【課題】共振特性を改善することが可能な圧電薄膜共振器およびそれを用いたフィルタを提供すること。
【手段】本発明は、基板１０上に設けられた下部電極１２と、基板１０上および下部電極１２上に設けられた圧電膜１４と、圧電膜１４を挟み下部電極１２と対向する部分を有するように圧電膜１４上に設けられた上部電極１６と、下部電極１２と上部電極１６とが対向する部分の下部電極１２の少なくとも一部の外周の基板１０上に、下部電極１２に沿って設けられた付加膜２２と、を具備する圧電薄膜共振器およびそれを用いたフィルタである。 （もっと読む）

【課題】良好な濾波特性を容易に得ることができるようにする。
【解決手段】ラダー型圧電フィルタ１を構成するベアチップ１０においては、連続する圧電体薄膜１５を直線１８１で分割して得られる領域１８５，１８６のうち、領域１８５の側に並列腕共振子１０１，１０３を形成し、領域１８６の側に直列腕共振子１０２を形成している。このように、直線１８５の両側に並列腕共振子１０１，１０３と直列腕共振子１０２とを分離して配置すると、並列腕共振子１０１，１０３の周波数調整と直列腕共振子１０２の周波数調整を別々に行うことが容易になり、良好な濾波特性を容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 励振電極面積を最大限に確保することにより小型化を可能とし、励振電極の面積や位置のバラツキによる特性のバラツキを防止することができる圧電振動素子とこれの製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電材料からなるウエハからフォトリソグラフィにより、圧電振動素子を形成する圧電振動素子の製造方法であって、ウエハの一部を除去して圧電振動片の上面および下面に配置される各々の接続電極を接続する回り込み電極の形成面となる電極回り込み部を形成する工程と、ウエハの上面と下面、および前記電極回り込み部に電極膜を形成する工程と、電極膜をパターニングして接続電極を形成する工程と、電極膜をパターニングして励振電極を形成する工程と、圧電振動片の外形に沿う外形部をウエハから除去し圧電振動素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】平面サイズが大きくなることなく、低周波で発振する輪郭振動片、輪郭振動デバイスおよび輪郭振動片の製造方法を提供する。
【解決手段】輪郭振動片１０は振動部１２を有しており、この振動部１２の主面に貫通孔１６または非貫通孔を少なくとも１つ設けている。貫通孔１６または非貫通孔は、振動部１２が輪郭振動したときのバランスが崩れるのを防止するために、振動部１２に均等に配設してある。すなわち貫通孔１６または非貫通孔は、対称になるように振動部１２に配置してある。そして振動部１２に設ける励振電極は、振動部１２の主面に配設してある。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の少ない共振器フィルタ及びデュプレクサを提供する。
【解決手段】薄膜バルク弾性波共振器素子（Ｐ１ａ、Ｐ１ｂ、Ｐ２、Ｐ３）を有する複数の並列接続部（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３）を備え、前記並列接続部の１つ（Ｌ１）には、少なくとも２つ以上の前記薄膜バルク弾性波共振器素子（Ｐ１ａ、Ｐ１ｂ）が直列に接続され、前記直列に接続された前記薄膜バルク弾性波共振器素子の合成容量は、他の並列接続部（Ｌ２、Ｌ３）における前記薄膜バルク弾性波共振器素子（Ｐ２、Ｐ３）の容量よりも小さいこと、を特徴とする共振器フィルタが提供される。 （もっと読む）

【課題】電気機械共振器の共振周波数は、構造の振動モードで決定し、最適な入出力電極の配置が必要となる。必要に応じて電極の高さを可変でき、かつ電極強度を維持することのできる平行駆動型の電気機械共振器を提供することを目的とする。
【解決手段】振動子の側面に同一レイヤで構成される複数の固定電極と、振動子と前記固定電極の間で構成されるギャップを有し、前記ギャップ間の幅の一部が広がる領域を有するようにしたことを特徴とする。すなわち本発明の電気機械共振器は、固定電極と、前記固定電極とギャップを介して形成された振動子とを具備した共振部を備え、前記固定電極の厚さ方向で、前記ギャップ幅が異なる領域を有する。 （もっと読む）

【課題】小型化された輪郭振動片および輪郭振動デバイスを提供する。
【解決手段】輪郭振動片１０は、複数対の励振電極２２を備えた振動部１２と、振動部１２が輪郭振動するときの節となる部分に設けた接続部１８と、接続部１８の端部に設けられ、裏面にマウント電極２８を設けた支持部２０と、振動部１２の側面を通って振動部１２を引き回し、同じ極性となる励振電極２２同士を導通した接続電極２４と、同じ極性となる励振電極２２とマウント電極２８とを導通した１対の引き回し電極とを有している。 （もっと読む）

