【課題】圧電基板の一方主面に形成された電極パターンを損傷することなく、レーザ光を用いて圧電基板の他方主面にマーキングを行い、特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された弾性波装置を確実に製造できるようにする。
【解決手段】
一方主面に電極パターンが形成された圧電基板の他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行う。
また、素子毎に個片化された圧電基板を複数個、一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングし、各圧電基板の他方主面を研磨し、個々の弾性波装置毎に分割した後、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行う。
圧電基板として、マーキングに使用するレーザ光に対して透明な圧電単結晶材料（例えば、ＬｉＮｂＯ₃またはＬｉＴａＯ₃）からなるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】同一圧電基板上に周波数特性が異なる第１，第２の弾性境界波素子が形成されており、第１，第２の弾性波素子の双方において、スプリアスを抑圧することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板２の上面２ａが、傾斜面部２ｂと、傾斜面部２ｂ以外の平坦部２ｃとを有し、平坦部２ｃ上に第１の電極３が、傾斜面部２ｃ上に第２の電極４が形成されており、第１，第２の電極３，４をそれぞれ有する第１，第２の弾性波素子５，６が構成されている、弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスの通過帯域の高域側、及び、低域側の減衰量を共に大きく確保する。
【解決手段】
本発明の弾性波デバイス３０は、第１端子１１と第２端子Ｔｘとの間に接続される第１フィルタ回路１２と、第１端子１１と第２端子Ｔｘとの間に第１フィルタ回路１２と並列に接続される第１インダクタＬ１と、第１端子１１と第２端子Ｔｘとの間に第１インダクタＬ１と直列に接続される第２インダクタＬ２と、第１インダクタＬ１と第２インダクタＬ２との間のノードＮとグランドＧＮＤとの間に接続される第３インダクタＬ３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電体膜と下地層との剥離を回避するとともに、放熱性を向上させ、かつ弾性表面波の伝播速度の向上を達成することが可能な弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子としてのＳＡＷフィルター１は、窒化アルミニウム単結晶からなるＡｌＮ基板１１と、ＡｌＮ基板１１の一方の主面１１Ａ上に接触するように形成された１対の櫛歯形状を有する電極である入力側電極２１および出力側電極２２と、入力側電極２１に接続された入力側配線２３と、出力側電極２２に接続された出力側配線２５とを備えている。そして、ＡｌＮ基板１１の主面１１ＡとＡｌＮ基板１１を構成する窒化アルミニウム単結晶の（１−１００）面とのなす角は１０°以下となっている。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の反り増加量が小さく、かつ安価な複合化された圧電基板を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板と絶縁体基板が接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板であって、前記圧電基板は、導電率が１×１０^−１３［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上、特には導電率が５×１０^−１２［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上１×１０^−１０［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であり、また前記絶縁体基板は、導電率が１×１０^−１４［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であることを特徴とする複合化された圧電基板。 （もっと読む）

【課題】圧電体膜と下地層との剥離を回避するとともに、放熱性を向上させ、かつ弾性表面波の高い伝播速度を確保することが可能な弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子としてのＳＡＷフィルター１は、窒化アルミニウム単結晶からなるＡｌＮ基板１１と、ＡｌＮ基板１１の一方の主面上に接触するように形成された１対の櫛形形状を有する電極である入力側電極２１および出力側電極２２と、入力側電極２１に接続された入力側配線２３と、出力側電極２２に接続された出力側配線２５とを備えている。そして、ＡｌＮ基板１１の転位密度は９×１０^８ｃｍ^−２以下となっている。 （もっと読む）

【課題】入力変換ユニットおよび出力変換ユニットの線幅を変更することなしに中心周波数を調整することができる高周波表面音波装置の提供。
【解決手段】高周波表面音波装置が開示されている。開示の高周波表面音波装置は、そのナノ結晶ダイヤモンド層の厚さを変更することによってその中心周波数を容易に調整することができる。開示の高周波表面音波装置は、シリコン基板、シリコン基板の上に位置するナノ結晶ダイヤモンド層、ナノ結晶ダイヤモンド層の表面に形成した圧電層、入力変換ユニット、および出力変換ユニットを備え、そこでは入力変換ユニットおよび出力変換ユニットは圧電層の表面上か、または下に対で形成される。また、ナノ結晶ダイヤモンド層の厚さは０．５μｍ〜２０μｍであることができる。圧電層はＺｎＯ、ＡｌＮ、またはＬｉＮｂＯ₃から作られることができる。圧電層の厚さは０．５μｍ〜５μｍであることができる。 （もっと読む）

