弾性波装置の製造方法
【課題】圧電基板の一方主面に形成された電極パターンを損傷することなく、レーザ光を用いて圧電基板の他方主面にマーキングを行い、特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された弾性波装置を確実に製造できるようにする。
【解決手段】
一方主面に電極パターンが形成された圧電基板の他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行う。
また、素子毎に個片化された圧電基板を複数個、一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングし、各圧電基板の他方主面を研磨し、個々の弾性波装置毎に分割した後、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行う。
圧電基板として、マーキングに使用するレーザ光に対して透明な圧電単結晶材料（例えば、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3）からなるものを用いる。
【解決手段】
一方主面に電極パターンが形成された圧電基板の他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行う。
また、素子毎に個片化された圧電基板を複数個、一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングし、各圧電基板の他方主面を研磨し、個々の弾性波装置毎に分割した後、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行う。
圧電基板として、マーキングに使用するレーザ光に対して透明な圧電単結晶材料（例えば、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3）からなるものを用いる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置の製造方法に関し、詳しくは、例えば、実装時の方向や、品種などの情報を表示するためマーキングが施された弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信機器のフィルタや共振子を構成するために、弾性表面波装置が広く用いられている。
このような弾性表面波装置およびその製造方法の一つに、図１１に示すように、圧電単結晶材料（圧電基板）１０１の表面に櫛型電極１０２、パッド電極１０３を設け、櫛型電極１０２を覆うように空間形成部１０８を、パッド電極１０３上に突起電極１０４をそれぞれ設け、突起電極１０４、空間形成部１０８を覆うように絶縁材料１０６を設けた後に、絶縁材料１０６と圧電基板１０１を研削することにより、圧電基板１０１の割れを防止しつつ素子の低背化を図るとともに、その後に、突起電極１０４と導通する端子電極１０５を形成するようにした弾性表面波装置の製造方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、図１２に示すように、配線パターン２０１に、弾性表面波素子（電気素子）２０３を実装し、熱硬化性樹脂組成物２０４で封止した後、電気素子２０３の上面と、熱硬化性樹脂組成物２０４の上面を同時に研磨することにより、弾性表面波素子（電気素子）２０３を損傷することなく製品を薄型化するようにした弾性表面波装置（電気素子内蔵モジュール）２１０の製造方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
ところで、上述のように、特許文献１あるいは特許文献２に開示された方法で製造される弾性表面波装置に、実装時の方向を示すドットや、品種、生産月度などを表示するコードなどの情報を表示するためのマーキング方法として、ＣＯ2レーザ（波長１０．６μm）や、ＹＡＧレーザ（基本波１０６４nm）などを用いてマーキングを行う方法が一般的に用いられている。
【０００５】
しかしながら、ＣＯ2レーザを用いて圧電基板の裏面にマーキングを行った場合、圧電基板が、ＬｉＴａＯ3基板やＬｉＮｂＯ3基板などの圧電単結晶材料からなるものである場合、圧電基板の表面にクラックが生じやすいという問題点がある。
【０００６】
また、ＹＡＧレーザは、ＬｉＴａＯ3基板やＬｉＮｂＯ3基板などの圧電単結晶材料からなる基板を透過することから、ＹＡＧレーザを用いてマーキングする場合、予め圧電基板のマーキングが行われる裏面を粗面化してからレーザを照射することが行われる。
【０００７】
しかしながら、圧電基板の裏面を粗面化した場合にも、いくらかのレーザ光はＬｉＴａＯ3基板やＬｉＮｂＯ3基板などの圧電基板を透過し、この透過したレーザ光によりＩＤＴ電極が損傷するという問題点がある。
【０００８】
また、近年、圧電体と絶縁体との界面を伝搬する弾性境界波を利用した、弾性境界波装置も利用されるに至っているが、上述のようにレーザ光を用いてマーキングを行う場合の問題点は弾性表面波装置に限らず、この弾性境界波装置にも当てはまるものである。
【特許文献１】特開２００３−１１５７３４号公報
【特許文献２】特開２００４−２０８３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、圧電基板に形成された電極パターンを損傷することなく、レーザ光を用いて圧電基板にマーキングを行うことが可能で、特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された弾性表面波装置や弾性境界波装置などの弾性波装置を確実に製造することが可能な弾性波装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の弾性波装置の製造方法は、
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１１】
また、本発明は、前記個片化工程と、前記マーキング工程との間に、前記個片化された圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程を備えていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明は、
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板を複数個、その一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングするボンディング工程と、
前記ベース基板上にボンディングされた各圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程と、
前記ベース基板を個々の弾性波装置毎に分割する分割工程と、
前記分割された各弾性波装置を構成する前記圧電基板の前記他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の弾性波装置の製造方法は、
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板の一方主面側を素子毎にハーフカットするハーフカット工程と、
前記マザー圧電基板の他方主面を研磨することにより、素子毎に分割し、個片化された圧電基板とする個片化工程と、
前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマーキングを行う工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１４】
また、前記圧電基板が、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなるものであることを特徴としている。
【００１５】
また、圧電基板が、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなるものである場合に、前記レーザ光として、波長が３００ｎｍ以下のものを用いることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の弾性波装置の製造方法においては、一方主面に電極パターンが形成された圧電基板の他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマーキングを行うようにしているので、マーキングに用いられたレーザ光（の余分のエネルギー）を圧電基板に吸収させて、圧電基板を介して他方主面と対向する一方主面に形成された電極パターンがレーザ光により損傷することを抑制、防止できるようになる。
