【課題】デュプレクサの受信用帯域通過フィルタの設計変更を最小限に留めた良好な減衰特性の高周波モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の高周波モジュールは、弾性表面波素子における複数の並列共振用励振電極のうち、回路上最も出力に近い並列共振用励振電極の一端を単独接地用端子に接続するとともに、その他の並列共振用励振電極の一端をリング状接地用端子に接続し、単独接地用端子およびリング状接地用端子をそれぞれ独立にインダクタンス成分を介して誘電体基板の裏面に形成されたグランドパターンに接続してなり、単独接地用端子とグランドパターンとの間に介在させるインダクタンス成分を、誘電体基板の表面に実装したチップインダクタで構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な圧電体層を含む圧電体堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電体堆積体１００の製造方法は，
Ｒ面サファイア基板１１の上方に第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程と、
第１酸化マグネシウム層２０の上方に第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程と、
第２酸化マグネシウム層１２の上方に圧電体層１３を形成する工程と、を含み、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量は、第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素の供給量に対するマグネシウムの供給量より多く、
第１酸化マグネシウム層２０を形成する工程における酸素分圧は，第２酸化マグネシウム層１２を形成する工程における酸素分圧より低い。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウム層の薄膜を含むニオブ酸カリウム堆積体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００の製造方法は，
基板１１の上方にニオブ酸カリウム層１３を形成する工程と、
少なくともニオブ酸カリウム層１３に対して、大気圧より低い圧力下で行う熱処理工程と，を含む。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数が大きく、周波数温度特性が良いとともに、特に耐電力性が高く、大きな電力を印加しても電極が劣化しない複合圧電基板を提供する。
【解決手段】圧電基板と支持基板とを貼り合せて形成された複合圧電基板であって、前記圧電基板の表面には弾性表面波を励振するための金属電極が形成されており、該金属電極の厚さは、漏洩弾性表面波の波長で規格化した値で０．０４以上であり、前記支持基板と前記圧電基板とは接着剤を介して又は直接的に接合されたものであることを特徴とする複合圧電基板。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをバンプを介してフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の特定方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。 （もっと読む）

【課題】 集積回路とＳＡＷ振動子とを半導体基板上に一体化した場合においても、チップ面積の増大を抑制しつつ、ＳＡＷ振動子に直流電圧がかからないように集積回路とＳＡＷ振動子とを接続する。
【解決手段】 集積回路１２から引き出されたパッド電極１５ａ、１５ｂを半導体チップ１１に形成するとともに、半導体チップ１１上には、パッド電極１５ａ、１５ｂにかかるように配置された薄膜圧電体１３を積層し、薄膜圧電体１３上には、ＩＤＴ電極１４ａ、１４ｂからそれぞれ引き出されたパッド電極１６ａ、１６ｂをそれぞれ形成し、パッド電極１６ａ、１６ｂは、薄膜圧電体１３を介してパッド電極１５ａ、１５ｂとそれぞれ対向するように配置する。 （もっと読む）

【課題】 複合圧電基板の歪、微細な亀裂及び空隙を低減した高い圧電特性を有する、圧電基板を限定しない複合圧電基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板１０１の伝導担体を正極性又は負極性にし、圧電基板１０１とシリコン基板１０２との板厚比Ｘ（圧電基板の厚みをａ、シリコン基板の厚みをｂとしたとき、Ｘ＝ａ／ｂ）がＸ＝０．００１以上Ｘ＝１以下の範囲にし、圧電基板１０１とシリコン基板１０２を重ね合わせる工程と所定の温度に保持する工程とシリコン基板１０２と圧電基板１０１間に所定の電圧を印加する工程を備え、適切な熱処理条件および印加電圧条件を規定する。 （もっと読む）

【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体１００は、
Ｒ面サファイア基板１１と、
Ｒ面サファイア基板１１の上方に形成された、金属酸化物からなるバッファ層１２と、
バッファ層１２の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３と、
ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３の上方に形成された、ニオブ酸カリウム層１４またはニオブ酸カリウム固溶体層と、
を含む。 （もっと読む）

