【課題】透過周波数域における利得が一定かつ遮断周波数域への遷移における利得変化が急峻であって、かつ、帯域外抑圧比の大きい低周波透過回路を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様は、インダクタ素子を有する低周波透過フィルタ１０１と、低周波透過フィルタ１０１に縦続接続され、低周波透過フィルタ１０１が透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器１００と、を備える低周波透過回路である。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド無線受信機のバンドパスフィルタを集積回路で構成する場合に、回路規模が大きくなり、チップ面積が大きくなったり、製造コストが高くなる。
【解決手段】混合回路５８は無線受信信号Ｓ_ＲＦをダウンコンバートして中間信号Ｓ_ＩＦを生成する。ＩＦＢＰＦ６０は、抵抗Ｒ及びキャパシタＣを用いたＲＣアクティブフィルタで構成され、Ｓ_ＩＦから目的受信信号を抽出する。抵抗Ｒは、クロック信号Ｓ_ＣＬによって駆動されるスイッチトキャパシタからなる等価抵抗により構成される。Ｓ_ＣＬを生成するフィルタ制御クロック生成回路７２は、Ｓ_ＣＬの周波数ｆ_ＣＬを、目的受信信号が属するバンドに応じて切り換えることができる。ＩＦＢＰＦ６０の通過帯域は、クロック周波数ｆ_ＣＬによる抵抗Ｒの等価抵抗値の切り換えにより、受信バンドに対応して変更できる。 （もっと読む）

【課題】温度信号の製造バラツキが小さく、高精度の温度信号を生成可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、ピンチオフ状態にせしめられる第１ＦＥＴ（ＦＥＴ１）と、第１ＦＥＴのソース端子Ｓ１に接続されてなる温度信号Ｖｔｅｍｐを出力する温度信号出力端子と、を具備する電子回路である。本発明によれば、ピンチオフ状態のＦＥＴのソース端子から出力される温度信号を用いることにより。製造ばらつきの小さい温度信号を得ることができる。
である。 （もっと読む）

【課題】時定数が比較的短い高速なフィルタ回路について、トリミングを容易に行うことができるトリミング方法を提供する。
【解決手段】フィルタ回路４の出力端子に、パルス信号の出力状態が変化したことを検出すると、アクティブとなる検出信号を出力し続けるように構成されるパルス検出回路１１を配置する。そして、フィルタ回路４の時定数を一定方向に漸次変化させながら、所定パルス幅のパルス信号を入力した場合、パルス検出回１１路が検出信号を出力した時点に、フィルタ回路４に設定した時定数でトリミングを完了する。 （もっと読む）

【課題】タップ係数として任意の値を設定することができるフィルタを得ることを目的とする。
【解決手段】キャパシタ１１，３１により充電された電荷とキャパシタ１３，３３により充電された電荷の総和を出力端子Ｐに出力し、キャパシタ１２，３２により充電された電荷とキャパシタ１４，３４により充電された電荷の総和を出力端子Ｎに出力する。これにより、キャパシタ１１〜１４，３１〜３４の容量値Ｃ_pp，Ｃ_pn，Ｃ_np，Ｃ_nnを適宜変更することで、タップ係数として任意の値を設定することができる。 （もっと読む）

【課題】製造上のばらつきによるリーク電流の変化に起因する抵抗値の変動が低減され、かつ温度特性の良好なＭＯＳトランジスタ抵抗器を提供する。
【解決手段】抵抗器として使用される第１ＭＯＳトランジスタＭ１と、第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、入力電圧Vinを印加する入力電圧源１と、第１ＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ゲート電圧Vgを印加するゲート電圧源６とを備えたＭＯＳトランジスタ抵抗器。ゲート電圧Vg及び入力電圧Vinは、第１ＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間電圧及びソース−ドレイン間電圧が、第１ＭＯＳトランジスタを非飽和領域で動作させる範囲で印加されるとともに、第１ＭＯＳトランジスタの抵抗値における温度特性の温度特性が一定になる条件を満たす関係に設定される。 （もっと読む）

【課題】入力信号の周波数に依存せずに入力信号に対して所定の位相差を有する出力信号を生成する。
【解決手段】ＶＤＤから定電流を供給する定電流回路２０１ａと、入力電流に対してｎ倍の出力電流を流すカレントミラー回路２０４ａ、２０５ａと、矩形波の入力信号１Ａａの論理レベルによって定電流回路に流れる電流をカレントミラー回路に流すか、出力端子1Ｂａに流すか切り替えるスイッチ回路２０２ａ、２０３ａとを備えた波形生成回路１０２ａにより、立ち上がり勾配１に対してｎ倍の立ち下がり勾配波形を有する三角波を生成する。これと反転信号１Ａｂを入力した波形生成回路１０２ｂにより生成した三角波の電圧をコンパレータ１０３で比較し出力信号を生成する。入力信号のデューティー比が５０％である場合には、１／（２＋２ｎ）周期遅延した出力信号が得られる。 （もっと読む）