したがって、本発明によれば、電極パターンが損傷することによる特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された弾性波装置を確実に製造することができる。
なお、本発明において、弾性波装置とは、圧電体の表面を伝搬する弾性表面波を利用した弾性表面波装置や圧電体と絶縁体との界面を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置などを含む広い概念のものである。
したがって、本発明でいう圧電基板には、その一方主面上に、電極パターンが形成され、さらに電極パターンを覆うように一方主面上に絶縁体（絶縁膜）が配設されているものも含まれる。
【００１７】
個片化工程と、マーキング工程との間に、個片化された圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程を設けることにより、弾性波装置を低背化することが可能になるとともに、平滑な圧電基板の他方主面に、より情報の確認性に優れた明確なマーキングを施すことが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。
【００１８】
また、個片化した圧電基板を一方主面がベース基板に対向するようにフリップチップボンディングし、圧電基板の他方主面を研磨した後、ベース基板を個々の弾性波装置毎に分割し、この分割された各弾性波装置を構成する圧電基板の他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うことにより、複数個の圧電基板の他方主面を、フリップチップボンディングされた状態で効率よく研磨することが可能になる。したがって、圧電基板の研磨により製品の低背化が実現され、かつマーキングが施された弾性波装置を効率よく製造することが可能になる。
【００１９】
また、本発明の他の弾性波装置の製造方法においては、一方主面に電極パターンが形成されたマザー圧電基板の一方主面側を素子毎にハーフカットした後、マザー圧電基板の他方主面を研磨することにより、素子毎に分割して個片化し、個片化された圧電基板の研磨された他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマーキングするようにしているので、圧電基板の他方主面の研磨により低背化が実現される。また、基板の他方主面の研磨と個片化とを効率よく行うことができる。また、この構成の場合にも、マーキングに用いられたレーザ光（の余分のエネルギー）を圧電基板に吸収させて、一方主面に形成された電極パターンが損傷することを防止することが可能になる。
したがって、電極パターンが損傷することによる特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された、背の低い弾性波装置を確実にしかも効率よく製造することができる。
【００２０】
また、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなる圧電単結晶基板に対し、例えば、深紫外（波長３００nm以下）のレーザ光を圧電基板の他方主面に照射してマーキングすることにより、マーキングに用いられたレーザ光（の余分のエネルギー）を効率よく圧電基板に吸収させて、一方主面に形成された電極パターンを損傷することなく、他方主面に確実にマーキングを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例１】
【００２２】
この実施例１では、弾性波装置として、圧電体と絶縁体との界面を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置を製造する場合を例にとって説明する。
図３(ａ)は本発明の実施例１にかかる弾性波装置の製造方法により製造される弾性境界波装置１０を示す平面図、図３(ｂ)はＰ−Ｐ線に沿う断面図である。
【００２３】
この弾性境界波装置１０は、図３(ａ)，(ｂ)に示すように、圧電基板１と、圧電基板１の一方主面２１ａ上に設けられたＩＤＴ（くし歯状電極）９と、圧電基板１の一方主面２１ａ上に、ＩＤＴ９を覆うように設けられた絶縁膜７と、絶縁膜７上に積層された吸音膜８を備えている。
【００２４】
そして、圧電基板１の一方主面２１ａ上には、ＩＤＴ９に電気的に接続されるように配線１２が形成されており、絶縁膜７は、配線１２を部分的に露出させる絶縁膜開口部７ａを有し、吸音膜８も、配線１２を部分的に露出させる吸音膜開口部８ａを有している。
【００２５】
また、絶縁膜開口部７ａ、吸音膜開口部８ａから、絶縁膜７と吸音膜８の界面に至るようにアンダーバンプメタル下地層（ＵＢＭ下地層）１３が配設されており、絶縁膜開口部７ａ、吸音膜開口部８ａに充填されたアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）１５は、ＵＢＭ下地層１３と接合され、電気的に接続されている。
【００２６】
そして、絶縁膜７と吸音膜８の界面には、上記ＵＢＭ下地層１３と電気的に接続された給電ライン１４が配設されている。
【００２７】
さらに、上記ＵＢＭ１５上には、弾性境界波装置１０を、バンプ接合により実装基板に搭載するための金属バンプ１１ａ〜１１ｄが印刷法などにより形成されている。なお、金属バンプ１１ａ〜１１ｄの構成材料としては通常はんだなどが用いられる。
【００２８】
そして、この弾性境界波装置１０を構成する圧電基板１の他方主面２１ｂには、実装時の方向や、品種などの情報、製造の年月日などの情報を表示するためのマーキングが施されている(図１参照)。
【００２９】
次に、図３(ａ)，(ｂ)に示す弾性境界波装置１０の製造方法について、図４，５および６を参照しつつ説明する。
まず、個々の弾性境界波装置１０の圧電基板１となるマザー圧電基板(ウエハー)１Ａを用意する(図４(ａ)参照)。マザー圧電基板１Ａとしては、この実施例１では、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3の圧電単結晶材料からなるものを２種類用意した。圧電単結晶材料としては水晶を用いることも可能である。さらに、場合によっては圧電セラミックスを用いることも可能である。
【００３０】
なお、図４(ａ)は、本発明の第１の実施形態の製造方法で用いられるマザー圧電基板(ウエハー)およびダイシングラインを説明するための模式的平面図であり、図４(ｂ)は、マザー圧電基板における１つの弾性境界波装置が構成されている部分の拡大平面図である。
【００３１】
図４(ａ)に示されているように、マザー圧電基板１Ａは、略円形の形状を有している。ただし、マザー圧電基板１Ａの平面形状は特に限定されない。このマザー圧電基板１Ａにおいて、マトリックス状に多数の弾性境界波装置が構成される。すなわち、マザー圧電基板１Ａには、Ｘ方向に平行に延びる、導電性材料からなる複数のダイシングライン２と、Ｙ方向に平行に延びる、導電性材料からなる複数のダイシングライン３とが形成されている。ダイシングライン２，３に沿ってマザー圧電基板１Ａを分割することにより、図４(ｂ)に示すような、個々の弾性境界波装置１０が切り出されることになる。
【００３２】
なお、図４(ａ)に示すように、マザー圧電基板１Ａには、ダイシングライン２，３と電気的に接続するように、給電端子４，５が形成されている。この給電端子４，５は、後述のＵＭＢ１５（図３（ｂ））形成のための電解メッキの際に、電圧を印可する端子として機能する。なお、この給電端子４，５は、ダイシングライン２，３と同じ導電材料により構成されている。
【００３３】
以下、弾性境界波装置１０の製造方法を、図５，図６を参照してより具体的に説明する。なお、図５，６では、集合状態のマザー圧電基板１Ａの一部のみを拡大して示しているが、実際には、個々の弾性境界波装置１０は、製造工程の最終段階で、マザー圧電基板１Ａを前述したダイシングライン２，３に沿って分割することにより得られる。
【００３４】
まず、図５(ａ)に示すように、圧電基板１(マザー圧電基板１Ａ）上にフォトリソグラフィ法などによりＩＤＴ９を形成する。ＩＤＴ９の構成材料としては、例えばＡｌ、Ｃｕまたはその他の適宜の金属もしくは合金などを用いることができる。また、ＩＤＴ９は、複数の金属を積層してなる積層膜により形成されていてもよい。
【００３５】
次に、図５(ｂ)に示すように、ＩＤＴ９と導通する配線１２を形成する。配線１２は、Ａｌ、Ｃｕなどの金属材料により構成される。
この配線１２の形成方法は特に限定されるものではなく、公知の種々の薄膜形成法を用いることが可能である。
【００３６】
それから、図５(ｃ)に示すように、ＩＤＴ９を覆うように圧電基板１上に絶縁膜７を形成する。この実施例１では、絶縁膜７として、ＳｉＯ2からなり、厚みが数μｍ〜１０数μｍ程度の絶縁膜を形成した。この絶縁膜７は、スパッタリング等の薄膜形成方法により形成することができる。
【００３７】
