電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイス
【課題】特性が劣化することを抑制しつつ、低背化を実現すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた直列共振子１２および並列共振子１４と、圧電基板１０上に設けられた、直列共振子１２および並列共振子１４と電気的に接続する信号配線２０と、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２を有し空洞３２の上面を覆うように設けられた金属板２８と、圧電基板１０上に、信号配線２０上に位置しない部分に設けられた、金属板２８を支持する支持柱３０と、金属板２８と支持柱３０とを覆うと共に、空洞３２の側面に接する絶縁部３４と、を備える電子部品である。
【解決手段】本発明は、圧電基板１０上に設けられた直列共振子１２および並列共振子１４と、圧電基板１０上に設けられた、直列共振子１２および並列共振子１４と電気的に接続する信号配線２０と、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２を有し空洞３２の上面を覆うように設けられた金属板２８と、圧電基板１０上に、信号配線２０上に位置しない部分に設けられた、金属板２８を支持する支持柱３０と、金属板２８と支持柱３０とを覆うと共に、空洞３２の側面に接する絶縁部３４と、を備える電子部品である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイスに関し、特に、素子の機能部上に空洞を有する電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの小型化の要求が強く、それに伴い電子部品の小型化も求められている。例えば、弾性波を用いたフィルタや分波器等においても小型化が求められている。弾性波を用いた弾性波素子として、弾性表面波を用いた弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、圧電薄膜を用いた圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）素子等がある。
【０００３】
電子部品の小型化の要求に対して、基板上に設けられた素子を覆うように樹脂を設けることで素子を封止し、樹脂をパッケージの代わりとして利用するウエハレベルパッケージが開発されている。また、例えば素子として弾性波素子を用いる場合には、弾性波素子の特性を維持するために、弾性波素子の機能部上に空洞を設けることが求められ、例えば弾性波素子の機能部上に空洞を有する樹脂部を設けた構造（いわゆる中空構造）が提案されている。弾性波素子の機能部としては、弾性表面波素子では櫛型電極（ＩＤＴ：Interdigital Transducer）の電極指であり、圧電薄膜共振器素子では圧電薄膜を挟み込む上下電極の重なる領域である。
【０００４】
弾性波素子の機能部上に空洞を有する樹脂部を形成する方法として、空洞となる凹部が形成された樹脂シートを、弾性波素子が形成された基板に貼り合わせる方法が知られている（例えば、特許文献１）。また、弾性波素子の機能部上に空洞を有する樹脂部を形成し、空洞上に位置する樹脂部内に金属層を形成することが知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１７５３４５号公報
【特許文献２】特開２００８−２２７７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、小型化に伴う低背化により、十分な強度の空洞が得られない場合がある。一方、特許文献２のように、空洞の上方に位置する樹脂部内に金属層を設ける構成とすることで、空洞の強度を強くすることができる。
【０００７】
しかしながら、特許文献２では、金属層を含む樹脂を、弾性波素子が形成された圧電基板に貼り付けることで形成しているが、この方法では、樹脂は柔らかいことから、弾性波素子に対して高さ方向および水平方向で、金属層の位置がずれてしまう場合がある。低背化により、弾性波素子と金属層との距離が近い場合には、金属層の位置ずれにより容量が変動してしまい、特性が劣化する場合がある。また、金属層を支える樹脂が信号配線上に位置するため、信号配線と樹脂との間の容量の影響による特性の劣化もある。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、特性が劣化することを抑制しつつ、低背化を実現することが可能な電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板上に設けられた素子と、前記基板上に設けられた、前記素子と電気的に接続する信号配線と、前記素子の機能部上に空洞を有し前記空洞の上面を覆うように設けられた金属板と、前記基板上に、前記信号配線上に位置しない部分に設けられた、前記金属板を支持する支持柱と、前記金属板と前記支持柱とを覆うと共に、前記空洞の側面に接する絶縁部と、を備えることを特徴とする電子部品である。本発明によれば、金属板の位置ずれを抑制でき、また、支持柱と信号配線との間の容量を低減できるため、特性が劣化することを抑制できる。また、金属板で空洞を形成するため、空洞の強度を強くでき、低背化が実現できる。
【００１０】
上記構成において、前記支持柱は、金属製である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記支持柱は、前記金属板の対向する辺夫々に沿って、前記辺の長さよりも短い長さで設けられている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記基板上に前記絶縁部を貫通して設けられた、前記素子と外部とを電気的に接続する接続端子を備え、前記基板から前記接続端子の上面までの高さと、前記基板から前記金属板の上面までの高さと、は同じである構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記金属板は、グランドに接続する前記接続端子と電気的に接続する構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記金属板は、前記グランドに接続する接続端子上に延在して、前記グランドに接続する接続端子と接することで、前記グランドに接続する接続端子と電気的に接続する構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記絶縁部は、前記空洞の側面に接する樹脂膜を有する構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記絶縁部は、前記空洞の側面に接する無機膜を有する構成とすることができる。
【００１７】
上記構成において、前記金属板に貫通孔が設けられている構成とすることができる。
【００１８】
上記構成において、前記金属板は、分割された複数の分割板で構成される構成とすることができる。
【００１９】
上記構成において、前記基板は圧電基板であり、前記素子は弾性波素子である構成とすることができる。
【００２０】
上記構成において、前記弾性波素子は弾性表面波素子であり、前記支持柱の高さは、前記弾性表面波素子の電極指の厚さの５倍以上である構成とすることができる。
【００２１】
本発明は、上記記載の電子部品が実装されたプリント配線基板を備えることを特徴とする電子デバイスである。本発明によれば、特性が劣化することを抑制し、且つ低背化を実現することができる。
【００２２】
上記構成において、前記電子部品は、前記プリント配線基板に埋め込まれていて、前記絶縁部は、前記電子部品全体を覆うように設けられている構成とすることができる。
【００２３】
本発明は、基板上に素子を形成する工程と、前記基板上に前記素子と電気的に接続する信号配線を形成する工程と、前記基板上に、前記信号配線上に位置しない部分に、支持柱を形成する工程と、前記支持柱上に、前記素子の機能部上に空洞を有し前記空洞の上面を覆う金属板を形成する工程と、前記支持柱を形成する工程と前記金属板を形成する工程との後、前記金属板と前記支持柱とを覆うと共に、前記空洞を保つように前記空洞の側面に接する絶縁部を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法である。本発明によれば、金属板の位置ずれを抑制でき、また、支持柱と信号配線との間の容量を低減できるため、特性が劣化することを抑制できる。また、金属板で空洞を形成するため、空洞の強度を強くでき、低背化が実現できる。
【００２４】
上記構成において、前記支持柱を形成する工程は、前記金属板の対向する辺夫々に沿って、前記辺の長さよりも短い長さの前記支持柱を形成する構成とすることができる。
【００２５】
上記構成において、前記絶縁部を形成する工程は、前記金属板と前記支持柱とを覆い、前記空洞の側面に接するように樹脂シートを前記基板に圧着する工程を有する構成とすることができる。
【００２６】
上記構成において、前記絶縁部を形成する工程は、前記金属板と前記支持柱とを覆い、前記空洞の側面に接するように無機膜を成膜する工程を有する構成とすることができる。
【００２７】
上記構成において、前記基板上に、前記素子と外部とを電気的に接続する接続端子を形成する工程を有し、前記支持柱を形成する工程および前記金属板を形成する工程と、前記接続端子を形成する工程と、は同時に実行される構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、特性が劣化することを抑制し、且つ低背化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの上面図の例であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における金属板を透視した上面図の例である。
【図２】図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図の例であり、図２（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例であり、図２（ｃ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ断面図の例である。
【図３】図３（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その１）の例であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その２）の例であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図４（ｃ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図５】図５（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その３）の例であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図６】図６（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その４）の例であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図６（ｃ）は、図６（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図７】図７（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その５）の例であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図７（ｃ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図８】図８（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その６）の例であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図８（ｃ）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図９】図９（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その７）の例であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図９（ｃ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、金属柱と金属板との１回のめっきにより形成する製造方法を示す断面図の例である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの断面図の例である。
【図１２】図１２（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その１）の例であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１２（ｃ）は、図１２（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１３】図１３（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その２）の例であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１３（ｃ）は、図１３（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１４】図１４（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その３）の例であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１４（ｃ）は、図１４（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１５】図１５（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その４）の例であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１５（ｃ）は、図１５（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１６】図１６（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その５）の例であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１６（ｃ）は、図１６（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１７】図１７（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その６）の例であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１７（ｃ）は、図１７（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１８】図１８は、実施例３に係るラダー型フィルタの上面図の例である。
