【課題】損失を抑制すること、または帯域特性を制御することが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】第１圧電膜１４と前記第１圧電膜を上下に挟む第１下部電極１２および第１上部電極１６とを含む第１圧電薄膜共振子１０と、前記第１上部電極１６上に設けられたデカプラ膜３０と、前記デカプラ膜上に設けられ、第２圧電膜２４と前記第２圧電膜を上下に挟む第２下部電極２２および第２上部電極２６とを含む第２圧電薄膜共振子２０と、を具備し、前記第１圧電膜および前記第２圧電膜は窒化アルミニウムにより形成されるとともに前記窒化アルミニウムの圧電定数を高める元素を含有する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】リップルの抑制が可能な分波器を提供すること。
【解決手段】本発明は、一端がアンテナ端子Ａｎｔに接続され、他端が送信端子Ｔｘに接続された送信フィルタＦ１３と、一端がアンテナ端子Ａｎｔに接続され、他端が受信端子Ｒｘに接続され、送信フィルタＦ１３の通過帯域より高周波数側に通過帯域を有する受信フィルタＦ１４と、を具備し、送信フィルタＦ１３とアンテナ端子Ａｎｔとの間、及び受信フィルタＦ１４とアンテナ端子Ａｎｔとの間のいずれにも位相器を備えず、受信フィルタＦ１４は、複数の圧電薄膜共振子をラダー型に接続したラダー型フィルタであり、圧電薄膜共振子の共振周波数よりも低周波数側において、圧電薄膜共振子が備える圧電薄膜の厚み方向と直交する方向の伝搬定数が実数であり、アンテナ端子Ａｎｔ側から見た受信フィルタＦ１４の初段の共振子は、並列共振子Ｐ１である分波器。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３０ａ、および支持部３０ａから延出し第１電極２０と対向配置された梁部３０ｂを有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０は、平面視において第２電極３０の外縁の外側に形成された第１側面２２ａと、平面視において第２電極３０の外縁の内側に形成された第２側面２２ｂと、を有し、第１側面２２ａは、基板１０の上面１０ａに対して傾斜し、第２側面２２ｂと第１電極２０の上面２２ｃとは、角部２３を構成している。 （もっと読む）

【課題】縦モード共振器型フィルタを備えた受信側フィルタによりバランス出力すると共に、送信側フィルタの通過域に対して受信側フィルタの通過域を低域側に設定したデュプレクサにおいて、送信側フィルタの通過域において良好な減衰特性を持つ受信側フィルタを提供する。
【解決手段】アンテナポート１と一対のバランス受信ポート３、３との間に、各々ＳＡＷ共振子からなる直列腕２２と並列腕２３とを備えた第１のラダー型フィルタ２４と、縦モード共振器型フィルタ２５とをアンテナポート１側からこの順番で設けると共に、各々のバランス受信ポート３、３と前記縦モード共振器型フィルタ２５とを接続する信号路３６、３６に各々設けられたＳＡＷ共振子からなる直列腕２７、２７と、これら信号路３６、３６間を接続するＳＡＷ共振子からなる並列腕２８とを含む第２のラダー型フィルタ２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】特性が劣化することを抑制しつつ、低背化を実現すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた直列共振子１２および並列共振子１４と、圧電基板１０上に設けられた、直列共振子１２および並列共振子１４と電気的に接続する信号配線２０と、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２を有し空洞３２の上面を覆うように設けられた金属板２８と、圧電基板１０上に、信号配線２０上に位置しない部分に設けられた、金属板２８を支持する支持柱３０と、金属板２８と支持柱３０とを覆うと共に、空洞３２の側面に接する絶縁部３４と、を備える電子部品である。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】一般的な共振回路において可変リアクタンス素子や可変インダクタンス素子を使用することなく、発振周波数やフィルタの周波数特性を制御し得る共振回路、及びかかる共振回路を使用した発振回路やフィルタ等を提供する。
【解決手段】水晶振動子等の圧電振動子やコイル、コンデンサあるいはそれらと等価的な素子を組み合わせた共振回路であって、互いに共振周波数の異なる少なくとも２つの共振回路を組み合わせ、夫々の共振回路の励振電流若しくは電圧を独立に変化させると、複合共振回路全体の反共振周波数を変動させることができる現象を利用して、その周波数特性を自在に調整し得る発振回路やフィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】 ペロブスカイト型の材料に基づく、整合可能なインピーダンスを有するフィルターを備えた、構成要素のインピーダンス整合用装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、入力において第一の出力インピーダンス（Ｚ_１）を有する第一の構成要素（ＰＡ）を備え、出力において第二の入力インピーダンス（Ｚ_２）を有する第二の構成要素（ＡＮＴ）を備え、そしてインピーダンス整合回路を前記第一と第二の構成要素間に備える装置であって、第一及び／又は第二のインピーダンスが変化するため、前記インピーダンス整合回路が、前記第一と第二の構成要素間に位置し、少なくとも２つの音響波用の結合された共振器を含む、第一と第二のインピーダンスに整合可能なインピーダンスを有するフィルター（Ｆ_ａｄｐ）を備え、共振器の少なくとも１つが、ペロブスカイト型の材料と、その誘電率及びインピーダンスを変えることを可能にする、前記共振器に電圧を加える手段とを備えることを特徴とする装置に関する。 （もっと読む）