【課題】 内蔵フィルタの周波数特性の不所望な変化を軽減すること。
【解決手段】 半導体集積回路は校正回路２００を具備して、内蔵容量７０：１５１は、複数の容量およびスイッチを有する。Ｖ・Ｉ変換器２０、３０は基準電圧を電流に変換して、電流に応答する時間積分器４０、５０は容量７０の充電または放電の時間積分を実行して、電圧比較器８０は基準電圧と内蔵容量７０の端子電圧とを比較する。校正動作の間に複数回の時間積分と複数回の電圧比較が順次に実行されて、順次に生成される複数回の電圧比較の結果はラッチ９０に順次に格納される。校正動作の完了時点のラッチの格納結果に従って、内蔵容量７０：１５１の複数のスイッチの各オン・オフ制御と内蔵フィルタ１５０の周波数特性とが決定される。Ｖ・Ｉ変換器は、スイッチ素子ＳＷ0を含む。内蔵容量７０：１５１の複数のスイッチとＶ・Ｉ変換器のスイッチ素子は、ＭＯＳトランジスタである。 （もっと読む）

【課題】低損失化を図ることができるとともに、小形化を図ることができる移相回路を得る。
【解決手段】第１の入出力端子１ａと、第２の入出力端子１ｂと、第１の入出力端子１ａと第２の入出力端子１ｂの間に接続された第１のスイッチング素子２ａと、第１の入出力端子１ａに一端が接続された第１のキャパシタ３ａと、第２の入出力端子１ｂに一端が接続された第２のキャパシタ３ｂと、第１及び第２のキャパシタ３ａ、３ｂの他端とグランド４の間に接続された第２のスイッチング素子２ｂとを設けた。 （もっと読む）

【課題】高精度に設定された受端抵抗を備えた半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】第１回路の第１端子は、所望の抵抗値を有する抵抗素子が接続され、電圧比較部は、第１端子の電圧と第１中間電圧との比較出力信号を形成し、制御論理部は、スイッチ部を制御して第２中間電圧を第２抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給し、第１抵抗回路の複数のＭＯＳＦＥＴのオン／オフ制御により合成抵抗値を一方から他方に向けて変化させ、電圧比較出力が反転した時点のオン／オフ制御検知して記憶する。スイッチ部を制御して電圧比較出力を第２抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給する。第２回路の第３抵抗回路は、第１抵抗回路と同様な複数のＭＯＳＦＥＴがオン／オフ制御され、第４抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートは、第２抵抗回路のＭＯＳＦＥＴのゲートと同じ電圧比較出力が供給される。 （もっと読む）

【課題】幅のより短いパルスに対して伸長が可能なパルス伸長回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】それぞれのソースが定電流源２１を介して電源端子５に接続され、それぞれのドレインが定電流源２１より電流駆動能力の大きな定電流源２２を介して接地端子６に接続され、ゲートが入力端子２７に接続されたｐ‐ＭＯＳトランジスタＰ１及びゲートが出力端子２８に接続されたｐ‐ＭＯＳトランジスタＰ２と、一端がｐ‐ＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２のソースと定電流源２１との間に接続され、他端が接地端子６に接続されたキャパシタＣ１と、ドレインがｐ‐ＭＯＳトランジスタＰ２のゲートに接続され、且つ定電流源２３を介して電源端子５に接続され、ソースが接地端子６に接続され、ゲートがｐ‐ＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２のドレインと定電流源２２との間に接続されたｎ‐ＭＯＳトランジスタＮ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲインを増大させるために負のインピーダンスを用いることができるパッシブイコライザを提供する。
【解決手段】
ゲインを増大させるために負のインピーダンスを利用するパッシブイコライザは、第１のＲＣループと、第２のＲＣループと、カスケードＲＬ回路および交差結合反転器ユニットとを含む。第１のＲＣループおよび第２のＲＣループのそれぞれは、第１の抵抗器と、ノードで第１の抵抗器に直列に接続され、それによって抵抗器直列を形成する第２の抵抗器と、抵抗器直列に並列に接続されるコンデンサとを含む。カスケードＲＬ回路は、ＲＣループの間に接続され、第５の抵抗器と、第６の抵抗器と、第５の抵抗器と第６の抵抗器との間に接続されるインダクタとを含む。優れた高周波数ゲインを得るために負のインピーダンスの特徴を用いるために、交差結合反転器ユニットは、ＲＬ回路に並列に接続され、ＲＣループの間に接続される。 （もっと読む）

