【課題】弾性波デバイスに利用される複合基板であって、耐熱性の優れたものを提供する。
【解決手段】複合基板１０は、弾性波を伝搬可能な圧電基板１２と、該圧電基板１２よりも熱膨張係数の小さな支持基板１４とが接合されたものである。この複合基板１０の面内における最も大きな熱歪み量である面内最大熱歪み量は、圧電基板１２と支持基板１４とを相対的に０〜３６０°回転させたときに最小値と最大値をとるが、圧電基板１２と支持基板１４とは、面内最大熱歪み量が最小値又はその近傍になるように接合されている。 （もっと読む）

【課題】帯域内でのリップル成分、帯域外でのスプリアス成分を減少させて機能を向上させるとともに、化学的影響による機能の劣化を防止することができるＳＡＷデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】機能領域Ａ１の圧電材料層３０を除く基板１の一部に、所定の表面粗さの凹凸を有する弾性表面波吸収部Ａ２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少ない工程で簡単に弾性波デバイスの周波数特性を調整する。
【解決手段】圧電基板２上に、くし型電極３を形成する電極形成工程と、くし型電極３を覆おうようにバリア膜４を形成する工程と、バリア膜４の上に媒質５を形成する工程と、くし型電極３により励起される弾性波の周波数特性を測定する測定工程と、バリア層４をパターニングするかまたは、調整膜をさらに設けることで、励起領域において厚みが他の部分とは異なる調整領域を形成する調整工程とを含み、調整工程では、調整領域の面積Ｔが、測定された周波数特性に応じて調整される。 （もっと読む）

【課題】従来の弾性表面波デバイスでは、薄板化するとチップ裏面にチッピングが発生しやすかった。
【解決手段】圧電基板１１の第１面に弾性表面波デバイスパターン１２を複数個形成する工程と、レーザ光１８を圧電基板１１の内部に集光させて照射することにより圧電基板１１の内部に改質領域１３を形成する工程と、圧電基板１１の第１面とは反対側の第２面側を研削することにより圧電基板１１を薄板化する工程と、改質領域１３で各チップに分離する工程と、を備えたものであり、薄板化してもチッピングを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】圧電基板を薄くした後に圧電基板に支持層を形成すると生じる反りを防止することができる弾性表面波素子の製造方法及び弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】（ａ）圧電基板１０の一方主面１０ａに、ＩＤＴ電極２０を含む導電パターンを形成するパターン形成工程と、（ｂ）圧電基板１０の一方主面１０ａのうちＩＤＴ電極２０による弾性表面波が伝搬する振動伝搬領域以外の領域に、補助層２２を形成する補助層形成工程と、（ｃ）圧電基板１０の他方主面１０ｂについて除去加工を行い、圧電基板１０を薄くする基板薄化工程と、（ｄ）圧電基板１０の他方主面１０ｂに支持層１２を形成する支持層形成工程とを備える。補助層２２は、支持層１２が無ければ圧電基板１０と補助層２２との接合によって生じる第１の反りが、補助層２２が無ければ圧電基板１０と支持層１２との接合によって生じる第２の反りを打ち消すように形成する。 （もっと読む）

【課題】 表面弾性波型振動センサの感度を、共振周波数以外の周波数領域で向上させ、かつ無線通信可能な距離を伸ばすこと。
【解決手段】 ＳＡＷ電極３を備え、片持ち梁構造となる圧電材料躯体１の形状を、検知すべき所望の周波数に応じつつ、くさび型形状とすることにより、躯体の支持部２から先端部に行くに従って躯体の厚みが変化するために、片持ち梁構造の支点と重心の距離が、直方体形状の圧電材料を用いた場合に比較して変わることによる重り効果で、外部振動が加わった際のＳＡＷ電極３の振動の強度が増大し、センサの感度を向上させ、かつ無線通信可能な距離を伸ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】特性の安定性に優れ、超小型軽量の集積回路装置を大判のウエハープロセスにて形成することができる集積回路装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】カバー１４とスペーサー１３によって電子部品素子上に空間を形成することで、弾性表面波電子部品素子等の電気的特性が外部との物理的な接触による変化から保護することができ、特性を安定化させることができると共に導電性バンプ１２による単純な接続構造が高周波特性のシミュレーション精度を向上させ、その結果集積回路装置の設計を簡便化することができる。