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Fターム[5J097HA03]の内容

弾性表面波素子とその回路網 (15,777) | 製作方法 (1,374) | 基板又は薄膜 (255)

Fターム[5J097HA03]に分類される特許

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【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角(−1.5°≦φ≦1.5°,117°≦θ≦142°,42.79°≦|ψ|≦49.57°)の水晶基板30を用い、SAWを励振するIDT12およびこれを挟む一対の反射器20と、電極指18間の水晶基板30を窪ませた溝32を有するSAW共振子10であって、SAWの波長をλ、溝32の深さをGとした場合に、0.01λ≦Gを満たし、IDT12のライン占有率をηとした場合に、溝32の深さGとライン占有率ηとが−2×G/λ+0.72≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.01λ≦G≦0.05λ)、および、−3.5898×G/λ+0.7995≦η≦−2.5×G/λ+0.7775(ただし0.05λ<G≦0.0695λ)の関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】端子の基板からの剥離を抑制することができる弾性波装置を提供する。
【解決手段】SAW装置1は、基板3と、基板3の第1主面3aに設けられたSAW素子11と、SAW素子11上に振動空間10を形成しつつSAW素子11を覆うカバー5と、SAW素子11に電気的に接続されており、第1主面3aの面する方向にカバー5を貫通する端子7とを有する。端子7は、第1主面3aから基板3内に突出する突部7cを有している。 (もっと読む)


【課題】圧電基板と支持基板とを樹脂製の接着層で接合した複合基板において、弾性表面波デバイスとして利用したときに弾性表面波に対するノイズを低減する。
【解決手段】圧電基板11の裏面と支持基板12とを接合する樹脂製の接着剤組成物からなる接着層13に、接着剤組成物よりも弾性率の高い物質からなる粒子を含有させている。これにより、この複合基板10を弾性表面波デバイスとして利用したときに弾性表面波に対するノイズを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】圧電基板の上に形成されたIDT電極と、IDT電極を覆うように形成されている誘電体層とを備え、IDT電極に接続されている配線及びパッドのうちの少なくとも一方がIDT電極の電極指よりも厚く形成されている弾性表面波装置であって、誘電体層の表面が平坦な弾性表面波装置を製造し得る方法を提供する。
【解決手段】圧電基板10の上に第1の導電膜18を形成する。第1の導電膜18を覆うように圧電基板10の上に誘電体層20をバイアススパッタリング法により形成する。誘電体層20の上に犠牲層22を形成する。犠牲層22と、誘電体層20の一部とを除去する、エッチバック工程を行う。第1の導電膜18の一部分の上に形成されている誘電体層20を除去する除去工程を行う。第1の導電膜18のうちの、除去工程において上部に位置していた誘電体層20が除去された部分の上に、第2の導電膜19を形成する。 (もっと読む)



【課題】送信側フィルタチップと受信側フィルタチップとを有する弾性波分波器において、アイソレーション特性の改善を図る。
【解決手段】弾性波分波器1は、送信側フィルタチップ30及び受信側フィルタチップ20を備えている。受信側フィルタチップ20は、受信側圧電基板21と、受信側圧電基板21上に形成されている受信側弾性波フィルタ部23とを有する。送信側フィルタチップ30は、送信側圧電基板31と、送信側圧電基板31上に形成されている送信側弾性波フィルタ部33とを有する。受信側圧電基板21の厚みTRxが、送信側圧電基板31の厚みTTxよりも小さい。 (もっと読む)


