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Fターム[5J098AD22]の内容

能動素子を用いた回路網 (5,588) | 目的と効果 (843) | 性能向上 (128) | 応答速度の向上 (34)

Fターム[5J098AD22]に分類される特許

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【課題】高周波の広い範囲で周波数が高速で切り替わり、正確に位相が90度異なる直交信号を消費電力が少ない回路で生成する。
【解決手段】可変利得アンプ9によって増幅した信号を、ポリフェイズフィルタ1を通すことで、大まかに位相差が90度となる直交信号を生成する。ディジタル制御回路8からのディジタル信号で制御された可変利得アンプ2,3により、直交信号を増幅する。可変利得アンプ2,3の出力信号の振幅を振幅検出器4,5によって検出し、可変利得アンプ2,3の出力信号の振幅が等しくなるように、可変利得アンプの利得をディジタル制御回路8によって疎調整する。この疎調整に加えて、後述する微調整を行うことで、可変利得アンプ2,3の出力信号の振幅を等しくする。 (もっと読む)


【課題】線形性能が優れたGmアンプ、このGmアンプを用いて高速動作が可能で、入力電圧範囲が広く、かつ線形性能の優れたGm−Cフィルタを提供する。
【解決手段】入力信号が端子17、18から供給され、ソース端子が電源端子に接続されるMOSトランジスタ11、12、同相制御信号がゲート端子から供給されるMOSトランジスタ13、14、出力信号を出力する出力端子対の平均電圧を一定にするためMOSトランジスタ13、14のゲート端子に同相制御信号を出力する同相制御アンプ15、入力信号を入力して、MOSトランジスタ11、12に入力される入力信号の大小に応じて基板電圧を制御する基板制御信号をMOSトランジスタ11、12の基板端子に供給する基板電圧制御回路21、22によってGmアンプを構成する。 (もっと読む)


【課題】フィルタのカットオフ周波数を、その調整範囲内の任意の設定値に自動調整可能にする。
【解決手段】電圧電流変換回路(30)、充電回路(50)、放電回路(40)、複数の静電容量を有するデジタル容量(70)、上記デジタル容量に入力される電圧と基準電圧との対比を行う比較器(80)及び上記デジタル容量を制御する容量制御回路(600)を含んでカットオフ周波数自動調整回路(412)を構成する。上記リセット信号が所定の論理レベルになったときから、上記比較器によって上記デジタル容量に入力される電圧が上記基準電圧より高くなったことが検知されるまでの時間を計測し、その計測結果と、上記デジタル容量の目標値と、上記デジタル容量の現在の値とに基づいて上記デジタル容量の次の設定値を求める処理を、所定の条件下で繰り返すことによって上記デジタル容量を制御する。上記目標値は、調整範囲内の任意の設定値とすることができる。 (もっと読む)


【課題】入力電圧範囲を広くしても線形性能の優れ、かつトランスコンダクタンス値精度の優れたOTA、OTAを用いたフィルタ回路を提供する。
【解決手段】I−V変換器と、内部抵抗素子の抵抗値に比例する増幅率でI−V変換器の出力電流を増幅する電流制御回路1、2とによってOTAを構成する。そして、電流制御回路1、2を、入力電流が入力されるドレイン、第1制御電圧が供給されるゲートを有するMOSトランジスタ10、出力電流が出力されるドレインを有するMOSトランジスタ13、第2制御電圧が供給されるゲートを有するMOSトランジスタ11、MOSトランジスタ10のドレインと接続される非反転入力端子、MOSトランジスタ13のゲートと接続される出力端子、MOSトランジスタ13のソース及びMOSトランジスタ11のドレインと接続される反転入力端子を有する差動増幅器12によって構成する。 (もっと読む)


【課題】高速に動作することが可能であり、周波数特性制御するためのフィルタ制御信号生成回路が小規模でしかも設計に要する時間が短時間で済むようなフィルタ回路を提供する。
【解決手段】Gm−Cフィルタのフィルタ制御信号生成回路を、MOSトランジスタ32、MOSトランジスタ32とゲート同士が接続されるMOSトランジスタ33、MOSトランジスタ32とドレイン同士が接続されるMOSトランジスタ30、ドレインとゲートが接続され、MOSトランジスタ30とゲート同士が接続され、MOSトランジスタ33とドレイン同士が接続されるMOSトランジスタ31、MOSトランジスタ30〜33のうちの1つのソースに接続される抵抗素子34によって構成し、MOSトランジスタ33,30のドレインに接続される出力端子35または出力端子36からフィルタ制御信号を出力させる。 (もっと読む)


【課題】アナログ式のアクティブフィルタ回路において、起動時に出力が安定するまでの時間の短縮を実現する。
【解決手段】アクティブフィルタ回路は、第1抵抗R1と、演算増幅器3と、第2抵抗Rfと、キャパシタCfと、スイッチSW1とを具備する。演算増幅器3は、+入力端子に基準電圧Vrefを供給され、−入力端子に第1抵抗R1を介して入力電圧Vinを供給される。第2抵抗Rfは、一端を演算増幅器3の出力端子に、他端を−入力端子にそれぞれ接続されている。キャパシタCfは、一端を出力端子に接続されている。スイッチSW1は、起動時にキャパシタCfの他端を+入力端子に接続し、所定時間経過後にキャパシタCfの他端を−入力端子に接続するように切り替わる。 (もっと読む)


