【課題】鮮明なレーザ捺印が可能とすること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０の上面に形成された弾性波素子１１と、圧電基板１０の下面に形成され、可視光の透過率が圧電基板１０より小さい絶縁膜２０と、を具備する弾性波デバイスおよびその製造方法である。本発明によれば、圧電基板１０の下面または下方に可視光の透過率が圧電基板１０より小さい絶縁膜２０が形成されていることにより、鮮明なレーザ捺印を容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電極指の線幅が変動した場合における周波数変動量の差を少なくし、量産化に適した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】少なくともＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるための電極パターン１４としてのＩＤＴ１６を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波デバイス１０であって、ＩＤＴ１６を形成するための圧電基板１２として、（φ，θ，ψ）で示すオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）のカット角で切り出された水晶基板を採用し、ＩＤＴ１６を構成する櫛歯状電極１８（１８ａ，１８ｂ）の電極指間に電極指間溝（溝２８）を形成することで、溝２８で挟まれた水晶部分を電極指台座３０とし、電極指台座３０の上面に電極指２２が位置する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主として移動体通信機器にて使用される表面実装型の弾性表面波デバイスに関して、信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、圧電基板１上に設けられた櫛形電極２を覆う樹脂カバー８を、励振空間４の側方を囲む内側壁９と、この内側壁９の開口を覆う導体板１０と、この導体板１０及び内側壁９を覆う外側壁１１により構成し、外側壁１１における櫛形電極２の励振空間４と対向する表面に補助電極１２を設けるとともに、補助電極１２と導体板１０を柱状電極１３で接続した構成とした。 （もっと読む）

【課題】微細な電極形成に対応し、歩留り良くデバイスを作製できる圧電性酸化物単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】圧電性タンタル酸リチウムウェーハを用いて該圧電性タンタル酸リチウムウェーハの表面に電極を形成し、前記電極幅が１μｍ以下である弾性表面波フィルタを製造する方法であって、表面に付着している１μｍ以上の大きさのパーティクル数が８５個／ｍｍ^２以下である圧電性タンタル酸リチウムウェーハを用いて弾性表面波フィルタを製造する弾性表面波フィルタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】温度特性に優れた弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１２と、圧電基板１２の表面に設けられた弾性波を励振する櫛型電極１４と、圧電基板１２の表面上に設けられた絶縁膜２６とを具備し、絶縁膜２６の厚さは圧電基板１２の厚さより大きく、絶縁膜２６の線膨張係数は弾性波の伝搬方向における圧電基板１２の線膨張係数より小さい弾性表面波デバイス及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】共振周波数の温度特性と反共振周波数の温度特性との差を小さくすることができる弾性波素子を実現する。
【解決手段】圧電基板５と、圧電基板５上に形成された櫛形電極２と、櫛形電極２を覆うように圧電基板５上に形成された誘電体層２１とを備えた弾性波素子であって、圧電基板５上に形成された誘電体層２１の厚さは、櫛形電極２の厚さと櫛形電極２上に形成された誘電体層２１の厚さとの和より大きいことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】振動特性を損なうことなく、導電性異物による短絡などのトラブルを防止できる弾性表面波デバイス、および弾性表面波デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１上に、表面に絶縁膜２０が形成されたＩＤＴ電極１２と、反射器１３とが備えられている。ＩＤＴ電極１２の各電極指１２ａ，１２ｂの表面に形成された絶縁膜２０は、各電極指１２ａ，１２ｂの側壁部分において、圧電基板１１と接触しないように圧電基板１１との間に側壁部分の表面が露出された所定の隙間を設け、その他の各電極指１２ａ，１２ｂの上面および側面（側壁部分）に形成されている。絶縁膜２０は、各電極指１２ａ，１２ｂの形成用材料であるアルミニウムを陽極酸化させることにより形成された陽極酸化膜からなっている。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波素子において、圧電基板に対するアブソーバの接合強度を向上させることができる弾性表面波素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、圧電基板１０上に入力側櫛形電極１２と、その電極に接続されている入力側電極パッド１６と、出力側櫛形電極２０と、その電極に接続されている出力側電極パッド２４及び、圧電基板１０の両端部には、不要な弾性表面波を吸収又は減衰させるアブソーバ２８と、が設けられている。さらに、圧電基板１０上にＡｌ層によるベース部３２を形成し、ベース部の上にＡｌ₂Ｏ₃膜３３を形成し、その上に吸収材２９が接合するようにアブソーバ２８を形成する。結合強度を高めたこのアブソーバ２８によって、信号検出における不要な弾性表面波をより多く減衰させることでフィルタ特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷデバイスの圧電基板上に設けたヒータ電極による熱応力の影響を解消して周波数安定性を向上させる。
【解決手段】
圧電基板２，１２上にＩＤＴ３，１３及び反射器４，１４を備えるＳＡＷ共振子１，１１において、圧電基板の弾性表面波伝搬方向の長さＬ及び厚さＴを、ヒータ電極５を圧電基板の主面に形成したときは、Ｔ／Ｌが０．０６５以下となるように、ヒータ電極１５を圧電基板の裏面に形成したときは、Ｔ／Ｌが０．１２９以上となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、鏡面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、鏡面化された主面１１ａ上にスラリーを用いたコーティング法により直接形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイス用基板及びこれを用いた表面弾性波デバイスにおいて、均一な単結晶で結晶育成の成功率が高く、生産コストが低い圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、前記Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶は、点Ａ（Ｌａ_２Ｏ_３が４４重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が４６重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）、点Ｂ（Ｌａ_２Ｏ_３が４５重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５２重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｃ（Ｌａ_２Ｏ_３が３２重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が６５重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｄ（Ｌａ_２Ｏ_３が３７重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５３重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内から引き上げる。 （もっと読む）