【課題】素子同士の干渉を低減して特性を向上させかつ設計を複雑化することなく小型低背で機能性に優れたＳＡＷ装置を実現する。
【解決手段】ベース基板と、ＳＡＷ素子と、ＳＡＷ素子の電気的特性を補完する補完回路素子とを含むＳＡＷ装置で、ＳＡＷ素子はベース基板の表面にフリップチップ実装され、補完回路素子はベース基板に表面実装されたチップ部品である。チップ部品として２以上のインダクタ素子を備え、これらのインダクタ素子が、隣り合って配置されるインダクタ素子の磁束が互いに交差するようにベース基板上に実装されている。チップ部品としてキャパシタ、バリスタ及びサーミスタのうちの１種類以上を含むことがある。ベース基板は、樹脂を主体とする材料からなる樹脂基板、セラミック基板及びポリマー材料基板のいずれかであり、且つ１以上の配線層を含む単層基板又は多層基板である。 （もっと読む）

【課題】複数のＳＡＷ装置部を備えたＳＡＷ装置において各ＳＡＷ装置部間の干渉を低減し特性を向上させると共に、設計を複雑化することなく小型低背化・高機能化を図る。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板表面の第一の領域に１以上のＳＡＷ素子とこのＳＡＷ素子の電気的特性を補完する補完回路素子とを実装した第一ＳＡＷ装置部と、ベース基板表面の第二の領域に１以上のＳＡＷ素子とこのＳＡＷ素子の電気的特性を補完する補完回路素子とを実装した第二ＳＡＷ装置部とを備え、ＳＡＷ素子はベース基板にフリップチップ実装され、補完回路素子はベース基板に表面実装されたチップ部品である。第一ＳＡＷ装置部と第二ＳＡＷ装置部との境界部にチップインダクタや導体線路を備える場合には、インダクタの磁束の方向や導体線路の延在方向が互いに交差（略直交）するように配置する。 （もっと読む）

【課題】７０００ｍ／ｓｅｃ以上の波速、０．２％以上の電気機械結合係数、絶対値が２５ｐｐｍ以下の周波数温度特性（ＴＣＦ）を持つ弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板４０と、ダイヤモンド基板４０の上に設けられたＳｉＯ_２から成る絶縁膜５０と、絶縁膜５０の上に設けられたＺｎＯから成る圧電膜６０と圧電膜６０の上に設けられた櫛歯電極３０とを有する弾性表面波素子１０であって、圧電膜６０の表面を伝播する弾性表面波の波数（ｋ）と絶縁膜の厚さ（ｈ１）との積ｋｈ１が０．２以上１．２以下であり、圧電膜の表面を伝播する弾性表面波の波数（ｋ）と前記圧電膜の厚さ（ｈ２）との積ｋｈ２が０．６以上１．２以下であることを特徴とする弾性表面波素子１０。 （もっと読む）

