾性表面波装置及びそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 第１，第２の弾性表面波共振子１８，１９は、中心共通バスバー電極２９の両側に、中心共通バスバー電極２９により接続されて形成され、中心共通バスバー電極２９に不平衡入（出）力端子２２が接続されており、弾性表面波素子２０，２１と第１，第２の弾性表面波共振子１８，１９とは、隣接して伝搬方向に直交する方向に並んで配置され、互いのバスバー電極が絶縁体３２，３３を介して重なって配置されており、弾性表面波素子２０，２１の各中央のＩＤＴ電極のバスバー電極が平衡入（出）力端子２３，２４に接続され、弾性表面波素子２０，２１の各中央のＩＤＴ電極以外のもののバスバー電極が弾性表面波共振子１８，１９のＩＤＴ電極のバスバー電極に、絶縁体３２，３３を介して並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数の導体層を積層している電極指でありながら、これらの導体層の破断や剥離等の発生を抑制できるＩＤＴ電極を備えることで、耐久性を高めることができる弾性表面波素子及びそれを搭載した弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、圧電基板１０上に電極指１１ａを有するＩＤＴ電極１１を備えている。電極指１１ａは、中間層１２と、中間層１２に比べて大きな熱膨張係数を有する電極層１３が積層されてなる。電極指１１ａは、圧電基板１０に近づく方向に広がる台形形状となる断面形状を有している。中間層１２の側面１の成す角度α_１は、電極層１３の側面との成す角度β_１よりも大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波素子の機能として使用する弾性境界波の近傍の周波数に出現するストンリー波を抑圧することが可能な弾性境界波素子、共振器およびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、ＬｉＮｂＯ_３基板１０と、基板１０上に設けられた弾性波を励振する電極１６と、基板１０上に電極１６を覆うように設けられた酸化シリコン膜１２と、を有する。そして、基板１０の回転Ｙカット角、電極１６の密度のＣｕの密度に対する比、電極１６に励振される弾性波の波長、電極１６の膜厚、酸化シリコン膜１２の膜厚をストンリー波の電気機械結合係数が０．０００１５以下の範囲となるように設定することを特徴とする弾性境界波素子、共振器、フィルタである。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷデバイスにおいて温度特性のばらつきを抑制しかつ量産に適した小型化を可能にする。
【解決手段】 オイラー角表示で（０°，θ，０°＜｜ψ｜＜９０°）、好ましくは（０°，θ，９°＜｜ψ｜＜４６°）、より好ましくは（０°，９５°＜θ＜１５５°，３３°＜｜ψ｜＜４６°）の面内回転ＳＴカット水晶板からなる水晶基板１１の主面に、ＳＡＷの波長λに対してＨ／λ≦０．０８５となる厚さＨの交差指電極１２ａ，１２ｂからなるシングル型のＩＤＴ１３を形成する。これにより、ストップバンドの上限モードで励振させ、製造上のばらつきを含めて、使用温度範囲（０〜７０℃）で周波数変動幅Δｆabを２５ｐｐｍ以下に抑えた良好な温度特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】電力投入直後の共振周波数もしくは中心周波数のシフトが生じ難く、経時による周波数特性の劣化が生じ難い、弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２上に、少なくとも１つのＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３が、圧電基板２側に配置された密着層３ａと、主電極層とを有し、主電極層として、ＣｕまたはＣｕを主体とする合金からなる複数の主電極層３ｂ，３ｃを有し、主電極層３ｂ，３ｃがＣｕもしくはＣｕを主体とする合金以外の金属材料からなる中間層３ｄを介して積層されている、弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数が大きく、周波数温度特性が極めて良いとともに、特に耐電力性が高く、大きな電力を印加しても電極が劣化しない安価な弾性表面波素子を生産性高く提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波または漏洩弾性表面波を励振・検出する金属電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板とセラミック基板とを接着剤を介して貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記金属電極の厚さは、漏洩弾性表面波の波長で規格化した値で０．０４以上であり、前記圧電基板表面の弾性表面波または漏洩弾性表面波の伝播方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装された弾性表面波素子。 （もっと読む）

【課題】温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることである。
【解決手段】基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、前記基板がニオブ酸リチウム基板であり、かつ前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛型電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、基板表面から前記櫛型電極上部までの高さで定義される櫛型電極の厚さをｈとしたとき、
ｈ／（２×ｐ）≧４．５％（ただし、ｐ１＋ｐ２＝ｐの関係を満たす）
であり、かつ前記保護膜の凹凸形状が電極膜厚に応じて、任意の形になるように制御されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電基板にＳＴカット水晶基板を用いると周波数温度特性の２次温度係数が−０．０３４（ｐｐｍ／℃²）と大きいので実用上の周波数変動量が極端に大きくなってしまう点であり、また特公平０１−０３４４１１号に開示されているＳＡＷデバイスの構造では、ＩＤＴの対数を非常に多くしなければならないのでデバイスサイズが大型になってしまう点である。
【解決手段】水晶基板を用いたSAWデバイスにおいて、圧電基板１上に、それぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指からなるＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。 （もっと読む）

【課題】ＬＢＯ基板のレーリーＳＡＷを用い、バルクスプリアスが抑圧されたトランスバーサル型ＳＡＷフィルタを提供することにある。
【解決手段】太い実線で記された波形は、アルミニウム（Ａｌ）膜厚を１．７１％λ₀として試作したフィルタの伝達応答（周波数応答）を示す。同図の細い実線で記された波形は、そのフィルタの計算時（シミュレーション時）の伝達応答を示す。計算と比べて実測ではまだバルクスプリアスによる減衰劣化はみられるが、その劣化分はアルミニウム（Ａｌ）膜厚が１．４２％λ₀の試作品と比べて大幅に良化している。 （もっと読む）

