【課題】基体上にニオブ酸カリウムナトリウムからなる圧電体層が形成された圧電体積層体を提供する。
【解決手段】圧電体積層体１００は、基体１と、前記基体１の上方に形成された、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる第１圧電体層３と、を含む。前記第１圧電体層３は、組成式（Ｋ_ａＮａ_１−ａ）_ｘＮｂＯ_３で表され、該組成式において、０．１＜ａ＜１であり、１≦ｘ≦１．２であることができる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶基板の主面上において、所望のテラス幅及び所望のステップ高さを有したマルチステップ構造を、より再現性良く形成させることである。
【解決手段】
単結晶基板１の表面に形成されるステップ構造のステップ部２の位置を特定の場所にピン止めするための方法であって、当該単結晶基板１の表面について、ステップ構造を生じうる面からの、互いに直交するｘ方向及びｙ方向に向かうオフ角度θの大きさとしてθ_ｘ及びθ_ｙを測定し、当該θ_ｘ及びθ_ｙの値から当該ステップ構造のステップ部２の形成される方向を予測し、この予測した方向に沿って、微小孔３ａ又は微小突起３ｂのアレイ体の形成を行うことを特徴とする、ステップ構造のピン止め方法である。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングの容易な単結晶薄膜からなるAT‐cut水晶振動子用や高機能弾性表面波（SAW）素子用基板の実現とその光ＣＶＤ製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン（０１１）基板１０１上にβ‐SiC（０１１）緩衝層（低温成長緩衝層である水晶薄膜）１０２、成長層として水晶（０１１）１０３をヘテロエピタキシャルに結晶成長させた後、前記シリコン基板の裏面に形成されたSiO2膜をマスクとして異方性エッチングで不要なシリコンを除去して水晶エピタキシャル薄膜が露出して存在する領域１０４を形成し、ダイアフラム構造とする。 （もっと読む）

【課題】高温環境下でも、弾性表面波の励振が可能な弾性表面波デバイスとその製造方法を提供することにある。
【解決手段】サファイア基板１１上に形成される伝搬層１２と、伝搬層１２上に形成される櫛形電極１５および１６を備えるトランスバーサルフィルタ１０において、圧電性を有し積極的に不純物を含まないＧａＮから伝搬層１２を形成し、ＧａＮと比較して狭いバンドギャップを有し積極的にｎ型不純物を含むＩｎＧａＮから櫛形電極１５および１６を形成した。 （もっと読む）

【課題】
従来の弾性表面波装置では、櫛型電極の配置によっては温度変化に伴う基板変形の抑制効果を達成することができない。特に、弾性波表面装置の端面及びこれに近い領域では温度変化に伴う基板変形を抑制することができず、所望の周波数温度特性を得ることができない。
【解決手段】
本発明における弾性表面波装置では、圧電基板と、前記圧電基板に接合され、前記圧電基板と異なる膨張係数の材質からなる支持基板と、前記圧電基板の面上に配置された弾性表面波を励振する櫛型電極と、を備え、弾性表面波が伝播する方向において、前記櫛型電極の長さが前記圧電基板の長さに対して４０％以上７０％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電特性などに優れた新規な圧電材料を提供すること。
【解決手段】圧電材料は、下記一般式（１）で表される。
x(K_1/2Bi_1/2)TiO₃-(1-x)KNbO₃ ・・・（１）
前記一般式（１）において、０．３≦ｘ≦０．７であることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を温度変化させたときに、温度改善効果が高く、圧電基板において面内周波数温度係数のばらつきが小さく、周波数温度特性が優れた安定性を有するものであるとともに、熱により生じる反りが小さい複合圧電基板を提供する。
【解決手段】圧電基板とセラミック基板とを貼り合せた複合圧電基板であって、前記セラミック基板は厚さが１００μｍ以上であり、該セラミック基板と前記圧電基板とを接着剤を介して貼り合せたものである複合圧電基板。 （もっと読む）