【図１９】図１９は、実施例４に係るラダー型フィルタの上面図の例である。
【図２０】図２０は、実施例５に係る弾性波デバイスの断面図の例である。
【図２１】図２１は、実施例６に係る弾性波デバイスの断面図の例である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００３１】
図１（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの上面図（絶縁部を透視して図示）の例であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における金属板２８を透視した上面図の例である。図１（ｂ）のように、直列に接続された共振子（これを直列共振子１２という）と、直列共振子１２に対して並列に接続された共振子（これを並列共振子１４という）と、が設けられている。直列共振子１２および並列共振子１４は共に、一対の反射電極１６とそれらの間に設けられた櫛型電極（ＩＤＴ）１８とで構成された弾性表面波素子である。櫛型電極１８は、入力側および出力側の２つの電極が向き合って、それぞれの電極指が互い違いに並ぶように配置されている。
【００３２】
直列に接続された複数の直列共振子１２のうち両端に位置する直列共振子１２の一方の直列共振子１２の入力側の電極には直列配線１９と端子電極４２とを介して入力端子２２が接続され、他方の直列共振子１２の出力側の電極には直列配線１９と端子電極４２とを介して出力端子２４が接続されている。直列共振子１２同士は、夫々の出力側の電極と入力側の電極とが直列配線１９により互いに接続している。並列共振子１４の入力側の電極は、直列配線１９に接続する並列配線２１に接続している。並列共振子１４の出力側の電極は、グランド配線２３と端子電極４２とを介してグランド端子２６に接続している。直列配線１９と並列配線２１とは、入力端子２２から入力された高周波信号を伝搬する。ここで、入力端子と共振子、共振子同士、および共振子と出力端子を接続する配線を信号配線といい、信号配線は入力端子から入力された高周波信号を伝搬する。したがって、直列配線１９と並列配線２１とは信号配線２０である。入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６は、共振子と外部とを電気的に接続させる接続端子である。
【００３３】
直列共振子１２および並列共振子１４の上方に配置される金属板２８（図１（ａ）を参照）を支持する複数の金属製の支持柱３０が、金属板２８の対向する辺２９、３１夫々に沿って、辺２９、３１の長さよりも短い長さで、散在して設けられている。支持柱３０は、直列共振子１２および並列共振子１４に、直列共振子１２および並列共振子１４を伝搬する弾性波の伝搬方向で隣接して設けられている。即ち、支持柱３０は、信号配線２０上には設けられておらず、信号配線２０から離れている。支持柱３０の高さは、例えば１０μｍから３０μｍであり、これにより、金属板２８と直列共振子１２および並列共振子１４とは、例えば１０μｍから３０μｍ離れている。
【００３４】
図１（ａ）のように、金属板２８は、グランド端子２６上に延在しており、グランド端子２６に接している。また、金属板２８は、グランド端子２６によっても支持されている。これにより、金属板２８とグランド端子２６とは電気的に接続している。一方、金属板２８は、入力端子２２および出力端子２４上には延在していない。つまり、金属板２８と入力端子２２および出力端子２４とは電気的に非接続である。
【００３５】
図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図の例であり、図２（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例であり、図２（ｃ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ断面図の例である。なお、図２（ａ）から図２（ｃ）においては、図１（ａ）で透視した絶縁部３４についても図示している。図２（ａ）のように、圧電基板１０上に、直列共振子１２および並列共振子１４が設けられている。直列共振子１２および並列共振子１４夫々の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２が形成されるよう、圧電基板１０上に設けられた支持柱３０により支持されて金属板２８が設けられている。つまり、金属板２８は、直列共振子１２および並列共振子１４夫々の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２を有し空洞３２の上面を覆うように設けられている。図２（ｃ）のように、信号配線２０上には支持柱３０が設けられてなく且つ金属板２８が支持柱３０により支持されていることで、金属板２８と信号配線２０との間には空洞３２が形成されている。
【００３６】
図２（ａ）から図２（ｃ）のように、金属板２８および支持柱３０を覆うように、圧電基板１０上に絶縁部３４が設けられていて封止している。絶縁部３４は、例えば樹脂膜で形成されている。また、絶縁部３４は、櫛型電極１８の電極指上に設けられた空洞３２の側面の一部に接して覆うように設けられている。入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６は、絶縁部３４を貫通して設けられていて、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の夫々の上面には、半田ボール３６が設けられている。半田ボール３６は絶縁部３４の上面よりも突出している。これにより、直列共振子１２および並列共振子１４と外部とを電気的に接続することができる。
【００３７】
図２（ａ）のように、支持柱３０と圧電基板１０との間には、給電配線３８と下地電極４０とが設けられている。図２（ｂ）のように、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６と圧電基板１０との間には、給電配線３８と端子電極４２とが設けられている。図２（ａ）および図２（ｂ）のように、圧電基板１０の上面から金属板２８の上面までの高さＸ１と、圧電基板１０の上面から入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６夫々の上面までの高さＸ２とは、ほぼ同じである。
【００３８】
次に、図３（ａ）から図９（ｃ）を用いて、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を説明する。実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法は、多面取り構造を用いた製造方法であり、量産性の向上およびチップ単価の製造コストを下げることが可能である。
【００３９】
図３（ａ）から図３（ｃ）のように、ウエハ状の例えばＬｉＴａＯ３（ＬＴ）である圧電基板１０の上面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属のパターンからなる直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、グランド配線２３、およびめっき用の給電配線３８を形成する。直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、グランド配線２３、および給電配線３８の形成は、例えば蒸着法またはスパッタ法によりＡｌを成膜した後、所望の形状にドライエッチングすることで形成できる、また、リフトオフ法を用いてもよい。
【００４０】
図４（ａ）から図４（ｃ）のように、支持柱３０を形成すべき領域に下地電極４０を、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域に端子電極４２を形成する。下地電極４０および端子電極４２は、例えばＣｕ（銅）等の金属からなる。下地電極４０および端子電極４２の形成は、例えば蒸着法およびリフトオフ法を用いて形成できる。
【００４１】
図５（ａ）から図５（ｃ）のように、圧電基板１０上に、例えばネガ型感光性のめっきレジスト４４を塗布して、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域が開口するようにパターニングをする。めっきレジスト４４の厚さは、例えば１０μｍから３０μｍである。その後、例えば電解めっき法を用いて、めっきレジスト４４の開口部に埋め込まれるようにＣｕ膜等の金属膜を形成する。これにより、支持柱３０と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の一部である入力端子２２ａ、出力端子２４ａ、およびグランド端子２６ａと、が形成される。支持柱３０は、信号配線２０上に位置しない部分に、金属板２８の対向する辺夫々に沿って、その辺の長さよりも短い長さで散在するように複数形成する。
【００４２】
図６（ａ）から図６（ｃ）のように、例えば蒸着法またはスパッタ法を用いて、全面にＣｕめっき等のめっき金属用のシードメタル４６を成膜する。シードメタル４６の厚さは、例えば１００ｎｍ程度である。その後、厚さが例えば５μｍから３０μｍのめっきレジスト４４を塗布して、金属板２８、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域が開口するようにパターニングをする。その後、例えば電解めっき法を用いて、めっきレジスト４４の開口部に埋め込まれるようにＣｕ膜等の金属膜を形成し、金属板２８と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の一部である入力端子２２ｂ、出力端子２４ｂ、およびグランド端子２６ｂと、を形成する。
【００４３】
図７（ａ）から図７（ｃ）のように、例えばレジスト剥離液による超音波洗浄、あるいは、さらに酸素プラズマアッシングを併用する方法を用いて、めっきレジスト４４を除去する。金属板２８は、複数の支持柱３０で支持されていることから、圧電基板１０と金属板２８との間にもレジスト剥離液等が浸透し、圧電基板１０と金属板２８との間のめっきレジスト４４も除去できる。これにより、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極の電極指上に空洞３２が形成される。また、めっきレジスト４４に挟まれたシードメタル４６は、膜厚が薄いことから、めっきレジスト４４の剥離時に同時に除去される。なお、入力端子２２ａ、２２ｂとその間のシードメタル４６とにより、入力端子２２が構成される。同様に、出力端子２４ａ、２４ｂとその間のシードメタル４６とにより出力端子２４が構成され、グランド端子２６ａ、２６ｂとその間のシードメタル４６とによりグランド端子２６が構成される。また、金属板２８下のシードメタル４６を含めて、金属板２８となる。
【００４４】
図８（ａ）から図８（ｃ）のように、金属板２８、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を覆うように、例えば熱可塑性の液晶ポリマーシートからなる樹脂シートを圧電基板１０上に熱圧着し、金属板２８、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を覆う樹脂膜からなる絶縁部３４を形成する。圧電基板１０上に樹脂シートを熱圧着させることで、金属板２８と直列共振子１２および並列共振子１４との間の空洞３２に樹脂が流れ込むことが抑制されて空洞３２を保つことができる。これにより、樹脂膜からなる絶縁部３４は空洞３２の側面に接することとなる。なお、樹脂シートは、熱可塑性の樹脂シートに限らず、熱硬化性の樹脂シートである場合でもよく、吸湿性が低く、接着性が高い樹脂シートである場合が好ましい。また、感光性を有していてもよい。
【００４５】
図９（ａ）から図９（ｃ）のように、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６上の絶縁部３４を、例えばレーザドリリングにより除去し、その後、樹脂の残渣を取り除くために、例えばデスミア処理を行う。絶縁部３４を構成する樹脂膜が感光性を有する場合は、露光現像により各端子上の樹脂を取り除いてもよい。この場合、デスミア処理は必要ない。レーザドリリング等の方法により除去した領域に、例えば半田ペーストの印刷およびリフローにより、半田ボール３６を形成する。または、給電配線３８を再度用いて、ＳｎＡｇめっきを行ってレーザドリリング等の方法により除去した領域に半田の充填を行い、その後、リフローして半田ボール３６を形成してもよい。さらにまた、フラックスの印刷および半田ボールの実装およびリフローで半田ボール３６を形成してもよい。その後、ダイシングによりウエハ状から個片化する。個片化することで、余分な給電配線３８が除去される。以上により、実施例１に係るラダー型フィルタが完成する。
【００４６】
以上のように、実施例１によれば、図５（ａ）から図６（ｃ）で説明したように、圧電基板１０上に複数の支持柱３０を形成した後、支持柱３０上に、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２を有し空洞３２の上面を覆う金属板２８を形成する。そして、図８（ａ）から図８（ｃ）で説明したように、支持柱３０および金属板２８を形成した後、金属板２８と支持柱３０とを覆い、空洞３２を保つように空洞３２の側面に接する樹脂膜からなる絶縁部３４を形成する。これにより、図２（ａ）のように、圧電基板１０上に形成された直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２が形成される。空洞３２の上面は、支持柱３０に支持された金属板２８が接して覆うように設けられ、空洞３２の側面は、樹脂膜からなる絶縁部３４が接して覆うように設けられる。