【課題】高速でかつ低消費電流であり、MOSトランジスタのしきい値電圧の絶対値が低い場合でも入力信号レベルを大きくすることができるフィルタ回路を提供する。
【解決手段】ゲートから信号を入力するMOSトランジスタ(Tr)1、Tr2、ドレインがMOSトランジスタ1のソースに接続され、ゲートがMOSトランジスタ2のソースに接続されるTr3、ドレインがTr2のソースに接続され、ゲートがTr1のソースに接続されるTr4、Tr3のソースに電流を供給する電流源5、Tr4のソースに電流を供給する電流源6、Tr1〜Tr4のソースの各々に接続されるコンデンサ7、8を含むフィルタ回路に、Tr3、Tr4の動作点が飽和領域内の線形領域に近い側から遠い側に向かう方向にシフトするように電圧を印加する電圧源101、102を設ける。 (もっと読む)


【課題】 特に、磁気検出素子と平面コイル間の絶縁性の低下を抑制でき、また、1次側回路と2次側回路間の静電容量Cを従来よりも小さくすることで、より高速伝送できる磁気結合型アイソレータを提供することを目的としている。
【解決手段】 入力信号により外部磁界を発生させるための巻回された平面コイル2と、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気検出素子R1〜R4と、前記平面コイル2と前記磁気検出素子R1〜R4の間に介在する絶縁層30と、を有する。前記磁気検出素子R1〜R4は、前記平面コイル2の側方に位置している。 (もっと読む)


【課題】さらに入力ノイズ耐性を有するシュミットトリガ型インバータを提供すること。
【解決手段】入力側ノードへの供給電圧が増加して第1の基準電圧に達するに従い出力側ノードから出る電圧が比較高電圧レベルから比較低電圧レベルに遷移し、入力側ノードへの供給電圧が減少して第1の基準電圧より低い第2の基準電圧まで減少するに従い出力側ノードから出る電圧が比較低電圧レベルから比較高電圧レベルに遷移するインバータと、インバータの入力側ノードに一方端が接続された第1の抵抗素子と、インバータの入力側ノードに一方端が接続された、該一方端の電圧が上昇するほどに抵抗値が減じる可変抵抗素子と、可変抵抗素子の他方端に一方端が接続された第2の抵抗素子と、ドレインが第2の抵抗素子の他方端に接続され、ゲートがインバータの出力側ノードに接続され、ソースが接地電位に接続されたnチャネルMOSトランジスタとを具備する。 (もっと読む)


【課題】ソースフォロワ回路をベースにした帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】入力信号を入力するMOSトランジスタ101、102、ドレインがMOSトランジスタ101のソースに接続されるMOSトランジスタ103、ドレインがMOSトランジスタ102のソースに接続されるMOSトランジスタ104を含み、MOSトランジスタ103のゲートがMOSトランジスタ104のドレインに接続し、MOSトランジスタ104のゲートがMOSトランジスタ103のドレインに接続されるトランジスタ対、電流源105、106、コンデンサ107、108、MOSトランジスタ101のソースの出力信号とMOSトランジスタ103のソースの出力信号とを加算する加算器109、MOSトランジスタ102のソース端子の出力信号とMOSトランジスタ104のソース端子の出力信号とを加算して出力する加算器110とによって帯域通過フィルタを構成する。 (もっと読む)


【課題】幅のより短いパルスに対して伸長が可能なパルス伸長回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】それぞれのソースが定電流源21を介して電源端子5に接続され、それぞれのドレインが定電流源21より電流駆動能力の大きな定電流源22を介して接地端子6に接続され、ゲートが入力端子27に接続されたp‐MOSトランジスタP1及びゲートが出力端子28に接続されたp‐MOSトランジスタP2と、一端がp‐MOSトランジスタP1、P2のソースと定電流源21との間に接続され、他端が接地端子6に接続されたキャパシタC1と、ドレインがp‐MOSトランジスタP2のゲートに接続され、且つ定電流源23を介して電源端子5に接続され、ソースが接地端子6に接続され、ゲートがp‐MOSトランジスタP1、P2のドレインと定電流源22との間に接続されたn‐MOSトランジスタN1とを備える。 (もっと読む)