その後、図５(ｄ)に示すように、絶縁膜７に、配線１２の一部を露出させる絶縁膜開口部７ａを形成する。この絶縁膜開口部７ａは、例えば反応性イオンエッチングなどのドライエッチング法により形成することができる。ただし、他の方法で形成することも可能である。
【００３８】
次に、図６(ａ)に示すように、絶縁膜開口部７ａ及びその周囲に、ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングライン３を同じ導電性材料を用いて同時に形成する。 ＵＢＭ下地層１３は、後述するＵＢＭ１５（図６(ｄ)）をその上に電解メッキにより形成するために設けられている。すなわち、ＵＢＭ１５を電解メッキにより形成するための下地層として機能する。もっとも、ＵＢＭ下地層１３は、ＵＢＭ１５が設けられる部分だけでなく、絶縁膜７の表面、すなわち、絶縁膜７と、吸音膜８との界面に至るように形成されている。そして、絶縁膜７と吸音膜８との界面に設けられた給電ライン１４に連ねられている。また、給電ライン１４と連ねられるように、ダイシングライン３が絶縁膜７上に形成されている。
【００３９】
上記ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングライン３は、Ａｌ、Ｃｕなどの金属材料により構成される。好ましくは、絶縁膜７や配線１２に対する密着強度を確保するために、Ｎｉ、ＮｉＣｒもしくはＴｉなどからなる密着層を積層した構造を有することが望ましい。
【００４０】
次に、図６(ｂ)に示すように、吸音膜８としてエポキシ樹脂膜を形成する。
エポキシ樹脂膜は、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂系組成物あるいは光硬化型エポキシ樹脂系組成物を塗布し硬化することにより形成される。エポキシ樹脂以外のポリイミドなどの他の樹脂を用いてもよい。
【００４１】
その後、図６(ｃ)に示すように、吸音膜８に吸音膜開口部８ａを形成する。吸音膜開口部８ａの形成に際し、吸音膜開口部８ａの下方に埋められている吸音膜８構成材料も除去することにより絶縁膜開口部７ａを再度露出させる。このような開口の形成は、感光性樹脂等を用いたフォトリソグラフィなどの方法により行うことができる。これにより、絶縁膜開口部７ａが再度形成されることになり、ＵＢＭ下地層１３が再度絶縁膜開口部７ａの底部に露出されることになる。
【００４２】
次に、図４(ａ)に示した給電端子４，５から電圧を印加する。印加された電圧はダイシングライン２，３および給電ライン１４を介してＵＢＭ下地層１３に伝わり、Ｎｉの電解メッキによって、ＵＢＭ１５（図３(ｂ)、図６(ｄ))が形成される。
【００４３】
なお、この実施例１では、ＵＢＭ１５はＮｉを電解メッキすることにより形成されているが、Ｎｉ以外の適宜の金属によりＵＢＭ１５を形成することも可能である。
【００４４】
次に、上記ＵＢＭ１５上に、印刷法等によりはんだなどの材料からなる金属バンプ１１ａ〜１１ｄを形成する(図３(ｂ)，図４(ｂ)）。
【００４５】
それから、図４(ａ)に示したダイシングライン２，３に沿ってダイシングライン２，３が形成されている部分を除去するように、ダイサーによりマザー圧電基板１Ａを切断する。
これにより、ダイシングの工程で、図３(ａ)に示されているダイシングライン２，３を含むダイシング領域２Ａ，３Ａが除去されることになり、図３(ａ)中のＰ−Ｐ線断面図である図３(ｂ)に示すように、切断により端面１０ａが形成されることになる。このようにして、個々の弾性境界波装置１０が取り出される。なお、得られた弾性境界波装置１０においては、金属バンプ１１ａ〜１１ｄが設けられているので、バンプ接合により実装基板に搭載することができる。
なお、この実施例１で作製した弾性境界波装置１０は、その寸法が、圧電基板１の厚さ：０．２５０ｍｍであり、チップサイズ(平面サイズ)は、長さ：０．８００ｍｍ、幅：０．６００ｍｍである。
【００４６】
それから、上述のようにして作製した図３(ａ)，(ｂ)に示すような構造を有する弾性境界波装置１０の下面すなわち、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなる圧電基板１の他方主面２１ｂを研磨した。
【００４７】
次に、研磨された圧電基板１の他方主面２１ｂにレーザ光を照射してマーキングを施した。
【００４８】
なお、マーキングには、以下の条件のレーザ光を用いた。
レーザ光の種類 ：ランプ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザ
レーザ光の波長 ：２６６ｎｍ(第４高調波)
レーザ出力 ：７５ｍｍＷ
ガルバノスピード：２０ｍｍ／ｓ
周波数 ：１０ｋＨｚ
【００４９】
また、マーキングを行うに当たっては、平面サイズが、長さ０．８００ｍ、幅０．６００ｍｍの弾性境界波装置１０を構成する圧電基板１の他方主面２１ｂに６文字のマーキングを施した。
ただし、マーキングは、
文字の線幅 ：０．０２５ｍｍ
文字描画加工スピード ：４１ｍｓ／６文字
の条件でを行った。
【００５０】
なお、上記レーザ光は、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなる圧電基板１との関係でいえば、圧電基板１の他方主面２１ｂからレーザ光を上記の条件で照射した場合には、レーザ光のエネルギーがすべて圧電基板１に吸収され、圧電基板１の一方主面２１ａに達しないようなレーザ光である。
【００５１】
＜マーキングの評価＞
上述のような条件で、圧電基板（圧電単結晶材料からなる基板）１に吸収される、深紫外（３００ｎｍ以下(２６６ｎｍ））のレーザ光を、圧電基板１の他方主面（弾性境界波装置の下面）２１ｂに直接照射して、圧電基板１の他方主面２１ｂの表面近傍を溶融除去することにより、圧電基板の一方主面２１ａに形成されたＩＤＴ９などの電極パターンを損傷することなく、その後の洗浄工程などにおいても消失することのないマーキングを行うことができた。
【００５２】
図１は、弾性境界波装置を構成する圧電基板の、マークが形成された他方主面の顕微鏡写真を示す図である。
図１に示すように、この実施例１の方法によれば、明瞭な文字をマーキングできることがわかる。
【００５３】
なお、図２は、レーザ光の波長と、ＬｉＮｂＯ3基板（厚さ：１ｍｍ、透明ポリッシュ基板）へのレーザ光の透過率の関係を示す図である。図２に示すように、波長が３００ｎｍ以下になると、レーザ光の透過率が０％となっており、このことからも、この実施例１のように、波長が２６６ｎｍのレーザ光を照射してマーキングを行った場合、光透過率が０％になって、圧電基板の一方主面（図３(ｂ）における上面)に形成されたＩＤＴなどの電極パターンを損傷することなくマーキングできることが裏付けられている。
【００５４】
なお、この実施例１では圧電基板の厚みが２５０μｍであるのに対し、レーザ光の焦点深度が約５００μｍと長いため、圧電基板の表面ないしはその近傍で、エネルギーのほぼ全部が吸収されるようなレーザ光でなければ、圧電基板を透過して、一方主面に形成されたＩＤＴにもレーザが集光照射され、ＩＤＴが破壊されてしまうことになるが、上述の実施例１の条件では、ＩＤＴが損傷を受けるようなことはなかった。
【００５５】
この実施例１では、波長３００ｎｍ以下のレーザ光として、ランプ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザを使用したが、レーザ光はこれに限られるものではなく、例えば、ＬＤ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザ、ＬＤ励起ＹＶＯ４−ＦＨＧレーザ、ＬＤ励起ＹＬＦ−ＦＨＧレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２エキシマレーザ、Ａｒイオンレーザ、ＹＡＧ／ＹＶＯ４結晶による第５以上の高次の高調波レーザなどを適宜選択して用いることが可能である。
【００５６】
なお、ＬｉＮｂＯ3とＬｉＴａＯ3は圧電材料として類似した物性を備えていることから、ＬｉＮｂＯ3とＬｉＴａＯ3のいずれからなる圧電基板が用いられている場合にも、本発明によれば、一方主面に形成されたＩＤＴが破壊されてしまうようなことを防止しつつ、圧電基板の他方主面に確実にマーキングを施すことができる。
ただし、上述のＬｉＮｂＯ3とＬｉＴａＯ3とは異なる物性を有する圧電基板を用いる場合においても、条件を適切に調整することにより、上記実施例１の場合と同様の効果を得ることが可能である。
【００５７】
なお、参考として、この実施例１で用いた、ランプ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザ（波長２６６ｎｍの第４高調波）の代わりに、基本波（波長１０６４ｎｍ）、第２高調波（波長５３２ｎｍ）、第３高調波（波長３５５ｎｍ）を用いてマーキングした弾性境界波装置の圧電基板の他方主面および、電極パターンが形成された圧電基板の一方主面の顕微鏡写真を、図７(ａ)，(ｂ)，図８(ａ)，(ｂ)，図９(ａ)，(ｂ)に示す。