【００４７】
発明が解決しようとする課題で述べたように、金属層を有する樹脂を、弾性表面波素子が形成された圧電基板上に貼り付ける場合は、樹脂が柔らかいため、金属層が弾性表面波素子に対して高さ方向および水平方向に位置ずれする場合がある。しかしながら、実施例１のように、支持柱３０上に金属板２８を形成することで、金属板２８の形成位置を精度よく制御でき、金属板２８に位置ずれが生じることを抑制できる。例えば、めっき法を用いて金属製の支持柱３０とその上の金属板２８を形成することで、金属板２８の位置ずれを抑制できる。これにより、ラダー型フィルタの特性劣化をより抑制できる。また、金属板２８で空洞３２を形成することで、空洞３２の強度を強くすることができ、ラダー型フィルタの低背化が実現できる。
【００４８】
支持柱３０は、金属製である場合に限られず、絶縁材で形成されている場合でもよい。また、樹脂からなる支持柱上に金属板を形成した場合、樹脂が柔らかいために、金属板が共振子に対して高さ方向および水平方向で位置ずれする場合がある。よって、支持柱３０は、樹脂以外の材料で形成されている場合が好ましい。金属板２８の位置ずれを抑制する観点から、支持柱３０は、樹脂よりも硬い材料で形成されている場合が好ましい。
【００４９】
また、図２（ｃ）のように、支持柱３０は、信号配線２０上に位置しない部分に形成されている。例えば、金属板２８を支持するために、直列共振子１２および並列共振子１４の周囲を完全に取り囲むように支持柱３０を設けることが考えられる。この場合、支持柱３０は信号配線２０上にも設けられるため、支持柱３０と信号配線２０との間の容量の影響が生じ、フィルタ特性が劣化する場合がある。支持柱３０が金属製の場合に限らず、絶縁材で形成した場合であっても、信号配線２０上に支持柱３０を設けると、誘電率の影響により、支持柱３０と信号配線２０との間に容量が生じて、フィルタ特性が劣化する場合がある。したがって、実施例１のように、信号配線２０上に支持柱３０を設けない構造とすることで、信号配線２０と支持柱３０との間の容量を低減でき、フィルタ特性の劣化を抑制できる。
【００５０】
支持柱３０は、フィルタ特性の劣化を抑制する観点からは、全ての信号配線２０上に設けられていない場合が好ましいが、一部の信号配線２０上に支持柱３０が設けられている場合でもよい。この場合、フィルタ特性への影響が大きい箇所の信号配線２０上には支持柱３０が設けられてなく、フィルタ特性への影響が小さい箇所の信号配線２０上に支持柱３０が設けられている場合が好ましい。例えば、直列配線１９上には支持柱３０が設けられてなく、並列配線２１上に支持柱３０が設けられていてもよい。
【００５１】
図２（ａ）および図２（ｃ）のように、金属板２８と、直列共振子１２、並列共振子１４、および信号配線２０と、の間は、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）離れている。金属板２８がグランドに接続されていない場合またはグランドへの接続が不十分の場合、金属板２８が直列共振子１２、並列共振子１４、および信号配線２０に近づくほど、金属板２８と直列共振子１２、並列共振子１４、および信号配線２０との間の容量が大きくなり、ラダー型フィルタの特性に影響を及ぼすこととなる。電極指の膜厚は、使用される周波数に影響し、周波数が高くなるほど電極指の膜厚は小さくなる。支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、使用される周波数によって適切な高さも影響を受ける。したがって、ラダー型フィルタの特性を考慮すると、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、電極指の膜厚の５０倍以上離れている場合が好ましく、７５倍以上離れている場合がより好ましい。例えば、１０μｍ以上離れている場合が好ましく、１５μｍ以上離れている場合がより好ましい。また、支持柱３０が高くなると、絶縁部３４を形成する際に、樹脂が空洞３２内に流れ込む場合がある。したがって、支持柱３０の高さは、樹脂膜からなる絶縁部３４の形成において、樹脂が空洞３２内に形成された共振子に接触しない程度の流れ込みに抑えられる高さ以下である場合が好ましい。例えば、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、電極指の膜厚の１５０倍以下である場合が好ましく、１００倍以下である場合がより好ましい。
【００５２】
一方、金属板２８が確実にグランドに接続され、グランドに確実に落ちている場合は、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）が、電極指の膜厚の５倍である場合でも、良好なフィルタ特性を得ることができる。即ち、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、電極指の膜厚の５倍以上とすることができ、７．５倍以上とする場合がより好ましく、例えば１μｍ以上とすることができ、１．５μｍ以上とすることがより好ましい。
【００５３】
金属板２８をグランドに落とすために、金属板２８をグランド端子２６に電気的に接続する場合が好ましい。例えば、図１（ａ）のように、金属板２８が、グランド端子２６上に延在して設けられ、グランド端子２６と接することで、グランドに落ちている場合が好ましい。この場合、支持柱３０が金属製であっても絶縁材で形成されている場合であっても、金属板２８をグランドに落とすことができる。また、金属板２８をグランド端子２６上に延在して設けることができない場合は、他のルートにより金属板２８をグランドに落とす場合でもよい。例えば、支持柱３０が金属製である場合は、支持柱３０をグランド配線２３上に設ける構造として、金属板２８をグランドに落としてもよい。このように、金属板２８をグランドに落とすことで、金属板２８に覆われた直列共振子１２および並列共振子１４をシールドする効果も得られる。
【００５４】
図８（ａ）から図８（ｃ）で説明したように、熱可塑性の液晶ポリマーシートからなる樹脂シートを、金属板２８および支持柱３０を覆い、空洞３２の側面に接するように圧電基板１０に圧着することで、金属板２８と支持柱３０とを覆って封止する樹脂膜からなる絶縁部３４を形成している。液晶ポリマーシートからなる樹脂シートは粘度がある程度大きいため、空洞３２内部への流れ込みが抑制され、空洞３２を保つように空洞３２の側面に接する絶縁部３４を形成することができる。この観点から、絶縁部３４の形成に当っては、樹脂シートを圧電基板１０に圧着させる場合に限らず、空洞３２内部の共振子に接触しない程度にしか流れ込まない高い粘度を有する液状樹脂を、金属板２８と支持柱３０とを覆うように塗布する場合でもよい。また、例えばフィラー等を混入させた液状樹脂を用いる場合でもよい。フィラーは、例えば空洞３２の高さよりも大きな直径を有する場合が好ましい。これらの場合でも、空洞３２内には、樹脂が空洞３２内部の共振子に接触しない程度にしか流れ込まずに、空洞３２を保つように空洞３２の側面に接する絶縁部３４を形成できる。
【００５５】
図５（ａ）から図５（ｃ）で説明したように、支持柱３０は、めっき法により、金属板２８の対向する辺２９、３１夫々に沿って、辺２９、３１の長さよりも短い長さで、散在して複数形成している。このような支持柱３０を形成することで、図７（ａ）から図７（ｃ）で説明しためっきレジスト４４の除去において、金属板２８と圧電基板１０との間にもレジスト剥離液等が入り込み易くなり、金属板２８と圧電基板１０との間のめっきレジスト４４を容易に除去できる。したがって、支持柱３０の長さは、金属板２８の対向する辺２９、３１の長さの半分よりも短い長さである場合が好ましく、１／４よりも短い長さである場合がより好ましい。また、支持柱３０を、金属板２８の対向する辺２９、３１夫々に設けることで、金属板２８を安定して支持することができる。
【００５６】
図５（ａ）から図６（ｃ）で説明したように、支持柱３０とその上の金属板２８との形成と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の接続端子の形成と、は同時に行われる。したがって、図２（ａ）および図２（ｂ）に示したように、圧電基板１０の上面から金属板２８の上面までの高さＸ１と、圧電基板１０の上面から入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の上面までの高さＸ２とは、ほぼ同じ高さになる。このように、支持柱３０とその上の金属板２８との形成と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の接続端子の形成と、を同時に実行することで、製造工程の簡略化ができる。
【００５７】
実施例１では、図５（ａ）から図６（ｃ）で説明したように、支持柱３０を形成するためのめっき工程と、金属板２８を形成するためのめっき工程と、を別々の工程に分けて行ったが、支持柱３０と金属板２８とを１回のめっき工程で行う場合でもよい。図１０（ａ）から図１０（ｄ）に、１回のめっき工程により支持柱３０と金属板２８とを形成する例を示す。図１０（ａ）のように、圧電基板１０上に、支持柱３０を形成すべき領域が開口しためっきレジスト４４を形成する。図１０（ｂ）のように、全面にＣｕめっき用のシードメタル４６を形成する。図１０（ｃ）のように、シードメタル４６上に、金属板２８を形成すべき領域が開口しためっきレジスト４４を形成する。図１０（ｄ）のように、例えば電解めっき法により、めっきレジスト４４の開口部にＣｕ膜を埋め込み、支持柱３０と金属板２８とを同時に形成する。
【００５８】
また、ラダー型フィルタに接続するコイル、コンデンサ、あるいは伝送線路等の受動素子を、支持柱３０と金属板２８との形成と同時に、支持柱３０と金属板２８と同じ金属で形成してもよい。
【００５９】
図１（ａ）のように、金属板２８は、複数の直列共振子１２および並列共振子１４をまとめて覆うように設けられている場合を例に示したが、これに限られない。複数の直列共振子１２および並列共振子１４夫々を個別に覆う金属板２８が複数設けられている場合でもよい。
【００６０】
また、圧電基板１０は、ＬＴのほかにＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）、ＺｎＯ、ＫＮｂＯ３、およびＬＢＯ等を用いることもできる。また、櫛型電極１８および反射電極１６は、Ａｌの他に、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、およびＴｉを用いて形成することもできる。
【００６１】
実施例１では、圧電基板１０上に弾性表面波素子である直列共振子１２と並列共振子１４とが形成されたラダー型フィルタの場合を例に示したが、多重モード型フィルタ、デュアルフィルタ、分波器の場合でもよい。また、素子としては、弾性表面波素子を用いた場合に限らず、圧電薄膜共振器素子等を用いた場合でもよい。さらに、弾性波を利用しない電子部品の場合であっても、基板上に形成された素子の機能部上に空洞を設ける電子部品の場合であればよい。この場合、信号配線は、基板上に設けられた素子同士を接続する配線、素子と入力端子を接続する配線、素子と出力端子を接続する配線等が相当し、電気信号を伝搬する。
【実施例２】
【００６２】
図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間からＣ−Ｃ間に相当する箇所における実施例２に係るラダー型フィルタの断面図の例である。図１１（ａ）から図１１（ｃ）のように、実施例２に係るラダー型フィルタは、絶縁部３４が、例えばシリコン酸化膜等の無機膜４９とそれを覆う樹脂膜５１とで構成されていて、無機膜４９が、空洞３２の側面の一部に接して覆うように設けられている。また、金属板２８と直列共振子１２、並列共振子１４、および信号配線２０との間の距離は、例えば１μｍ程度である。その他の構成は、図１（ａ）から図２（ｃ）で示した実施例１に係るラダー型フィルタと同じであるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００６３】
図１２（ａ）から図１７（ｃ）を用いて、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を説明する。まず、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法で説明した図３（ａ）から図４（ｃ）の工程を実施して、圧電基板１０上に、直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、グランド配線２３、給電配線３８、下地電極４０、および端子電極４２を形成する。
【００６４】
図１２（ａ）から図１２（ｃ）のように、圧電基板１０上に、例えばフォトレジスト４７を塗布して、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域が開口するようにパターニングする。フォトレジスト４７の厚さは、例えば３μｍから６μｍである。その後、例えば蒸着法を用いて、フォトレジスト４７の開口部に埋め込まれるように総膜厚が１μｍとなるＣｕ膜等の金属膜を形成する。これにより、支持柱３０と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の一部である入力端子２２ａ、出力端子２４ａ、およびグランド端子２６ａと、が形成される。
【００６５】
図１３（ａ）から図１３（ｃ）のように、フォトレジスト４７をリフトオフして不要な金属膜を除去する。次に、再度フォトレジスト４７を１μｍ程度の厚さで塗布する。エッチバック等の手法を用いて、支持柱３０、入力端子２２ａ、出力端子２４ａ、およびグランド端子２６ａの表面を露出させる。
【００６６】
図１４（ａ）から図１４（ｃ）のように、例えば蒸着法またはスパッタ法を用いて、全面にＣｕめっき等のめっき金属用のシードメタル４６を成膜する。その後、厚さが例えば５μｍから３０μｍのめっきレジスト４４を塗布して、金属板２８、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域が開口するようにパターニングする。その後、例えば電解めっき法を用いて、めっきレジスト４４の開口部に埋め込まれるようにＣｕ膜等の金属膜を形成し、金属膜２８と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の一部である入力端子２２ｂ、出力端子２４ｂ、およびグランド端子２６ｂと、を形成する。