【課題】結晶球の周回経路の結晶方位に対応した膜厚の膜を正確に真空成膜する。
【解決手段】真空容器21内で蒸着材料22を加熱気化させる蒸着材料放射ステップ(22,31)と、弾性表面波4を周回させる圧電性結晶球2の周回経路5が前記気化された蒸着材料22の放射ビームの照射方向と対面するように、圧電性結晶球2を回転可能に支持する支持ステップ(32,35)と、周回経路の結晶方位に従って前記回転支持ステップによる圧電性結晶球2の回転速度を変更し、周回経路上に結晶方位に依存した膜厚分布で真空成膜する成膜制御ステップ(1,5,32,34,35)とを有する球状弾性表面波素子の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】改善された挿入損失と品質の値を有するSAWデバイスの製造方法及びその製造方法により製造されたSAWデバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板12の表面に金属電極16を有するSAWデバイス10は、表面に堆積した誘電体層18を含む。誘電体層18を堆積すると、基体の表面上に拡張する金属電極16から上方に拡張する縫い目20、22が得られる。誘電体層18内の隣接する金属電極16aから拡張する第二の縫い目20と結合する金属電極16bから拡張する第一の縫い目22からは別の縫い目が得られ、この縫い目は一般に金属電極16の高さより高く形成される。誘電体層18は、所望の金属電極16上に誘電体層18の厚さを提供するために、更に平坦化してよい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、櫛型電極の本数が多く容量を大きくした場合においても、スプリアスが抑制された広帯域の弾性表面波共振器を提供する。
【解決手段】本発明の弾性表面波共振器は、圧電基板10と、圧電基板10上に設けられた櫛型電極11を有する第1の弾性表面波共振器20と、圧電基板10上に設けられた櫛型電極12を有する第2の弾性表面波共振器30とを備え、第1の弾性表面波共振器20および第2の弾性表面波共振器30は、アポダイズが施された構成であって、かつ、並列に接続されており、また、第1の弾性表面波共振器におけるアポダイズの重み付けと第2の弾性表面波共振器におけるアポダイズの重み付けとは異なる。 (もっと読む)


【課題】大きな電気機械結合係数、安定な温度特性、大きな表面弾性波伝播速度を有する圧電体積層体と、当該圧電体積層体を含む表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータを提供する。
【解決手段】圧電体積層体100は、基体1と、前記基体1の上方に形成された、ニオブ酸カリウムナトリウムからなる第1圧電体層3と、を含み、第1圧電体層は、組成式(KaNa1-axNbO3で表され、該組成式において、0.1<a<1であり、1≦x≦1.2である。 (もっと読む)


【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス1は、C面を主面とするサファイア基板10と、サファイア基板10の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極21,22と、櫛歯電極21,22及び主面11を覆う窒化アルミニウム膜30と、窒化アルミニウム膜30の表面に形成される二酸化シリコン膜40と、を有し、櫛歯電極21,22にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚KH‐AlNと、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚KH‐SiO2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数K2、高い音速を有する弾性表面波デバイス1が実現できる。 (もっと読む)


【課題】耐モールド圧力性に優れ、かつ低背化された圧電部品を提供する。
【解決手段】圧電基板2と、その主面2aに形成された素子3と素子配線部と端子電極6とを有し、配線部上面に形成された絶縁膜と、その上面に形成された電極の配線部に接続された再配線層と、再配線層上面の素子3を除く全面を被う無機材料からなる緩衝層と、緩衝層上面に形成された感光性樹脂フィルムからなる外囲壁層4と、その上面に形成されたマイカフィラーを添加した感光性樹脂フィルムからなる第1天井層5aと、その上面に搭載された絶縁性材料からなる網状部材8と、網状部材8の上面を被って形成された第2天井層5bと、第1及び第2天井層5a,5b、外囲壁層4、網状部材8を貫通して形成された貫通電極7からなり、外囲壁層4と第1天井層5aと基板2の主面2aの間に素子3を収容する中空部Cを形成する。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波デバイスや境界波デバイスに用いられる弾性波デバイスにおいて、ブレークダウンモードの発生を抑制出来る弾性波デバイスの提供。
【解決手段】弾性波デバイス1は、圧電体2と、圧電体2の上に設けられ、銅を含むIDT電極3とを備え、圧電体2の材料はストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウム系またはニオブ酸リチウム系である。これにより、コングルエント組成の圧電体と比較して上記空隙が減少する。その結果、圧電体の結晶欠陥が減少する。従って、弾性波デバイスを製造するプロセス中の熱工程や高い電力の入力によって、IDT電極を構成する銅が溶融し圧電体の結晶の中へ拡散するのを抑制し、ブレークダウンモードによる弾性波デバイスの破壊を防止する。 (もっと読む)


