【課題】結晶性のより良好な圧電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜１を第１圧電体薄膜１３と第２圧電体薄膜１５との２回に分けて
形成する。ここで、第１圧電体薄膜１３形成後に熱処理を行うため、第１圧電体薄膜１３
の結晶性が、熱処理前の第１圧電体薄膜１３と比較して向上できる。そして、その後形成
される第２圧電体薄膜１５も熱処理後の第１圧電体薄膜１４に倣って結晶成長し、全体と
して結晶性の向上した圧電体薄膜１を得ることができる。また、第１圧電体薄膜１３，１
４の膜厚が、５ｎｍ以上で１００ｎｍ以下で、圧電体薄膜１全体の膜厚である数μｍと比
較すると薄い。この程度の厚さの薄膜は、結晶の欠陥数自体が少ない。そして、熱処理温
度が３００℃より大きければ、欠陥数が少ないので十分な結晶性を得ることができ、８０
０℃以下であれば、基板１０との熱膨張係数の違いによる薄膜の剥離も少なくできる。 （もっと読む）

【課題】励振電極に保護膜が被覆された際に、ＳＡＷ装置の周波数温度特性が良好となるＳＡＷ装置を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するためのＳＡＷ装置は、カット角がオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）の範囲内にある事を基本とする面内回転ＳＴカット水晶基板（圧電基板）を用いたＳＡＷ装置である。そして、設定された共振周波数において所望する周波数温度特性を得るために必要とされる前記圧電基板のカット角に、圧電基板の主面に構成する励振電極本体に対する保護膜付与の影響による周波数温度特性の変化量に基づいて予め求めた面内回転角ψの補正量Δψを加えたカット角によって構成した圧電基板１２と、圧電基板１２の主面に形成された励振電極本体１８と、補正量Δψによる周波数温度特性の変化量に対応した膜厚に設定されて励振電極本体１８に付与される保護膜２０とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
球状表面弾性波素子における表面弾性波の励起や計測、計測結果の送信などの各種機能実現にには、各種電子部品を配線等で設けるのが一般的であるが、その場合、その各種電子部品の設置位置や方向など、球状表面弾性波素子が球形であっても位置決めや方向決めを容易にすることを可能とする。
【解決手段】
球状表面弾性波素子に円形以外の形状等の窪みを有し、その窪みに電子部品が電気的接続でや物理的固定接続などの接続がされていることを特徴とする電子部品付球状表面弾性波素子とその製造方法および表面弾性波伝搬情報送信素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の周波数特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために本発明は、実装基板１４上に配置された外部電極１５を介して実装された電子部品６をモールド樹脂１６で被覆した電子部品パッケージにおいて、電子部品６は、圧電体からなる部品基板７の下面に配置したＩＤＴ電極８を部品カバー９で覆った構造であり、部品基板７とモールド樹脂１６との間に弾性率が部品基板７より小さく且つモールド樹脂１６より大きい中間弾性層１７を設けた構造とした。 （もっと読む）