【００６７】
図１５（ａ）から図１５（ｃ）のように、例えばレジスト剥離液による超音波洗浄等を用いて、めっきレジスト４４およびフォトレジスト４７を除去する。金属板２８は、複数の支持柱３０で支持されていることから、圧電基板１０と金属板２８との間にもレジスト剥離液等が浸透し、圧電基板１０と金属板２８との間のフォトレジスト４７も除去できる。これにより、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極の電極指上に空洞３２が形成される。また、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６が形成される。
【００６８】
図１６（ａ）から図１６（ｃ）のように、例えばスパッタ法またはＳＯＧ（spin coating on glass）塗布法により、金属板２８、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を覆い、空洞３２の側面に接するように、酸化シリコン膜等の無機膜４９を例えば２〜３μｍ程度成膜する。支持柱３０の高さが１μｍと低いことから、金属板２８と直列共振子１２および並列共振子１４との間の空洞３２に無機膜４９が入ってきても、直列共振子１２および並列共振子１４に接触しない程度に抑制され、空洞３２を保つことができる。
【００６９】
図１７（ａ）から図１７（ｃ）のように、表面の平坦性を兼ねた感光性の樹脂膜５１を塗布する。これにより、無機膜４９と樹脂膜５１とからなる絶縁部３４が形成される。露光現像により、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６上の樹脂膜５１を除去する。続いて、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６上の無機膜４９を、ＣＦ４等のフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより除去する。次いで、前述したような方法により、半田ボール３６を形成する。その後、ダイシングによりウエハ状から個片化して、実施例２に係るラダー型フィルタが完成する。
【００７０】
実施例２によれば、図１６（ａ）から図１６（ｃ）に示したように、金属板２８や支持柱３０等を覆うように酸化シリコン膜等の無機膜４９を成膜している。つまり、絶縁部３４は、酸化シリコン膜等の無機膜４９を含み、無機膜４９と樹脂膜５１とで形成される。そして、無機膜４９が空洞３２の側面に接して覆うように設けられている。このように、無機膜４９が空洞３２の側面に接して覆うように設けられていることで、空洞３２の気密性を向上できるため、共振子の信頼性をより向上させることができる。このように絶縁部３４は、樹脂以外の絶縁材を含んで形成されている場合でもよく、樹脂以外の絶縁材のみで形成されている場合でもよい。
【００７１】
また、支持柱３０の高さは、無機膜４９の成膜において、無機膜４９が空洞３２内に形成された共振子に接触しない程度の流れ込みに抑えられる高さ以下である場合が好ましい。例えば、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、電極指の膜厚の１５倍以下である場合が好ましく、１０倍以下である場合がより好ましい。
【実施例３】
【００７２】
図１８は、実施例３に係るラダー型フィルタの上面図（絶縁部を透視して図示）の例である。図１８のように、金属板２８に複数の貫通孔４８が設けられている。その他の構成は、実施例１に係るラダー型フィルタと同じであるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００７３】
複数の貫通孔４８が設けられた金属板２８は、図６（ａ）から図６（ｃ）に示した製造工程において、貫通孔４８を形成すべき箇所にめっきレジスト４４を残存させて、Ｃｕめっきを実行することで形成できる。
【００７４】
このように、実施例３によれば、金属板２８に貫通孔４８が設けられている。これにより、図７（ａ）から図７（ｃ）に示しためっきレジスト４４の除去において、圧電基板１０と金属板２８との間に形成されためっきレジスト４４を容易に除去することができる。また、金属板２８の強度が高すぎる場合、金属板２８とそれを支える支持柱３０との間に応力が集中してしまい、金属板２８の剥離が生じる場合がある。よって、金属板２８に貫通孔４８を設けて、金属板２８の強度を下げることで、金属板２８の剥離を抑制できる。
【００７５】
貫通孔４８は、めっきレジスト４４の除去を容易にする点および金属板２８の剥離を抑制する点から、複数設けられている場合が好ましい。複数の貫通孔４８は、規則的に配置されていても、不規則に配置されていてもよいが、めっきレジスト４４の除去を容易にする点および金属板２８と支持柱３０との間の応力の集中を抑制する点からは、規則的に配置されている場合が好ましい。また、金属板２８を覆うように絶縁部３４が設けられることから、金属板２８に設けられる貫通孔４８の大きさは、樹脂が流れ込まない程度の大きさである場合が好ましい。例えば、貫通孔４８の直径は、支持柱３０の高さと同程度かそれ以下である場合が好ましい。
【実施例４】
【００７６】
図１９は、実施例４に係るラダー型フィルタの上面図（絶縁部を透視して図示）の例である。図１９のように、金属板２８は、分割された金属製の分割板２８ａと２８ｂとで構成される。即ち、分割板２８ａと２８ｂとは、物理的且つ電気的に分離されている。その他の構成は、実施例１に係るラダー型フィルタと同じであるため、ここでは詳細な説明は省略する。
【００７７】
分割板２８ａと２８ｂとに分割された金属板２８は、図６（ａ）から図６（ｃ）に示した製造工程において、分割させたい箇所にめっきレジスト４４を残存させて、Ｃｕめっきを実行することで形成できる。
【００７８】
このように、実施例４によれば、金属板２８は、分割された２つの分割板２８ａと２８ｂとで構成される。グランド端子２６にはインダクタンス成分があり、フィルタ設計では、このインダクタンス成分を使ってフィルタ特性の抑圧成分を改善させる場合がある。このため、グランド端子２６のインダクタンス成分を調整することが行われている。したがって、グランド端子２６に電気的に接続する金属板２８を２つの分割板２８ａと２８ｂとに分割することで、グランド端子２６のインダクタンス成分を分離することができ、フィルタ特性の調整を容易に行うことができる。
【００７９】
実施例４では、金属板２８が、２つの分割板２８ａと２８ｂとに分割されている場合を例に示したが、グランド端子の数に応じて３つ、４つ等、複数の分割板に分割されている場合でもよい。
【実施例５】
【００８０】
実施例５は、実施例１から４のいずれかに係るラダー型フィルタを備える弾性波デバイスの例である。図２０は、実施例５に係る弾性波デバイスの断面図の例を示す。図２０のように、例えば樹脂製のプリント配線基板５０が複数積層されている。積層されたプリント配線基板５０の各層には、配線５２が形成されている。配線５２は、例えばＡｕ（金）めっきが施されたＣｕ配線等の金属である。プリント配線基板５０の各層に形成された配線５２は、ビア５４により互いに接続している。ラダー型フィルタ６０は、最上層のプリント配線基板５０に形成された配線５２にフリップチップ実装されている。最上層のプリント配線基板５０上には、ラダー型フィルタ６０を覆うモールド樹脂５６が設けられている。
【００８１】
実施例５によれば、実施例１から４に係るラダー型フィルタがプリント配線基板５０にフリップチップ実装されていることから、特性の劣化が抑制され、且つ低背化が可能な弾性波デバイスを得ることができる。
【実施例６】
【００８２】
実施例６は、プリント配線基板に埋め込まれたラダー型フィルタを備えた弾性波デバイスの例である。ラダー型フィルタは、実施例１から４のいずれかに係るラダー型フィルタから絶縁部３４を取り除いたラダー型フィルタを用いることができる。図２１は、実施例６に係る弾性波デバイスの断面図の例である。図２１のように、例えば樹脂製のプリント配線基板５０が複数積層されている。積層されたプリント配線基板５０の各層には、配線５２が形成されている。プリント配線基板５０の各層に形成された配線５２は、ビア５４により互いに接続している。ラダー型フィルタ６２は、積層されたプリント配線基板５０に埋め込まれるように設けられている。ラダー型フィルタ６２は、配線５２にフリップチップ実装されている。ラダー型フィルタ６２全体を覆うように、樹脂膜からなる絶縁部５８が設けられている。絶縁部５８によりラダー型フィルタ６２は封止され固定されている。
【００８３】
実施例６によれば、ラダー型フィルタ６２は、プリント配線基板５０に埋め込まれていて、絶縁部５８が、ラダー型フィルタ６２全体を覆うように設けられている。つまり、絶縁部５８は、金属板２８と支持柱３０とを覆っている。絶縁部５８に用いられる樹脂の粘度が、直列共振子１２および並列共振子１４と金属板２８との間の空洞３２に流れ込まない程度に高い場合は、空洞３２を保つことができ空洞３２の側面に絶縁部５８が接することとなる。
【００８４】
実施例６によっても、特性の劣化が抑制され、且つ低背化が可能な弾性波デバイスを得ることができる。
【００８５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００８６】
１０ 圧電基板
１２ 直列共振子
１４ 並列共振子
１６ 反射電極
１８ 櫛型電極
２０ 信号配線
２３ グランド配線
２２ 入力端子
２４ 出力端子
２６ グランド端子
２８ 金属板
２８ａ 分割板
２８ｂ 分割板
３０ 支持柱
３２ 空洞
３４ 絶縁部
３６ 半田ボール
３８ 給電配線
４０ 下地電極
４２ 端子電極
４４ めっきレジスト
４６ シードメタル
４８ 貫通孔
４９ 無機膜
５０ プリント配線基板
５１ 樹脂膜
５２ 配線
５４ ビア
５６ モールド樹脂
５８ 絶縁部
６０ ラダー型フィルタ
６２ ラダー型フィルタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイスに関し、特に、素子の機能部上に空洞を有する電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの小型化の要求が強く、それに伴い電子部品の小型化も求められている。例えば、弾性波を用いたフィルタや分波器等においても小型化が求められている。弾性波を用いた弾性波素子として、弾性表面波を用いた弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、圧電薄膜を用いた圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）素子等がある。
【０００３】
電子部品の小型化の要求に対して、基板上に設けられた素子を覆うように樹脂を設けることで素子を封止し、樹脂をパッケージの代わりとして利用するウエハレベルパッケージが開発されている。また、例えば素子として弾性波素子を用いる場合には、弾性波素子の特性を維持するために、弾性波素子の機能部上に空洞を設けることが求められ、例えば弾性波素子の機能部上に空洞を有する樹脂部を設けた構造（いわゆる中空構造）が提案されている。弾性波素子の機能部としては、弾性表面波素子では櫛型電極（ＩＤＴ：Interdigital Transducer）の電極指であり、圧電薄膜共振器素子では圧電薄膜を挟み込む上下電極の重なる領域である。
【０００４】
弾性波素子の機能部上に空洞を有する樹脂部を形成する方法として、空洞となる凹部が形成された樹脂シートを、弾性波素子が形成された基板に貼り合わせる方法が知られている（例えば、特許文献１）。また、弾性波素子の機能部上に空洞を有する樹脂部を形成し、空洞上に位置する樹脂部内に金属層を形成することが知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１７５３４５号公報
【特許文献２】特開２００８−２２７７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、小型化に伴う低背化により、十分な強度の空洞が得られない場合がある。一方、特許文献２のように、空洞の上方に位置する樹脂部内に金属層を設ける構成とすることで、空洞の強度を強くすることができる。
【０００７】
しかしながら、特許文献２では、金属層を含む樹脂を、弾性波素子が形成された圧電基板に貼り付けることで形成しているが、この方法では、樹脂は柔らかいことから、弾性波素子に対して高さ方向および水平方向で、金属層の位置がずれてしまう場合がある。低背化により、弾性波素子と金属層との距離が近い場合には、金属層の位置ずれにより容量が変動してしまい、特性が劣化する場合がある。また、金属層を支える樹脂が信号配線上に位置するため、信号配線と樹脂との間の容量の影響による特性の劣化もある。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、特性が劣化することを抑制しつつ、低背化を実現することが可能な電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板上に設けられた素子と、前記基板上に設けられた、前記素子と電気的に接続する信号配線と、前記素子の機能部上に空洞を有し前記空洞の上面を覆うように設けられた金属板と、前記基板上に、前記信号配線上に位置しない部分に設けられた、前記金属板を支持する支持柱と、前記金属板と前記支持柱とを覆うと共に、前記空洞の側面に接する絶縁部と、を備えることを特徴とする電子部品である。本発明によれば、金属板の位置ずれを抑制でき、また、支持柱と信号配線との間の容量を低減できるため、特性が劣化することを抑制できる。また、金属板で空洞を形成するため、空洞の強度を強くでき、低背化が実現できる。
【００１０】
上記構成において、前記支持柱は、金属製である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記支持柱は、前記金属板の対向する辺夫々に沿って、前記辺の長さよりも短い長さで設けられている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記基板上に前記絶縁部を貫通して設けられた、前記素子と外部とを電気的に接続する接続端子を備え、前記基板から前記接続端子の上面までの高さと、前記基板から前記金属板の上面までの高さと、は同じである構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記金属板は、グランドに接続する前記接続端子と電気的に接続する構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記金属板は、前記グランドに接続する接続端子上に延在して、前記グランドに接続する接続端子と接することで、前記グランドに接続する接続端子と電気的に接続する構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記絶縁部は、前記空洞の側面に接する樹脂膜を有する構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記絶縁部は、前記空洞の側面に接する無機膜を有する構成とすることができる。
