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Fターム[5J097HA03]の内容

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Fターム[5J097HA03]に分類される特許

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【課題】圧電基板と支持基板とを接着層を介して貼り合わせたものにおいて、加熱により生じる不具合の発生をより抑制する。
【解決手段】本発明の弾性波デバイス30は、電極が形成されている圧電基板42と、支持基板44と、圧電基板42と支持基板44とを接着する接着層46と、を備え、圧電基板42側から支持基板44側に向かって凸形状となるよう圧電基板42には膨出部43が形成されている。弾性波デバイス30は、支持基板44に屈曲部48が形成されており、圧電基板42の表面41から支持基板44の屈曲部48に向かって外周が小さくなるよう形成され屈曲部48から裏面45に向かって外周の大きさが同じになるよう形成されている。 (もっと読む)


【課題】角型性の良好なヒステリシス特性を有しないことで信頼性を向上させた圧電体及びそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Pb(ZrTiNb)Oで示され、以下の関係、
X+Y+Z=1
0≦Y≦0.25
0.05≦Z≦0.25
が成立することを特徴とする圧電体である。 (もっと読む)


【課題】圧電基板の厚さを薄くしてラム波の高周波化を可能にする、ラム波型デバイスを提供する。
【解決手段】ラム波型デバイスであるラム波型共振子1は、水晶基板2と、水晶基板2の一方の面にアルミニウム(Al)で形成された櫛歯状電極3、反射器4および電極パッド5と、水晶基板2の他方の面に金(Au)で形成された金属膜6と、金属膜6に接合されたシリコン基板である支持基板7と、支持基板7に形成され水晶基板2および金属膜6を介して櫛歯状電極3、反射器4および電極パッド5と対向して位置するキャビティー部8と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】熱による生じる反りが小さいとともに、温度変化に対して優れた周波数温度特性を有する複合圧電基板や、それを用いて作製された弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電基板11と剛体板12が接着層13を介して貼り合わされた複合圧電基板10であって、前記接着層13が、光硬化性ではなく室温で硬化する接着剤からなるものである複合圧電基板10。またこのような複合圧電基板10を切断したものを用いて作製されたものである弾性表面波素子。 (もっと読む)


【課題】周波数の経時的変化を抑制できるSAWデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板11にすだれ状電極12を形成するSAW素子片形成工程S1と、(1)すだれ状電極12の電極指12a,12bの質量を変化させる工程、(2)すだれ状電極12に質量体を付加する工程、(3)電極指12a,12b間に露出している圧電基板11をエッチングする工程の(1)〜(3)の少なくとも1つの工程を行い、SAW素子片10の周波数を調整する第1周波数調整工程S5と、第1周波数調整工程S5後、SAW素子片10を200℃以上500℃以下の雰囲気中で5分以上加熱するアニール工程S6と、を有する。 (もっと読む)


【課題】基材表面(素子面)を覆い且つ封止する空間が必要な素子のパッケージングを従来用いている金属キャップを用いて形成した場合、チップの高さが高くなる。また、チップ個片での組立てとなり、工数が増えてしまうと言った課題があった。
【解決手段】表面に櫛歯電極部と電極部及び櫛歯電極部と電極部とを接続する配線部とを複数の組備えたSAWフィルタが形成された基板と、基板に対向して設置された封止基板と、基板と封止基板とを所定の間隔を保って接続する封止部と、SAWフィルタと電気的に接続して基板又は封止基板の外部に露出している電極部とを備えた電子デバイスにおいて、基板上のSAWフィルタが形成されている領域の上部は封止部により封止基板と所定の間隔離れており、櫛歯電極部は電極部よりも薄く形成されており、封止部は基板側の素材と封止基板側の素材とが常温接合により内部が密閉された状態で接続して形成した。 (もっと読む)


【課題】基板と保護カバーとの間に剥離が生じにくく信頼性に優れた弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波を伝搬させる基板3と、基板3の主面上に配置された励振電極と、基板3の主面上に立設され、励振電極と電気的に接続される複数個の第1の柱状導体15と、基板3の主面上に立設され、電気的に浮き状態とされている第2の柱状導体16と、励振電極の振動空間17を構成するとともに、第1の柱状導体15の側面および第2の柱状導体16の側面を覆う保護カバー9と、を有する構造にする。 (もっと読む)