【課題】タンタル酸リチウム基板とニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層を有する圧電体積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電体積層体１００は、タンタル酸リチウム基板１１と、タンタル酸リチウム基板１１の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】構造的強度を高め、安定した特性を実現するラム波型高周波デバイスと、製造工程内において割れにくく、歩留りを向上できる製造方法を提供する。
【解決手段】ラム波型高周波デバイス１０は、ＩＤＴ電極３０が一方の主面に形成された圧電基板２０と、圧電基板２０の他方の主面に接合される補強基板５０と、からなり、圧電基板２０と補強基板５０との接合面において、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間５４が設けられている。また、このラム波型高周波デバイス１０の製造方法は、補強基板５０に空間５４に相当する凹部５３を形成する工程と、凹部５３内に犠牲層を形成する工程と、圧電基板２０の厚板と補強基板５０とを接合した後、圧電基板２０の厚板を所定の厚さに研磨する工程と、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２を形成する工程と、犠牲層を除去して空間５４を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】タンタル酸リチウム基板とニオブ酸カリウム層を有する圧電体積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電体積層体１００は、タンタル酸リチウム基板１１と、タンタル酸リチウム基板１１の上方に形成されたニオブ酸カリウム層１２またはニオブ酸カリウム固溶体層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】球状弾性表面波素子の表面に形成する感応膜形成プロセスにおいて、複数の周回経路の表面に選択的に感応膜を形成することで、独立して働く多機能素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波が周回可能な円環状経路を複数有し、各経路に独自に受信電極を有する球形状表面を有する３次元基材の表面に、前記弾性表面波を励起検出する電気音響変換素子を有し、環境変化に従って伝搬状態が変化する感応膜を有する球状弾性表面波素子であって、経路毎に感応膜のパターンが異なっていることを特徴とする球状弾性表面波素子を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子の特性を向上させる。特に、素子の電極の劣化を低減する。
【解決手段】基板１０と、基板の主表面のダイヤモンド層１０ｂ上に形成された圧電体膜１３と、この上側に形成された弾性表面波発生用の櫛歯型電極１５ａと、この電極上に電極を覆うよう形成され、圧電体膜１３と同じ材料からなる電極被覆膜１７と、を有するよう弾性表面波素子を構成する。このように、櫛歯型電極１５ａの全体を圧電体膜１３と圧電体膜と同じ材料からなる電極被覆膜１７とで覆うことにより、電極のストレスマイグレーション耐性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】櫛型電極や弾性表面波の伝搬領域が確実に保護された弾性表面波素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１０上に形成された櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２を有する弾性表面波素子において、櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２が収容される空間を形成して、櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２を覆う蓋体を圧電基板１０上に設けた。蓋体は、例えば、櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２が収容される空間を形成して、櫛形電極及び弾性表面波の伝搬領域１２を覆うように跨ぐブリッジ状の第一の蓋体部１４と、第一の蓋体部１４を封止する封止膜１６と、第一の蓋体部１４を覆う第二の蓋体部１８と、からなる二重構造となっている。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数が大きく、周波数温度特性が極めて良いとともに、特に耐電力性が高く、大きな電力を印加しても電極が劣化しない安価な弾性表面波素子を生産性高く提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波または漏洩弾性表面波を励振・検出する金属電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板とセラミック基板とを接着剤を介して貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記金属電極の厚さは、漏洩弾性表面波の波長で規格化した値で０．０４以上であり、前記圧電基板表面の弾性表面波または漏洩弾性表面波の伝播方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装された弾性表面波素子。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、周波数温度特性改善効果が高い弾性表面波素子を安価に提供する。
【解決手段】圧電基板上に弾性表面波または漏洩弾性表面波を励振・検出する電極が形成された弾性表面波素子であって、少なくとも、圧電基板とセラミック基板とを接着剤を介して貼り合わせた複合圧電基板をチップ形状に加工した複合圧電チップと、該複合圧電チップをフリップチップボンディングによって実装する実装基板とを具備し、前記圧電基板表面の弾性表面波または漏洩弾性表面波の伝播方向の膨張係数αｃ（ｐｐｍ／℃）と、前記実装基板の膨張係数αｓ（ｐｐｍ／℃）とが、αｓ＜αｃ＜αｓ＋６なる関係を満たすように実装されたものであることを特徴とする弾性表面波素子。 （もっと読む）