本発明は２つの基板を備えた電気音響素子に関する。本発明によれば、２つの基板間に金属層と第１の音響インピーダンスＺ_ａ，２を有する層とを含む層列が配置され、金属層は第１の音響インピーダンスＺ_ａ，２より高い第２の音響インピーダンスＺ_ａ，１を有する部分層を含み、ここでＺ_ａ，１／Ｚ_ａ，２≧４．５が成り立つ。これにより音響バルク波に対して充分な音響反射が保証される。また、本発明は、リチウムタンタレートから成る圧電基板を備えた電気音響素子に関しており、当該の圧電基板は回転ＹＸカット角φを有し、７°＜φ＜２４°が成り立つ。
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【課題】
優れた伝搬特性と周波数特性の広帯域化を両立させうる弾性表面波デバイスを提供することにある。
【解決手段】
サファイア基板１１と、サファイア基板１１上にＧａＮ薄膜で形成された伝搬層１２と、伝搬層１２の表面上に形成された入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４を有する弾性表面波デバイスの一種であるトランスバーサルフィルタ１０において、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４により励振される弾性表面波が伝搬層１２面内で最も遅い速度で伝搬する方向である｛１１−２０｝方向と、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４の電極指の配列方向を整合させ、かつ電極指の線幅および配列間隔を配列方向と直交する方向に変化させて、入力側櫛型電極１３、出力側櫛型電極１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上を図りつつ、所望の周波数特性を有する弾性表面波素子を得ることができる弾性表面波素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電材料を主材料として構成された圧電体層４上に、電気信号の入力用および出力用の１対のＩＤＴ５、６と、１対のＩＤＴ５、６を保護する保護膜７とを順次積層する弾性表面波素子１の製造方法であって、圧電体層４上に１対のＩＤＴ５、６を形成して、基体１ａを得る工程と、基体１ａに弾性表面波を励振させ、その伝播速度を測定する工程と、測定された伝播速度に基づいて、得られる弾性表面波素子１の弾性表面波の伝播速度が目的とする設定伝播速度となるように、保護膜７の設定膜厚を決定する工程と、決定された設定膜厚となるように保護膜７を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量が低減され、入力コンダクタンスにおけるバックグラウンドが著しく抑制された表面弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】サファイア基板１−０上に、ＧａＮ伝搬層１−１からなるメサ構造１−３が形成され、メサ構造１−３上面に、櫛形電極である、１−５ａと１−５ｂとの組み合わせ、及び、１−６ａと１−６ｂとの組み合わせが、所定の間隔をおいて対向する位置に形成され、櫛形電極１−５ａと１−５ｂ、及び、１−６ａと１−６ｂに導通し、これら櫛形電極に信号を印加するか、あるいは、櫛形電極から信号を取り出すための引き出し電極１−７ａ、１−７ｂ、１−８ａ、１−８ｂが、メサ構造１−３の外部において、基板１−０表面に接するように、形成されている表面弾性波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】 発振回路が発生するノイズが、半導体基板の外周端面に反射し再度発振回路に侵入すること、且つ、外周端面から弾性表面波素子の表面層に回りこむことを抑制する。
【解決手段】 弾性表面波素子１０は、半導体基板２０の表面層に少なくとも発振回路３０と、ＩＤＴ領域４０と、を混在してなる弾性表面波素子１０であって、発振回路３０とＩＤＴ領域４０とを含む周囲、またはそのどちらか一方の周囲をリング形状に取り囲む導電体層としての金属層５０を備え、金属層５０がＧＮＤに接続されている。このようにすることで、発振回路３０が発生するノイズが、半導体基板２０の外周端面に反射し、再度発振回路に侵入すること、且つ、外周端面から弾性表面波素子の表面層に回りこむことを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明はＦＢＡＲおよびＳＡＷ共振器が集積された集積フィルタ（Integrated Filter）が開示される。
【解決手段】本集積フィルタは、基板と、基板の上部表面上の所定第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第１圧電層と、第１圧電層上に位置する第２電極と、基板の上部表面上の所定第２領域に位置する第２圧電層と、第２圧電層上に位置するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを含む。ＩＤＴ電極が、第２圧電層上に位置し、コーム構造で製造された第１ＩＤＴ電極と、第１ＩＤＴ電極と噛み合ったコーム構造で製造された第２ＩＤＴ電極とを含むことができ、第１圧電層および第２圧電層が同一物質で製造されることができる。これによって様々な周波数帯域で動作するフィルタを小型で製造できる。 （もっと読む）