【課題】浮いた部分を有する電子部品中の圧電体膜を効率よく形成することができる電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電体２０の平坦な表面２０ａからイオンを注入して、圧電体２０内において表面２０ａから所定の深さの領域にイオン注入層２２を形成する。圧電体２０の表面２０ａの一部の上に犠牲層３０を形成した後、圧電体２０の表面２０ａ及び犠牲層３０に絶縁体３４を形成して圧電構造体１０ｓを形成する。圧電体２０を加熱して圧電体２０をイオン注入層２２で分離して、圧電体２０から分離された圧電体膜２４と絶縁体３４とが接合された圧電体膜構造体１０ｔを形成する。圧電体膜構造体１０ｔの圧電体膜２４のイオン注入層２２に沿って形成された分割面２４ａのうち少なくとも犠牲層３０に対向する部分に電極を含む素子パターン１６を形成した後、圧電体膜構造体１０ｔから犠牲層３０を除去する。 （もっと読む）

【課題】レジストの現像に際しての電極材料の腐食が生じ難く、電気的接続の信頼性に優れた弾性波装置の製造方法を得る。
【解決手段】圧電基板１の上面に、複数の金属膜を積層してなる第１の積層導電膜からなる第１の電極３を形成する工程と、第１の電極３を形成した後に、レジスト層を形成し、現像液によりパターニングし、開口部４ａを有するレジストパターン層４を形成する工程とを備え、上記現像処理に先立ち、開口部４ａが形成される部分に露出することとなる第１の電極３の側面部分を覆うように絶縁膜６を形成し、絶縁膜６により第１の電極３の側面を保護して現像処理を行う、弾性波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低周波表面音響波デバイスを製造するために必要とされるのと同一の製造機器により且つ同一の材料を以て製造され得る高周波表面音響波デバイスを実現する。
【解決手段】圧電基板１０と、圧電基板１０の表面上に形成され、その表面音響波の音響波速度は5,000ｍ／秒より大きいという高音響波速度層１１と、入力変換部１２と、出力変換部１３とを備え、入力変換部１２および出力変換部１３は高音響波速度層１１の表面上または該表面下に対として形成される。更に、高音響波速度層１１は、好適には酸化アルミニウムで作成されると共に、電子ビーム蒸着プロセスにより圧電基板１０の表面上に形成される。その厚みは好適には、2μm〜20μmである。 （もっと読む）

本発明は、基板と、対応する電極構造物とを有する電子音響部品（１）、特に、表面音波またはバルク音波で動作する部品に誘電体層（３）を形成する製造方法に関し、多重部品システムとしてのホウケイ酸ガラスなどの蒸着ガラス材料や、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどの単部品システムからなる、蒸着材料のグループから選ばれる少なくとも一つの蒸着材料が、熱蒸着により析出するので、上記誘電体層（３）が、少なくとも部分的に形成される。本発明は、さらに、電子音響部品に関する。
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【課題】小型化が可能で、かつ信号用パッド間のアイソレーション特性を改善することが可能な分波器の提供。
【解決手段】絶縁層１４と、絶縁層１４の上面に設けられた上部配線層１２と、下面に設けられた下部配線層３０と、内部に設けられた内部配線層２２と、からなる基板２と、基板２の上面に実装された少なくとも一つの弾性波フィルタチップと、上部配線層１２に設けられ、弾性波フィルタチップの信号用電極と接続された複数の信号用パッドと、複数の信号用パッドの間に位置するように上部配線層１２に設けられ、弾性波フィルタチップのグランド電極と接続された上部グランドパッドと、を具備し、信号用パッドと上部グランドパッドとの最短距離をＤ１、信号用パッドと内部配線層２２の内部グランドパッド２０との最短距離をＤ２、上部配線層１２と内部配線層２２との間の絶縁層１４の厚さをＴ１としたとき、Ｄ１＞Ｄ２かつＤ１＞Ｔ１である分波器。 （もっと読む）