【課題】電極パターンを形成するときに発生する圧電基板の反りを防ぐことができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子10の製造方法は、(i)圧電基板12の一方主面12tに、圧電基板12よりも線膨張係数が小さい支持部材14を接合して複合基板11を形成する第1の工程と、(ii)複合基板11の支持部材14に、支持部材14と圧電基板12との接合界面12tとは反対側の表面14sから複数の溝14tを形成する第2の工程と、(iii)複合基板11の圧電基板12の他方主面12sに、IDT電極を含む電極パターン16を形成する第3の工程と、(iv)電極パターン16を形成した複合基板11を分割して個片化する第4の工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】犠牲層を設けてエッチング除去することなく、メンブレン構造を構成できる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、パターン形成工程(S11〜S13)とイオン注入工程(S14)と接合工程(S15)と剥離工程(S16)とを含む。パターン形成工程は、支持基板3の主面に支持部2をパターン形成する。支持部2は支持基板3の主面から突出する。イオン注入工程(S14)は圧電基板1の平坦面にイオンを注入する。接合工程(S14)は、圧電基板1の平坦面に支持基板3を支持部2で接合する。剥離工程(S15)は、圧電基板1の平坦面から一定距離の内部でマイクロキャビティを成長させて、支持部2に接合する圧電基板1から圧電薄膜4を剥離する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、熱処理後の反り増加量が小さく、クラックが生じにくい複合圧電基板の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、圧電基板と絶縁体基板とを接着剤で貼り合わせ、前記貼り合わせた基板に熱処理を行うことにより、前記接着剤を硬化させる複合化された圧電基板の製造方法であって、前記絶縁体基板として導電率が1×10−14[Ω−1・cm−1]以下のものを用い、前記熱処理による接着剤の硬化は、除電処理を施しながら行うことを特徴とする複合化された圧電基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】リフトオフ法により保護膜を圧電素子の表面全部またはその表面の任意の部位に形成して電気特性及び耐候性に優れた圧電部品を製造する。
【解決手段】本発明は、集合圧電基板と、該集合圧電基板の主面に形成された少なくとも1個の振動部と、該振動部に接続される配線電極とを有する圧電素子と、該圧電素子の表面に形成された保護膜と、前記圧電素子の電極部を除く前記圧電基板の主面上に形成された層間絶縁膜と、前記圧電素子の上面を囲むように設けた中空構造部を有し、かつ、前記配線電極に接続する端子電極、及び該端子電極上に形成したはんだボール電極を有する圧電部品の製造方法において、前記保護膜の形成の際に圧電素子の全面にフォトレジストを塗布した後、リソグラフィーによりパターニングしてから絶縁膜を形成し、所望の部位のフォトレジストと、その上に形成した絶縁膜とをリフトオフ法により除去(剥離)することを特徴とする圧電部品の製造方法及びこれにより製造される圧電部品に関する。 (もっと読む)


バルク音響共振器アセンブリおよびその共振器アセンブリを製造するための方法を提供する。共振器は、基板の第1の表面上にキャビティを含み、低音響損失材料のシートがキャビティに亘って懸吊される。低音響損失材料のシートは、低音響損失材料のシートの関連される基本周波数が、基板の第1の表面に平行する方向における低音響損失材料のシートの長さに応じるように構成される。トランスデューサは、低音響損失材料のシート上に電気機械層、および電気機械材料上に形成されたパターニングされた導電材料を含む。トランスデューサは、電気信号を導電パターンに付与すると、低音響損失材料において振動を誘発するように構成される。 (もっと読む)


【課題】電気機械結合係数を高めることができ、広帯域化を図ることができる弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板2の上面に溝2aが形成されており、IDT電極3A〜3Cが、厚み方向において少なくとも一部が圧電基板2の上面に形成されている溝2aに埋め込まれるように形成されており、圧電基板2の上面に、第1の誘電体層6及び第1の誘電体層6よりも音速が速い第2の誘電体層7が積層されている、弾性境界波装置1。 (もっと読む)


【課題】小型化、低背化を図りつつ、周波数をより大きな可変幅で効率良く可変制御し得るSAWデバイスを提供する。
【解決手段】SAWデバイス1は、圧電基板4の主面にSAWを励振するためのIDT5を有するSAW素子3と、SAW素子を圧電基板のSAW伝搬方向の一方の端部4aで片持ちに支持固定するベース2と、印加電圧に応じて自由端部9aを長さ方向に変位させるアクチュエータ9とを備える。アクチュエータの自由端部は、圧電基板のSAW伝搬方向にIDTよりも他方の端部4b側においてその裏面4cに、該アクチュエータの長さ方向に関して45°より小さい角度で当接し、圧電基板をその他方の端部を押し上げて撓ませる。アクチュエータの自由端部が、圧電基板裏面に摺接しつつ印加電圧により長さ方向に変位して圧電基板の撓み量を変化させ、SAWデバイスの周波数を線形に変化させる。 (もっと読む)


