【課題】 所望の発振周波数に微調整する複数のコンデンサーを音叉型圧電振動片（２０）に内蔵させることで周波数調整を行う。
【解決手段】 音叉型圧電振動片（２０）は、基部（２９）と、その基部（２９）から所定方向に伸びる少なくとも一対の振動腕（２１）と、振動腕に設けられた励振電極（２３ｃ、２３ｄ、２５ｃ、２５ｄ）と、基部（２９）に設けられた周波数調整部（４７）と、を備える。この周波数調整部は、励振電極に接続されたコンデンサーである。 （もっと読む）

【課題】複数の圧電共振子から成る共振子フィルタを簡易な製造工程で製造する。
【解決手段】下部電極８２、圧電体膜８３、第一の上部電極８４、及び第二の上部電極８６を順次積層して成る、第一の並列腕共振子１２、第二の並列腕共振子１３、及び直列腕共振子１１を形成し（図６（Ａ））、第一の並列腕共振子１２、第二の並列腕共振子１３、及び直列腕共振子１１のそれぞれの上部に保護膜８５を形成し（図６（Ｂ））、直列腕共振子１１の第二の上部電極８６、及び第一の並列腕共振子１２の第二の上部電極８６のそれぞれが露出するように保護膜８５を選択的にエッチングし（図６（Ｃ））、直列腕共振子１１の第一の上部電極８４が露出するようにその上層の第二の上部電極８６をエッチング除去する（図６（Ｄ））。 （もっと読む）

【課題】横波のエネルギー散逸を防止しながら従来例より電気機械結合係数の低下、および定在波モードの増大を抑圧した圧電薄膜共振器を実現する。
【解決手段】基板１４と、基板１４上に配され、一部が互いに対向するように配置された上部電極１１及び下部電極１２と、上部電極１１と下部電極１２との間に配された圧電膜１３とを備えた圧電薄膜共振器であって、上部電極１１上に配された質量体１６を備え、質量体１６は、上部電極１１における下部電極１２に対向する領域の端部の一部に配されている。 （もっと読む）

【課題】水晶部分に印加される電界を、振動子間にて均一化させつつ、すなわちＣＩ値、Ｑ値及び容量比等の特性値を維持させつつ小型化できる振動片、振動子及び発振器を提供するを提供する。
【解決手段】本発明の振動片は、基部と、該基部から突出して一体的に形成されている振動腕部とから構成される振動片であり、前記基部及び前記振動腕部が第１及び第２のＸカット水晶片が、それぞれのｘ軸が平行となるように重ね合わされて形成されている。 （もっと読む）

【課題】結合共振器を有する機械的に結合されるＢＡＷ型音響共振器に基づく帯域通過フィルタ回路の帯域幅近傍における選択度を改良する。
【解決手段】基板１００と、音響共振器を支持し、これらの共振器を基板から絶縁するための音響ミラー１０１と、少なくとも一層の音響結合層１３０を介して互いに結合される上側共振器１２０および下側共振器１１０を有する第１構造（左）と、少なくとも一層の音響結合層２３０を介して互いに結合される上側共振器２２０および下側共振器２１０を有する第２構造（右）と、を有し、第１および第２構造の前記下側共振器は同一電極２１１、２１３を有する。フィルタは、第１および第２構造が、第５共振器３００を介して接続され、第５共振器の電極および圧電層は、いわゆる第１および第２構造の前記下側共振器のものである。 （もっと読む）

【課題】近年の圧電薄膜共振子フィルタに対する要求に対応すべく、横方向漏れを抑制し、低損失化することができる圧電薄膜共振子、フィルタ、通信モジュール、および通信装置を提供する。
【解決手段】基板５と、基板５上に配され、一部が互いに対向するように配置された上部電極１及び下部電極２と、上部電極１と下部電極２との間に配された圧電膜３とを備えた圧電薄膜共振子であって、圧電膜３は、上部電極１と下部電極２とが対向する部位に配され、上部電極１と基板５とが対向する領域の一部に絶縁膜４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜バルク波共振器の形状に因らずに、スプリアス振動を抑制することのできる薄膜バルク波共振器を提供する。
【解決手段】薄膜バルク波共振器１０は、圧電体膜２１、上部電極２２、及び下部電極２３から成る積層共振体２０と、積層共振体２０の自由振動を確保するために形成されたキャビティ３１を有する基板３０とを備える。積層共振体２０の共振周波数一定という条件下で、圧電体膜２１の膜厚と、上部電極２２及び下部電極２３の膜厚との比率Ｒを調整し、スプリアス振動周波数ｆｓを積層共振体２０の共振周波数ｆｒ又は反共振周波数ｆａに一致させることで、縦モードのスプリアス振動は、積層共振体２０の主振動に一致するようになるので、スプリアス振動は見かけ上現れなくなる。 （もっと読む）