【００５８】
なお、図７(ａ)は、基本波（波長１０６４ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、図７(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【００５９】
また、図８(ａ)は、第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、図８(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【００６０】
さらに、図９(ａ)は、第３高調波（波長３５５ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、図９(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【００６１】
図７(ａ)，図８(ａ)および図９(ａ)に示すように、どのレーザ光を用いた場合にも、圧電基板の他方主面（下面側）が削られており、マーキングの鮮明さはともかく、マーキングを行うことは可能であることがわかる。
【００６２】
しかしながら、図７(ｂ)，図８(ｂ)に示すように、基本波、第２高調波を用いた場合、ＩＤＴ(電極パターン）が破壊されており、好ましい結果を得ることができなかった。
【００６３】
また、第３高調波を用いた場合、図９(ｂ)では、ＩＤＴ(電極パターン）は大きな損傷を受けていないようにみえるが、弾性境界波装置としての特性を測定した結果、ＩＤＴ（電極パターン）が削られたことによる特性劣化が認められた。
【００６４】
なお、この実施例１では、ダイサーによりマザー圧電基板を切断して、個々の弾性境界波装置を切り出すようにした場合を例にとって説明したが、予めマザー圧電基板の一方主面側を素子毎にハーフカットしておき、その後に、マザー圧電基板の他方主面を研磨することにより、素子毎に分割し、個片化された圧電基板を得るように構成することも可能である。
【００６５】
このようにした場合、圧電基板の他方主面の研磨により低背化を実現することが可能になるとともに、基板の他方主面の研磨と個片化とを効率よく行うことが可能になり、生産性を向上させることができる。
【実施例２】
【００６６】
図１０は本願発明の他の実施例(実施例２)にかかる弾性表面波装置の製造方法を模式的に示す図である。
以下、図１０を参照しつつ、この実施例２の弾性表面波装置の製造方法について説明する。なお、図１０において、図３と同一符号を付した部分は同一または相当する部分を示す。
【００６７】
(１)マザー圧電基板の一方主面に複数の電極パターンを形成した後、ダイシングラインに沿って、ダイサーによりマザー圧電基板を切断することによって得られる個片化した圧電基板１(他方主面を研磨していない状態の圧電基板)を、複数個、その一方主面２１ａがベース基板３１に対向するように、ベース基板３１上にフリップチップボンディングする（図１０参照）。
【００６８】
(２)次に、図１０に示すように、ベース基板３１上にボンディングされた各圧電基板１の他方主面２１ｂを研磨した後、ダイサーにより、所定のカットラインＬに沿ってベース基板３１を切断し、個々の弾性表面波装置２０毎に分割する。
【００６９】
(３)それから、分割された各弾性表面波装置２０を構成する圧電基板１の他方主面２１ｂに、圧電基板１に吸収される波長を有するレーザ光(例えば、上記実施例１で用いたものと同じランプ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザ）を照射してマ一キングを行う。
【００７０】
この実施例２の方法の場合、複数個の圧電基板の他方主面を、フリップチップボンディングされた状態で効率よく研磨することが可能になる。その結果、圧電基板の研磨により製品の低背化が実現され、かつ、電極パターンを損傷することなくマーキングが施された弾性波装置を効率よく製造することができる。
【００７１】
なお、本発明は、上記実施例に限られるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明にかかる方法により製造された弾性境界波装置であって、圧電基板の他方主面にマーキングが施された弾性境界波装置を示す顕微鏡写真である。
【図２】レーザ光の波長と、ＬｉＮｂＯ3基板（厚さ：１ｍｍ、透明ポリッシュ基板）へのレーザ光の透過率の関係を示す図である。
【図３】(ａ)は本発明の実施例１にかかる弾性境界波装置の製造方法により製造された弾性境界波装置を模式的に示す平面図、(ｂ)は(ａ)のＰ−Ｐ線に沿う部分の正面断面図である。
【図４】(ａ)は本発明の実施例１にかかる弾性境界波装置の製造方法において形成された、切断して個々の弾性境界波装置を取り出す前のマザー圧電基板およびダイシングラインを説明するための模式的平面図であり、(ｂ)はマザー圧電基板における１つの弾性境界波装置が構成されている部分の拡大平面図である。
【図５】(ａ)〜(ｄ)は、本発明の実施例１にかかる弾性境界波装置の製造方法を説明するための各部分正面断面図である。
【図６】(ａ)〜(ｄ)は、本発明の実施例１にかかる弾性境界波装置の製造方法を説明するための各部分正面断面図である。
【図７】(ａ)は、基本波（波長１０６４ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【図８】(ａ)は、第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【図９】(ａ)は、第３高調波（波長３５５ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施例(実施例２)にかかる弾性境界波装置の製造方法を模式的に示す図である。
【図１１】従来の弾性表面波装置の製造方法を説明するための図であり、(ａ)は正面断面図、(ｂ)はその機能部を示す平面図である。
【図１２】従来の他の弾性表面波装置を示す正面断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１ 圧電基板
１Ａ マザー圧電基板
２，３ ダイシングライン
２Ａ，３Ａ ダイシング領域
４，５ 給電端子
７ 絶縁膜
７ａ 絶縁膜開口部
８ 吸音膜
８ａ 吸音膜開口部
９ ＩＤＴ
１０ 弾性境界波装置
１０ａ 端面
１１ａ〜１１ｄ 金属バンプ
１２ 配線
１３ アンダーバンプメタル下地層（ＵＢＭ下地層）
１４ 給電ライン
１５ アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）
２０ 弾性表面波装置
２１ａ 圧電基板の一方主面
２１ｂ 圧電基板の他方主面
３１ ベース基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置の製造方法に関し、詳しくは、例えば、実装時の方向や、品種などの情報を表示するためマーキングが施された弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信機器のフィルタや共振子を構成するために、弾性表面波装置が広く用いられている。
このような弾性表面波装置およびその製造方法の一つに、図１１に示すように、圧電単結晶材料（圧電基板）１０１の表面に櫛型電極１０２、パッド電極１０３を設け、櫛型電極１０２を覆うように空間形成部１０８を、パッド電極１０３上に突起電極１０４をそれぞれ設け、突起電極１０４、空間形成部１０８を覆うように絶縁材料１０６を設けた後に、絶縁材料１０６と圧電基板１０１を研削することにより、圧電基板１０１の割れを防止しつつ素子の低背化を図るとともに、その後に、突起電極１０４と導通する端子電極１０５を形成するようにした弾性表面波装置の製造方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
また、図１２に示すように、配線パターン２０１に、弾性表面波素子（電気素子）２０３を実装し、熱硬化性樹脂組成物２０４で封止した後、電気素子２０３の上面と、熱硬化性樹脂組成物２０４の上面を同時に研磨することにより、弾性表面波素子（電気素子）２０３を損傷することなく製品を薄型化するようにした弾性表面波装置（電気素子内蔵モジュール）２１０の製造方法が提案されている（特許文献２参照）。
【０００４】
ところで、上述のように、特許文献１あるいは特許文献２に開示された方法で製造される弾性表面波装置に、実装時の方向を示すドットや、品種、生産月度などを表示するコードなどの情報を表示するためのマーキング方法として、ＣＯ2レーザ（波長１０．６μm）や、ＹＡＧレーザ（基本波１０６４nm）などを用いてマーキングを行う方法が一般的に用いられている。