【００１７】
上記構成において、前記金属板に貫通孔が設けられている構成とすることができる。
【００１８】
上記構成において、前記金属板は、分割された複数の分割板で構成される構成とすることができる。
【００１９】
上記構成において、前記基板は圧電基板であり、前記素子は弾性波素子である構成とすることができる。
【００２０】
上記構成において、前記弾性波素子は弾性表面波素子であり、前記支持柱の高さは、前記弾性表面波素子の電極指の厚さの５倍以上である構成とすることができる。
【００２１】
本発明は、上記記載の電子部品が実装されたプリント配線基板を備えることを特徴とする電子デバイスである。本発明によれば、特性が劣化することを抑制し、且つ低背化を実現することができる。
【００２２】
上記構成において、前記電子部品は、前記プリント配線基板に埋め込まれていて、前記絶縁部は、前記電子部品全体を覆うように設けられている構成とすることができる。
【００２３】
本発明は、基板上に素子を形成する工程と、前記基板上に前記素子と電気的に接続する信号配線を形成する工程と、前記基板上に、前記信号配線上に位置しない部分に、支持柱を形成する工程と、前記支持柱上に、前記素子の機能部上に空洞を有し前記空洞の上面を覆う金属板を形成する工程と、前記支持柱を形成する工程と前記金属板を形成する工程との後、前記金属板と前記支持柱とを覆うと共に、前記空洞を保つように前記空洞の側面に接する絶縁部を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法である。本発明によれば、金属板の位置ずれを抑制でき、また、支持柱と信号配線との間の容量を低減できるため、特性が劣化することを抑制できる。また、金属板で空洞を形成するため、空洞の強度を強くでき、低背化が実現できる。
【００２４】
上記構成において、前記支持柱を形成する工程は、前記金属板の対向する辺夫々に沿って、前記辺の長さよりも短い長さの前記支持柱を形成する構成とすることができる。
【００２５】
上記構成において、前記絶縁部を形成する工程は、前記金属板と前記支持柱とを覆い、前記空洞の側面に接するように樹脂シートを前記基板に圧着する工程を有する構成とすることができる。
【００２６】
上記構成において、前記絶縁部を形成する工程は、前記金属板と前記支持柱とを覆い、前記空洞の側面に接するように無機膜を成膜する工程を有する構成とすることができる。
【００２７】
上記構成において、前記基板上に、前記素子と外部とを電気的に接続する接続端子を形成する工程を有し、前記支持柱を形成する工程および前記金属板を形成する工程と、前記接続端子を形成する工程と、は同時に実行される構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、特性が劣化することを抑制し、且つ低背化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの上面図の例であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における金属板を透視した上面図の例である。
【図２】図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図の例であり、図２（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例であり、図２（ｃ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ断面図の例である。
【図３】図３（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その１）の例であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その２）の例であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図４（ｃ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図５】図５（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その３）の例であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図６】図６（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その４）の例であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図６（ｃ）は、図６（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図７】図７（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その５）の例であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図７（ｃ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図８】図８（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その６）の例であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図８（ｃ）は、図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図９】図９（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その７）の例であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図９（ｃ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、金属柱と金属板との１回のめっきにより形成する製造方法を示す断面図の例である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの断面図の例である。
【図１２】図１２（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その１）の例であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１２（ｃ）は、図１２（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１３】図１３（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その２）の例であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１３（ｃ）は、図１３（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１４】図１４（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その３）の例であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１４（ｃ）は、図１４（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１５】図１５（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その４）の例であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１５（ｃ）は、図１５（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１６】図１６（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その５）の例であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１６（ｃ）は、図１６（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１７】図１７（ａ）は、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を示す上面図（その６）の例であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）のＡ−Ａ断面図の例、図１７（ｃ）は、図１７（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例である。
【図１８】図１８は、実施例３に係るラダー型フィルタの上面図の例である。
【図１９】図１９は、実施例４に係るラダー型フィルタの上面図の例である。
【図２０】図２０は、実施例５に係る弾性波デバイスの断面図の例である。
【図２１】図２１は、実施例６に係る弾性波デバイスの断面図の例である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００３１】
図１（ａ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの上面図（絶縁部を透視して図示）の例であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における金属板２８を透視した上面図の例である。図１（ｂ）のように、直列に接続された共振子（これを直列共振子１２という）と、直列共振子１２に対して並列に接続された共振子（これを並列共振子１４という）と、が設けられている。直列共振子１２および並列共振子１４は共に、一対の反射電極１６とそれらの間に設けられた櫛型電極（ＩＤＴ）１８とで構成された弾性表面波素子である。櫛型電極１８は、入力側および出力側の２つの電極が向き合って、それぞれの電極指が互い違いに並ぶように配置されている。
【００３２】
直列に接続された複数の直列共振子１２のうち両端に位置する直列共振子１２の一方の直列共振子１２の入力側の電極には直列配線１９と端子電極４２とを介して入力端子２２が接続され、他方の直列共振子１２の出力側の電極には直列配線１９と端子電極４２とを介して出力端子２４が接続されている。直列共振子１２同士は、夫々の出力側の電極と入力側の電極とが直列配線１９により互いに接続している。並列共振子１４の入力側の電極は、直列配線１９に接続する並列配線２１に接続している。並列共振子１４の出力側の電極は、グランド配線２３と端子電極４２とを介してグランド端子２６に接続している。直列配線１９と並列配線２１とは、入力端子２２から入力された高周波信号を伝搬する。ここで、入力端子と共振子、共振子同士、および共振子と出力端子を接続する配線を信号配線といい、信号配線は入力端子から入力された高周波信号を伝搬する。したがって、直列配線１９と並列配線２１とは信号配線２０である。入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６は、共振子と外部とを電気的に接続させる接続端子である。
【００３３】
直列共振子１２および並列共振子１４の上方に配置される金属板２８（図１（ａ）を参照）を支持する複数の金属製の支持柱３０が、金属板２８の対向する辺２９、３１夫々に沿って、辺２９、３１の長さよりも短い長さで、散在して設けられている。支持柱３０は、直列共振子１２および並列共振子１４に、直列共振子１２および並列共振子１４を伝搬する弾性波の伝搬方向で隣接して設けられている。即ち、支持柱３０は、信号配線２０上には設けられておらず、信号配線２０から離れている。支持柱３０の高さは、例えば１０μｍから３０μｍであり、これにより、金属板２８と直列共振子１２および並列共振子１４とは、例えば１０μｍから３０μｍ離れている。
【００３４】
図１（ａ）のように、金属板２８は、グランド端子２６上に延在しており、グランド端子２６に接している。また、金属板２８は、グランド端子２６によっても支持されている。これにより、金属板２８とグランド端子２６とは電気的に接続している。一方、金属板２８は、入力端子２２および出力端子２４上には延在していない。つまり、金属板２８と入力端子２２および出力端子２４とは電気的に非接続である。
【００３５】
図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図の例であり、図２（ｂ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断面図の例であり、図２（ｃ）は、図１（ａ）のＣ−Ｃ断面図の例である。なお、図２（ａ）から図２（ｃ）においては、図１（ａ）で透視した絶縁部３４についても図示している。図２（ａ）のように、圧電基板１０上に、直列共振子１２および並列共振子１４が設けられている。直列共振子１２および並列共振子１４夫々の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２が形成されるよう、圧電基板１０上に設けられた支持柱３０により支持されて金属板２８が設けられている。つまり、金属板２８は、直列共振子１２および並列共振子１４夫々の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２を有し空洞３２の上面を覆うように設けられている。図２（ｃ）のように、信号配線２０上には支持柱３０が設けられてなく且つ金属板２８が支持柱３０により支持されていることで、金属板２８と信号配線２０との間には空洞３２が形成されている。
【００３６】