【課題】不要波が抑圧されており、高性能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置1は、圧電体からなる第1の媒質11と、第1の媒質11の上に形成されており、窒化ケイ素からなる第2の媒質12と、第1の媒質11と第2の媒質12との間に形成されており、酸化ケイ素からなる第3の媒質13と、第2の媒質12の上に形成されている吸音層と、第1の媒質11と第3の媒質13との間に形成されているIDT電極16とを備えている。第2の媒質12の波長規格化厚みh2/λは0.60×(h3/λ)−1.24×(h3/λ)+0.94よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】圧電基板を研磨するときのクラックの発生を抑制すると共にハンドリング時のクラックの発生も抑制することのできる複合基板を提供する。
【解決手段】複合基板10は、弾性波を伝搬可能な圧電基板12と、この圧電基板12よりも熱膨張係数の小さな支持基板14とが有機接着層16を介して接着されたものである。圧電基板12の表面には外周縁よりも内側に全周にわたって溝18が形成されている。この溝18は、縦断面の形状が略V字であり、溝18の底部が支持基板14に達しているものの、溝18の縦断面の形状は開口部から底部に向かって徐々に細くなっているため、支持基板14はわずかに削られているに過ぎない。 (もっと読む)


【課題】高い良品率で容易に製造し得る弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置1は、圧電体からなる第1の媒質11と、第1の媒質11の上に形成されている第2の媒質12と、第1の媒質11と第2の媒質12との間に形成されている第3の媒質13と、第1の媒質11と第3の媒質13との間に設けられているIDT電極16と、第3の媒質13と第2の媒質12との間に設けられている光触媒層17とを備えている。第3の媒質13は、第1及び第2の媒質11,12よりも遅い音速を有する。光触媒層17は、光触媒を含む。光触媒は、第2の媒質12を構成している誘電体と第3の媒質13を構成している誘電体とのうちの少なくとも一方を改質させる。 (もっと読む)


【課題】櫛型電極を構成する金属が絶縁膜中に拡散することを抑制し、信頼性の高い弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板10と、圧電基板10上に設けられた櫛型電極12と、圧電基板10上であって、櫛型電極12の電極指間に設けられた第1絶縁膜16と、第1絶縁膜16の側面を覆うように、櫛型電極12と第1絶縁膜16との間に設けられた第1拡散防止膜18と、櫛型電極12の上面および側面と第1絶縁膜16の上面とに設けられた絶縁性の第2拡散防止膜20と、第2拡散防止膜20上に設けられた第2絶縁層22と、を具備する弾性波デバイスである。 (もっと読む)


【課題】熱処理や耐湿試験後も複合圧電チップの圧電体部にワレ・カケや剥離が生じず、弾性表面波素子としての電気的特性が安定に保たれる信頼性に優れた複合圧電チップ及びその製造方法の提供。
【解決手段】圧電基板1と支持基板2とを貼り合わせた複合圧電基板3を細分化した複合圧電チップ4であって、該複合圧電チップ4は、前記複合圧電基板3を該複合圧電基板3の圧電体部の厚みよりも深く切り込みを入れた後に細分化したものであり、該複合圧電チップ4の圧電体部側面の面粗さ(Ra)が、0.15μm以下のものである。 (もっと読む)


【課題】薄型化が可能な弾性波デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、弾性波デバイスチップをパッケージ基板2の上面にフリップチップ実装する工程と、弾性波デバイスチップの側面を封止部8により封止する工程と、弾性波デバイスチップの上面及び封止部8の上面を削る工程と、を有する弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、弾性波デバイスチップ及び封止部を削ることで低背化し、弾性波デバイスを薄型化することができる。 (もっと読む)


【課題】スマートカット法で圧電複合基板を製造する際に、圧電基板の周囲の数箇所を固定治具で固定してイオン注入層を形成しても、圧電基板から圧電薄膜を問題なく分離できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電単結晶基板の周囲を固定治具で固定後に、水素イオンを注入して圧電単結晶基板内にイオン注入層を形成後に、圧電単結晶基板表面を固定治具で固定していた部分以外に絶縁膜を形成する。そして、この絶縁膜に支持体を接合し、イオン注入層が形成された圧電基板を加熱する。このとき、圧電基板は、加熱によりイオン注入層に沿ってマイクロキャビティが発生し、またイオン注入層の端部では、イオン注入領域と非注入領域との境界部と、絶縁膜と絶縁膜の非形成領域である凹部の境界部との間にクラックが発生して分離面が生成される。これにより、圧電基板や支持体が割れることなく圧電薄膜を分離できる。 (もっと読む)


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