【課題】共振子同士が互いに結合して共振可能である共振子構造だけを用いて構成しても、急峻性を改善できる弾性波素子を提供する。
【解決手段】隣接して配置された複数の共振子１１ａ，１１ｂ；２１ａ，２１ｂを含み、共振子１１ａ，１１ｂ；２１ａ，２１ｂ同士が互いに結合して共振することにより少なくとも２つ以上の振動モードで励振できる、複数の共振子構造１０，２０を備える。共振子構造１０，２０のうち少なくとも一つ１０は、フィルタ帯域内において一つの振動モードの共振特性が他の振動モードの共振特性よりも強く表れるように電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】温度変化に対して高周波成分除去効果の変化を抑制することができるフィルタ用磁性体を提供する。
【解決手段】本発明は、磁性部材と、磁性部材と一体的に取り付けられ、熱膨張率が磁性部材の熱膨張率と異なる応力発生部材と、を備えたフィルタ用磁性体である。温度変化時に応力発生部材が磁性部材内に応力を発生させ、透磁率の変化を抑制し、高周波成分除去効果の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】エッジマグネトプラズモンの電荷密度を増大させ、次段のエッジチャネル高周波素子に直接に接続することを可能にする。
【解決手段】高周波素子は、二次元電子４の伝導層を含む半導体積層構造３と、二次元電子伝導層の一端に相当する半導体積層構造３の端部に形成された複数の電極７，８とを備える。高周波素子は、二次元電子伝導層に磁場Ｂが印加されることにより、二次元電子伝導層の端に沿ってエッジチャネル９を形成し、複数の電極７，８に電圧が印加されることにより、エッジチャネル９を伝搬するエッジマグネトプラズモンを生成する。 （もっと読む）

【課題】硬質の導電性接着剤により圧電振動素子をセラミックパッケージ内底面に接続しても、熱応力の発生に起因する諸特性の劣化を解決する表面実装型圧電デバイス（振動子、フィルタ）を提供する。
【解決手段】圧電振動素子を表面実装型パッケージ内に片持ち保持で電気的機械的に接続する圧電デバイスであって、前記圧電振動素子の片面上のパッド電極と表面実装型パッケージ内底面上の導通パッドとの接続を硬質の導電性接着剤にて行ったものにおいて、パッド電極上の各導電性接着剤を結ぶ直線の延長上に圧電振動素子の主振動部が位置するように構成した。 （もっと読む）