図２（ａ）から図２（ｃ）のように、金属板２８および支持柱３０を覆うように、圧電基板１０上に絶縁部３４が設けられていて封止している。絶縁部３４は、例えば樹脂膜で形成されている。また、絶縁部３４は、櫛型電極１８の電極指上に設けられた空洞３２の側面の一部に接して覆うように設けられている。入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６は、絶縁部３４を貫通して設けられていて、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の夫々の上面には、半田ボール３６が設けられている。半田ボール３６は絶縁部３４の上面よりも突出している。これにより、直列共振子１２および並列共振子１４と外部とを電気的に接続することができる。
【００３７】
図２（ａ）のように、支持柱３０と圧電基板１０との間には、給電配線３８と下地電極４０とが設けられている。図２（ｂ）のように、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６と圧電基板１０との間には、給電配線３８と端子電極４２とが設けられている。図２（ａ）および図２（ｂ）のように、圧電基板１０の上面から金属板２８の上面までの高さＸ１と、圧電基板１０の上面から入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６夫々の上面までの高さＸ２とは、ほぼ同じである。
【００３８】
次に、図３（ａ）から図９（ｃ）を用いて、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を説明する。実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法は、多面取り構造を用いた製造方法であり、量産性の向上およびチップ単価の製造コストを下げることが可能である。
【００３９】
図３（ａ）から図３（ｃ）のように、ウエハ状の例えばＬｉＴａＯ３（ＬＴ）である圧電基板１０の上面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属のパターンからなる直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、グランド配線２３、およびめっき用の給電配線３８を形成する。直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、グランド配線２３、および給電配線３８の形成は、例えば蒸着法またはスパッタ法によりＡｌを成膜した後、所望の形状にドライエッチングすることで形成できる、また、リフトオフ法を用いてもよい。
【００４０】
図４（ａ）から図４（ｃ）のように、支持柱３０を形成すべき領域に下地電極４０を、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域に端子電極４２を形成する。下地電極４０および端子電極４２は、例えばＣｕ（銅）等の金属からなる。下地電極４０および端子電極４２の形成は、例えば蒸着法およびリフトオフ法を用いて形成できる。
【００４１】
図５（ａ）から図５（ｃ）のように、圧電基板１０上に、例えばネガ型感光性のめっきレジスト４４を塗布して、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域が開口するようにパターニングをする。めっきレジスト４４の厚さは、例えば１０μｍから３０μｍである。その後、例えば電解めっき法を用いて、めっきレジスト４４の開口部に埋め込まれるようにＣｕ膜等の金属膜を形成する。これにより、支持柱３０と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の一部である入力端子２２ａ、出力端子２４ａ、およびグランド端子２６ａと、が形成される。支持柱３０は、信号配線２０上に位置しない部分に、金属板２８の対向する辺夫々に沿って、その辺の長さよりも短い長さで散在するように複数形成する。
【００４２】
図６（ａ）から図６（ｃ）のように、例えば蒸着法またはスパッタ法を用いて、全面にＣｕめっき等のめっき金属用のシードメタル４６を成膜する。シードメタル４６の厚さは、例えば１００ｎｍ程度である。その後、厚さが例えば５μｍから３０μｍのめっきレジスト４４を塗布して、金属板２８、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域が開口するようにパターニングをする。その後、例えば電解めっき法を用いて、めっきレジスト４４の開口部に埋め込まれるようにＣｕ膜等の金属膜を形成し、金属板２８と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の一部である入力端子２２ｂ、出力端子２４ｂ、およびグランド端子２６ｂと、を形成する。
【００４３】
図７（ａ）から図７（ｃ）のように、例えばレジスト剥離液による超音波洗浄、あるいは、さらに酸素プラズマアッシングを併用する方法を用いて、めっきレジスト４４を除去する。金属板２８は、複数の支持柱３０で支持されていることから、圧電基板１０と金属板２８との間にもレジスト剥離液等が浸透し、圧電基板１０と金属板２８との間のめっきレジスト４４も除去できる。これにより、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極の電極指上に空洞３２が形成される。また、めっきレジスト４４に挟まれたシードメタル４６は、膜厚が薄いことから、めっきレジスト４４の剥離時に同時に除去される。なお、入力端子２２ａ、２２ｂとその間のシードメタル４６とにより、入力端子２２が構成される。同様に、出力端子２４ａ、２４ｂとその間のシードメタル４６とにより出力端子２４が構成され、グランド端子２６ａ、２６ｂとその間のシードメタル４６とによりグランド端子２６が構成される。また、金属板２８下のシードメタル４６を含めて、金属板２８となる。
【００４４】
図８（ａ）から図８（ｃ）のように、金属板２８、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を覆うように、例えば熱可塑性の液晶ポリマーシートからなる樹脂シートを圧電基板１０上に熱圧着し、金属板２８、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を覆う樹脂膜からなる絶縁部３４を形成する。圧電基板１０上に樹脂シートを熱圧着させることで、金属板２８と直列共振子１２および並列共振子１４との間の空洞３２に樹脂が流れ込むことが抑制されて空洞３２を保つことができる。これにより、樹脂膜からなる絶縁部３４は空洞３２の側面に接することとなる。なお、樹脂シートは、熱可塑性の樹脂シートに限らず、熱硬化性の樹脂シートである場合でもよく、吸湿性が低く、接着性が高い樹脂シートである場合が好ましい。また、感光性を有していてもよい。
【００４５】
図９（ａ）から図９（ｃ）のように、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６上の絶縁部３４を、例えばレーザドリリングにより除去し、その後、樹脂の残渣を取り除くために、例えばデスミア処理を行う。絶縁部３４を構成する樹脂膜が感光性を有する場合は、露光現像により各端子上の樹脂を取り除いてもよい。この場合、デスミア処理は必要ない。レーザドリリング等の方法により除去した領域に、例えば半田ペーストの印刷およびリフローにより、半田ボール３６を形成する。または、給電配線３８を再度用いて、ＳｎＡｇめっきを行ってレーザドリリング等の方法により除去した領域に半田の充填を行い、その後、リフローして半田ボール３６を形成してもよい。さらにまた、フラックスの印刷および半田ボールの実装およびリフローで半田ボール３６を形成してもよい。その後、ダイシングによりウエハ状から個片化する。個片化することで、余分な給電配線３８が除去される。以上により、実施例１に係るラダー型フィルタが完成する。
【００４６】
以上のように、実施例１によれば、図５（ａ）から図６（ｃ）で説明したように、圧電基板１０上に複数の支持柱３０を形成した後、支持柱３０上に、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２を有し空洞３２の上面を覆う金属板２８を形成する。そして、図８（ａ）から図８（ｃ）で説明したように、支持柱３０および金属板２８を形成した後、金属板２８と支持柱３０とを覆い、空洞３２を保つように空洞３２の側面に接する樹脂膜からなる絶縁部３４を形成する。これにより、図２（ａ）のように、圧電基板１０上に形成された直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極１８の電極指上に空洞３２が形成される。空洞３２の上面は、支持柱３０に支持された金属板２８が接して覆うように設けられ、空洞３２の側面は、樹脂膜からなる絶縁部３４が接して覆うように設けられる。
【００４７】
発明が解決しようとする課題で述べたように、金属層を有する樹脂を、弾性表面波素子が形成された圧電基板上に貼り付ける場合は、樹脂が柔らかいため、金属層が弾性表面波素子に対して高さ方向および水平方向に位置ずれする場合がある。しかしながら、実施例１のように、支持柱３０上に金属板２８を形成することで、金属板２８の形成位置を精度よく制御でき、金属板２８に位置ずれが生じることを抑制できる。例えば、めっき法を用いて金属製の支持柱３０とその上の金属板２８を形成することで、金属板２８の位置ずれを抑制できる。これにより、ラダー型フィルタの特性劣化をより抑制できる。また、金属板２８で空洞３２を形成することで、空洞３２の強度を強くすることができ、ラダー型フィルタの低背化が実現できる。
【００４８】
支持柱３０は、金属製である場合に限られず、絶縁材で形成されている場合でもよい。また、樹脂からなる支持柱上に金属板を形成した場合、樹脂が柔らかいために、金属板が共振子に対して高さ方向および水平方向で位置ずれする場合がある。よって、支持柱３０は、樹脂以外の材料で形成されている場合が好ましい。金属板２８の位置ずれを抑制する観点から、支持柱３０は、樹脂よりも硬い材料で形成されている場合が好ましい。
【００４９】
また、図２（ｃ）のように、支持柱３０は、信号配線２０上に位置しない部分に形成されている。例えば、金属板２８を支持するために、直列共振子１２および並列共振子１４の周囲を完全に取り囲むように支持柱３０を設けることが考えられる。この場合、支持柱３０は信号配線２０上にも設けられるため、支持柱３０と信号配線２０との間の容量の影響が生じ、フィルタ特性が劣化する場合がある。支持柱３０が金属製の場合に限らず、絶縁材で形成した場合であっても、信号配線２０上に支持柱３０を設けると、誘電率の影響により、支持柱３０と信号配線２０との間に容量が生じて、フィルタ特性が劣化する場合がある。したがって、実施例１のように、信号配線２０上に支持柱３０を設けない構造とすることで、信号配線２０と支持柱３０との間の容量を低減でき、フィルタ特性の劣化を抑制できる。
【００５０】
支持柱３０は、フィルタ特性の劣化を抑制する観点からは、全ての信号配線２０上に設けられていない場合が好ましいが、一部の信号配線２０上に支持柱３０が設けられている場合でもよい。この場合、フィルタ特性への影響が大きい箇所の信号配線２０上には支持柱３０が設けられてなく、フィルタ特性への影響が小さい箇所の信号配線２０上に支持柱３０が設けられている場合が好ましい。例えば、直列配線１９上には支持柱３０が設けられてなく、並列配線２１上に支持柱３０が設けられていてもよい。
【００５１】
図２（ａ）および図２（ｃ）のように、金属板２８と、直列共振子１２、並列共振子１４、および信号配線２０と、の間は、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）離れている。金属板２８がグランドに接続されていない場合またはグランドへの接続が不十分の場合、金属板２８が直列共振子１２、並列共振子１４、および信号配線２０に近づくほど、金属板２８と直列共振子１２、並列共振子１４、および信号配線２０との間の容量が大きくなり、ラダー型フィルタの特性に影響を及ぼすこととなる。電極指の膜厚は、使用される周波数に影響し、周波数が高くなるほど電極指の膜厚は小さくなる。支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、使用される周波数によって適切な高さも影響を受ける。したがって、ラダー型フィルタの特性を考慮すると、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、電極指の膜厚の５０倍以上離れている場合が好ましく、７５倍以上離れている場合がより好ましい。例えば、１０μｍ以上離れている場合が好ましく、１５μｍ以上離れている場合がより好ましい。また、支持柱３０が高くなると、絶縁部３４を形成する際に、樹脂が空洞３２内に流れ込む場合がある。したがって、支持柱３０の高さは、樹脂膜からなる絶縁部３４の形成において、樹脂が空洞３２内に形成された共振子に接触しない程度の流れ込みに抑えられる高さ以下である場合が好ましい。例えば、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、電極指の膜厚の１５０倍以下である場合が好ましく、１００倍以下である場合がより好ましい。
【００５２】
一方、金属板２８が確実にグランドに接続され、グランドに確実に落ちている場合は、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）が、電極指の膜厚の５倍である場合でも、良好なフィルタ特性を得ることができる。即ち、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、電極指の膜厚の５倍以上とすることができ、７．５倍以上とする場合がより好ましく、例えば１μｍ以上とすることができ、１．５μｍ以上とすることがより好ましい。
【００５３】
金属板２８をグランドに落とすために、金属板２８をグランド端子２６に電気的に接続する場合が好ましい。例えば、図１（ａ）のように、金属板２８が、グランド端子２６上に延在して設けられ、グランド端子２６と接することで、グランドに落ちている場合が好ましい。この場合、支持柱３０が金属製であっても絶縁材で形成されている場合であっても、金属板２８をグランドに落とすことができる。また、金属板２８をグランド端子２６上に延在して設けることができない場合は、他のルートにより金属板２８をグランドに落とす場合でもよい。例えば、支持柱３０が金属製である場合は、支持柱３０をグランド配線２３上に設ける構造として、金属板２８をグランドに落としてもよい。このように、金属板２８をグランドに落とすことで、金属板２８に覆われた直列共振子１２および並列共振子１４をシールドする効果も得られる。