【０００５】
しかしながら、ＣＯ2レーザを用いて圧電基板の裏面にマーキングを行った場合、圧電基板が、ＬｉＴａＯ3基板やＬｉＮｂＯ3基板などの圧電単結晶材料からなるものである場合、圧電基板の表面にクラックが生じやすいという問題点がある。
【０００６】
また、ＹＡＧレーザは、ＬｉＴａＯ3基板やＬｉＮｂＯ3基板などの圧電単結晶材料からなる基板を透過することから、ＹＡＧレーザを用いてマーキングする場合、予め圧電基板のマーキングが行われる裏面を粗面化してからレーザを照射することが行われる。
【０００７】
しかしながら、圧電基板の裏面を粗面化した場合にも、いくらかのレーザ光はＬｉＴａＯ3基板やＬｉＮｂＯ3基板などの圧電基板を透過し、この透過したレーザ光によりＩＤＴ電極が損傷するという問題点がある。
【０００８】
また、近年、圧電体と絶縁体との界面を伝搬する弾性境界波を利用した、弾性境界波装置も利用されるに至っているが、上述のようにレーザ光を用いてマーキングを行う場合の問題点は弾性表面波装置に限らず、この弾性境界波装置にも当てはまるものである。
【特許文献１】特開２００３−１１５７３４号公報
【特許文献２】特開２００４−２０８３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、圧電基板に形成された電極パターンを損傷することなく、レーザ光を用いて圧電基板にマーキングを行うことが可能で、特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された弾性表面波装置や弾性境界波装置などの弾性波装置を確実に製造することが可能な弾性波装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の弾性波装置の製造方法は、
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１１】
また、本発明は、前記個片化工程と、前記マーキング工程との間に、前記個片化された圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程を備えていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明は、
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板を複数個、その一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングするボンディング工程と、
前記ベース基板上にボンディングされた各圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程と、
前記ベース基板を個々の弾性波装置毎に分割する分割工程と、
前記分割された各弾性波装置を構成する前記圧電基板の前記他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の弾性波装置の製造方法は、
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板の一方主面側を素子毎にハーフカットするハーフカット工程と、
前記マザー圧電基板の他方主面を研磨することにより、素子毎に分割し、個片化された圧電基板とする個片化工程と、
前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマーキングを行う工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１４】
また、前記圧電基板が、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなるものであることを特徴としている。
【００１５】
また、圧電基板が、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなるものである場合に、前記レーザ光として、波長が３００ｎｍ以下のものを用いることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の弾性波装置の製造方法においては、一方主面に電極パターンが形成された圧電基板の他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマーキングを行うようにしているので、マーキングに用いられたレーザ光（の余分のエネルギー）を圧電基板に吸収させて、圧電基板を介して他方主面と対向する一方主面に形成された電極パターンがレーザ光により損傷することを抑制、防止できるようになる。
したがって、本発明によれば、電極パターンが損傷することによる特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された弾性波装置を確実に製造することができる。
なお、本発明において、弾性波装置とは、圧電体の表面を伝搬する弾性表面波を利用した弾性表面波装置や圧電体と絶縁体との界面を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置などを含む広い概念のものである。
したがって、本発明でいう圧電基板には、その一方主面上に、電極パターンが形成され、さらに電極パターンを覆うように一方主面上に絶縁体（絶縁膜）が配設されているものも含まれる。
【００１７】
個片化工程と、マーキング工程との間に、個片化された圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程を設けることにより、弾性波装置を低背化することが可能になるとともに、平滑な圧電基板の他方主面に、より情報の確認性に優れた明確なマーキングを施すことが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。
【００１８】
また、個片化した圧電基板を一方主面がベース基板に対向するようにフリップチップボンディングし、圧電基板の他方主面を研磨した後、ベース基板を個々の弾性波装置毎に分割し、この分割された各弾性波装置を構成する圧電基板の他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うことにより、複数個の圧電基板の他方主面を、フリップチップボンディングされた状態で効率よく研磨することが可能になる。したがって、圧電基板の研磨により製品の低背化が実現され、かつマーキングが施された弾性波装置を効率よく製造することが可能になる。
【００１９】
また、本発明の他の弾性波装置の製造方法においては、一方主面に電極パターンが形成されたマザー圧電基板の一方主面側を素子毎にハーフカットした後、マザー圧電基板の他方主面を研磨することにより、素子毎に分割して個片化し、個片化された圧電基板の研磨された他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマーキングするようにしているので、圧電基板の他方主面の研磨により低背化が実現される。また、基板の他方主面の研磨と個片化とを効率よく行うことができる。また、この構成の場合にも、マーキングに用いられたレーザ光（の余分のエネルギー）を圧電基板に吸収させて、一方主面に形成された電極パターンが損傷することを防止することが可能になる。
したがって、電極パターンが損傷することによる特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された、背の低い弾性波装置を確実にしかも効率よく製造することができる。
【００２０】
また、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなる圧電単結晶基板に対し、例えば、深紫外（波長３００nm以下）のレーザ光を圧電基板の他方主面に照射してマーキングすることにより、マーキングに用いられたレーザ光（の余分のエネルギー）を効率よく圧電基板に吸収させて、一方主面に形成された電極パターンを損傷することなく、他方主面に確実にマーキングを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例１】
【００２２】
この実施例１では、弾性波装置として、圧電体と絶縁体との界面を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置を製造する場合を例にとって説明する。
図３(ａ)は本発明の実施例１にかかる弾性波装置の製造方法により製造される弾性境界波装置１０を示す平面図、図３(ｂ)はＰ−Ｐ線に沿う断面図である。
【００２３】