【課題】弾性波素子の特性を向上させ、また、弾性波素子の歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板１０上に圧電膜１３を形成し、この圧電膜１３上に導電性膜１７を形成し、さらに、圧電膜１３上に弾性波発生用の櫛歯型電極１９ａを形成するとともに、導電性膜１７上に位置し、櫛歯型電極１９ａと電気的に接続される導電性膜１９ｂを形成した後、櫛歯型電極１９ａを覆い、導電性膜１９ｂ上に開口部ＯＡ２を有する保護膜２１を形成する。その結果、開口部ＯＡ２の形成、即ち、保護膜２１のエッチングの際、開口部ＯＡ２底部にエッチング残渣が生じていてもワイヤボンディング時に貫通することが可能なため、接続不良を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ｃ軸方向が圧電基板表面にほぼ平行な方向に配向されている圧電薄膜を有する圧電装置を提供する。
【解決手段】（０１０）面ＬｉＮｂＯ_３基板、（０バー１０）面ＬｉＮｂＯ_３基板、（０１０）面ＬｉＴａＯ_３基板及び（０バー１０）面ＬｉＴａＯ_３基板からなる群から選択された１種の圧電基板２と、前記圧電基板２上に形成されており、ｃ軸方向が基板表面に実質的に平行な方向に配向されているＺｎＯまたはＡｌＮからなる圧電薄膜４と、前記圧電薄膜４に接するように形成された第１，第２の電極３，５とを備える。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えるとともに、周波数精度の高いＳＡＷデバイスおよびＳＡＷデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイスは、パッケージ１２の底面に設けた接着剤２８とＳＡＷ素子片４０の基端５０側とを接合させて、ＳＡＷ素子片４０をパッケージ１２に片持ち搭載したものである。このとき、ＳＡＷ素子片４０は、接着剤２８が接合されている基端５０側に比べて先端５２を上方に傾けて、パッケージ１２に搭載されている。これによりＳＡＷ素子片４０の先端５２がパッケージ１２の底面に接触するのを防止でき、またＳＡＷ素子片４０に応力が加わるのを防ぐことができるので、周波数温度特性のばらつきを最小限に抑えることができ、周波数精度の高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】熱工程における電子部品の電気接続の断線を防止するものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、部品基板１６と、この部品基板１６の下面に配置した素子（ＩＤＴ電極１７）およびこの素子１７の外周に配置した引き出し電極（受信端子２４、アンテナ端子２５、送信端子２６、グランド端子２７）と、この引き出し電極２４〜２７と前記素子１７とを接続する配線１８と、この配線１８および前記引き出し電極２４〜２７の下面に設けた接着部１９と、この接着部１９を介して前記部品基板１６と接続される部品カバー２０とを備え、この部品カバー２０は、前記引き出し電極２４〜２７の下方に相当する部分に設けた貫通孔２１と、この貫通孔２１の内部に形成した外部端子接続部２２とを有するものである。これにより、電子部品（ＳＡＷデュプレクサ１５）の変形を低減し、結果として、電気接続の熱信頼性を向上することができるのである。 （もっと読む）

【課題】基体上にニオブ酸カリウムナトリウムからなる圧電体層が形成された圧電体積層体を提供する。
【解決手段】圧電体積層体１００は、基体１と、前記基体１の上方に形成された、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる第１圧電体層３と、を含む。前記第１圧電体層３は、組成式（Ｋ_ａＮａ_１−ａ）_ｘＮｂＯ_３で表され、該組成式において、０．１＜ａ＜１であり、１≦ｘ≦１．２であることができる。 （もっと読む）

【課題】 単結晶基板の主面上において、所望のテラス幅及び所望のステップ高さを有したマルチステップ構造を、より再現性良く形成させることである。
【解決手段】
単結晶基板１の表面に形成されるステップ構造のステップ部２の位置を特定の場所にピン止めするための方法であって、当該単結晶基板１の表面について、ステップ構造を生じうる面からの、互いに直交するｘ方向及びｙ方向に向かうオフ角度θの大きさとしてθ_ｘ及びθ_ｙを測定し、当該θ_ｘ及びθ_ｙの値から当該ステップ構造のステップ部２の形成される方向を予測し、この予測した方向に沿って、微小孔３ａ又は微小突起３ｂのアレイ体の形成を行うことを特徴とする、ステップ構造のピン止め方法である。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングの容易な単結晶薄膜からなるAT‐cut水晶振動子用や高機能弾性表面波（SAW）素子用基板の実現とその光ＣＶＤ製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン（０１１）基板１０１上にβ‐SiC（０１１）緩衝層（低温成長緩衝層である水晶薄膜）１０２、成長層として水晶（０１１）１０３をヘテロエピタキシャルに結晶成長させた後、前記シリコン基板の裏面に形成されたSiO2膜をマスクとして異方性エッチングで不要なシリコンを除去して水晶エピタキシャル薄膜が露出して存在する領域１０４を形成し、ダイアフラム構造とする。 （もっと読む）

【課題】モールド加工時のモールド樹脂の流入圧力に対して、破損を低減できる電子部品パッケージを提供する。
【解決手段】電子部品パッケージは、部品基板１３と、この部品基板１３の下面に配置した複数の電子部品素子１４およびこれら複数の電子部品素子１４を接続する配線１５と、前記複数の電子部品素子１４の外周に配置した接着部１６と、この接着部１６を介し前記部品基板１３の下面側を覆う部品カバー１７とを備え、この部品カバー１７と前記電子部品素子１４との間には前記接着部１６で囲まれたキャビティ１９があり、このキャビティ１９を、前記複数の電子部品素子１４の間に設けた仕切り壁１８によって仕切ることによって、外圧が印加された場合も、前記仕切り壁１８が電子部品の形状を支持し、さらにその外部応力を分散することができ、その結果として電子部品パッケージの破損を低減することができる。 （もっと読む）