【課題】振動空間を気密し、かつ衝撃に対して強固な保護構造をもつ弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板１と、圧電基板１上に配設された励振電極３と、圧電基板１上に配設されたボンディングパッド部２と、一部が励振電極３に対し空間８を介して対向する第１の保護部材６と、第１の保護部材上に設けられる第２の保護部材９と、ボンディングパッド部上に配設されるバンプと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

ウェーハ(1)上に施されたフレーム(3)は、水平にされて、素子構造(5)のため、特にフィルターまたはMEMS構造のため気密にされたハウジングが形成されるように、被覆フィルムで覆われる。内側のカラム(4)はハウジングを支持し接地接続するために備えられ、外部のカラム(4)は電気接続するために備えられ、フレーム(3)から電気的に絶縁された導体トラック(6)によって素子構造に接続される。 （もっと読む）

【課題】温度の変動があっても特性が安定しているとともに、小型、低背化が可能な弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】櫛歯電極１１、内部配線電極１２ａおよびこれらを取り囲む封止部薄膜１３ａが形成された圧電基板１０の主面側から、その圧電基板１０より熱膨張係数が小さい封止基板２０を一体に接合したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型、薄型の実現と、パッケージングが容易で、しかも、高信頼性を有する弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０の製造方法は、半導体基板２０の表面に櫛歯形状のＩＤＴ電極６０が形成される弾性表面波素子１０の製造方法であって、半導体基板２０の能動面側表面に絶縁層２１〜２３を形成する工程と、絶縁層２３の表面全体に基台層３０を形成する工程と、基台層３０の表面を平坦化処理する工程と、平坦化処理された基台層３０の表面に圧電体５１を形成する工程と、圧電体５１の表面にＩＤＴ電極６０を形成する工程と、基台層３０の表面周縁部に、基台層３０の表面からＩＤＴ電極６０の表面までの高さよりも高く、圧電体５１及びＩＤＴ電極６０を取り囲むバンク４１を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板にＬＢＯを用いたＳＡＷデバイスの通過域高域側に生じるスプリアスを抑圧すると共に、熱衝撃試験、落下試験に耐えるＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】表面上にＩＤＴ電極が形成され、裏面に深さｄの溝３が形成されたＬＢＯ基板２を紫外線硬化型接着剤によりパッケージに実装したＳＡＷデバイスであって、ＬＢＯ基板２の裏面に溝３を形成する。このとき、ＬＢＯ基板２の厚さをｔ（μｍ）、ＩＤＴ電極により励振される弾性表面波の波長をλ（μｍ）、溝３の深さをｄ（μｍ）としたときに、溝３の深さｄが、８λ≦ｄ≦（ｔ−１５０）の範囲内とした。 （もっと読む）

電気音響部品用の基板が供給されるステップと、前記基板に導電層が付けられるステップと、前記導電層が構造形成されるステップと、前記構造形成された導電層に非導電性層が付けられるステップと、前記非導電性層に基本となる金属被覆が施されるステップと、前記基本となる金属被覆は、電気分解処理法により厚くされて金属層が形成されるステップと、前記金属層が酸化され誘電体層が形成されるステップと、を含む電気音響部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンアルコキシド系ＳＯＧを弾性波素子に適用する場合に発生する課題に鑑みなされたものであり、製造性に優れ、かつ、フィルター特性も優れた弾性波素子を提供する。
【解決手段】基板４と、基板４上に形成された櫛歯電極２ａを含む電極２と、電極２上に形成された誘電体層５とを備えた弾性波素子であって、少なくとも櫛歯電極２ａ間にＳｉＯ２膜６を備え、電極間のＳｉＯ２膜６は、ＳＯＧ（Spin on Glass）で形成されている。 （もっと読む）

【課題】所望でないスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とするＳＨタイプの弾性境界波を利用した弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】第１の媒質層２と、第１の媒質層２に積層された第２の媒質層６との境界に、インターデジタル電極３、反射器４，５を含む電極が形成されており、第１の媒質層２及び／または第２の媒質層６の境界面とは反対側の面において変位を有し、弾性境界波装置の反共振周波数よりも高域側もしくは通過帯域よりも高域側に現れる、スプリアスとなるモードを減衰させる吸音層７が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）