【００５４】
図８（ａ）から図８（ｃ）で説明したように、熱可塑性の液晶ポリマーシートからなる樹脂シートを、金属板２８および支持柱３０を覆い、空洞３２の側面に接するように圧電基板１０に圧着することで、金属板２８と支持柱３０とを覆って封止する樹脂膜からなる絶縁部３４を形成している。液晶ポリマーシートからなる樹脂シートは粘度がある程度大きいため、空洞３２内部への流れ込みが抑制され、空洞３２を保つように空洞３２の側面に接する絶縁部３４を形成することができる。この観点から、絶縁部３４の形成に当っては、樹脂シートを圧電基板１０に圧着させる場合に限らず、空洞３２内部の共振子に接触しない程度にしか流れ込まない高い粘度を有する液状樹脂を、金属板２８と支持柱３０とを覆うように塗布する場合でもよい。また、例えばフィラー等を混入させた液状樹脂を用いる場合でもよい。フィラーは、例えば空洞３２の高さよりも大きな直径を有する場合が好ましい。これらの場合でも、空洞３２内には、樹脂が空洞３２内部の共振子に接触しない程度にしか流れ込まずに、空洞３２を保つように空洞３２の側面に接する絶縁部３４を形成できる。
【００５５】
図５（ａ）から図５（ｃ）で説明したように、支持柱３０は、めっき法により、金属板２８の対向する辺２９、３１夫々に沿って、辺２９、３１の長さよりも短い長さで、散在して複数形成している。このような支持柱３０を形成することで、図７（ａ）から図７（ｃ）で説明しためっきレジスト４４の除去において、金属板２８と圧電基板１０との間にもレジスト剥離液等が入り込み易くなり、金属板２８と圧電基板１０との間のめっきレジスト４４を容易に除去できる。したがって、支持柱３０の長さは、金属板２８の対向する辺２９、３１の長さの半分よりも短い長さである場合が好ましく、１／４よりも短い長さである場合がより好ましい。また、支持柱３０を、金属板２８の対向する辺２９、３１夫々に設けることで、金属板２８を安定して支持することができる。
【００５６】
図５（ａ）から図６（ｃ）で説明したように、支持柱３０とその上の金属板２８との形成と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の接続端子の形成と、は同時に行われる。したがって、図２（ａ）および図２（ｂ）に示したように、圧電基板１０の上面から金属板２８の上面までの高さＸ１と、圧電基板１０の上面から入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の上面までの高さＸ２とは、ほぼ同じ高さになる。このように、支持柱３０とその上の金属板２８との形成と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の接続端子の形成と、を同時に実行することで、製造工程の簡略化ができる。
【００５７】
実施例１では、図５（ａ）から図６（ｃ）で説明したように、支持柱３０を形成するためのめっき工程と、金属板２８を形成するためのめっき工程と、を別々の工程に分けて行ったが、支持柱３０と金属板２８とを１回のめっき工程で行う場合でもよい。図１０（ａ）から図１０（ｄ）に、１回のめっき工程により支持柱３０と金属板２８とを形成する例を示す。図１０（ａ）のように、圧電基板１０上に、支持柱３０を形成すべき領域が開口しためっきレジスト４４を形成する。図１０（ｂ）のように、全面にＣｕめっき用のシードメタル４６を形成する。図１０（ｃ）のように、シードメタル４６上に、金属板２８を形成すべき領域が開口しためっきレジスト４４を形成する。図１０（ｄ）のように、例えば電解めっき法により、めっきレジスト４４の開口部にＣｕ膜を埋め込み、支持柱３０と金属板２８とを同時に形成する。
【００５８】
また、ラダー型フィルタに接続するコイル、コンデンサ、あるいは伝送線路等の受動素子を、支持柱３０と金属板２８との形成と同時に、支持柱３０と金属板２８と同じ金属で形成してもよい。
【００５９】
図１（ａ）のように、金属板２８は、複数の直列共振子１２および並列共振子１４をまとめて覆うように設けられている場合を例に示したが、これに限られない。複数の直列共振子１２および並列共振子１４夫々を個別に覆う金属板２８が複数設けられている場合でもよい。
【００６０】
また、圧電基板１０は、ＬＴのほかにＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）、ＺｎＯ、ＫＮｂＯ３、およびＬＢＯ等を用いることもできる。また、櫛型電極１８および反射電極１６は、Ａｌの他に、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、およびＴｉを用いて形成することもできる。
【００６１】
実施例１では、圧電基板１０上に弾性表面波素子である直列共振子１２と並列共振子１４とが形成されたラダー型フィルタの場合を例に示したが、多重モード型フィルタ、デュアルフィルタ、分波器の場合でもよい。また、素子としては、弾性表面波素子を用いた場合に限らず、圧電薄膜共振器素子等を用いた場合でもよい。さらに、弾性波を利用しない電子部品の場合であっても、基板上に形成された素子の機能部上に空洞を設ける電子部品の場合であればよい。この場合、信号配線は、基板上に設けられた素子同士を接続する配線、素子と入力端子を接続する配線、素子と出力端子を接続する配線等が相当し、電気信号を伝搬する。
【実施例２】
【００６２】
図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間からＣ−Ｃ間に相当する箇所における実施例２に係るラダー型フィルタの断面図の例である。図１１（ａ）から図１１（ｃ）のように、実施例２に係るラダー型フィルタは、絶縁部３４が、例えばシリコン酸化膜等の無機膜４９とそれを覆う樹脂膜５１とで構成されていて、無機膜４９が、空洞３２の側面の一部に接して覆うように設けられている。また、金属板２８と直列共振子１２、並列共振子１４、および信号配線２０との間の距離は、例えば１μｍ程度である。その他の構成は、図１（ａ）から図２（ｃ）で示した実施例１に係るラダー型フィルタと同じであるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００６３】
図１２（ａ）から図１７（ｃ）を用いて、実施例２に係るラダー型フィルタの製造方法を説明する。まず、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法で説明した図３（ａ）から図４（ｃ）の工程を実施して、圧電基板１０上に、直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、グランド配線２３、給電配線３８、下地電極４０、および端子電極４２を形成する。
【００６４】
図１２（ａ）から図１２（ｃ）のように、圧電基板１０上に、例えばフォトレジスト４７を塗布して、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域が開口するようにパターニングする。フォトレジスト４７の厚さは、例えば３μｍから６μｍである。その後、例えば蒸着法を用いて、フォトレジスト４７の開口部に埋め込まれるように総膜厚が１μｍとなるＣｕ膜等の金属膜を形成する。これにより、支持柱３０と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の一部である入力端子２２ａ、出力端子２４ａ、およびグランド端子２６ａと、が形成される。
【００６５】
図１３（ａ）から図１３（ｃ）のように、フォトレジスト４７をリフトオフして不要な金属膜を除去する。次に、再度フォトレジスト４７を１μｍ程度の厚さで塗布する。エッチバック等の手法を用いて、支持柱３０、入力端子２２ａ、出力端子２４ａ、およびグランド端子２６ａの表面を露出させる。
【００６６】
図１４（ａ）から図１４（ｃ）のように、例えば蒸着法またはスパッタ法を用いて、全面にＣｕめっき等のめっき金属用のシードメタル４６を成膜する。その後、厚さが例えば５μｍから３０μｍのめっきレジスト４４を塗布して、金属板２８、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を形成すべき領域が開口するようにパターニングする。その後、例えば電解めっき法を用いて、めっきレジスト４４の開口部に埋め込まれるようにＣｕ膜等の金属膜を形成し、金属膜２８と、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６の一部である入力端子２２ｂ、出力端子２４ｂ、およびグランド端子２６ｂと、を形成する。
【００６７】
図１５（ａ）から図１５（ｃ）のように、例えばレジスト剥離液による超音波洗浄等を用いて、めっきレジスト４４およびフォトレジスト４７を除去する。金属板２８は、複数の支持柱３０で支持されていることから、圧電基板１０と金属板２８との間にもレジスト剥離液等が浸透し、圧電基板１０と金属板２８との間のフォトレジスト４７も除去できる。これにより、直列共振子１２および並列共振子１４の櫛型電極の電極指上に空洞３２が形成される。また、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６が形成される。
【００６８】
図１６（ａ）から図１６（ｃ）のように、例えばスパッタ法またはＳＯＧ（spin coating on glass）塗布法により、金属板２８、支持柱３０、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６を覆い、空洞３２の側面に接するように、酸化シリコン膜等の無機膜４９を例えば２〜３μｍ程度成膜する。支持柱３０の高さが１μｍと低いことから、金属板２８と直列共振子１２および並列共振子１４との間の空洞３２に無機膜４９が入ってきても、直列共振子１２および並列共振子１４に接触しない程度に抑制され、空洞３２を保つことができる。
【００６９】
図１７（ａ）から図１７（ｃ）のように、表面の平坦性を兼ねた感光性の樹脂膜５１を塗布する。これにより、無機膜４９と樹脂膜５１とからなる絶縁部３４が形成される。露光現像により、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６上の樹脂膜５１を除去する。続いて、入力端子２２、出力端子２４、およびグランド端子２６上の無機膜４９を、ＣＦ４等のフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより除去する。次いで、前述したような方法により、半田ボール３６を形成する。その後、ダイシングによりウエハ状から個片化して、実施例２に係るラダー型フィルタが完成する。
【００７０】
実施例２によれば、図１６（ａ）から図１６（ｃ）に示したように、金属板２８や支持柱３０等を覆うように酸化シリコン膜等の無機膜４９を成膜している。つまり、絶縁部３４は、酸化シリコン膜等の無機膜４９を含み、無機膜４９と樹脂膜５１とで形成される。そして、無機膜４９が空洞３２の側面に接して覆うように設けられている。このように、無機膜４９が空洞３２の側面に接して覆うように設けられていることで、空洞３２の気密性を向上できるため、共振子の信頼性をより向上させることができる。このように絶縁部３４は、樹脂以外の絶縁材を含んで形成されている場合でもよく、樹脂以外の絶縁材のみで形成されている場合でもよい。
【００７１】
また、支持柱３０の高さは、無機膜４９の成膜において、無機膜４９が空洞３２内に形成された共振子に接触しない程度の流れ込みに抑えられる高さ以下である場合が好ましい。例えば、支持柱３０の高さ（空洞３２の高さ）は、電極指の膜厚の１５倍以下である場合が好ましく、１０倍以下である場合がより好ましい。
【実施例３】
【００７２】
図１８は、実施例３に係るラダー型フィルタの上面図（絶縁部を透視して図示）の例である。図１８のように、金属板２８に複数の貫通孔４８が設けられている。その他の構成は、実施例１に係るラダー型フィルタと同じであるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００７３】
複数の貫通孔４８が設けられた金属板２８は、図６（ａ）から図６（ｃ）に示した製造工程において、貫通孔４８を形成すべき箇所にめっきレジスト４４を残存させて、Ｃｕめっきを実行することで形成できる。
【００７４】
このように、実施例３によれば、金属板２８に貫通孔４８が設けられている。これにより、図７（ａ）から図７（ｃ）に示しためっきレジスト４４の除去において、圧電基板１０と金属板２８との間に形成されためっきレジスト４４を容易に除去することができる。また、金属板２８の強度が高すぎる場合、金属板２８とそれを支える支持柱３０との間に応力が集中してしまい、金属板２８の剥離が生じる場合がある。よって、金属板２８に貫通孔４８を設けて、金属板２８の強度を下げることで、金属板２８の剥離を抑制できる。
【００７５】
貫通孔４８は、めっきレジスト４４の除去を容易にする点および金属板２８の剥離を抑制する点から、複数設けられている場合が好ましい。複数の貫通孔４８は、規則的に配置されていても、不規則に配置されていてもよいが、めっきレジスト４４の除去を容易にする点および金属板２８と支持柱３０との間の応力の集中を抑制する点からは、規則的に配置されている場合が好ましい。また、金属板２８を覆うように絶縁部３４が設けられることから、金属板２８に設けられる貫通孔４８の大きさは、樹脂が流れ込まない程度の大きさである場合が好ましい。例えば、貫通孔４８の直径は、支持柱３０の高さと同程度かそれ以下である場合が好ましい。
【実施例４】
【００７６】
図１９は、実施例４に係るラダー型フィルタの上面図（絶縁部を透視して図示）の例である。図１９のように、金属板２８は、分割された金属製の分割板２８ａと２８ｂとで構成される。即ち、分割板２８ａと２８ｂとは、物理的且つ電気的に分離されている。その他の構成は、実施例１に係るラダー型フィルタと同じであるため、ここでは詳細な説明は省略する。
【００７７】
分割板２８ａと２８ｂとに分割された金属板２８は、図６（ａ）から図６（ｃ）に示した製造工程において、分割させたい箇所にめっきレジスト４４を残存させて、Ｃｕめっきを実行することで形成できる。
【００７８】
このように、実施例４によれば、金属板２８は、分割された２つの分割板２８ａと２８ｂとで構成される。グランド端子２６にはインダクタンス成分があり、フィルタ設計では、このインダクタンス成分を使ってフィルタ特性の抑圧成分を改善させる場合がある。このため、グランド端子２６のインダクタンス成分を調整することが行われている。したがって、グランド端子２６に電気的に接続する金属板２８を２つの分割板２８ａと２８ｂとに分割することで、グランド端子２６のインダクタンス成分を分離することができ、フィルタ特性の調整を容易に行うことができる。
