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Fターム[5J098AA03]の内容

能動素子を用いた回路網 (5,588) | 回路素子 (1,159) | 半導体素子 (443) | FET (224)

Fターム[5J098AA03]に分類される特許

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【課題】 本発明の課題は、電流源の設定電流が小さい場合でも高精度な遅延時間を得ることができる遅延回路及び発振回路を提供することである。
【解決手段】 電流値が設定可能な電流源(I1)と、電流源によって充電されるコンデンサ(C1)と、コンデンサに蓄積されたの電荷を放電するスイッチング素子(M1〜M10)と、コンデンサの充電電圧と基準電圧とを比較するコンパレータ(CMP1)とを備え、スイッチング素子がオフしてコンデンサの充電を開始し、コンデンサの電圧が基準電圧に達するまでの時間を遅延時間として出力する遅延回路において、電流源の設定電流値が小さい場合は、スイッチング素子のリーク電流を少なくしている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、消費電力を抑えつつ位相補償を実現したgm−C型のフィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】フィルタ回路は、入力電圧を電流に変換して出力する電圧電流変換器と電圧電流変換器の出力に結合された容量とを各段が含み、容量に充電された電圧を各段の出力として次段に供給する複数段の積分器と、複数段の積分器の少なくとも一段の出力を最終出力端にフィードフォワード結合する容量を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


装置(40)はフィルタリングされていない電圧(V_unfil)を印加するための電圧入力部(49)と、電流源からバイアス電流(Ib)を受け取るための電流入力部(48)とを備える。装置(40)は、共通出力ノード(50)と前記電圧入力部(49)との間に配置されて、第1の電流ミラー(44)と第2電流ミラー(43)とを有する差動フィルタリング抵抗回路をさらに備える。バイアス電流(Ib)を前記第1の電流ミラー(44)にミラーリングするための第1のミラー回路(42)と、電流(Ix)を前記第2の電流ミラー(43)にミラーリングするための第2のミラー回路(41)とが使用される。フィルタ・コンデンサ(51)は、装置(40)の出力側に配置され、前記フィルタ・コンデンサ(51)は一方の側が前記出力ノード(50)に接続され、他方の側がグランドに接続される。装置(40)は前記共通出力ノード(50)でフィルタリングされた出力電圧(V_fil)を供給する。
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【課題】 より簡単な構成で、スイッチング時のノイズ発生を低減することができるアクティブ回路を提供する。
【解決手段】 交流−直流化電源の出力電圧が入力され、該出力電圧のノイズ成分を低減した電圧を出力するアクティブフィルタ回路であって、第1インダクタと、スイッチング用トランジスタとを含むスイッチング回路と、第1インダクタに流れる電流量の変化に応じて、電圧が誘起する位置に設けられている第2インダクタを有し、第2インダクタに誘起する電圧が0V以下になった場合に、トランジスタをオンに切り換えるゲート駆動信号を出力する制御回路と、を備え、トランジスタがオンに切り換えられてから、第1インダクタに流れる電流量が0Aより高くなる前に、トランジスタのドレイン・ソース間電圧Vdsが0Vとなるように、交流−直流化電源の出力電圧に対して、スイッチング回路の出力する電圧が設定されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】SCFを用いて構成されるLPFにおいて、SCFの後段にノイズ除去用のLPFを設けることなく、SCFで発生するノイズを軽減する。
【解決手段】LPF10は、対象信号finから高域成分を除去して出力信号S11を出力するSCF11と、対象信号finから高域成分を除去して出力信号S12を出力するSCF12と、出力信号S11,S12を互いに減算し、得られた信号を出力する減算部13とを備える。出力信号S11,S12は、それぞれ、対象信号finから高域成分が除去された通過信号に、各SCFで発生したノイズSn11,Sn12が重畳されてなる。SCF11,12は、各通過信号が互いに逆相となり、各ノイズSn11,Sn12が互いに同相となるように構成され、減算部13の減算によりノイズSn11,Sn12が互いに打ち消し合う。 (もっと読む)


【課題】高い周波数でも容量性を維持できる帯域幅を改良したキャパシタンス乗算器を得る。
【解決手段】フィルター回路やループ周波数補償回路などのように、より大きなキャパシタンス値が必要な場合に、必要なダイエリアを縮小できるモノリシックキャパシタンス乗算回路である。電流ミラー/カスケード装置構成によって、乗算コンデンサーの実効直列抵抗を低減する。この結果、乗算回路トポロジーが、従来のキャパシタンス乗算回路よりも帯域幅を改良する。 (もっと読む)


