【課題】パッケージとして半導体材料を用いた従来技術の圧電デバイスにおいて、その貫通電極配線部に生じる問題点を解決し、特性が安定しておりかつ小型化を実現できる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイスのパッケージ外面および中空部の少なくとも一部の表面に絶縁体膜１６が施されており、パッケージ中空部であって該絶縁体膜１６上に第一の電極が設けられ、さらに、第一の電極とパッケージを挟んで相対するパッケージ外面の絶縁体膜１６上に第二の電極が設けられ、パッケージにおいて前記第一の電極あるいは前記第二の電極が設けられた領域部分の少なくとも一方の少なくとも一部分が凹部１９又は２０をなし、前記凹部１９又は２０の底面が前記パッケージの一部を挟んで他方の電極と対向し、前記第一の電極と前記第二の電極の間は交流的に電気的接続が可能となる圧電デバイスとする。 （もっと読む）

【課題】電極間の導通信頼性に優れ、電極間の接続状態が確認容易な圧電デバイスの提供。
【解決手段】マウント電極１１ｂ，１１ｃが形成されたベース部１１と、励振電極２２，２４に接続された接続電極２６，２７が形成された水晶振動片２０と、水晶振動片２０の接続電極２６，２７とベース部１１のマウント電極１１ｂ，１１ｃとを接続する導電パターン３０と、を備え、導電パターン３０の一部が、接続電極２６，２７の表面及びマウント電極１１ｂ，１１ｃの表面に直接形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】機械共振器の共振周波数をより高くし、加えて、Ｑ値をより高くできるようにする。
【解決手段】ＧａＡｓの結晶からなる基板１０１の上に、Ｉｎ_0.1Ｇａ_0.9Ａｓからなる膜厚３μｍのバッファ層１０２が形成され、バッファ層１０２の上にＩｎ_0.1Ａｌ_0.9Ａｓからなる膜厚２μｍの歪み印加層１０３が形成され、歪み印加層１０３の上にＧａＡｓからなる膜厚２００ｎｍの振動部形成層１０４が形成された状態とする。次に、振動部形成層１０４および歪み印加層１０３を選択的に除去し、基板１０１の上に細線構造１０５が形成された状態とする。この後、細線構造１０５の下部の歪み印加層１０３を除去し、２箇所の支持部１０６により支持された梁構造１０７が、基板１０１の上に離間して振動可能に形成された状態とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＵＨＦ帯とＶＨＦ帯との両方にまたがるような広い周波数帯域に対応できるバンドパスフィルタを同一基板上に形成することを可能にする。
【解決手段】基板の主面上に複数のバンドパスフィルタ素子２０を有し、前記各バンドパスフィルタ素子２０のそれぞれが、周波数領域で分割された複数のチャンネルのそれぞれに対応し、かつ複数の圧電共振器２１を有し、前記各圧電共振器２１は、前記基板に周囲を支持された圧電膜と、前記圧電膜の下面に形成された第１電極と、前記圧電膜の上面に形成され、前記圧電膜を挟んで前記第１電極の少なくとも一部とオーバラップする状態に形成された第２電極と、前記基板と前記圧電膜との間に形成された下部空間と、前記圧電膜上に形成された上部空間を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の共振子に共通する振動空間を提供するキャビティを有する共振子フィルタにおいて、構造上の強度を確保するとともに、挿入損失を低減できる共振子構造を有する共振子フィルタを提供する。
【解決手段】共振子フィルタは、複数の積層共振体８１，８２，８３，８４，８５，８６の振動空間を提供するキャビティ２１を有する。積層共振体８２，８３を電気的に接続する配線電極９０は、積層共振体８２の上部電極の最大径Ｌ１と、積層共振体８３の上部電極の最大径Ｌ２とを直線的に結線する配線構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性に優れるとともに、正圧電効果により生じる電位差のヒステリシスの小さい圧電磁器および圧電素子を提供する。
【解決手段】 主成分がビスマス層状化合物からなる圧電磁器であって、組成式でＢｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２・α［（１−β）ＭＴｉＯ_３＋βＢｉＦｅＯ_３］と表したとき、ＭがＳｒ、ＢａおよびＣａのうち少なくとも１種であるとともに０．３≦α≦０．９５および０≦β≦０．５である成分１００質量部に対して、ＣｏをＣｏＯ換算で０．０１〜０．７質量部含有する圧電磁器である。 （もっと読む）

【課題】軽量なねじり振動体を有するマイクロメカニカル共振器を提供する。
【解決手段】マイクロメカニカル共振器１は、基板２と、一方端が基板２に固定されたねじり振動体１１とを備えている。ねじり振動体１１には、空隙部が設けられている。空隙部は、たとえば、ねじり振動軸Ａと平行な方向に延び、ねじり振動体１１を貫通する孔３０として構成することができる。 （もっと読む）