【００７９】
実施例４では、金属板２８が、２つの分割板２８ａと２８ｂとに分割されている場合を例に示したが、グランド端子の数に応じて３つ、４つ等、複数の分割板に分割されている場合でもよい。
【実施例５】
【００８０】
実施例５は、実施例１から４のいずれかに係るラダー型フィルタを備える弾性波デバイスの例である。図２０は、実施例５に係る弾性波デバイスの断面図の例を示す。図２０のように、例えば樹脂製のプリント配線基板５０が複数積層されている。積層されたプリント配線基板５０の各層には、配線５２が形成されている。配線５２は、例えばＡｕ（金）めっきが施されたＣｕ配線等の金属である。プリント配線基板５０の各層に形成された配線５２は、ビア５４により互いに接続している。ラダー型フィルタ６０は、最上層のプリント配線基板５０に形成された配線５２にフリップチップ実装されている。最上層のプリント配線基板５０上には、ラダー型フィルタ６０を覆うモールド樹脂５６が設けられている。
【００８１】
実施例５によれば、実施例１から４に係るラダー型フィルタがプリント配線基板５０にフリップチップ実装されていることから、特性の劣化が抑制され、且つ低背化が可能な弾性波デバイスを得ることができる。
【実施例６】
【００８２】
実施例６は、プリント配線基板に埋め込まれたラダー型フィルタを備えた弾性波デバイスの例である。ラダー型フィルタは、実施例１から４のいずれかに係るラダー型フィルタから絶縁部３４を取り除いたラダー型フィルタを用いることができる。図２１は、実施例６に係る弾性波デバイスの断面図の例である。図２１のように、例えば樹脂製のプリント配線基板５０が複数積層されている。積層されたプリント配線基板５０の各層には、配線５２が形成されている。プリント配線基板５０の各層に形成された配線５２は、ビア５４により互いに接続している。ラダー型フィルタ６２は、積層されたプリント配線基板５０に埋め込まれるように設けられている。ラダー型フィルタ６２は、配線５２にフリップチップ実装されている。ラダー型フィルタ６２全体を覆うように、樹脂膜からなる絶縁部５８が設けられている。絶縁部５８によりラダー型フィルタ６２は封止され固定されている。
【００８３】
実施例６によれば、ラダー型フィルタ６２は、プリント配線基板５０に埋め込まれていて、絶縁部５８が、ラダー型フィルタ６２全体を覆うように設けられている。つまり、絶縁部５８は、金属板２８と支持柱３０とを覆っている。絶縁部５８に用いられる樹脂の粘度が、直列共振子１２および並列共振子１４と金属板２８との間の空洞３２に流れ込まない程度に高い場合は、空洞３２を保つことができ空洞３２の側面に絶縁部５８が接することとなる。
【００８４】
実施例６によっても、特性の劣化が抑制され、且つ低背化が可能な弾性波デバイスを得ることができる。
【００８５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００８６】
１０ 圧電基板
１２ 直列共振子
１４ 並列共振子
１６ 反射電極
１８ 櫛型電極
２０ 信号配線
２３ グランド配線
２２ 入力端子
２４ 出力端子
２６ グランド端子
２８ 金属板
２８ａ 分割板
２８ｂ 分割板
３０ 支持柱
３２ 空洞
３４ 絶縁部
３６ 半田ボール
３８ 給電配線
４０ 下地電極
４２ 端子電極
４４ めっきレジスト
４６ シードメタル
４８ 貫通孔
４９ 無機膜
５０ プリント配線基板
５１ 樹脂膜
５２ 配線
５４ ビア
５６ モールド樹脂
５８ 絶縁部
６０ ラダー型フィルタ
６２ ラダー型フィルタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた素子と、
前記基板上に設けられた、前記素子と電気的に接続する信号配線と、
前記素子の機能部上に空洞を有し前記空洞の上面を覆うように設けられた金属板と、
前記基板上に、前記信号配線上に位置しない部分に設けられた、前記金属板を支持する支持柱と、
前記金属板と前記支持柱とを覆うと共に、前記空洞の側面に接する絶縁部と、を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記支持柱は、金属製であることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記支持柱は、前記金属板の対向する辺夫々に沿って、前記辺の長さよりも短い長さで設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
前記基板上に前記絶縁部を貫通して設けられた、前記素子と外部とを電気的に接続する接続端子を備え、
前記基板から前記接続端子の上面までの高さと、前記基板から前記金属板の上面までの高さと、は同じであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項５】
前記金属板は、グランドに接続する前記接続端子と電気的に接続することを特徴とする請求項４記載の電子部品。
【請求項６】
前記金属板は、前記グランドに接続する接続端子上に延在して、前記グランドに接続する接続端子と接することで、前記グランドに接続する接続端子と電気的に接続することを特徴とする請求項５記載の電子部品。
【請求項７】
前記絶縁部は、前記空洞の側面に接する樹脂膜を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項８】
前記絶縁部は、前記空洞の側面に接する無機膜を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項９】
前記金属板に貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項１０】
前記金属板は、分割された複数の分割板で構成されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項１１】
前記基板は圧電基板であり、前記素子は弾性波素子であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項１２】
前記弾性波素子は弾性表面波素子であり、
前記支持柱の高さは、前記弾性表面波素子の電極指の厚さの５倍以上であることを特徴とする請求項１１記載の電子部品。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項記載の電子部品が実装されたプリント配線基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１４】
前記電子部品は、前記プリント配線基板に埋め込まれていて、
前記絶縁部は、前記電子部品全体を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１３記載の電子デバイス。
【請求項１５】
基板上に素子を形成する工程と、
前記基板上に前記素子と電気的に接続する信号配線を形成する工程と、
前記基板上に、前記信号配線上に位置しない部分に、支持柱を形成する工程と、
前記支持柱上に、前記素子の機能部上に空洞を有し前記空洞の上面を覆う金属板を形成する工程と、
前記支持柱を形成する工程と前記金属板を形成する工程との後、前記金属板と前記支持柱とを覆うと共に、前記空洞を保つように前記空洞の側面に接する絶縁部を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記支持柱を形成する工程は、前記金属板の対向する辺夫々に沿って、前記辺の長さよりも短い長さの前記支持柱を形成することを特徴とする請求項１５記載の電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁部を形成する工程は、前記金属板と前記支持柱とを覆い、前記空洞の側面に接するように樹脂シートを前記基板に圧着する工程を有することを特徴とする請求項１５または１６記載の電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁部を形成する工程は、前記金属板と前記支持柱とを覆い、前記空洞の側面に接するように無機膜を成膜する工程を有することを特徴とする請求項１５または１６記載の電子部品の製造方法。
【請求項１９】
前記基板上に、前記素子と外部とを電気的に接続する接続端子を形成する工程を有し、
前記支持柱を形成する工程および前記金属板を形成する工程と、前記接続端子を形成する工程と、は同時に実行されることを特徴とする請求項１５から１８のいずれか一項記載の電子部品の製造方法。
【請求項１】
基板上に設けられた素子と、
前記基板上に設けられた、前記素子と電気的に接続する信号配線と、
前記素子の機能部上に空洞を有し前記空洞の上面を覆うように設けられた金属板と、
前記基板上に、前記信号配線上に位置しない部分に設けられた、前記金属板を支持する支持柱と、
前記金属板と前記支持柱とを覆うと共に、前記空洞の側面に接する絶縁部と、を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記支持柱は、金属製であることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記支持柱は、前記金属板の対向する辺夫々に沿って、前記辺の長さよりも短い長さで設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
前記基板上に前記絶縁部を貫通して設けられた、前記素子と外部とを電気的に接続する接続端子を備え、
前記基板から前記接続端子の上面までの高さと、前記基板から前記金属板の上面までの高さと、は同じであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項５】
前記金属板は、グランドに接続する前記接続端子と電気的に接続することを特徴とする請求項４記載の電子部品。
【請求項６】
前記金属板は、前記グランドに接続する接続端子上に延在して、前記グランドに接続する接続端子と接することで、前記グランドに接続する接続端子と電気的に接続することを特徴とする請求項５記載の電子部品。
【請求項７】
前記絶縁部は、前記空洞の側面に接する樹脂膜を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項８】
前記絶縁部は、前記空洞の側面に接する無機膜を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項９】
前記金属板に貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項１０】
前記金属板は、分割された複数の分割板で構成されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項１１】
前記基板は圧電基板であり、前記素子は弾性波素子であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項１２】
前記弾性波素子は弾性表面波素子であり、
前記支持柱の高さは、前記弾性表面波素子の電極指の厚さの５倍以上であることを特徴とする請求項１１記載の電子部品。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項記載の電子部品が実装されたプリント配線基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１４】
前記電子部品は、前記プリント配線基板に埋め込まれていて、
前記絶縁部は、前記電子部品全体を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１３記載の電子デバイス。
【請求項１５】
基板上に素子を形成する工程と、
前記基板上に前記素子と電気的に接続する信号配線を形成する工程と、
前記基板上に、前記信号配線上に位置しない部分に、支持柱を形成する工程と、
前記支持柱上に、前記素子の機能部上に空洞を有し前記空洞の上面を覆う金属板を形成する工程と、
前記支持柱を形成する工程と前記金属板を形成する工程との後、前記金属板と前記支持柱とを覆うと共に、前記空洞を保つように前記空洞の側面に接する絶縁部を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記支持柱を形成する工程は、前記金属板の対向する辺夫々に沿って、前記辺の長さよりも短い長さの前記支持柱を形成することを特徴とする請求項１５記載の電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁部を形成する工程は、前記金属板と前記支持柱とを覆い、前記空洞の側面に接するように樹脂シートを前記基板に圧着する工程を有することを特徴とする請求項１５または１６記載の電子部品の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁部を形成する工程は、前記金属板と前記支持柱とを覆い、前記空洞の側面に接するように無機膜を成膜する工程を有することを特徴とする請求項１５または１６記載の電子部品の製造方法。
【請求項１９】
前記基板上に、前記素子と外部とを電気的に接続する接続端子を形成する工程を有し、
前記支持柱を形成する工程および前記金属板を形成する工程と、前記接続端子を形成する工程と、は同時に実行されることを特徴とする請求項１５から１８のいずれか一項記載の電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
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【図４】
【図５】
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【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１２−７００９８（Ｐ２０１２−７００９８Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１１３７２（Ｐ２０１０−２１１３７２）
【出願日】平成２２年９月２１日（２０１０．９．２１）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２１日（２０１０．９．２１）
【出願人】（０００２０４２８４）太陽誘電株式会社 (964)
【Ｆターム（参考）】
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