【課題】差動制御電圧に動作不能電圧域がなく、これを電圧制御遅延回路や電圧制御発振回路等に使用する場合には、これらの安定動作を確保することができるようにした可変遅延回路を提供する。
【解決手段】ドレインをトランジスタT3のドレインに接続し、ソースをトランジスタT3のソースに接続し、ゲートを反転制御電圧入力端子5に接続したトランジスタT12を設ける。好適には、更に、正帰還用の差動回路11のトランジスタT4〜T6の相互コンダクタンスを初段の差動回路16のトランジスタT1〜T3より小さくする。 (もっと読む)


【課題】 減衰量の変化範囲においても歪みの発生が少ない可変減衰回路を提供する。
【解決手段】 入力端子11と出力端子12との間に縦続接続して介挿された二つのスイッチ素子13、14と、スイッチ素子13、14の出力端子12側の一端をグランドにシャントする充電コンデンサ15、16とを備え、スイッチ素子13、14にそれぞれ放電抵抗17、18を並列接続し、スイッチ素子13、14を減衰量に対応した繰り返し周波数でオン/オフすることで信号を断続し、オン時に信号の電圧を充電コンデンサ15、16に充電し、オフ時に放電抵抗17、18で放電した。 (もっと読む)


トランスコンダクタンスセルが開示されている。トランスコンダクタンスセルは片端接地の(single-ended)ものであってもよいし、あるいは差動のものであってもよい。トランスコンダクタンスセルは同調可能な劣化回路を備えることができる。同調可能な劣化回路は直列接続された複数の電界効果トランジスタを有することができ、該電界効果トランジスタのそれぞれは同調電圧を受けるよう構成されたゲートを有する、 (もっと読む)


【課題】
大信号が入力された場合でも、スプリアス特性が悪化せず、入力インピーダンスが変動しない入力回路を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる入力回路は、入力端子4と、出力端子5と、入力端子4とGND端子1との間に接続され、入力インピーダンスを調整する抵抗素子R1と、出力端子5と電源端子2との間に接続され、所定の電流を生成するMOSトランジスタMP2と、MOSトランジスタMP2と出力端子5との間の電位を所定の電位に制御するMOSトランジスタMP3及びOPアンプAMP1と、を備えるものである。 (もっと読む)


本発明は、インピーダンス整合回路によって利用できる負荷のインピーダンスの検出回路及び方法に関する。インピーダンス整合回路は、インピーダンスをそれに応じて調節するのに複雑なアルゴリズムを必要とする。この複雑さは、1つには、反射係数の位相が0°〜360°の全範囲にわたって知られていないということに起因していることが判明した。直角位相検出器が、位相全体に関する情報を提供するよう用いられる。
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【課題】温度ドリフトが存在せず、外部からの抵抗値の調整が不要である抵抗素子を得ること。
【解決手段】この発明は、基準抵抗2からの電流とMOSトランジスタ3からの電流とを積分する積分器9からなるマスター回路11と、MOSトランジスタ5からなるスレーブ回路12とを備えている。MOSトランジスタ3およびMOSトランジスタ5の各ゲートに積分器9の出力をそれぞれ印加させ、MOSトランジスタ3とMOSトランジスタ5が同様または同じ比率の抵抗素子として動作させるようになっている。 (もっと読む)


【課題】
終端抵抗の抵抗値の調整誤差分が、出力電圧に影響を与えることのない終端抵抗調整回路を提供する。
【解決手段】
送信回路の出力端に接続され、供給される制御信号に応答して、前記出力端の終端抵抗値を特定する終端抵抗生成部と、前記制御信号に応答して、前記送信回路に供給される基準電流を生成する基準電流補正部とを有する終端抵抗調整回路を構成する。その終端抵抗調整回路は、さらに、外部素子の抵抗値に対応する第1基準電流を生成する第1基準電流生成部と、内部抵抗の抵抗値に対応する第2基準電流を生成する第2基準電流生成部と、前記第1基準電流と前記第2基準電流とに基づいて前記制御信号を生成する終端抵抗制御部とを具備する。 (もっと読む)


