【課題】圧電基板と支持基板とを貼り合わせた弾性表面波素子につき、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化を抑制しつつ、スプリアスの発生を抑制する。
【解決手段】弾性表面波素子は、弾性波を伝搬可能なＬＴ基板１０と、ＬＴ基板の表面に設けられ弾性表面波を励振可能な櫛形電極１６，１７と、ＬＴ基板と貼り合わせられ圧電基板の裏面よりも粗く且つこのＬＴ基板から伝搬してきたバルク波を散乱させる粗さの裏面を有し熱膨張係数がＬＴ基板よりも小さいシリコン基板１２と、ＬＴ基板１０とシリコン基板１２とを接着する有機接着層１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合基板につき、その圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際の圧電基板の縁の部分の欠けの発生を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１２の外径から面取り部を減じた長さに貼り合わせ時の位置ずれに対応するマージンを見込んだ外径のＬＴ基板とを用意する（図５（ａ））。次に、ＬＴ基板１０の裏面に有機接着剤１３を塗布し、シリコン基板１２と貼り合わせて貼り合わせ基板１６を形成する（図５（ｂ））。続いて、ＬＴ基板１０の表面と研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給して、ＬＴ基板１０の表面を研磨定盤により研磨することによりこのＬＴ基板１０の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する（図５（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを貼り合わせただけのものに比して温度の変化に対する大きさの変化が少なく弾性波素子に用いられる複合基板を比較的簡単に製造する。
【解決手段】シリコン基板１２と、ＳＡＷを伝搬可能なＬＴ基板１０と、ＬＴ基板１０と同じ形状の樹脂フィルム１８とを用意する。次に、ＬＴ基板１０に有機接着剤１３を塗布しシリコン基板１２と貼り合わせると共に樹脂フィルム１８をシリコン基板１２に重ね合わせた後加熱して貼り合わせ基板１６を形成する。続いて、ＬＴ基板１０の表面を研磨定盤により研磨することによりこのＬＴ基板１０の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する。 （もっと読む）

機械共振構造体、並びに関連する機器および方法が記載される。機械共振構造体は、温度変化を補償する補償構造を有する。
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【課題】裏面に金属膜を有していてもよい圧電基板と支持基板とを有機接着層により貼り合わせた複合基板につき、支持基板にキャビティを設けたあと、圧電基板へ与えるダメージを抑制しつつ、キャビティ内の有機接着層を確実に除去することができるようにする。
【解決手段】複合基板１０は、支持基板１２と、ラム波を伝播可能な圧電体１１ａを有する圧電基板１１と、圧電基板１１の裏面に接するように設けられた犠牲層１４と、犠牲層１４の裏面と支持基板１２とを接着する有機接着層１３とを備え、犠牲層１４は、酸性液に溶解する速度が有機接着層１３よりも速い材質により形成されている。 （もっと読む）

【課題】加熱剥離における問題を解決できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。この加熱剥離を行う際、減圧雰囲気下で、且つ当該減圧雰囲気の気圧に応じた加熱温度を用いる（Ｓ１０４）。このような減圧雰囲気を用いることで、大気圧での加熱よりも低い温度で圧電薄膜１０が剥離形成される。 （もっと読む）

【課題】圧電体の単結晶基材が再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の均質な厚みの単結晶薄膜を得られ、効率的にマイクロキャビティを形成できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe⁺イオンを注入する。これにより、単結晶基材１の表面から内部に離れた剥離層３に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程（Ｓ２）では、イオン注入工程（Ｓ１）で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材１を剥離層３で分断して単結晶薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

【課題】無線機器の送信フィルタや受信フィルタを構成した場合であっても、阻止域における減衰量を十分な大きさとすることができ、良好な周波数特性を有する弾性境界波フィルタを提供する。
【解決手段】第１の媒質層１０１と、前記第１の媒質層１０１に積層された第２の媒質層１０９と、第１，第２の媒質層の境界に配置されており、電気音響変換器を構成している電極としてのＩＤＴ電極１０３〜１０５とを備え、上記電極の周期により決定される波長λと、通過帯域よりも高域側の阻止域下端の周波数との積である弾性境界波の音速が、第１，第２の媒質層１０１，１０９を伝播する遅い横波よりも小さくされており、かつ前記第１，第２の媒質層１０１，１０９を伝播する遅い横波の音速よりも弾性境界波の音速が低い、弾性境界波フィルタ１１。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の反り増加量が小さく、かつ安価な複合化された圧電基板を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板と絶縁体基板が接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板であって、前記圧電基板は、導電率が１×１０^−１３［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上、特には導電率が５×１０^−１２［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上１×１０^−１０［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であり、また前記絶縁体基板は、導電率が１×１０^−１４［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であることを特徴とする複合化された圧電基板。 （もっと読む）

【課題】高周波化が可能であり、しかも耐候性及び電気特性に優れる弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子は、ダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上に設けられた窒化アルミニウム層と、窒化アルミニウム層上に設けられた酸化シリコン層と、前記窒化アルミニウム層と前記酸化シリコン層との間に設けられ窒化アルミニウム層に電圧を印加する一対の電極と、を有している。窒化アルミニウム層の厚みＨ_１、酸化シリコン層の厚みＨ_２、及び弾性表面波の波長λを用いて定義される（ｘ、ｙ）が、以下の式、ｙ≦０．７５０×ｘ＋０．３２５、ｙ≦−０．３００×ｘ＋１．６９０、ｙ≧−０．５００×ｘ＋０．９５０、ｙ≧０．７００×ｘ−０．６１０（ただし、ｘ＝２πＨ_１／λ、ｙ＝２πＨ_２／λ）をともに満たす範囲Ａ１内である。 （もっと読む）