【課題】アクティブバラン回路をＭＭＩＣ化が容易な小型の構成にする。
【解決手段】平衡入力の一方を増幅し１８０度位相が回転した信号を取り出すＮ形電界効果トランジスタを有する第１の増幅回路と、平衡入力の他方を増幅し同位相の信号を取り出すＰ形電界効果トランジスタを有する第２の増幅回路と、第１および第２の増幅回路の出力信号を合成して不平衡出力として取り出す合成回路を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】複数のノイズパルスが連続して印加される場合においてもノイズを除去する能力を高めたノイズ除去回路を含む半導体集積回路を提供する。
【解決手段】この半導体集積回路は、入力信号を遅延する直列接続された複数の遅延回路と、複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも３つの信号の論理積を求めることによってセット信号を生成する第１の論理回路と、複数の遅延回路によって互いに時間差が与えられた少なくとも３つの信号の論理和を求めることによってリセット信号を生成する第２の論理回路と、第１の論理回路によって生成されるセット信号によってセットされ、第２の論理回路によって生成されるリセット信号によってリセットされることにより、正論理の入力信号からパルス状のノイズが除去された出力信号を生成するＲＳラッチ回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】良好な入力インピーダンス整合特性を維持しながら低雑音化が可能となる増幅回路を有する信号処理回路を提供することを課題とする。
【解決手段】入力端子に入力された信号を増幅して出力端子から出力するゲート接地増幅回路（１１１）と、前記ゲート接地増幅回路の入力端子及び出力端子間に接続される帰還インピーダンス回路（Ｚｆ）と、前記ゲート接地増幅回路の出力端子から出力される信号を周波数変換し、相互に直交関係にあるＩ相信号及びＱ相信号をＩ相信号用出力端子及びＱ相信号用出力端子から出力する直交スイッチングミキサ（１１３）と、前記直交スイッチングミキサのＩ相信号用出力端子及びＱ相信号用出力端子に接続される周波数フィルタ（１１６）とを有することを特徴とする信号処理回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】差動単相変換回路におけるチップ面積の縮小又は同相ノイズ信号の除去又は電力損失の低下を図る。
【解決手段】差動信号が入力され単相信号が出力される差動単相変換回路１０であって、差動信号の一方が入力される制御端子、第１端子、及び第２端子を有する第１トランジスタＭ２と、接地された制御端子、第１トランジスタの第１端子に接続される第２端子、及び差動信号の他方が入力されるとともに、出力信号が出力される第１端子を有する第２トランジスタＭ３とを有するカスコード増幅器、第１トランジスタの第２端子に接続される位相調整用容量Ｃ２、及び、第１トランジスタの第２端子に接続される電流源Ｍ１、を備える差動単相変換回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】接地キャパシターのキャパシタンスを拡大する手段を提供する。
【解決手段】第一の抵抗１とキャパシター２で構成される低域通過濾波器の前段及び後段に電圧利得が＋１未満で限りなく＋１に近く、入力インピーダンスが十分に高く、出力インピーダンスが十分に低い前置増幅器３と後置増幅器４を接続し、さらに前置増幅器３の入力端と後置増幅器４の出力端を第二の抵抗５で接続し、第一の抵抗１の抵抗値は第二の抵抗５の抵抗値よりも大きくして実現する。 （もっと読む）

キャパシタンス乗算器回路が、追加の回路を追加することまたは追加の電力を必要とすることなしにキャパシタンス乗算器効果を達成するために、回路のＲＣフィルタ中のキャパシタを通る電流を検知し、その電流を乗算するように構成される。回路は、ＲＣフィルタと、フィルタ出力に接続された第１の信号経路と、フィルタに入力に接続された第２の信号経路とを含む。フィルタを通る電流出力（ｉ_ｏｕｔ）は、２つの経路に分割され、第１の経路において検知され、第２の経路において乗算される。乗算された電流は、キャパシタＣの実効キャパシタンスを上げるために第２の経路からフィルタ入力にフィードバックされる。キャパシタンス乗算器回路は、フィルタ中のキャパシタの実効キャパシタンスを上げる際に、全体的な回路の周波数応答、直線性性能および／または安定性に影響を及ぼさない。
（もっと読む）

【課題】ＣＭＣの正極側巻線と負極側巻線に流れる電流を等しくし、所望の特性を得るようにしたフィルタ回路の提供。
【解決手段】コモンモードノイズフィルタの正極側巻線と、負極側巻線に流れる電流を監視する手段（２、３）と、監視結果に基づき、正極側巻線と負極側巻線が互いに等しくなるように調整する手段（４、５、６）を備える。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧下においても、半導体集積回路上での面積および消費電力の増大を抑えつつ、高域での利得のピーキングの傾きを急峻化する。
【解決手段】Ｐ型電界効果トランジスタＭ１のソースを電源電位ＶＤＤに接続し、Ｐ型電界効果トランジスタＭ１のドレインを出力端子ｏｕｔに接続し、Ｎ型電界効果トランジスタＭ２のドレインを電源電位ＶＤＤに接続し、Ｎ型電界効果トランジスタＭ２のソースを電流源ＩＢを介して接地電位に接続し、Ｐ型電界効果トランジスタＭ１のゲートをＮ型電界効果トランジスタＭ２のソースに接続し、Ｎ型電界効果トランジスタＭ２のゲートを抵抗素子Ｒｐを介してＰ型電界効果トランジスタＭ１のドレインに接続する。 （もっと読む）