【課題】圧電振動片の電極部または圧電基板をパッケージへ固定し、圧電振動片の電極部とパッケージのパッド部との電気的接続を図った後に、電気的接続および固定の良否、特に固定の良否について全数を検査すること。
【解決手段】マウント電極部４が水晶基板２の表面（または裏面）に形成されている場合、水晶基板２の裏面（または表面）からマウント電極部４を透かし見る非破壊試験により全数検査を実施するので、マウント電極部４の露出部４２の状態を確認することができる。これにより、抜き取りで破壊試験を実施することによる不良の発生、つまり歩留りの低下を引き起こすことを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】枠体の内側に支持部により複数の振動腕を一体に支持する屈曲振動片において、振動腕の屈曲振動により支持部に生じる熱弾性損失によるＱ値低下を改善する。
【解決手段】圧電振動片１１は、矩形の枠体１２の内側を横断して延長しかつ両端を枠体に結合した支持部１３から延出する１対の平行な振動腕１４，１５を備える。支持部の表裏各主面には、有底溝１８又は貫通溝２１が形成される。有底溝の場合には、支持部の振動腕側の部分１９と枠体側の部分２０間の熱伝達経路が見かけ上長く、これら部分間での緩和時間が長くなるので、Ｑ値が極小となる緩和振動数が従来よりも小さくなり、Ｑ値が改善する。貫通溝の場合には、振動腕側の部分と枠体側の部分間の熱伝達経路が短く、各部分の緩和時間が短くなるので、緩和振動数が従来よりも大きくなり、Ｑ値が改善する。 （もっと読む）

【課題】各共振子の機械的品質係数を向上できるとともに共振子間を接続する金属配線の低抵抗化を図れてフィルタ特性の向上を図れ、且つ、支持基板の小型化を図れるＢＡＷフィルタを提供する。
【解決手段】支持基板１の一表面に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４を露出させる複数の凹所１ａがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。下部電極３１同士が電気的に接続された２個１組の共振子３の組を複数組備え、各組の２個の共振子３では、下部電極３１と圧電層３２とが連続して形成される一方で上部電極３３同士が絶縁分離され、隣り合う共振子３の組間では、隣接する２個の共振子３の上部電極３３同士が金属配線３４を介して電気的に接続され、各共振子３それぞれの厚み方向に沿った中心線と各共振子３それぞれに最も近いエッチング孔５のエッジとの最短距離を同じとしてある。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する。その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、レジスト層６の開孔部７および各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上させることができて機械的品質係数を向上でき、且つ、小型化および堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する共振子３が支持基板１の一表面側に形成され、支持基板１に、共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面を露出させる空洞１ａが形成されている。圧電層３２の圧電材料がＰＺＴ系材料であり、圧電層３２は、平面視における全域が下部電極３１上に形成されている。支持基板１は、互いに厚さが異なる上層基板１１と下層基板１２との積層構造を有し、上層基板１１が、単結晶ＭｇＯ基板からなるとともに、下層基板１２に比べて薄く、且つ、空洞１ａが、エッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより上層基板１１の厚み方向に貫設された断面台形状の開口部１１ａにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上できるとともに共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１の一表面側の共振子３における圧電層３２がＰＺＴにより形成されている。支持基板１に、共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる空洞１ａが形成されるとともに、絶縁層４に、空洞１ａに連通するエッチングホール５が形成されている。支持基板１が、互いに厚さが異なる上層基板１１と下層基板１２との積層構造を有し、支持基板１において相対的に共振子３に近い側にある上層基板１１が、単結晶ＭｇＯ基板からなるとともに、相対的に共振子３から遠い側にある下層基板１２に比べて薄く、且つ、空洞１ａが、上層基板１１の厚み方向に貫設されエッチングホール５に連通した開口部により構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止することが可能なＢＡＷ共振装置を提供する。
【解決手段】単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の一表面側に、Ｐｔ膜からなる下部電極３１とＰｔ膜からなる上部電極３３との間にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２を有する共振子３が形成され、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持したＳｉＯ２膜からなる保持層４を備えるとともに、支持基板１に、共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａを露出させる空洞１ａが形成されている。下部電極３１における上記表面３１ａの周部と保持層４とに跨って形成され支持基板１に空洞１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止するＳｉＯ_２膜からなる浸食防止膜２１を備えている。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の一表面側の全面にＰＺＴ層からなる犠牲層２０、下部電極３１、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２を順次形成し、圧電層３２、下部電極３１、犠牲層２０を順次パターニングしてから、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよび犠牲層２０の一部を露出させる複数のエッチングホール５を有する絶縁層４を形成し、その後、上部電極３３を形成する。次に、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、続いて、レジスト層６の開孔部７および絶縁層４の各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し犠牲層２０を選択的にエッチングすることにより空洞２を形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上できるとともに共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能で、しかも、空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１に、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２を有する共振子３の下部電極３１および絶縁層４における支持基板１側の表面を露出させる空洞１ａが形成され、絶縁層４に、空洞１ａに連通するエッチングホール５が形成されている。支持基板１が、単結晶ＭｇＯ基板からなる上層基板１１と、単結晶Ｓｉ基板からなる下層基板１２とで構成され、空洞１ａが、上層基板１１の厚み方向の両面側から上層基板１１に対してエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングを行うことで形成された開口部１１ａと、下層基板１２の厚み方向に貫設され開口部１１ａに連通する貫通孔１２ａとで構成されている。 （もっと読む）