また電子部品素子、引き出し配線に電磁遮蔽を行うことができ、特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】各種特性（特に、ストレスマイグレーションに起因する周波数変動の抑制効果）に優れる弾性表面波素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子１の製造方法は、圧電体基板２Ａの一方の面上に、複数の電極指３１ａ、３１ｂを備えるＩＤＴ（櫛歯電極）３を形成する工程と、ＩＤＴ３の圧電体基板２Ａとは反対側の面上にマスク６（保護膜）を形成した状態で、圧電体基板２Ａをドライエッチングすることにより、圧電体基板２Ａの一方の面の電極指３１ａ、３１ｂ同士の間に対応する部分に、溝２５を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】機能性材料基板の薄膜をエッチングすることなくパターニングできる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、マスク工程（Ｓ１１）とイオン注入工程（Ｓ１２）とマスク除去工程（Ｓ１３）と接合工程（Ｓ１４）と剥離工程（Ｓ１５）とを含む。マスク工程（Ｓ１１）は、開口２Ａが形成されたレジストマスク２で機能性材料基板１の主面を覆う。イオン注入工程（Ｓ１２）は、レジストマスク２の開口２Ａから露出するパターン領域１Ａにイオンを注入する。マスク除去工程（Ｓ１３）は、機能性材料基板１の主面からレジストマスク２を除く。接合工程（Ｓ１４）は、支持基板３に機能性材料基板１を接合する。剥離工程（Ｓ１５）は、パターン領域１Ａを剥離層１Ｃで剥離し、素子薄膜４として複合基板５に残す。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板と、リフトオフ加工を用いて精度よく所望の金属パターンを形成できるようにする形成方法を提供する。
【解決手段】複合基板１０は、フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板１１と圧電基板１１を支持する支持基板１２とを有機接着層１３により貼り合わせたものである。この複合基板１０のうち支持基板１２及び有機接着層１３の少なくとも一方は、フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能である。これにより、この複合基板１０では、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により所望の金属パターンが圧電基板の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、その圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際の圧電基板の縁の部分の欠けの発生を抑制する。
【解決手段】支持基板と圧電基板とを用意する。次に、支持基板の表面と圧電基板の裏面とを有機接着層を介して貼り合わせて貼り合わせ基板を形成する。続いて、貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、圧電基板の外周面と有機接着層の外周面と支持基板のうち有機接着層側の外周面とが同一面上になるように研削する。続いて、圧電基板の表面を研磨することにより、この圧電基板の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを貼り合わせた弾性表面波素子につき、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化を抑制しつつ、スプリアスの発生を抑制する。
【解決手段】弾性表面波素子は、弾性波を伝搬可能なＬＴ基板１０と、ＬＴ基板の表面に設けられ弾性表面波を励振可能な櫛形電極１６，１７と、ＬＴ基板と貼り合わせられ圧電基板の裏面よりも粗く且つこのＬＴ基板から伝搬してきたバルク波を散乱させる粗さの裏面を有し熱膨張係数がＬＴ基板よりも小さいシリコン基板１２と、ＬＴ基板１０とシリコン基板１２とを接着する有機接着層１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化、低コスト化および高精度化が可能なキャパシタを用い、分波器のアイソレーション特性を向上させること。
【解決手段】共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ１０と、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ２０と、共通端子、送信端子および受信端子のうち２つの端子間に、送信フィルタまたは受信フィルタと並列に接続された容量４０と、絶縁層５１と、各々が絶縁層の一面に形成された共通端子、送信端子および受信端子であるフットパッド５６と、絶縁層の一面とは反対の面に形成された配線６０と、を備えるパッケージと、を具備し、容量は、フットパッドのうち少なくとも一つのフットパッドと、少なくとも一つのフットパッドの相対する２つの辺とそれぞれ重なる２つの配線と、により各々形成され、各々が並列に接続された２つの容量形成部６４を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを貼り合わせただけのものに比して温度の変化に対する大きさの変化が少なく弾性波素子に用いられる複合基板を比較的簡単に製造する。