この弾性境界波装置１０は、図３(ａ)，(ｂ)に示すように、圧電基板１と、圧電基板１の一方主面２１ａ上に設けられたＩＤＴ（くし歯状電極）９と、圧電基板１の一方主面２１ａ上に、ＩＤＴ９を覆うように設けられた絶縁膜７と、絶縁膜７上に積層された吸音膜８を備えている。
【００２４】
そして、圧電基板１の一方主面２１ａ上には、ＩＤＴ９に電気的に接続されるように配線１２が形成されており、絶縁膜７は、配線１２を部分的に露出させる絶縁膜開口部７ａを有し、吸音膜８も、配線１２を部分的に露出させる吸音膜開口部８ａを有している。
【００２５】
また、絶縁膜開口部７ａ、吸音膜開口部８ａから、絶縁膜７と吸音膜８の界面に至るようにアンダーバンプメタル下地層（ＵＢＭ下地層）１３が配設されており、絶縁膜開口部７ａ、吸音膜開口部８ａに充填されたアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）１５は、ＵＢＭ下地層１３と接合され、電気的に接続されている。
【００２６】
そして、絶縁膜７と吸音膜８の界面には、上記ＵＢＭ下地層１３と電気的に接続された給電ライン１４が配設されている。
【００２７】
さらに、上記ＵＢＭ１５上には、弾性境界波装置１０を、バンプ接合により実装基板に搭載するための金属バンプ１１ａ〜１１ｄが印刷法などにより形成されている。なお、金属バンプ１１ａ〜１１ｄの構成材料としては通常はんだなどが用いられる。
【００２８】
そして、この弾性境界波装置１０を構成する圧電基板１の他方主面２１ｂには、実装時の方向や、品種などの情報、製造の年月日などの情報を表示するためのマーキングが施されている(図１参照)。
【００２９】
次に、図３(ａ)，(ｂ)に示す弾性境界波装置１０の製造方法について、図４，５および６を参照しつつ説明する。
まず、個々の弾性境界波装置１０の圧電基板１となるマザー圧電基板(ウエハー)１Ａを用意する(図４(ａ)参照)。マザー圧電基板１Ａとしては、この実施例１では、ＬｉＴａＯ3、ＬｉＮｂＯ3の圧電単結晶材料からなるものを２種類用意した。圧電単結晶材料としては水晶を用いることも可能である。さらに、場合によっては圧電セラミックスを用いることも可能である。
【００３０】
なお、図４(ａ)は、本発明の第１の実施形態の製造方法で用いられるマザー圧電基板(ウエハー)およびダイシングラインを説明するための模式的平面図であり、図４(ｂ)は、マザー圧電基板における１つの弾性境界波装置が構成されている部分の拡大平面図である。
【００３１】
図４(ａ)に示されているように、マザー圧電基板１Ａは、略円形の形状を有している。ただし、マザー圧電基板１Ａの平面形状は特に限定されない。このマザー圧電基板１Ａにおいて、マトリックス状に多数の弾性境界波装置が構成される。すなわち、マザー圧電基板１Ａには、Ｘ方向に平行に延びる、導電性材料からなる複数のダイシングライン２と、Ｙ方向に平行に延びる、導電性材料からなる複数のダイシングライン３とが形成されている。ダイシングライン２，３に沿ってマザー圧電基板１Ａを分割することにより、図４(ｂ)に示すような、個々の弾性境界波装置１０が切り出されることになる。
【００３２】
なお、図４(ａ)に示すように、マザー圧電基板１Ａには、ダイシングライン２，３と電気的に接続するように、給電端子４，５が形成されている。この給電端子４，５は、後述のＵＭＢ１５（図３（ｂ））形成のための電解メッキの際に、電圧を印可する端子として機能する。なお、この給電端子４，５は、ダイシングライン２，３と同じ導電材料により構成されている。
【００３３】
以下、弾性境界波装置１０の製造方法を、図５，図６を参照してより具体的に説明する。なお、図５，６では、集合状態のマザー圧電基板１Ａの一部のみを拡大して示しているが、実際には、個々の弾性境界波装置１０は、製造工程の最終段階で、マザー圧電基板１Ａを前述したダイシングライン２，３に沿って分割することにより得られる。
【００３４】
まず、図５(ａ)に示すように、圧電基板１(マザー圧電基板１Ａ）上にフォトリソグラフィ法などによりＩＤＴ９を形成する。ＩＤＴ９の構成材料としては、例えばＡｌ、Ｃｕまたはその他の適宜の金属もしくは合金などを用いることができる。また、ＩＤＴ９は、複数の金属を積層してなる積層膜により形成されていてもよい。
【００３５】
次に、図５(ｂ)に示すように、ＩＤＴ９と導通する配線１２を形成する。配線１２は、Ａｌ、Ｃｕなどの金属材料により構成される。
この配線１２の形成方法は特に限定されるものではなく、公知の種々の薄膜形成法を用いることが可能である。
【００３６】
それから、図５(ｃ)に示すように、ＩＤＴ９を覆うように圧電基板１上に絶縁膜７を形成する。この実施例１では、絶縁膜７として、ＳｉＯ2からなり、厚みが数μｍ〜１０数μｍ程度の絶縁膜を形成した。この絶縁膜７は、スパッタリング等の薄膜形成方法により形成することができる。
【００３７】
その後、図５(ｄ)に示すように、絶縁膜７に、配線１２の一部を露出させる絶縁膜開口部７ａを形成する。この絶縁膜開口部７ａは、例えば反応性イオンエッチングなどのドライエッチング法により形成することができる。ただし、他の方法で形成することも可能である。
【００３８】
次に、図６(ａ)に示すように、絶縁膜開口部７ａ及びその周囲に、ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングライン３を同じ導電性材料を用いて同時に形成する。 ＵＢＭ下地層１３は、後述するＵＢＭ１５（図６(ｄ)）をその上に電解メッキにより形成するために設けられている。すなわち、ＵＢＭ１５を電解メッキにより形成するための下地層として機能する。もっとも、ＵＢＭ下地層１３は、ＵＢＭ１５が設けられる部分だけでなく、絶縁膜７の表面、すなわち、絶縁膜７と、吸音膜８との界面に至るように形成されている。そして、絶縁膜７と吸音膜８との界面に設けられた給電ライン１４に連ねられている。また、給電ライン１４と連ねられるように、ダイシングライン３が絶縁膜７上に形成されている。
【００３９】
上記ＵＢＭ下地層１３、給電ライン１４及びダイシングライン３は、Ａｌ、Ｃｕなどの金属材料により構成される。好ましくは、絶縁膜７や配線１２に対する密着強度を確保するために、Ｎｉ、ＮｉＣｒもしくはＴｉなどからなる密着層を積層した構造を有することが望ましい。
【００４０】
次に、図６(ｂ)に示すように、吸音膜８としてエポキシ樹脂膜を形成する。
エポキシ樹脂膜は、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂系組成物あるいは光硬化型エポキシ樹脂系組成物を塗布し硬化することにより形成される。エポキシ樹脂以外のポリイミドなどの他の樹脂を用いてもよい。
【００４１】
その後、図６(ｃ)に示すように、吸音膜８に吸音膜開口部８ａを形成する。吸音膜開口部８ａの形成に際し、吸音膜開口部８ａの下方に埋められている吸音膜８構成材料も除去することにより絶縁膜開口部７ａを再度露出させる。このような開口の形成は、感光性樹脂等を用いたフォトリソグラフィなどの方法により行うことができる。これにより、絶縁膜開口部７ａが再度形成されることになり、ＵＢＭ下地層１３が再度絶縁膜開口部７ａの底部に露出されることになる。
【００４２】
次に、図４(ａ)に示した給電端子４，５から電圧を印加する。印加された電圧はダイシングライン２，３および給電ライン１４を介してＵＢＭ下地層１３に伝わり、Ｎｉの電解メッキによって、ＵＢＭ１５（図３(ｂ)、図６(ｄ))が形成される。
【００４３】
なお、この実施例１では、ＵＢＭ１５はＮｉを電解メッキすることにより形成されているが、Ｎｉ以外の適宜の金属によりＵＢＭ１５を形成することも可能である。
【００４４】
次に、上記ＵＢＭ１５上に、印刷法等によりはんだなどの材料からなる金属バンプ１１ａ〜１１ｄを形成する(図３(ｂ)，図４(ｂ)）。
【００４５】
それから、図４(ａ)に示したダイシングライン２，３に沿ってダイシングライン２，３が形成されている部分を除去するように、ダイサーによりマザー圧電基板１Ａを切断する。
これにより、ダイシングの工程で、図３(ａ)に示されているダイシングライン２，３を含むダイシング領域２Ａ，３Ａが除去されることになり、図３(ａ)中のＰ−Ｐ線断面図である図３(ｂ)に示すように、切断により端面１０ａが形成されることになる。このようにして、個々の弾性境界波装置１０が取り出される。なお、得られた弾性境界波装置１０においては、金属バンプ１１ａ〜１１ｄが設けられているので、バンプ接合により実装基板に搭載することができる。
なお、この実施例１で作製した弾性境界波装置１０は、その寸法が、圧電基板１の厚さ：０．２５０ｍｍであり、チップサイズ(平面サイズ)は、長さ：０．８００ｍｍ、幅：０．６００ｍｍである。
【００４６】
それから、上述のようにして作製した図３(ａ)，(ｂ)に示すような構造を有する弾性境界波装置１０の下面すなわち、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなる圧電基板１の他方主面２１ｂを研磨した。