【課題】入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更することなしに中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置の提供。
【解決手段】高周波表面音波装置が開示されている。開示の高周波表面音波装置は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を容易に調整することができる。開示の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面上か、または下に対で形成される。また、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは０．５μｍ〜２０μｍであることができる。圧電層はＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ₃から作られることができる。圧電層の厚さは０．５μｍ〜５μｍであることができる。 （もっと読む）

【課題】高周波SAWデバイスの製造コスト削減の為、その基板として高価なサファイア基板の要件を排除する高周波SAWデバイスの提供。
【解決手段】高周波SAWデバイス２は、基板２１と、前記基板２１の表面上に形成された第1緩衝層２２と、前記第1緩衝層２２の表面上に形成された第2緩衝層２３と、前記第2緩衝層２３の表面上に形成された圧電層２４と、入力変換ユニット２５と、出力変換ユニット２６とを備えて成り、前記入力変換ユニット２５および前記出力変換ユニット２６は前記圧電層２４の表面上もしくはその下方に夫々対として形成される。 （もっと読む）

【課題】端子に静電気を帯びた部分が接触したとしても、ＩＤＴ電極の破壊が生じ難い、弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板２と、第１の媒質層３と、第２の媒質層４とが積層されており、圧電基板２と第１の媒質層３との境界に電極構造５が形成されている三媒質構造の弾性境界波装置であって、第２の媒質層４上にＩＤＴ電極に電気的に接続されている複数の端子６〜１１が形成されており、複数の端子６〜１１が、第２の媒質層４に電気的に接続されており、第２の媒質層４が静電気を流し得る抵抗性材料からなる、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】低周波表面音響波デバイスを製造するために必要とされるのと同一の製造機器により且つ同一の材料を以て製造され得る高周波表面音響波デバイスを実現する。
【解決手段】圧電基板１０と、圧電基板１０の表面上に形成され、その表面音響波の音響波速度は5,000ｍ／秒より大きいという高音響波速度層１１と、入力変換部１２と、出力変換部１３とを備え、入力変換部１２および出力変換部１３は高音響波速度層１１の表面上または該表面下に対として形成される。更に、高音響波速度層１１は、好適には酸化アルミニウムで作成されると共に、電子ビーム蒸着プロセスにより圧電基板１０の表面上に形成される。その厚みは好適には、2μm〜20μmである。 （もっと読む）

【課題】温度変化による特性の変化を抑制する温度補償用膜が形成されており、製造工程の煩雑さをさほど招くことなく温度補償用膜を容易に形成でき、かつ小型化を図ることが可能な弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】対向し合う第１，第２の主面１ａ，１ｂを有する圧電ウェーハ１を用意すう工程と、圧電ウェーハ１の第１の主面１ａのＩＤＴ電極４を形成する工程と、第２の主面１ｂ上にＳＯＧ法により温度補償用膜を形成する工程と、圧電ウェーハを複数の圧電基板に分割する工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】小型、薄型の実現と、パッケージングが容易で、しかも、高信頼性を有する弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０の製造方法は、半導体基板２０の表面に櫛歯形状のＩＤＴ電極６０が形成される弾性表面波素子１０の製造方法であって、半導体基板２０の能動面側表面に絶縁層２１〜２３を形成する工程と、絶縁層２３の表面全体に基台層３０を形成する工程と、基台層３０の表面を平坦化処理する工程と、平坦化処理された基台層３０の表面に圧電体５１を形成する工程と、圧電体５１の表面にＩＤＴ電極６０を形成する工程と、基台層３０の表面周縁部に、基台層３０の表面からＩＤＴ電極６０の表面までの高さよりも高く、圧電体５１及びＩＤＴ電極６０を取り囲むバンク４１を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】所望でないスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とするＳＨタイプの弾性境界波を利用した弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】第１の媒質層２と、第１の媒質層２に積層された第２の媒質層６との境界に、インターデジタル電極３、反射器４，５を含む電極が形成されており、第１の媒質層２及び／または第２の媒質層６の境界面とは反対側の面において変位を有し、弾性境界波装置の反共振周波数よりも高域側もしくは通過帯域よりも高域側に現れる、スプリアスとなるモードを減衰させる吸音層７が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性境界波デバイスにおける電気特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、圧電基板１と、この圧電基板１の主面に設けられた櫛形電極３と、圧電基板１の主面上において櫛形電極３を覆うとともに、横波の伝播速度が圧電基板１より遅い第１の絶縁層２とを備えた弾性境界波デバイスにおいて、櫛形電極３と圧電基板１の間に横波の伝播速度が第１の絶縁層２の横波の伝播速度より遅い材料からなる第２の絶縁層５を設けたのである。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド積層構造の基板にＩＤＴを形成した高周波化対応のダイヤモンドＳＡＷ素子において、その周波数を高精度に調整することができかつ周波数安定性に優れたＳＡＷ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に形成された交差指電極５ａ，５ｂ及び交差指電極からなるＩＤＴと、を有し、原子量が１５０ａｍｕよりも大きくて物理吸着が少ないＴａ粒子１２を、基板２の主面に、交差指電極５ａ，５ｂ間及び交差指電極間が短絡しない程度に付着され、それにより周波数を調整したＳＡＷ素子１である。 （もっと読む）