【課題】USB2.0対応の半導体デバイスに内蔵されて、終端抵抗としてHigh Speedモードでの終端抵抗の規定を満足し、データ・ドライバとしてもFull Speedモードでの出力インピーダンスの規定を満足する終端抵抗調整回路を提供すること。
【解決手段】ドライバと、該ドライバの出力端とバスとの間に接続される抵抗素子とを備えて構成される出力/終端ユニットが並列に複数備えられる出力/終端部と、出力/終端ユニットと同一の構成を有しドライブ状態に維持されるモニターユニットと、モニターユニットに備えられる抵抗素子の一端に接続され、基準電流を流す電流源と、モニターユニットを流れる基準電流に応じてモニターユニットに備えられる抵抗素子の一端に出力されるモニター電圧に基づいて、出力/終端部においてドライバがドライブ状態となることに応じて終端抵抗を構成する出力/終端ユニットの構成数を調整する制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】カットオフ周波数が低い場合であっても、電源オンの後速やかに出力を安定させる。
【解決手段】電源オンから整定化時間Tsが経過するまでは、フィルタ動作有効化信号φ3をオフにするとともに第1相、第2相クロックパルスφ1、φ2をともにオンにして、アナログスイッチS11〜S26をオン、アナログスイッチS37をオフにする。整定化時間Tsが経過した後は、フィルタ動作有効化信号φ3をオンにするとともに第1相、第2相クロックパルスφ1、φ2を互いにオン期間が異なるように2相動作させ、スイッチトキャパシタフィルタとして動作させる。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、誘導結合(inductive coupling)送受信装置に関する。
【解決手段】
本発明の一実施例による誘導結合送受信装置は、データを送信及び/又は受信する誘導結合送受信器と、前記誘導結合送受信器に接続されたインダクタ(inductor)と、前記誘導結合送受信器及び前記インダクタに接続されて前記インダクタのインダクタンス(inductance)変化を補償する共振補償装置を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、使用する容量比の大きなフィルタカットオフ周波数を自動調整すること、並びにその自動調整にかかる時間を短縮することにある。
【解決手段】チャネルフィルタ回路の帰還容量及び不帰還容量(接地容量)ごとにフィルタカットオフ周波数自動調整回路及び誤差修正用のレジスタを設ける。これにより、帰還容量及び不帰還容量の容量差による誤差の拡大を招くことなく、フィルタカットオフ周波数の調整が可能となる。 (もっと読む)


【課題】 DIMMに実装されているSDRAMのOCDインピーダンス測定・調整が短時間で実行でき、設計が容易なインピーダンス調整回路を提供する。
【解決手段】 調整コードに対応してインピーダンスが可変の出力ドライバを有する、複数のメモリチップD0〜D7をランク選択信号とデータマスク信号の組合せにより選択して、インピーダンスの測定及び調整を行うインピーダンス調整回路において、異なるランクのメモリチップD0〜D7にランク選択信号をそれぞれ出力する複数のランク選択回路31,32と、ランクごとにメモリチップを選択するデータマスク信号をそれぞれ出力する複数のデータマスク選択回路41〜48とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】外部からトランジスタの容量値を調整できる容量調整機能を有し、処理する信号の応答特性を適宜調整可能とし、成形波形の特性を一致させることが可能なキャパシタンス回路を提供する。
【解決手段】トランジスタを用いるキャパシタンス回路において、容量調整信号を受け付ける容量調整端子と、トランジスタのソース端子とドレイン端子とに接続されて、容量調整信号によりトランジスタの容量を調整する容量調整回路と、を具備する。 (もっと読む)


スイッチトキャパシタ回路は、単一の演算増幅器を使用して積分器と加算器の両方を実現する。1つの入力信号は、(1)1つまたは複数の積分ブランチと、(2)1つまたは複数の第1の加算ブランチとを介して演算増幅器の入力に送られる。第2の入力信号は、1つまたは複数の第2の加算ブランチを介して演算増幅器の入力に送られる。ブランチの各々は、キャパシタと、異なるクロック位相によって制御されるいくつかのスイッチとを含む。スイッチトキャパシタ回路はシングルエンドまたは差動とすることができる。回路はセルラ通信システムのアクセス端末に使用できる。アクセス端末は符号分割多元接続(CDMA)通信規格の下で動作することができる。
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【課題】低価格で校正時間が短いRCキャリブレーション回路を提供する。
【解決手段】このRCキャリブレーション回路では、基準クロック信号RefCLKを2分周して分周信号VINを生成し、分周信号VINの立ち上がりエッジに応答してキャパシタを充電し、キャパシタの端子間電圧VOUTが基準電圧Vrefを超えたとき、基準クロック信号RefCLKのレベルに応じてカウント値C1〜CNが増加または減少し、カウント値C1〜CNによってRCフィルタ回路およびRCリファレンス回路3の時定数を制御する。したがって、従来の遅延器75やラッチ回路76が不要となる。 (もっと読む)


【課題】非線形的な電荷転送動作およびFETドレイン電圧Vの変化という2つの誤差要因による影響が大幅に低減されている電荷転送回路を提供する。
【解決手段】入力電荷を保持する入力電荷保持素子51と、出力電荷を保持する出力電荷保持素子53と、入力端子54、出力端子55およびゲート端子57を有する電荷転送素子52であって、入力端子54は、入力電荷保持素子51からの電荷を受け取るように連結されおり、出力端子55は、ゲート端子57に印加される電荷転送制御信号によって制御されて出力電荷保持素子53に電荷を提供するように、連結されている、電荷転送素子52と、入力電荷保持素子51に連結されている入力端子、および、電荷転送素子52のゲート端子57に連結されている出力端子を有し、電荷転送制御信号を提供する増幅器56,58とを備える。 (もっと読む)


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