【００４７】
次に、研磨された圧電基板１の他方主面２１ｂにレーザ光を照射してマーキングを施した。
【００４８】
なお、マーキングには、以下の条件のレーザ光を用いた。
レーザ光の種類 ：ランプ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザ
レーザ光の波長 ：２６６ｎｍ(第４高調波)
レーザ出力 ：７５ｍｍＷ
ガルバノスピード：２０ｍｍ／ｓ
周波数 ：１０ｋＨｚ
【００４９】
また、マーキングを行うに当たっては、平面サイズが、長さ０．８００ｍ、幅０．６００ｍｍの弾性境界波装置１０を構成する圧電基板１の他方主面２１ｂに６文字のマーキングを施した。
ただし、マーキングは、
文字の線幅 ：０．０２５ｍｍ
文字描画加工スピード ：４１ｍｓ／６文字
の条件でを行った。
【００５０】
なお、上記レーザ光は、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなる圧電基板１との関係でいえば、圧電基板１の他方主面２１ｂからレーザ光を上記の条件で照射した場合には、レーザ光のエネルギーがすべて圧電基板１に吸収され、圧電基板１の一方主面２１ａに達しないようなレーザ光である。
【００５１】
＜マーキングの評価＞
上述のような条件で、圧電基板（圧電単結晶材料からなる基板）１に吸収される、深紫外（３００ｎｍ以下(２６６ｎｍ））のレーザ光を、圧電基板１の他方主面（弾性境界波装置の下面）２１ｂに直接照射して、圧電基板１の他方主面２１ｂの表面近傍を溶融除去することにより、圧電基板の一方主面２１ａに形成されたＩＤＴ９などの電極パターンを損傷することなく、その後の洗浄工程などにおいても消失することのないマーキングを行うことができた。
【００５２】
図１は、弾性境界波装置を構成する圧電基板の、マークが形成された他方主面の顕微鏡写真を示す図である。
図１に示すように、この実施例１の方法によれば、明瞭な文字をマーキングできることがわかる。
【００５３】
なお、図２は、レーザ光の波長と、ＬｉＮｂＯ3基板（厚さ：１ｍｍ、透明ポリッシュ基板）へのレーザ光の透過率の関係を示す図である。図２に示すように、波長が３００ｎｍ以下になると、レーザ光の透過率が０％となっており、このことからも、この実施例１のように、波長が２６６ｎｍのレーザ光を照射してマーキングを行った場合、光透過率が０％になって、圧電基板の一方主面（図３(ｂ）における上面)に形成されたＩＤＴなどの電極パターンを損傷することなくマーキングできることが裏付けられている。
【００５４】
なお、この実施例１では圧電基板の厚みが２５０μｍであるのに対し、レーザ光の焦点深度が約５００μｍと長いため、圧電基板の表面ないしはその近傍で、エネルギーのほぼ全部が吸収されるようなレーザ光でなければ、圧電基板を透過して、一方主面に形成されたＩＤＴにもレーザが集光照射され、ＩＤＴが破壊されてしまうことになるが、上述の実施例１の条件では、ＩＤＴが損傷を受けるようなことはなかった。
【００５５】
この実施例１では、波長３００ｎｍ以下のレーザ光として、ランプ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザを使用したが、レーザ光はこれに限られるものではなく、例えば、ＬＤ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザ、ＬＤ励起ＹＶＯ４−ＦＨＧレーザ、ＬＤ励起ＹＬＦ−ＦＨＧレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２エキシマレーザ、Ａｒイオンレーザ、ＹＡＧ／ＹＶＯ４結晶による第５以上の高次の高調波レーザなどを適宜選択して用いることが可能である。
【００５６】
なお、ＬｉＮｂＯ3とＬｉＴａＯ3は圧電材料として類似した物性を備えていることから、ＬｉＮｂＯ3とＬｉＴａＯ3のいずれからなる圧電基板が用いられている場合にも、本発明によれば、一方主面に形成されたＩＤＴが破壊されてしまうようなことを防止しつつ、圧電基板の他方主面に確実にマーキングを施すことができる。
ただし、上述のＬｉＮｂＯ3とＬｉＴａＯ3とは異なる物性を有する圧電基板を用いる場合においても、条件を適切に調整することにより、上記実施例１の場合と同様の効果を得ることが可能である。
【００５７】
なお、参考として、この実施例１で用いた、ランプ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザ（波長２６６ｎｍの第４高調波）の代わりに、基本波（波長１０６４ｎｍ）、第２高調波（波長５３２ｎｍ）、第３高調波（波長３５５ｎｍ）を用いてマーキングした弾性境界波装置の圧電基板の他方主面および、電極パターンが形成された圧電基板の一方主面の顕微鏡写真を、図７(ａ)，(ｂ)，図８(ａ)，(ｂ)，図９(ａ)，(ｂ)に示す。
【００５８】
なお、図７(ａ)は、基本波（波長１０６４ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、図７(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【００５９】
また、図８(ａ)は、第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、図８(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【００６０】
さらに、図９(ａ)は、第３高調波（波長３５５ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、図９(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【００６１】
図７(ａ)，図８(ａ)および図９(ａ)に示すように、どのレーザ光を用いた場合にも、圧電基板の他方主面（下面側）が削られており、マーキングの鮮明さはともかく、マーキングを行うことは可能であることがわかる。
【００６２】
しかしながら、図７(ｂ)，図８(ｂ)に示すように、基本波、第２高調波を用いた場合、ＩＤＴ(電極パターン）が破壊されており、好ましい結果を得ることができなかった。
【００６３】
また、第３高調波を用いた場合、図９(ｂ)では、ＩＤＴ(電極パターン）は大きな損傷を受けていないようにみえるが、弾性境界波装置としての特性を測定した結果、ＩＤＴ（電極パターン）が削られたことによる特性劣化が認められた。
【００６４】
なお、この実施例１では、ダイサーによりマザー圧電基板を切断して、個々の弾性境界波装置を切り出すようにした場合を例にとって説明したが、予めマザー圧電基板の一方主面側を素子毎にハーフカットしておき、その後に、マザー圧電基板の他方主面を研磨することにより、素子毎に分割し、個片化された圧電基板を得るように構成することも可能である。
【００６５】
このようにした場合、圧電基板の他方主面の研磨により低背化を実現することが可能になるとともに、基板の他方主面の研磨と個片化とを効率よく行うことが可能になり、生産性を向上させることができる。
【実施例２】
【００６６】
図１０は本願発明の他の実施例(実施例２)にかかる弾性表面波装置の製造方法を模式的に示す図である。
以下、図１０を参照しつつ、この実施例２の弾性表面波装置の製造方法について説明する。なお、図１０において、図３と同一符号を付した部分は同一または相当する部分を示す。
【００６７】
(１)マザー圧電基板の一方主面に複数の電極パターンを形成した後、ダイシングラインに沿って、ダイサーによりマザー圧電基板を切断することによって得られる個片化した圧電基板１(他方主面を研磨していない状態の圧電基板)を、複数個、その一方主面２１ａがベース基板３１に対向するように、ベース基板３１上にフリップチップボンディングする（図１０参照）。
【００６８】
(２)次に、図１０に示すように、ベース基板３１上にボンディングされた各圧電基板１の他方主面２１ｂを研磨した後、ダイサーにより、所定のカットラインＬに沿ってベース基板３１を切断し、個々の弾性表面波装置２０毎に分割する。
【００６９】
(３)それから、分割された各弾性表面波装置２０を構成する圧電基板１の他方主面２１ｂに、圧電基板１に吸収される波長を有するレーザ光(例えば、上記実施例１で用いたものと同じランプ励起ＹＡＧ−ＦＨＧレーザ）を照射してマ一キングを行う。
【００７０】
この実施例２の方法の場合、複数個の圧電基板の他方主面を、フリップチップボンディングされた状態で効率よく研磨することが可能になる。その結果、圧電基板の研磨により製品の低背化が実現され、かつ、電極パターンを損傷することなくマーキングが施された弾性波装置を効率よく製造することができる。
【００７１】