【解決手段】シリコン基板１２と、ＳＡＷを伝搬可能なＬＴ基板１０と、ＬＴ基板１０と同じ形状の樹脂フィルム１８とを用意する。次に、ＬＴ基板１０に有機接着剤１３を塗布しシリコン基板１２と貼り合わせると共に樹脂フィルム１８をシリコン基板１２に重ね合わせた後加熱して貼り合わせ基板１６を形成する。続いて、ＬＴ基板１０の表面を研磨定盤により研磨することによりこのＬＴ基板１０の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】裏面に金属膜を有していてもよい圧電基板と支持基板とを有機接着層により貼り合わせた複合基板につき、支持基板にキャビティを設けたあと、圧電基板へ与えるダメージを抑制しつつ、キャビティ内の有機接着層を確実に除去することができるようにする。
【解決手段】複合基板１０は、支持基板１２と、ラム波を伝播可能な圧電体１１ａを有する圧電基板１１と、圧電基板１１の裏面に接するように設けられた犠牲層１４と、犠牲層１４の裏面と支持基板１２とを接着する有機接着層１３とを備え、犠牲層１４は、酸性液に溶解する速度が有機接着層１３よりも速い材質により形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを貼り合わせた複合基板につき、その圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際の圧電基板の縁の部分の欠けの発生を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１２の外径から面取り部を減じた長さに貼り合わせ時の位置ずれに対応するマージンを見込んだ外径のＬＴ基板とを用意する（図５（ａ））。次に、ＬＴ基板１０の裏面に有機接着剤１３を塗布し、シリコン基板１２と貼り合わせて貼り合わせ基板１６を形成する（図５（ｂ））。続いて、ＬＴ基板１０の表面と研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給して、ＬＴ基板１０の表面を研磨定盤により研磨することによりこのＬＴ基板１０の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する（図５（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】整合回路をパッケージ内に備え、低背で気密性の高い弾性波フィルタ装置を構成する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置１０１は、弾性波素子６０、ベース基板５０、バンプ７２，７３、気密封止枠７１、外装樹脂８０を備えている。弾性波フィルタ装置１０１は、複数の弾性表面波フィルタで構成され、圧電基板の一方の主面上にインター・ディジタル・トランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）と、このＩＤＴ電極に接続される配線電極が設けられている。また、圧電基板の外周には、全周にわたってｌＤＴ電極や配線電極を取り囲むように気密封止枠７１が設けられている。ベース基板５０は、上部がセラミック基板４０、下部が樹脂基板３０で構成されている。ベース基板５０の下部をなす樹脂基板３０の内部には、整合回路を構成する導体パターン３３、底面には．実装端子３４，３５がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電体の単結晶基材が再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の均質な厚みの単結晶薄膜を得られ、効率的にマイクロキャビティを形成できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe⁺イオンを注入する。これにより、単結晶基材１の表面から内部に離れた剥離層３に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程（Ｓ２）では、イオン注入工程（Ｓ１）で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材１を剥離層３で分断して単結晶薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

【課題】加熱剥離における問題を解決できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。この加熱剥離を行う際、減圧雰囲気下で、且つ当該減圧雰囲気の気圧に応じた加熱温度を用いる（Ｓ１０４）。このような減圧雰囲気を用いることで、大気圧での加熱よりも低い温度で圧電薄膜１０が剥離形成される。 （もっと読む）