【課題】振動エネルギーの漏れを抑え効率よく閉じ込めるよう改良された、反共振特性に優れ高い音響品質を有する高性能の圧電薄膜音響共振器を製造条件の厳しい制御を要することなく安定して提供する。
【解決手段】圧電体層５Ａ，５Ｂとその上下両面にそれぞれ形成された上部電極６および下部電極４とを含む圧電積層構造体５１、及び、圧電体層５Ａと上部電極６及び下部電極４とが重畳する領域からなる振動部５２の振動を許容するように圧電積層構造体５１を支持する支持体１，２とを備える。圧電積層構造体５１の積層方向から見たときに、圧電体層が形成されている領域は、下部電極４が存在する電極領域と下部電極４が不在の周辺領域とからなる。周辺領域の圧電体層５Ｂは、Ｘ線回折のロッキングカーブ半値幅が２．０度以下で、下地の上面の高さのＲＭＳ変動で表される表面粗さが２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】共振中心周波数、帯域幅の調整が容易な結合共振器アレイ及びそれを使用したフィルタ並びに発振器を提供する。
【解決手段】結合共振器１６_ｉのアレイ１０は、入力電気信号Ｖｅを供給するための手段１２と、この入力電気信号を使用してアレイのＮ個の結合共振器１６_ｉを電気的に励起するための手段１４とを備える。電気励起手段１４は、これらＮ個の結合共振器１６_ｉのそれぞれに関して、入力電気信号に従ってこの結合共振器を作動させるために入力電気信号供給手段１２に接続された作動手段１８_ｉと、この結合共振器１６_ｉを作動させるための結合共振器固有の可変利得入力増幅手段２０_ｉとを備える。さらに、それらは、入力増幅手段２０_ｉのそれぞれの可変利得の特定の設定を制御するための手段２２を備える。 （もっと読む）

【課題】スプリアスを抑制し、Ｑ値の高い音響波共振子の提供。
【解決手段】上面と下面とを有する圧電体層１１と、前記圧電体層１１の上面側に積層される上部電極１３と、前記圧電体層１１を挟んで前記上部電極１３と対向するように前記圧電体層１１の下面側に積層される下部電極１２と、を含む共振部１８と、前記上部電極１３の上面および側面を覆うとともに、断面視したときに、前記上部電極１３の側面領域において、前記側面に対して傾斜する傾斜部を有する保護層２０と、を有する構成。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数を向上させること。
【解決手段】本発明は、基板１０と、基板１０上に形成された低比重下部電極１２ａと、低比重下部電極１２ａ上に形成され低比重下部電極１２ａより比重の大きい高比重下部電極１２ｂと、を備えた下部電極１２と、高比重下部電極１２ｂ上に形成された圧電膜１４と、圧電膜１４上に形成され高比重下部電極１２ｂより厚い高比重上部電極１６ｂと、高比重上部電極１６ｂ上に形成され高比重上部電極１６ｂより比重の小さい低比重上部電極１６ａと、を備えた上部電極１６と、を具備し、下部電極１２と上部電極１６との質量は等しい共振子である。 （もっと読む）

【課題】特定の複酸化物を含有する圧電磁器、及びその製造方法、並びにこの圧電磁器を圧電体として備える圧電素子を提供する。
【解決手段】本発明の圧電磁器は、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉを含むペロブスカイト型結晶構造を有する第１複酸化物と、Ｌｉ_２ＷＯ_４及びＬｉ_２Ｗ_２Ｏ_７のうちの少なくとも一方（第２複酸化物）とを含有する。また、本発明の圧電磁器の製造方法は、第１複酸化物となる原料粉末を混合し、仮焼し、仮焼粉末を成形して成形体とし、この成形体を焼成し、焼成体を分極処理する圧電磁器の製造方法であって、仮焼粉末に第２複酸化物の粉末を配合する。更に、本発明の圧電素子は、本発明の圧電磁器からなる圧電体と、その表面に設けられた一対の電極とを備える。 （もっと読む）