【課題】信頼性を損なうことなく、かつ綺麗にマーキングを行うことができるパッケージマーキング方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。
【解決手段】ガラスにより形成されているリッド基板の表面に、マーキングを施すためのパッケージマーキング方法において、リッド基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成工程（Ｓ１００）と、薄膜形成工程により形成された薄膜にレーザ光を照射し、薄膜を除去することによりリッド基板の表面にマーキングを施すマーキング工程（Ｓ１２０）とを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を優れたものとしつつ、振動損失を低減することができる振動片、および、この振動片を備える振動デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の振動片は、基部と、基部から延出する振動腕２８、２９、３０と、振動腕２８、２９、３０上に下地層２２１、２３１、２４１と第１の電極層２２２、２３２、２４２と圧電体層２２３、２３３、２４３と第２の電極層２２５、２３５、２４５とがこの順で積層され、第１の電極層２２２、２３２、２４２と第２の電極層２２５、２３５、２４５との間に通電することにより、圧電体層２２３、２３３、２４３を伸縮させて、振動腕２８、２９、３０を屈曲振動させる圧電体素子２２、２３、２４とを有し、下地層２２１、２３１、２４１は、Ｔｉを主材料とする金属で構成されている。 （もっと読む）

【課題】面外方向に屈曲振動する振動腕を備える振動片をパッケージに対して安定的に固定しつつ、振動漏れを抑制することができる振動デバイスを提供すること。
【解決手段】振動片２は、基部２７と、基部２７から延出する振動腕２８、２９、３０と、振動腕２８、２９、３０上に第１の電極層２２１、２３１、２４１と圧電体層２２２、２３２、２４２と第２の電極層２２３、２３３、２４３とがこの順で積層され、第１の電極層２２１、２３１、２４１と第２の電極層２２３、２３３、２４３との間に電圧を印加することにより、圧電体層２２２、２３２、２４２を伸縮させて、振動腕２８、２９、３０を屈曲振動させる圧電体素子２２、２３、２４とを有し、圧電体層２２２、２３２、２４２は、基部２７側から振動腕２８、２９、３０の先端付近に亘って設けられている。 （もっと読む）

【課題】
低背化が可能であり、非常に小型で、且つ、気密封止が可能な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】
第１の半導体基板と、第１の半導体基板上に形成される下部電極と、第１の半導体基板と下部電極との間に形成される空隙部または音響反射層と、下部電極上に形成される圧電薄膜と、圧電薄膜上に形成される上部電極とを有する薄膜圧電共振器が、梯子型または格子型に接続されてなる薄膜圧電フィルタを含む第１の基板と、第２の半導体基板上に電気要素が形成されている第２の基板とが接合され、接合部分は気密封止されている圧電デバイス。 （もっと読む）

【課題】通常のセラミックスの製造プロセスによって、巨大粒子を得ることのできる圧電体およびそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】組成式を（１−α）｛（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_１−ｙＬｉ_ｙ｝ＮｂＯ_３＋αＢａ（Ｍ_、Ｎｂ）Ｏ_３と表したとき、ＭがＦｅ、ＣｏおよびＭｎから選ばれる少なくとも一種であるとともに、０．４６≦ｘ≦０．５４、０．０４≦ｙ≦０．０８、０．００７５≦α≦０．０１２５であることを特徴とする圧電体を用いる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減及び製造効率の向上を図った上で、導通性に優れたガラス基板の製造方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】コンテナ７３内に軸方向に沿って、貫通電極となる線材７２を張架する線材張架工程と、コンテナ７３内に溶融ガラス７１を充填する充填工程と、溶融ガラス７１を硬化させ、線材７２が一体化されたガラス体を形成する硬化工程と、ガラス体を軸方向に直交するように切断する切断工程とを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度での焼成でも安定して焼成可能な大きな結晶粒子を含む圧電磁器およびそれを用いた圧電素子を提供する。
【解決手段】組成式を（１−α）｛（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_１−ｙＬｉ_ｙ｝ＮｂＯ_３＋αＢｉ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）Ｏ_３と表したとき、０．４６≦ｘ≦０．５６、０．０３≦ｙ≦０．０６、０．００４５≦α≦０．００５５である成分１００質量部に対して、ＭｎをＭｎＯ_２換算で０．０〜０．５質量部含有することを特徴とする圧電磁器１を用いる。 （もっと読む）