【課題】基板と圧電薄膜との間に絶縁部を必須の構成として設けずに圧電薄膜デバイスの低背化を図る。
【解決手段】圧電振動共振子１には、絶縁性材料からなる基板２と、基板２上に形成された圧電薄膜３と、基板２上に形成されるとともに圧電薄膜３の表裏面３１，３２に対向して形成された上下電極４１，４２とが設けられ、下電極４２が基板２と圧電薄膜３との間に介在される。下電極４２は、上電極４１と圧電薄膜３を挟んで対向する励振電極部４２１と、外部と電気的接続を行う接続電極部４２２とから構成されている。基板２にはキャビティ２３が形成され、キャビティ２３内で下電極４２の励振電極部４２１が露出して配される。下電極４２の励振電極部４２１のうち、少なくともキャビティ２３から露出される部位に、発振周波数調整を行う調整部５１が設けられる。 （もっと読む）

【課題】振動エネルギーが漏洩するのを抑制するとともに、上下電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】圧電振動共振子１には、絶縁性材料からなる基板２と、基板２上に形成された圧電薄膜３と、基板２上に形成されるとともに圧電薄膜３の表裏面３１，３２に対向して形成された上下電極４１，４２とが設けられ、下電極４２が基板２と圧電薄膜３との間に介在される。下電極４２は、上電極４１と圧電薄膜３を挟んで対向する励振電極部４２１と、外部と電気的接続を行う接続電極部４２２とから構成されている。基板２にはキャビティ２３が形成され、キャビティ２３に対応して下電極４２の励振電極部４２１が配される。圧電薄膜３は、上下電極４１，４２間の振動領域３３と、それ以外の他領域３４とから構成され、振動領域３３の厚みに対して他領域３４の厚みが１／２以下の厚さに設定される。 （もっと読む）

【課題】スプリアス振動を抑制しつつ十分な強度を有し、かつ、稠密な配置をすることができる薄膜圧電共振器を提供する。
【解決手段】キャビティが設けられた基板と、前記キャビティを覆うように前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極の上に設けられた圧電膜と、前記圧電膜の上に設けられた上部電極と、を備え、前記キャビティ上で前記下部電極と前記上部電極とが対向した共振器部は、多角形の各辺を外側に凸の曲線にした形状であり、前記曲線の接線が前記多角形の頂点において不連続であることを特徴とする薄膜圧電共振器が提供される。 （もっと読む）

【課題】その目的は、圧電振動子の発振周波数の調整が正確で、発振周波数の調整精度が向上する圧電振動子を提供すること。
【解決手段】本発明は、基部から振動腕部が伸びだして形成され、当該振動腕部の先端部に長さ方向に沿って形成された周波数調整用金属膜を備えた圧電振動子において、前記周波数調整用金属膜は、複数のブロックに区画されたブロックパターンが形成される。このような構成にすることで圧電振動子の周波数調整は、周波数調整量に応じたブロックを一つ一つ除去することで行われるので、発振周波数の調整を正確に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】共振構造体を有する圧電共振子の形成方法を提供する。
【解決手段】圧電共振子の製造工程を単純化し、そして製造工程において成形体による共振構造体の歩留まりを高める方案を提示する。そのために、基底構造体、保護構造体及び成形体を準備する。前記成形体は選択された２つの面において分極電極をそれぞれに有する。前記成形体は所定方向に沿って一列に整列した分極軸を持つ結晶を有する。前記成形体及び分極電極を所定幅に切断して共振板を形成する。前記共振板上に共振電極を形成する。前記共振電極及び共振板を切断して共振構造体を形成する。そして、前記保護構造体と基底構造体との間に共振構造体を挿入し圧電共振子を形成する。 （もっと読む）

【課題】スプリアスを抑制することが可能な圧電薄膜共振器およびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、基板（４１）の空隙（４６）上または基板との間に空隙が形成されるように設けられた下部電極（４３）と、下部電極上に設けられた圧電膜（４４）と、圧電膜を挟み下部電極と対向する共振領域（５０）を有するように圧電膜上に設けられた上部電極（４５）と、共振領域の周辺に設けられ、横方向に伝搬する波動の波長の０．３５倍から０．６５倍の幅を有し波動の通過する支持領域（５２）と、支持領域の周辺に設けられ、横方向に伝搬する波動を遮断する周辺領域（５４）と、を具備する圧電薄膜共振器およびフィルタである。 （もっと読む）

【課題】 ＣＩ値の上昇およびばらつきを抑えながら振動腕の長さを短くした音叉型圧電振動片または圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 音叉型圧電振動片（２０）は、圧電材料により形成された基部（２９）と、基部の一端側から所定方向に伸びる振動腕（２１−１）と、振動腕の表面部と裏面部に形成された溝部（２７−１）と、振動腕に形成された電極（２３，２５）と、を備える。そして、溝部（２７−１）は所定方向に伸びる非直線的な部分（のこぎり歯）を有する。 （もっと読む）

