【目的】本発明はＣＩ及び容量比γを小さく維持した特に高周波用の水晶振動子を提供する。
【構成】振動領域としての厚みの小さい中央部及び前記中央部を包囲する厚みの大きい外周部からなる水晶片と、前記振動領域の両主面に対向して設けられた一対の励振電極と、前記一対の励振電極から延出した引出電極とを有する水晶振動子において、前記引出電極は前記励振電極の外周に少なくとも半周以上にわたって接続して両主面間で互いに重畳する対向部を有し、前記対向部となる水晶片の厚みは前記振動領域の厚みより大きい肉厚部とする。 （もっと読む）

【課題】エネルギー損失を抑制する音響共振器を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、基板、第１電極、圧電材料のレイヤ、第２電極、及び引っ込み領域を含む音響共振器が提供される。基板は、第１表面を備えている。第１電極は、基板の第１表面に隣接している。圧電材料のレイヤは、第１電極に隣接している。第２電極は、圧電材料のレイヤに隣接している。第２電極は、多角形として成形された第２電極外辺部を備えている。引っ込み領域は、第２電極に隣接している。引っ込み領域は、引っ込み領域外辺部を定義する形状を備えている。引っ込み領域外辺部は、第２電極外辺部よりも引っ込んでいる。 （もっと読む）

【課題】共振周波数を高めるために、メガヘルツ及びギガヘルツ帯の基本固有振動数を有するマイクロ及びナノメータサイズの共振器における機械素子操作の計測性を向上させること。また相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）回路との集積化を容易に行うこと。
【解決手段】下部電極１、１ａ、１ｂ、上部電極層２、下部電極１、１ａ、１ｂと上部電極層２との間に配置された誘電体層３を有するマイクロフリップ型ナノ・マイクロ機械素子であって、この誘電体層３と上部電極層２とは層状体４を形成し、この層状体４は誘電体層３の側部に水平陥凹部５を、また、ギャップ５ａを形成する陥凹部５の上方に薄肉の張出部６をそれぞれ有し、この張出部６はギャップ５ａの上方に延在するマイクロフラップ６ａを形成する。 （もっと読む）

減結合スタック型バルク音響共振器(DSBAR)デバイス(100)は、下側圧電薄膜共振器（FBAR）(110)と、下側FBARの上に積み重ねられた上側FBAR(120)と、FBAR間の音響減結合器(130)とを有する。FBARの各々は、対向する平面電極(112,114)と、前記電極間の圧電要素(116)とからなる。音響減結合器は、異なる音響インピーダンスを有する音響減結合材料の複数の音響減結合層(182,183)を有する。複数の音響減結合層の音響インピーダンスと厚さは、音響減結合器の音響インピーダンス、ひいてはDSBARデバイスの通過帯域幅を決定する。次いで、プロセス互換性のある音響減結合材料を用いて、音響インピーダンス及び通過帯域幅を有する音響減結合器を作成することができ、その音響インピーダンス及び通過帯域幅は、係る音響インピーダンスを有するプロセス互換性のある音響減結合材料がないことに起因して、別な方法で得ることができない。 （もっと読む）

基板(102)、基板の上に積み重ねられたFBARスタック(111)、FBARスタックを基板から音響的に分離する要素(104)、FBARスタックを覆うカプセル材料(121)、及び、FBARスタックの上面(113)とカプセル材料(121)の間に配置された音響ブラッグ反射器(190)からなるカプセル化圧電薄膜共振器(FBAR)デバイス(100)。FBARスタックはFBAR(110)と、基板から離れたところにある上面(113)とを有する。FBARは対向する2枚の平坦な電極(112,114)と、それらの電極間に配置された圧電素子(116)とを含む。音響ブラッグ反射器は金属ブラッグ層(192)と、金属ブラッグ層に近接配置されたプラスチックブラッグ層(194)とを含む。金属ブラッグ層の金属とプラスチックブラッグ層のプラスチック材料の音響インピーダンスの比が大きいため、音響ブラッグ反射器はFBARとカプセル材料との間を音響的に十分に分離し、FBARとカプセル材料との間の望ましくない音響結合によってFBARデバイスの周波数応答に現れることがあるスプリアスアーチファクトを最小限に抑えることができる。
（もっと読む）

帯域フィルタ(100)は、下側圧電薄膜共振器(FBAR)(110)と、下側FBARの上に積み重ねられた上側FBAR(120)と、FBAR間にあり、音響減結合材料の層(131)からなる音響減結合器(130)とを有する。FBARの各々は、対向する平面電極(112,114)と、前記電極間の圧電要素(116)とを有する。音響減結合器は、FBAR間の音響エネルギーの結合を制御する。特に、音響減結合器は、FBAR間での直接接触により結合されたものに比べて、FBAR間の音響エネルギーを少なく結合する。低減された音響減結合は、帯域内と帯域外の望ましい特性を帯域フィルタに与える。 （もっと読む）

【課題】 基本波のＣＩ値を低く抑えながら、ＣＩ値比を一定に保持すると共に、基部を短くしても、振動片、素子間のＣＩ値バラツキを小さくし、並びに振動片全体も小型化できる振動片、これを有する振動子、この振動子を備える発振器及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 基部１１０と、この基部から突出して形成されている振動腕部１２１，１２２と、前記振動腕部の表面部及び／又は裏面部に溝部１２３，１２４が形成されている振動片であって、前記基部に切り込み部１２６が形成されていると共に、前記溝部の一部に電極部１２３ａ，１２４ａが形成され、前記振動腕部の側面の一部にも電極部１２３ｂ，１２４ｂが形成されていることで振動片１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】 フィルタ特性に優れる水晶フィルタを低価格にて提供することを目的とする。
【解決手段】 薄肉の振動部と振動部の周囲を支持する厚肉の環状囲撓部とを圧電基板で一体的に形成し、振動部の一方の面に全面電極を設け、他方の面に分割電極を設けた圧電フィルタ素子に於いて、分割電極と並列接続した他の分割電極と、他の分割電極の峡間と対向した振動部面に全面電極が設けられていないエリアとを備え、他の分割電極の電極間距離を所定の間隔とすることにより分割電極間に所定の橋絡容量を発生させると共に、エリアを所要の範囲に設定することにより橋絡容量を所要値に設定し圧電フィルタのポール周波数を所要の値に調整する。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディングが可能である為に量産が容易であり、特性のばらつきが発生せず、不要なスプリアスを抑圧でき、しかも電極膜厚制御が容易で、且つ、ＣＩ値の劣化を防止できる電極構造を有する超薄板圧電振動素子を提供する。
【解決手段】 電極構成を、所望の共振モードのみをエネルギー閉じ込め可能で、且つ、膜厚制御が可能で、更に、抵抗値劣化のない膜厚にするために、圧電素板上の励振用電極を間引き構造とする。 （もっと読む）