【課題】振動漏れを低減しつつ、設計時の寸法上の制約を緩和することの可能で、しかも、スティッキング現象を回避するのに好適な振動子構造を実現する。
【解決手段】本発明の静電振動子は、支持体１０と、支持体に対して複数の第１の弾性部１３Ｂを介して接続された第１の剛性部１３Ｃ、及び、第１の剛性部に対して複数の第２の弾性部１３Ｄを介して接続された第２の剛性部１３Ｅを有する可動電極１３と、第１の剛性部に対向配置され、第１の剛性部に励振力を及ぼす駆動電極１２Ｂと、第２の剛性部に対向配置され、第２の剛性部の振動変位を検出する検出電極１２Ａと、を具備し、第１の弾性部及び第２の弾性部の駆動電極及び検出電極と対向する方向の撓み変形により第１の剛性部及び第２の剛性部がそれぞれ振動変位可能とされた２自由度の弾性振動系を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】共振特性を維持しつつ、機械的強度を改善することができる。また、生産性に優れた圧電薄膜共振器を実現する。
【解決手段】基板１上に形成された下部電極２と、基板１上および下部電極２上に形成された圧電膜３と、圧電膜３上に形成された上部電極４とを備え、圧電膜３を挟み上部電極４と下部電極２の重なり領域であるメンブレンに対応する部位の下部電極２の下方に空隙６を有した圧電薄膜共振器であって、メンブレンに接する上部電極４の引出部分４ｘの中央部４ｙは、空隙６の上に形成され、上部電極４の引出部分４ｘの両端部４ｚは、空隙６の外側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】振動漏れを低減しつつ、設計時の寸法上の制約を緩和することの可能な振動子構造を実現する。
【解決手段】本発明の静電振動子は、支持体１０、１１と、該支持体に対して第１の弾性部１３Ｂのみを介して接続された第１の剛性部１３Ｃ、及び、該第１の剛性部に対して第２の弾性部１３Ｄのみを介して接続された第２の剛性部１３Ｅを有する可動電極１３と、前記第１の剛性部に対向配置され、前記第１の剛性部に励振力を及ぼす駆動電極１２Ｂと、前記第２の剛性部に対向配置され、前記第２の剛性部の振動変位を検出する検出電極１２Ａと、を具備し、前記第１の弾性部及び前記第２の弾性部の前記駆動電極及び前記検出電極と対向する方向の撓み変形により前記第１の剛性部及び前記第２の剛性部がそれぞれ振動変位可能とされた２自由度の弾性振動系を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の圧電共振子から成る共振子フィルタを簡易な製造工程で製造する。
【解決手段】下部電極８２、圧電体膜８３、第一の上部電極８４、及び第二の上部電極８６を順次積層して成る、第一の並列腕共振子１２、第二の並列腕共振子１３、及び直列腕共振子１１を形成し（図６（Ａ））、第一の並列腕共振子１２、第二の並列腕共振子１３、及び直列腕共振子１１のそれぞれの上部に保護膜８５を形成し（図６（Ｂ））、直列腕共振子１１の第二の上部電極８６、及び第一の並列腕共振子１２の第二の上部電極８６のそれぞれが露出するように保護膜８５を選択的にエッチングし（図６（Ｃ））、直列腕共振子１１の第一の上部電極８４が露出するようにその上層の第二の上部電極８６をエッチング除去する（図６（Ｄ））。 （もっと読む）

【課題】ラダー型フィルタのスカート特性を改善することができるとともに、フィルタ素子を小型化することができる弾性波デバイス、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置を実現する。
【解決手段】複数の共振器を梯子状に接続したラダー型フィルタを備えた弾性波デバイスであって、ラダー型フィルタにおける並列椀に、直列接続された複数の共振器Ｐ２及びＰ４が接続され、並列椀に接続された複数の共振器Ｐ２及びＰ４は、共振周波数が互いに異なる構成とした。 （もっと読む）

【課題】 低コストで、気密封止の信頼性に優れた、圧電振動子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 （ｂ）圧電振動片２をリード端子３１にマウントするマウント工程と、（ｃ）ガラス管３０の第１開口部３０ａに、プラグ本体４０を加熱溶着する第１封止工程と、（ｄ）真空下でガラス管３０の第２開口部３０ｂを閉塞し、ガラス管３０の内部空間を真空封止する第２封止工程と、ケース３の外側からレーザを照射して、圧電振動片２の周波数を調整する周波数調整工程と、ケース３の外側からレーザを照射して、ゲッター剤５０を活性化するゲッター剤活性化工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】共振子がＵＷＢ用フィルタ用途に必要な電気機械結合係数および機械的品質係数の両方を満足するＢＡＷ共振装置を提供する。
【解決手段】支持基板１の一表面側に下部電極３１と圧電層３２と上部電極３３とを有する共振子３を備え、下部電極３１および上部電極３３が圧電層３２の圧電材料よりも機械的品質係数の大きな電極材料により形成されている。共振子３は、下部電極３１と上部電極３３とで一対の電極層を構成し、上部電極３３における圧電層３２側とは反対側に絶縁体層３４が積層され、上部電極３３の厚さをｔ_ｅ、絶縁体層３４の厚さをｔ_ｐ、ｎ次モード（ｎ≧２）の共振周波数における上部電極３３および絶縁体層３４それぞれの媒質中の弾性波の波長をそれぞれλ_ｅ，λ_ｐとするとき、｛（ｎ−１）／２｝≦（ｔ_ｅ／λ_ｅ＋ｔ_ｐ／λ_ｐ）≦｛（ｎ−０．５）／２｝を満足するように各厚さｔ_ｅ，ｔ_ｐが設定されている。 （もっと読む）