【課題】従来のアクティブバラン回路では周波数が高くなるほど出力位相誤差が増加し、広帯域の回路の実現が困難であった。本発明においては、この位相誤差特性の劣化を防ぎ、広帯域で位相差180度を確保可能なアクティブバラン回路の実現を目標とした。
【解決手段】互いに180度の位相差出力を有するアクティブバラン回路の出力の一方に、容量素子を接続することにより位相誤差の補償を行う構成とした。これにより広帯域アクティブバラン回路を実現した。 (もっと読む)


本発明は、トランスコンダクタ回路に関し、特に、単一端子トランスコンダクタ回路(50)、平衡トランスコンダクタ回路及び無線通信機内での使用に適したフィルターに限られない。単一端子トランスコンダクタ(50)は、入力(54)及び出力(55)を備えたインバーター(51)を有する。抵抗性要素(58)は、入力(54)及び出力(55)の間に接続される。
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【課題】 MIMコンデンサやPIPコンデンサを用いて構成する場合より小さい面積で、しかも出力電圧が変動した場合でもフィルタ特性などが変化することのないフィルタ回路を提供する。
【解決手段】 MOSトランジスタ2のソースSとドレインDをバックゲートBGに接続し、このバックゲートBGとゲートGとの間を利用したフィルタ回路であって、MOSトランジスタ2のゲートGとバックゲートBGとの間に与えらえる電圧の絶対値が、しきい値より大きくなるように、MOSトランジスタ2のゲートGに与えられる電圧レベルに応じて、MOSトランジスタ2のバックゲートBGに印加する電圧レベルを切り替える切替回路10を備えるようにした。 (もっと読む)


【課題】 終端抵抗としてトランジスタを使用する終端回路の整合特性を向上させる。
【解決手段】 Pチャネル型MOSトランジスタ11aとNチャネル型MOSトランジスタ11bとの並列接続を伝送線路102と電源線103との間に備え、Pチャネル型MOSトランジスタ11cとNチャネル型MOSトランジスタ11dとの並列接続を伝送線路102とグランド線104との間に備える。そして、これら全てをオンとしたときのオン抵抗によってテブナン終端を形成する。 (もっと読む)


【課題】 直流レベルで60dB程度の積分器ゲインを確保できる集積回路化されたトランスコンダクタンスアンプを提供する。
【解決手段】 Pチャネル型のMOSFETM7,M8のドレインにはそれぞれ同じPチャネル型のMOSFETM7A,M8Aが接続され、これらのMOSFETM7A,M8Aのゲートが共通に接続されるとともに、このMOSFETM7AのドレインがNチャネル型のMOSFETM5Aを介してMOSFETM5のドレインと接続されている。MOSFETM8Aのドレインは、出力端子12に接続されるとともに、Nチャネル型のMOSFETM6Aを介してMOSFETM6のドレインと接続されている。また、キャパシタC2,C3はMOSFETM3,M4のゲート−ソース間容量を増加させ、発振を防止するために接続されている。 (もっと読む)


【課題】回路の消費電力を減らし、かつ回路規模の小さいアクティブフィルタの周波数調整回路を提供する。
【解決手段】積分回路13は、周波数調整回路11の制御対象のgmCフィルタの相互コンダクタンス増幅器21とバイアス回路22及び可変容量回路23と同一の回路で構成されている。デジタル制御回路16は、積分回路13の入力信号と出力信号から得られる直流電圧を比較して、電圧差に応じたデジタルデータを可変容量回路23に出力して容量値Cを変化させる。これにより、積分回路13のカットオフ周波数が基準周波数と一致、もしくは比例するように調整される。 (もっと読む)


【課題】 負性容量回路内のループ利得を減少させ、不要な発振条件を満足させないようにした負性容量回路を得ること。
【解決手段】 ソース接地した2つのFETの第1のFET1aのゲート端子と第2のFET1bのドレイン端子の間に減衰器4aが直列に挿入接続され、第1のFET1aのドレイン端子と第2のFET1bのゲート端子の間に減衰器4bが直列に挿入接続され、第1のFET1aのドレイン端子には一端が接地されたインダクタが接続され、第2のFET1bのドレイン端子には一端が接地された負荷が接続されている。 (もっと読む)


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