なお、本発明は、上記実施例に限られるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明にかかる方法により製造された弾性境界波装置であって、圧電基板の他方主面にマーキングが施された弾性境界波装置を示す顕微鏡写真である。
【図２】レーザ光の波長と、ＬｉＮｂＯ3基板（厚さ：１ｍｍ、透明ポリッシュ基板）へのレーザ光の透過率の関係を示す図である。
【図３】(ａ)は本発明の実施例１にかかる弾性境界波装置の製造方法により製造された弾性境界波装置を模式的に示す平面図、(ｂ)は(ａ)のＰ−Ｐ線に沿う部分の正面断面図である。
【図４】(ａ)は本発明の実施例１にかかる弾性境界波装置の製造方法において形成された、切断して個々の弾性境界波装置を取り出す前のマザー圧電基板およびダイシングラインを説明するための模式的平面図であり、(ｂ)はマザー圧電基板における１つの弾性境界波装置が構成されている部分の拡大平面図である。
【図５】(ａ)〜(ｄ)は、本発明の実施例１にかかる弾性境界波装置の製造方法を説明するための各部分正面断面図である。
【図６】(ａ)〜(ｄ)は、本発明の実施例１にかかる弾性境界波装置の製造方法を説明するための各部分正面断面図である。
【図７】(ａ)は、基本波（波長１０６４ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【図８】(ａ)は、第２高調波（波長５３２ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【図９】(ａ)は、第３高調波（波長３５５ｎｍ）を用いてマーキングを行った場合の圧電基板の他方主面（レーザ光が照射された面）、(ｂ)は、圧電基板の一方主面(ＩＤＴが形成された面)を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施例(実施例２)にかかる弾性境界波装置の製造方法を模式的に示す図である。
【図１１】従来の弾性表面波装置の製造方法を説明するための図であり、(ａ)は正面断面図、(ｂ)はその機能部を示す平面図である。
【図１２】従来の他の弾性表面波装置を示す正面断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１ 圧電基板
１Ａ マザー圧電基板
２，３ ダイシングライン
２Ａ，３Ａ ダイシング領域
４，５ 給電端子
７ 絶縁膜
７ａ 絶縁膜開口部
８ 吸音膜
８ａ 吸音膜開口部
９ ＩＤＴ
１０ 弾性境界波装置
１０ａ 端面
１１ａ〜１１ｄ 金属バンプ
１２ 配線
１３ アンダーバンプメタル下地層（ＵＢＭ下地層）
１４ 給電ライン
１５ アンダーバンプメタル（ＵＢＭ）
２０ 弾性表面波装置
２１ａ 圧電基板の一方主面
２１ｂ 圧電基板の他方主面
３１ ベース基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴とする弾性波装置の製造方法。
【請求項２】
前記個片化工程と、前記マーキング工程との間に、前記個片化された圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程を備えていることを特徴とする、請求項１記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項３】
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板を複数個、その一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングするボンディング工程と、
前記ベース基板上にボンディングされた各圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程と、
前記ベース基板を個々の弾性波装置毎に分割する分割工程と、
前記分割された各弾性波装置を構成する前記圧電基板の前記他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴とする弾性波装置の製造方法。
【請求項４】
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板の一方主面側を素子毎にハーフカットするハーフカット工程と、
前記マザー圧電基板の他方主面を研磨することにより、素子毎に分割し、個片化された圧電基板とする個片化工程と、
前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマーキングを行う工程と
を備えていることを特徴とする弾性波装置の製造方法。
【請求項５】
前記圧電基板が、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなるものであることを特徴とする請求項１〜４に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項６】
前記レーザ光の波長が３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１】
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴とする弾性波装置の製造方法。
【請求項２】
前記個片化工程と、前記マーキング工程との間に、前記個片化された圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程を備えていることを特徴とする、請求項１記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項３】
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板を素子毎に分割して個片化された圧電基板とする個片化工程と、
素子毎に個片化された前記圧電基板を複数個、その一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングするボンディング工程と、
前記ベース基板上にボンディングされた各圧電基板の他方主面を研磨する研磨工程と、
前記ベース基板を個々の弾性波装置毎に分割する分割工程と、
前記分割された各弾性波装置を構成する前記圧電基板の前記他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行うマーキング工程と
を備えていることを特徴とする弾性波装置の製造方法。
【請求項４】
マザー圧電基板の一方主面に複数の素子用電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
前記マザー圧電基板の一方主面側を素子毎にハーフカットするハーフカット工程と、
前記マザー圧電基板の他方主面を研磨することにより、素子毎に分割し、個片化された圧電基板とする個片化工程と、
前記圧電基板の他方主面に、前記圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマーキングを行う工程と
を備えていることを特徴とする弾性波装置の製造方法。
【請求項５】
前記圧電基板が、ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3からなるものであることを特徴とする請求項１〜４に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項６】
前記レーザ光の波長が３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５記載の弾性波装置の製造方法。
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１】
【図７】
【図８】
【図９】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１０−１０３８１１（Ｐ２０１０−１０３８１１Ａ）
【公開日】平成２２年５月６日（２０１０．５．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２７４１１３（Ｐ２００８−２７４１１３）
【出願日】平成２０年１０月２４日（２００８．１０．２４）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月６日（２０１０．５．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月２４日（２００８．１０．２４）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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