【課題】 厚み寸法が小さく、しかも収容部に上向き段部を備えた電子部品用パッケージを精度良く形成するための構造と、その製造方法、ならびにそのようなパッケージを備えた圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】 電子部品を収容するために内側に所定の収容部３８を形成したパッケージ３１であって、前記収容部には、壁面から突出する突出部４０，４０を有し、該突出部が、上向き段部と、該上向き段部と隣接している該上向き段部と異なる面にそれぞれ形成されており、かつ互いに異なる方向に向いた少なくとも２面の位置決め段部５１，５２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 キャビティを必要とする振動子などを搭載した高周波部品モジュールの低背化を図る。
【解決手段】 キャビティを必要とする振動子などを多層セラミック基板の厚みの一部を利用して、その中に振動子を収容する。また、キャビティ底面に櫛型電極を形成し、キャビティ自身が有する圧電効果を利用してＳＡＷフィルタとして動作させる。これにより高周波部品モジュールの低背化が達成出来る。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ装置を形成する圧電ウエハの温度特性並びに電気特性を改善する。特にこれらの良好な特性と共に静電破壊等を防ぐことが出来る信頼性に優れた圧電ウエハを簡便な方法で製造する。
【解決手段】共に圧電性材料からなる第一ウエハと第二ウエハとを備え、第一ウエハと第二ウエハとを同極面同士が接合されるように貼り合せて一体化した複合圧電ウエハである。第一ウエハの厚さは０.１λ〜１．５λである。両ウエハを一体化するには直接接合又は表面活性化接合による。第一ウエハには、焦電特性の改善処理、添加物の添加および体積抵抗率を３．６×１０¹⁰ 〜１．５×１０¹⁴Ω・ｃｍとすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】従来の弾性表面波デバイスでは、温度特性を改善しようとすると電気的特性が劣化するという問題があった。
【解決手段】圧電基板１１と、この圧電基板の第１の主面上に形成された櫛形電極１２と、圧電基板の第２の主面と接合された支持基板１３とを備え、圧電基板の第２の主面と支持基板１３とは、金属層１４を介して接合されたものであり、温度ドリフトが小さく、電気的特性、信頼性に優れた弾性表面波素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ベアＳＡＷチップを他の電子部品とともに誘電体基板に実装し、実装面積の縮小や低背化を実現可能とした高信頼性の高周波モジュールを得る。
【解決手段】励振電極と、該励振電極を取り囲む接地電極と、入出力電極とが主面に形成されたベアＳＡＷチップの前記各電極を誘電体基板表面に形成された電極と対面させ、前記励振電極のＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成されるように、前記ベアＳＡＷチップの接地電極および入出力電極と、誘電体基板側の前記電極とを導電性接着剤によって接続してなるとともに、前記誘電体基板表面に他の電子部品を搭載および／または基板表面に受動回路を形成してなる高周波モジュールであって、前記ベアＳＡＷチップおよび前記発熱性素子を熱伝導率が、前記誘電体基板の熱伝導率の０．１５倍〜１倍の熱硬化性樹脂で気密封止したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド積層構造の基板にＩＤＴを形成したダイヤモンドＳＡＷ素子により高周波化を図ることに加え、周波数を高精度に調整し、優れた周波数安定性を実現し、周波数調整量に対する伝送特性及び温度特性の変動を抑制する。
【解決手段】 Ｓｉ基板２の主面にダイヤモンド層３とＺｎＯの圧電体層４と交差指電極からなるＩＤＴ６，８とＳｉＯ_２ の絶縁保護膜１１とを積層してＳＡＷ素子１を形成し、その表面にＡｕ粒子１２をスパッタリングで均一に被着させて、ＳＡＷ素子の周波数を調整する。周波数の調整量は、スパッタ電力を適当に選択しかつその加工時間を設定することによって線形的に制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結合係数が大きな弾性表面波デバイスを素子特性のばらつきなく提供することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、チタンあるいはニオブの少なくとも一方を白金に混入したものをバッファ層３に用いたことにより、バッファ層に酸化物を用いないため組成ずれを起こすことがなく、そのため素子特性のばらつきを生むこともなく、且つ、白金に混入されたチタンあるいはニオブが白金の上層に偏析することにより形成されるチタンあるいはニオブの酸化物を成長の核として、その上面にＸ線構造解析において回折強度が最大となる第１の角度を２２度付近に有し、この第１の角度の次に大きな回折強度を持つ第２の角度を４５度付近に有するニオブ酸カリウムで圧電体層を形成することができるため、電気機械結合係数の大きな弾性表面波デバイスを素子特性のばらつきなく提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 弾性表面波素子の反りをなくし、所望のＩＤＴ電極間距離と弾性表面波の伝播距離を保持し、且つ、所望の弾性表面波の音速を得ることができ、このことによって所望の周波数を得る。
【解決手段】 弾性表面波素子１０は、基板２０の表面に圧電体層３０を形成し、圧電体層３０の表面にＩＤＴ４０を形成する弾性表面波素子であって、基板２０と圧電体層３０の熱膨張係数が異なるとき、基板２０と圧電体層３０の間に中間層６０を設け、基板２０の熱膨張係数＜中間層６０の熱膨張係数＜圧電体層３０の熱膨張係数、となる条件を満たしている。 （もっと読む）

本発明は、無指向性の弾性波反射器(32)上の圧電膜(41)と、圧電膜の表面上に設けてあり、弾性波鏡の禁制帯内の波を励振すべく用いられる励振及び／又は受容手段(43, 44)とを備える弾性波装置に関する。
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