【課題】シングル型ＩＤＴ電極を備え、発振周波数としてストップバンドの上限モードを利用する弾性表面波装置において、周波数温度特性が優れ、また高周波化が容易な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】水晶基板表面にＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるためのシングル型ＩＤＴ電極を少なくとも備え、弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波装置であって、水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角表示で（φ，θ，ψ）とするとき、φ＝０°、１１０°≦θ≦１４０°、３８°≦｜ψ｜≦４４°に設定し、かつ、ＩＤＴ電極の厚みをＨ、ＩＤＴ電極における電極指の幅をｄ、ＩＤＴ電極における電極指間のピッチをＰ、弾性表面波の波長をλ、η＝ｄ／Ｐとしたとき、Ｈ／λ≧０．１７９６η³−０．４３０３η²＋０．２０７１η＋０．０６８２とする。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子の特性を向上させ、また、弾性波素子の歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１０上に圧電膜１３を形成し、この圧電膜１３上に導電性膜１７を形成し、さらに、圧電膜１３上に弾性波発生用の櫛歯型電極１９ａを形成するとともに、導電性膜１７上に位置し、櫛歯型電極１９ａと電気的に接続される導電性膜１９ｂを形成した後、櫛歯型電極１９ａを覆い、導電性膜１９ｂ上に開口部ＯＡ２を有する保護膜２１を形成する。その結果、開口部ＯＡ２の形成、即ち、保護膜２１のエッチングの際、開口部ＯＡ２底部にエッチング残渣が生じていてもワイヤボンディング時に貫通することが可能なため、接続不良を低減できる。 （もっと読む）

単結晶のＬｉＮｂＯ３からなる基板を有する電子音響部材が提案される。この第２オイラー角μに関しては以下のことが該当する。−７４°≦μ≦−５２°または２３°≦μ≦３６°。第１オイラー角λに関しては、
【数１】


が、また第３オイラー角θに関しては
【数２】


が該当する。
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【課題】 挿入損失劣化を低減し、肩特性を向上できる優れた弾性表面波素子及びそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 弾性表面波装置は、圧電基板１上に、一対の平行な共通電極及び各共通電極から互いに噛み合うように延びた複数の電極指から成る複数のＩＤＴ電極２〜４と、弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に長い電極指を複数備えた反射器電極５，６とから成る弾性表面波素子が形成されており、ＩＤＴ電極２〜４の共通電極上に共通電極に沿って絶縁体１４を介して形成されるとともにＩＤＴ電極２〜４に接続された引き出し電極７，８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳＴカット水晶板を用いた弾性表面波素子片より優れた周波数温度特性が得られ
るようにする。
【解決手段】水晶基板に設けたすだれ状電極が前記水晶基板に生成した弾性表面波の波長
をλとしたときに、前記すだれ状電極の有効膜厚が４．８％λ以上であって、前記水晶基
板のカット角がオイラー角表示で（０°〜±５°，θ，ψ）とした場合に、θとψとは、
次の（１）〜（６）のいずれかである。（１）１３５°＜θ≦１５０°、±４０°≦ψ≦
±５５°、（２）１１３°≦θ≦１２５°、±３５°≦ψ＜±４０°、（３）１００°≦
θ≦１４０°、±５°≦ψ≦±２６°、（４）８０°≦θ＜１１３°、±２６°≦ψ≦±
４５°、（５）３０°≦θ≦９５°、０°≦ψ≦±２６°、（６）２０°≦θ≦４０°、
±７０°≦ψ＜±９０°。 （もっと読む）

導波に適する層システム（9）を有する、案内された音響波により動作する構成素子が提供される。この層システムは、圧電層（1）、その上に配置された電極（3）および誘電層（2）を有し、誘電層は比較的低い音響インピーダンスZ_aoを備える。層システム（9）は、比較的音響インピーダンスZ_a2の高い調整層（32，51）を有し、Z_a2/Z_ao > 1.5である。調整層は少なくとも1つの間隔領域（55）においては圧電層（1）から離間されている。
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【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記水晶基板を０．００２μｍ以上の厚さでエッチングしてＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失劣化を低減し、肩特性を向上できる優れた弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】圧電基板１０上に一対の平行バスバー電極３１ａ，３１ｂと複数の電極指３２ａ，３２ｂとからなるＩＤＴ電極３が形成され、ＩＤＴ電極３の表面が保護膜６で被覆されており、保護膜６は、前記バスバー電極３１ａ，３１ｂ上のバスバー電極領域Ｂ上の厚み及び前記電極指３２ａ，３２ｂにおける電極指非交差領域Ｒ上の厚みが、前記電極指３２ａ，３２ｂにおける電極指交差領域Ｓ上の厚みより厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷの伝搬損失を無くしかつ電気機械結合係数Ｋ^２ を大きくし、より一層低損失化が可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 カット面及びＳＡＷの伝搬方向がオイラー角表示で（９０±１０°，９０±１０°，ψ°）かつψ＝１４８〜１８０°のＬｉＴａＯ_３ 基板からなる圧電基板２の表面に、伝搬損失が０ｄＢ／λでありかつ電気機械結合係数Ｋ^２ が０．０１５以上となるように、その膜厚Ｈ／λを設定してＩＤＴを形成する。 （もっと読む）