【課題】劣化を抑制することができる音叉振動子を提供する。
【解決手段】本発明に係る音叉振動子１００は，基体１と、基体のうちの少なくとも一部からなる音叉型の振動部１０と、振動部の屈曲振動を生成する駆動部２０と、基体の上方に形成され、駆動部に接しない多孔質層８０と、駆動部と多孔質層との間に形成された空洞部７２と、多孔質層の上方に形成された封止層９０と、を含み、振動部は、支持部１２と、支持部を基端として片持ち梁状に形成された二本のビーム部１４ａと、を有し、駆動部は、各ビーム部の上方に１対ずつ形成され、各駆動部は、第１電極２２と、第１電極の上方に形成された圧電体層２４と、圧電体層の上方に形成された第２電極２６と，を有する。 （もっと読む）

【課題】 製造時あるいは調整時などにおいて、微小な金属塵などの不純物が混入した場合にあっても、絶縁不良による振動特性の劣化や製造不良を確実に防止することのできる励振電極構造を備えた屈曲振動子を提供することである。
【解決手段】 基部からＹ軸方向に振動長、Ｘ軸方向に振動幅、Ｚ軸方向に厚みを有する一対の振動腕部３３，３４を備え、この振動腕部３３，３４の外側の側面ｓ１及び凹部３７，３８内の側面ｓ２に励振電極３５ａ，３６ａ及び励振電極３５ｂ，３６ｂがそれぞれ形成される屈曲振動子３１において、前記各励振電極は、その上端及び下端が前記振動腕部３３，３４の上面ｕ及び下面ｄと前記側面ｓ１，ｓ２との間にできる上側稜線ｕ１及び下側稜線ｄ１からそれぞれ内側に絶縁部３０を残して形成した。 （もっと読む）

【課題】破損が起こりにくく、反共振周波数におけるインピーダンス低下が抑制され、高いＱ値を有し、スプリアスモードの発生の抑制された薄膜圧電共振器を提供する。
【解決手段】圧電層２と上部電極１２及び下部電極１０とを有する圧電共振スタック１４と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタックを支持する基板８とを含んでなる薄膜圧電共振器。圧電共振スタック１４は、上部電極１２と下部電極１０とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域２０と、基板８に接する支持領域２４と、振動領域２０及び支持領域２４の間に位置する緩衝領域２２とからなる。緩衝領域２２における圧電層２の厚みｔと振動領域２０における圧電層２の厚みＴとがＴ／８≦ｔ≦Ｔ／２の関係を満たし、基板８に平行な方向に存在する定在波の波長λとこの定在波の方向に関する緩衝領域２０の寸法ｘとがλ／２００≦ｘ≦λ／２０の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】共振部からの振動エネルギーの散逸を抑制することが可能な圧電薄膜共振器およびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、基板（４１）の空隙（４６）上に設けられた下部電極（４３）と、下部電極（４３）上に設けられた圧電膜（４４）と、圧電膜（４４）を挟み下部電極（４３）と対向する共振部（４７）を有するように圧電膜（４４）上に設けられた上部電極（４５）と、を具備し、下部電極（４３）および上部電極（４５）の少なくとも一方は、空隙（４６）上に共振部（４７）から信号を引き出すための配線部（４８）を有し、下部電極（４３）および上部電極（４５）の少なくとも一方は、配線部（４８）における圧電膜（４４）に接する単位面積当たりの質量が共振部（４７）における単位面積あたりの質量より小さい圧電薄膜共振器およびフィルタである。 （もっと読む）

【課題】基板９上に両端部が支持された共振子５と、該共振子５に対向して配置された２つの電極１、２とを具え、一方の電極１と共振子５とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されると共に、他方の電極２と共振子５とが互いに対向して、１或いは複数のギャップ部が形成されているマイクロメカニカル共振器において、低インピーダンス化を図る。
【解決手段】本発明に係るマイクロメカニカル共振器において、共振子５は、基板９上に、互いに並列の位置関係に配置された複数本の共振ビーム５２、５３、５４を具え、各共振ビームの両端部が基板９上に支持されると共に、隣接する共振ビームどうしが、それぞれの振動の腹の位置若しくはその近傍位置にて互いに連結されている。 （もっと読む）

【課題】 超小型化した場合でも、圧電振動素子の保持並びに気密封止を確実に行うことのできる新規なチップ型の圧電振動デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶振動板１の表裏主面の中央領域には各々励振電極１１１，１１２が形成されている。各励振電極は長方形状であり、水晶振動板を介して対向して形成され、また各励振電極とつながる引出電極１１１ａ，１２１ａが形成されている。水晶振動板１１の表裏主面には端子体１２，１３が接続されている。端子体１２，１３は直方体ブロック状であり、水晶あるいはセラミックス等の絶縁体で構成されている。前記端子体の接合面１２１，１３１にはキャビティＣが設けられている。 （もっと読む）