【課題】 圧電体薄膜の割れ、剥離を生じることなく高温処理などの加熱、冷却を行うことが可能な、薄膜振動片の製造方法、薄膜振動片、薄膜振動子及び圧電発振器を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜振動片の製造方法は、基板１１上に電極部としてのＰＡＤ電極１２を形成し、さらに基板１１上、及びＰＡＤ電極１２の上面に、非晶質薄膜としての、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）薄膜１３を形成する。次に、ＳｉＯ₂薄膜１３上に、圧電体薄膜としての酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜１４を形成し、ＺｎＯ薄膜１４上面に、励振電極１６、反射器１７を形成する。次に、ＰＡＤ電極１２に対応する部分のＺｎＯ薄膜１４とＳｉＯ₂薄膜１３とを除去し、ＰＡＤ電極１２を露出するための開口部１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ダイシングに際しての層間剥離やチッピングが生じ難い弾性境界波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電材料からなる母基板１上に、複数の弾性境界波装置２を構成するための複数のＩＤＴ５を形成し、ダイシングされる領域の少なくとも一部において、層間剥離防止用金属パターン７を形成し、ＩＤＴ及び層間剥離防止用金属パターン７が形成された後に、絶縁膜１０を形成し、しかる後、ダイシング領域においてウェハ１をダイシングし、弾性境界波装置２を取り出す、各工程を備える、弾性境界波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 フィルタ装置及び分波器の電気特性改善のためフィルタ装置と別体に集中定数素子を設けると大型化してしまう。集中定数素子をパッケージ内層ストリップ線路のみで構成すると、Ｑ値が低いため、損失が大きくなるという欠点があった。
【解決手段】 回路基板上のパターン電極とフィルタ素子が形成された基板上のパッド電極が導電材を介して電気的に接続する接続部が、信号線と接地線を電気的に結ぶように配線した接続部を形成した。その結果、低損失で高減衰特性を持つ、小型化されたフィルタ装置、これを用いたマルチバンドフィルタ、分波器及び通信装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 バンプ接合により高密度実装が可能であり、かつ水分の侵入等による特性の変動が生じ難い、信頼性に優れた弾性境界波装置を得る。
【解決手段】 圧電基板１Ａ上にＩＤＴ９が形成されており、ＩＤＴ９を覆うように絶縁膜７が積層されており、絶縁膜７上に吸音膜８が積層されており、アンダーバンプメタルを電解メッキにより形成するためのＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７の開口部に至っており、絶縁膜７の開口部においてＩＤＴ９とＵＢＭ下地層１３と電気的に接続している配線１２に接続されており、吸音膜８にＵＢＭ下地層１３の一部を露出している吸音膜開口部８ａが形成されており、ＵＢＭ下地層１３が、絶縁膜７と吸音膜８との境界において給電ライン１４に接続されており、該給電ラインから電流を通電することによりＵＢＭ下地層１３上にＵＢＭが電解メッキにより形成されている、弾性境界波装置６。 （もっと読む）

ＨＦフィルタが提案され、このＨＦフィルタは、直列共振器（Ｓ１）及び少なくとも２つのそれぞれ並列分岐路に配置された並列共振器（Ｐ１、Ｐ２）を有する第１の部分フィルタ（ＴＦ１）を有し、ＤＭＳフィルタとして形成された第２の部分フィルタ（ＴＦ２）を有し、ベースプレート上にいくつかの内部ハウジング接点（ＧＫｉ）を有するハウジングを有し、このベースプレートは基板（ＳＵ）上の端子面に接続されており、これに比べて少数の外部ハウジング接点（ＧＫａ）を有し、これらの外部ハウジング接点はベースプレート内部に導かれる線路（ＤＬ１、ＤＬ２）を介して内部ハウジング接点（ＧＫｉ）に接続されており、第１の並列共振器（Ｐ１）及び第２の部分フィルタ（ＴＦ２）のアース端子のためのベースプレート内に又はベースプレート上に互いに別個に導かれた少なくとも２つの線路を有し、これらの線路は少なくとも２つ異なる外部ハウジング接点（Ｅ２、Ｅ４）に接続されている。
（もっと読む）

【課題】フェースダウン実装時において、半田接合部にクラックが生じることのない信頼性の高い弾性表面波素子およびそれを用いた高周波モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、圧電基板２８の一方主面の周縁部に近接または隣接して環状電極３１が形成されてなる弾性表面波素子であって、環状電極３１が圧電基板２８の一方主面の周縁部から側面にかけて延出したことを特徴とする弾性表面波素子である。 （もっと読む）

【課題】デュプレクサの受信用帯域通過フィルタの設計変更を最小限に留めた良好な減衰特性の高周波モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の高周波モジュールは、弾性表面波素子における複数の並列共振用励振電極のうち、回路上最も出力に近い並列共振用励振電極の一端を単独接地用端子に接続するとともに、その他の並列共振用励振電極の一端をリング状接地用端子に接続し、単独接地用端子およびリング状接地用端子をそれぞれ独立にインダクタンス成分を介して誘電体基板の裏面に形成されたグランドパターンに接続してなり、単独接地用端子とグランドパターンとの間に介在させるインダクタンス成分を、誘電体基板の表面に実装したチップインダクタで構成したことを特徴とする。 （もっと読む）