【課題】すだれ状電極が外方に向いていなくても周波数調整を行える弾性表面波デバイスの製造方法、弾性表面波デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の製造方法は、圧電基板１２の一方の主面１２ａにすだれ状電極１４を形成した弾性表面波（ＳＡＷ）チップ１０を備えた弾性表面波デバイスに係るものである。そして弾性表面波デバイスの製造方法は、一方の主面１２ａとは反対側の他方の主面１２ｂにおけるすだれ状電極（ＩＤＴ）１４に対向する位置に周波数調整膜３０を形成し、この形成により生じる応力によって前記圧電基板を歪ませて、周波数を調整している。 （もっと読む）

温度感受性を低減させる種々の方法を組み合わせる部品が提案される。本発明の部品は圧電基板を有していてもよく、導電性部品構造が前記基板の上面に配置されていてもよい。前記基板１の下面３は補正層２に機械的堅固に接続され、よって機械的ブレーシングを提供する。前記基板１の下面３および前記補正層２の上面４は微細構造を有する。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられて歩留まり良く圧電基板を得ることができる圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、四ホウ酸リチウム、酸化亜鉛などの圧電基板１１の一方の主面１１ａ上に保護基材１２を設け、基板１１の他方の主面１１ｂに溝加工を施して周縁部にリブ１１ｃを形成し、溝加工により形成された溝部１５に、基板１１の線膨張係数よりも小さい材料１６を溶射により埋め込み、保護基材１２を除去する。 （もっと読む）

【課題】温度変化による伸縮が十分に抑えられる圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電基板１は、基材１１と、基材１１の一方の主面上に形成された膜１２とから主に構成されている。基材１１において、膜１２を形成する主面は、粗面化された主面１１ａである。この圧電基板１は、基材１１の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成された膜１２を、粗面化された主面１１ａ上に溶射法により形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主として無線通信機器にて使用される弾性波フィルタ装置に関して、平衡度の劣化を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明は、圧電基板１と、この圧電基板１上に設けられた縦モード結合型フィルタ６とを備え、前記縦モード結合型フィルタ６は前記圧電基板１の伝播方向に配置された一対の反射器３と、この反射器間に併設された複数の櫛形電極からなり、前記複数の櫛形電極のうち所定の櫛形電極２ｂが配置された前記圧電基板１の領域７の分極特性を他の領域の分極特性と反転させた。 （もっと読む）

【課題】温度変化による反りが少なく、熱膨張を抑えた、優れた温度安定性を示すタンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）単結晶薄板を用いた複合基板を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】 本発明の複合基板は、鉄、銅、マンガン、モリブデン、コバルト、ニッケル、亜鉛、炭素、マグネシウム、チタン、タングステン、インジウム、錫、レニウム、スカンジウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、銀、白金、金、イットリウム、ネオジウム、イリジウム、ゲルマニウム、バリウム、セシウム、ストロンチウム、ガリウム、セリウム及びその他の遷移元素から選ばれる少なくとも一種以上の添加元素を０．００２ｗｔ％以上０．１ｗｔ％以下の割合で含有するＬＴ単結晶又はＬＮ単結晶からなる単結晶薄板と、該単結晶薄板の一面に接合された低熱膨張基板と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスの共振周波数の高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧する手段を得る。
【解決手段】四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θを有する複数の溝を備え、前記溝は前記圧電基板の厚さＨの２９％より深くした弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】四硼酸リチウム圧電基板を用いた弾性表面波デバイスおいて、共振周波数より高周波側に生じる、バルク波に起因するスプリアスを抑圧すると共に、圧電基板の裏面を装置で吸引する際のエラーを低減する手段を得る。
【解決手段】四硼酸リチウム圧電基板の表面上に少なくとも１つのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板の裏面に、前記ＩＤＴ電極によって励起される弾性表面波の伝搬方向に対し、傾斜角θ（０°＜θ≦９０°）を有する複数の溝を備え、前記溝は、エッチング工程により前記圧電基板の裏面の周縁部を残して形成され弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】小型で広い温度範囲にわたり周波数温度特性に優れたＳＡＷ共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板５にＩＤＴ２０が形成され、ＩＤＴ２０の上側および下側のストップバンド付近に共振を有し水晶基板５が斜対称性を備えたＳＡＷ共振子１０であって、前記上側のストップバンド付近の共振が有する高次モードの共振周波数と、前記下側のストップバンド付近の共振が有する基本波モードの共振周波数とを一致させて結合状態を形成した。 （もっと読む）