本発明は、高調波モードＨＢＡＲを用いた基礎実体波フィルタであって、電気音響波によって適切に結合されるトランスデューサ（８）及び基板（１２）からそれぞれなる２つのＨＢＡＲ共振子（２０、２２）を含む、基礎実体波フィルタに関する。第一振動子（２０）、第二振動子（２２）及びエバネッセント波によって結合するための要素（２８）は、対向するように配置されると共に同一の基準電極（１０）により同一の剪断又は縦の振動モードを有する波によって圧電トランスデューサ（８）と結合した同一の一体型音響基板（１２）を含む。
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本願は、入力ポート、出力ポート、複数の音響共振器、及び該複数の音響共振器のインピーダンスを整合させるインダクタを有する無線周波数帯域阻止フィルタについて記載する。インダクタは、入力ポートとインダクタとの間の静的キャパシタンスが出力ポートインダクタとの間の静的キャパシタンスと略等しくなるように、複数の音響共振器に対して帯域阻止フィルタ内で位置付けられる。複数の音響共振器は、複数の並列共振器、複数の直列共振器、又は直列共振器及び並列共振器の組合せであってよい。無線周波数帯域阻止フィルタは、弾性表面波（ＳＡＷ）技術、薄膜バルク音響共振器（ＦＢＡＲ）技術、及びバルク音響波（ＢＡＷ）技術のいずれかにより製造される。
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【課題】 生産性を低下することなく挿入損失が少ない特性に優れた小型のフィルタおよびデュプレクサ、ならびにフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルタ１は、共振子１０とキャパシタ３０とを含み、キャパシタ３０は、基板１９の主面上に形成される第１キャパシタ用電極３１と、第１キャパシタ用電極３１上に形成される第１圧電膜１２と同一材料からなる第２圧電膜３２と、第１キャパシタ用電極３１と対向する部分を有するように第２圧電膜３２上に形成される第２キャパシタ用電極３３とを含んで構成される。さらに、ＵＢＭ層２１と同時に、第２キャパシタ用電極３３上に、ピークシフト層３４を設ける。 （もっと読む）

【解決手段】アンテナデュプレクサに、送信周波数帯域において動作しかつ出力端子をもつ送信フィルタと、受信周波数帯域において動作しかつ入力端子をもつ受信フィルタと、前記送信フィルタの出力端子に接続されたアンテナ接続部と、前記アンテナ接続部および前記受信フィルタの入力端子に接続されたマッチング素子とを設置し、マッチング素子に、送信フィルタおよび受信フィルタとともに、０．５０×ｆ_０≦ｆ≦０．７５×ｆ_０（ここで、ｆ_０(受信周波数帯域の中間周波数)は２０００ＭＨｚを上回る）の周波数帯域における送信信号を抑圧させる。 （もっと読む）

【課題】 電極端面を所望の形状にしてスプリアスの少ない薄膜圧電共振器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に下部電極２と圧電膜３を順に積層する第１工程と、圧電膜３の上面に第１端面１０ａを有する第１のマスク１０を形成する第２工程であって、第１端面１０ａは、上下方向から透視した状態で下端部が下部電極２と圧電膜３との重なる部分より内側に位置し、且つ圧電膜３の表面に対してなす角が９０度以下である第１のマスク１０を形成する第２工程と第１のマスク１０上に第２端面１１ａを有する第２のマスク１１を形成する第３工程であって、第２端面１１ａは、上面視した状態で上端部が第１端面１０ａの上端部よりも外側に位置し、且つ第１のマスク１０の表面に対して内角が鈍角をなす第２のマスク１１を形成する第３工程と、圧電膜３上に導電性材料を第１端面と接するように積層する第４工程と、第１のマスク１０と第２のマスク１１とを除去して上部電極４を形成する第５工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子をパッケージに載置する際に、圧電振動子側面がパッケージに接触して特性の劣化を生じるおそれがあるので、それを防止する。
【解決手段】パッケージ１の一方の主面に凹部を持ち、凹部内に段部３，４が対向する辺に沿って形成され、該段部３，４に圧電振動子２を載置し固着材で固着される圧電振動子２の支持構造において、一方の段部３と該凹部の内壁との間に切り欠き部５が形成され、他方の段部４には前記切り欠き部５の該パッケージ１の対角線方向に切り欠き部６が設けられた圧電振動子２の支持構造である。 （もっと読む）