【課題】IDT電極を含む導電パターンを形成するときに圧電基板に反りが発生しないようにすることができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】(a)一対の主面10a,10bを有する圧電基板10の一方の主面10aに、IDT電極を含む導電パターン14を形成する工程と、(b)圧電基板10の一方の主面10aに、導電パターン14を覆うようにワックスを塗布して接着層20を形成する工程と、(c)接着層20に保持部材30を接着し、接着層20及び保持部材30を介して圧電基板10を保持した状態で、圧電基板10の他方の主面10bを研磨して圧電基板10を薄くする工程と、(d)圧電基板10の他方の主面10bに、圧電基板10の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持層12を形成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波素子の製造工程中における反りや基板の剥がれを抑制することができる弾性表面波素子用基板及び弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】(a)圧電基板12と、(b)一方の主面14aが圧電基板12の一方の主面12bと貼り合わせられ、圧電基板12の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持基板14とを備える。支持基板14の一方の主面14aは、圧電基板12の一方の主面12bよりも大きい。支持基板14と圧電基板12との貼り合わせ面に垂直な方向から透視すると、支持基板14の内側に圧電基板12が配置され、支持基板14は、圧電基板12の外側を取り囲むはみ出し部分13を有する。 (もっと読む)


【課題】圧電基板と絶縁体基板とが接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板の製造方法において、安価な絶縁体基板を用いたとしても熱処理後のソリの量が小さく、かつソリの大きさのバラツキが小さく安定している複合化された圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電基板と絶縁体基板のどちらか一方の主表面に接着剤を塗布する第1の工程と、前記接着剤を介して前記圧電基板と前記絶縁体基板とをお互いに貼り合わせる第2の工程と、前記貼り合わせた基板の温度を25±5℃となるように制御して、前記接着剤に紫外光を照射して該接着剤を硬化させる第3の工程と、前記貼り合わせた基板を所望の厚さまで研削する第4の工程と、該研削後の貼り合わせた基板を加熱して前記接着剤を完全に硬化させる第5の工程と、を具備することを特徴とする複合化された圧電基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】温度係数が劣化することなく、タンタル酸リチウム結晶の電気機械結合係数を向上させ、かつ結晶育成が容易な、高品質の表面弾性波素子用基板、及びその製造方法の提供。
【解決手段】鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなり、電気機械結合係数がコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶からなる表面弾性波素子用基板の1.1倍以上である表面弾性波素子用基板の形成。 (もっと読む)


【課題】透光性誘電体層の膜厚測定の正確性を向上する。
【解決手段】本発明の弾性波素子8は、圧電体9と、圧電体9の上に形成されたIDT電極10と、圧電体9の上にIDT電極10の少なくとも一部を覆うように形成された透光性誘電体層12とを備え、圧電体9の上に透光性誘電体層12に覆われるように形成されると共に可視光波長領域において圧電体9の反射率よりも高い反射率を有する反射膜14を有する構成とした。この構成により、弾性波素子8の製造過程において、透光性誘電体層12の成膜後に、光干渉式法による膜厚測定法等にて透光性誘電体層12の膜厚測定を実施する際、可視光波長領域において圧電体9の反射率よりも高い反射率を有する反射膜14からの反射光を用いることができる。これにより、より正確な透光性誘電体層12の膜厚測定を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】小型で経年変化による周波数変動の少ない弾性波デバイス及びこの弾性波デバイスを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】圧電材料からなる弾性波導波路10に設けられたエネルギー閉じ込めモード部2は、第1の伝播モード部4から伝播してきたSAWなどの弾性波である第1の弾性波に含まれる特定の周波数成分によってエネルギー閉じ込めモードの弾性波である第2の弾性波を励振し、このエネルギー閉じ込めモード部2の周囲の領域に設けられた遮断部3は、第2の弾性波の周波数よりも高い周波数の遮断周波数を持つ。第2の伝播モード部は当該遮断部を介してリークした前記第2の弾性波を伝播モードの弾性波である第3の弾性波にモード変換して伝播させる。 (もっと読む)


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