【課題】横波のエネルギー散逸を防止しながら従来例より電気機械結合係数の低下、および定在波モードの増大を抑圧した圧電薄膜共振器を実現する。
【解決手段】基板１４と、基板１４上に配され、一部が互いに対向するように配置された上部電極１１及び下部電極１２と、上部電極１１と下部電極１２との間に配された圧電膜１３とを備えた圧電薄膜共振器であって、上部電極１１上に配された質量体１６を備え、質量体１６は、上部電極１１における下部電極１２に対向する領域の端部の一部に配されている。 （もっと読む）

【課題】圧電層をＡｌＮ薄膜により構成する場合に比べて電気機械結合係数を大きくでき且つ圧電層をＰＺＴ薄膜により構成する場合に比べて機械的品質係数を大きくすることが可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＡＷ共振装置は、支持基板１と、支持基板１の一表面側に形成された下部電極２０、圧電層３０、上部電極４０を有する共振子２とを備え、圧電層３０が、ＰＺＴとリラクサーペロブスカイトとからなる多成分ペロブスカイト構造を有する圧電薄膜（例えば、ＰＭＮ−ＰＺＴ薄膜）により構成されている。圧電層形成工程では、圧電層３０をスパッタ法により形成するにあたって、支持基板１の温度を５００℃以上の規定温度として当該支持基板１の上記一表面側に上記圧電薄膜をヘテロエピタキシャル成長させた後、支持基板１を上記規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの外形精度に関係なく、高品質な圧電振動片を効率良く製造すること。
【解決手段】 ウエハＳを利用して圧電振動片を一度に複数製造する方法であって、ウエハをフォトリソ技術によってエッチングして、貫通孔４０を２つ以上形成すると共に、これら貫通孔の中心を基準点Ｇとして複数の圧電板１０の外形形状を貫通孔と同時に形成する工程と、平板部上から貫通孔と同じ数だけ突出するように形成された挿入ピンを有するウエハ用治具を用意した後、貫通孔内に挿入ピンを挿入させた状態でウエハを平板部上に載置する工程と、複数の圧電板の外表面上に電極を形成する工程と、複数の圧電板をウエハから切り離して小片化する工程と、を備え、電極形成工程及び切断工程の際、貫通孔の中心を基準点としてウエハに対する位置合わせ行う圧電振動片の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 キャビティ内の気密を確実に維持すると共に、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保すること。
【解決手段】 ベース基板２と、キャビティ用の凹部３ａが形成され、凹部をベース基板に対向させた状態でベース基板に接合されたリッド基板３と、両基板間に形成されたキャビティ内で、ベース基板の上面に接合された圧電振動片４と、ベース基板の下面に形成された一対の外部電極３８、３９と、ベース基板を貫通するように形成され、一対の外部電極にそれぞれ電気的に接続された一対の貫通電極３２、３３と、ベース基板の上面に形成され、圧電振動片に一対の貫通電極をそれぞれ電気的に接続させる引き回し電極３６、３７と、を備え、貫通電極が、貫通孔３０、３１の内面に成膜された電極膜３２ａ、３３ａと、貫通孔を塞ぐように、電極膜を間に挟んで貫通孔の内面に固着されたガラス体３２ｂ、３３ｂと、で形成される圧電振動子１を提供する。 （もっと読む）

【課題】近年の圧電薄膜共振子フィルタに対する要求に対応すべく、横方向漏れを抑制し、低損失化することができる圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置を提供する。
【解決手段】基板５と、基板５上に配され、一部が互いに対向するように配置された上部電極１及び下部電極２と、上部電極１と下部電極２との間に配された圧電膜３とを備えた圧電薄膜共振子であって、圧電膜３は、上部電極１と下部電極２とが対向する部位に配され、上部電極１と基板５とが対向する領域の一部に絶縁膜４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】結合共振器を有する機械的に結合されるＢＡＷ型音響共振器に基づく帯域通過フィルタ回路の帯域幅近傍における選択度を改良する。
【解決手段】基板１００と、音響共振器を支持し、これらの共振器を基板から絶縁するための音響ミラー１０１と、少なくとも一層の音響結合層１３０を介して互いに結合される上側共振器１２０および下側共振器１１０を有する第１構造（左）と、少なくとも一層の音響結合層２３０を介して互いに結合される上側共振器２２０および下側共振器２１０を有する第２構造（右）と、を有し、第１および第２構造の前記下側共振器は同一電極２１１、２１３を有する。フィルタは、第１および第２構造が、第５共振器３００を介して接続され、第５共振器の電極および圧電層は、いわゆる第１および第２構造の前記下側共振器のものである。 （もっと読む）