【課題】多重モード圧電フィルタの中心周波数近傍の低域側の保証減衰量を改善する手段を得る。
【解決手段】薄肉の振動部６、及びこの振動部６の周縁に沿って形成された厚肉の環状囲繞部７を有する圧電基板５と、振動部６の一方の主面上、つまり平坦側に近接して配置された３つの分割電極１０−１２と、振動部６の他の主面上、つまり圧電基板５の凹陥部側に、全ての分割電極１０−１２と対向して配置された共通電極１４と、この共通電極１４が存在しない他の主面上に配置された非共通電極領域（無電極領域）と、を備えている。共通電極１４は、少なくとも全ての分割電極１０−１２をその内部に含む幅を有し、非共通電極領域（無電極領域）は、共通電極１４を分割電極１０−１２の配列方向へ延長した幅内に位置する他の主面部分と、共通電極１４を分割電極１０−１２の配列方向と直交する方向へ延長した幅内に位置する他の主面部分に形成する。 （もっと読む）

【課題】縦続接続型多重モード圧電フィルタの中心周波数より高域側に生じるスプリアスを抑圧する。
【解決手段】第１及び第２の多重モード圧電フィルタ１、２は、圧電基板５と、圧電基板５の一方の主面上に近接配置した複数の分割電極１０、１１と、圧電基板５の他の主面上に全ての前記分割電極１０、１１と対向して配置された共通電極１２と、を備え、多重モード圧電フィルタ１の共通電極１２の面積と、第２の多重モード圧電フィルタ２の共通電極１２の面積とが異なるようにした。 （もっと読む）

【課題】ビアホールが形成された基板とビアホール内に形成される導電部材との間の絶縁を強化することができる、電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）第１の基板２０の一方主面にコンタクトメタル２０ｘを形成し、ｂ）第１の基板２０にビアホール２１を形成し、ビアホール底面２１ｔにコンタクトメタル２１を露出させ、ｃ）ビアホール内周面２１ｓをエッチングして、ビアホール内周面２１ｓに形成された凸部２９ａ，２９ｂの少なくとも先端側を除去し、ｄ）ビアホール開口部２１ａに接する部分とビアホール内周面２１ａとビアホール底面２１ｔに露出するコンタクトメタル２０ｘとに、酸化膜又は窒化膜からなる絶縁膜３２を形成し、ｅ）コンタクトメタル２０ｘに形成された絶縁膜３２を除去し、ｆ）絶縁膜３２とビアホール底面２１ｔの絶縁膜３２が除去されたコンタクトメタル２０ｘとに導電部材を配置する。 （もっと読む）

入力信号s(t)から、同一の振幅を有する一方で、互いに対して位相シフトされた2つの信号S₁(t)、S₂(t)を生成することができる第1の段(2)と、前記信号S₁(t)、S₂(t)に対する第2の増幅器の段(3)と、第2の段(3)から得られた2つの信号s'₁(t)、s'₂(t)を合計することができる第3の再結合の段(4)とを具備する、アウトフェージングタイプのアーキテクチャを有する、無線周波数信号のための電力増幅器フィルタにおいて、再結合の段(4)は、互いに結合された音響波共振器の組立体を含み、これらの共振器のうちの「入力共振器」と呼ばれるいくつかの共振器は、第2の段(3)の出力に接続され、これらの共振器のうちの「出力共振器」と呼ばれる他の共振器は、フィルタの出力端子に接続される。
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【課題】増強された近接周波数阻止特性を有し、所望周波数又は周波数範囲を阻止する為にフィルタ減衰特性を調整する様に設計され得る音響共振子フィルタの提供。
【解決手段】帯域通過フィルタは、入力端子５０５及び出力端子５５５と、第１、第２の音響共振子５１０，５２０と、音響結合層５３０とを含む。第１の音響共振子５１０は、第１、第２の電極５１２，５１４とこれら第１及び第２の電極間の圧電層５１６とを含む。第１の音響共振子の第１の電極は入力端子に接続され、第２の音響共振子５２０は、第１、第２の電極５２２，５２４と、これら第１及び第２の電極間の圧電層５２６とを含む。音響結合は、第１の音響共振子の第２の電極と第２の音響共振子の第１の電極間に与えられ、出力端子は第２の音響共振子の第２の電極に接続される。入力端子と出力端子間にはコンデンサ５５０が延びる構成で、フィルタの周波数応答は少なくとも２つの伝送ゼロを含む。 （もっと読む）

Ｎ×ＭのＭＥＭＳアレイ構造に配列される共振器が、曲面を成す／丸みを帯びた部分によって接続される実質的に真直ぐな細長いビーム部分を含む。各共振器は、結合部分を介してアレイの少なくとも１つの隣接する共振器に機械的に結合され、細長い各ビーム部分は、曲面を成す／丸みを帯びた部分を介して遠端において別の細長いビーム部分に接続されて、幾何学的形状を形成し、結合部分は隣接する共振器の細長いビーム部分の間に配置される。共振器は、誘起されるときに、伸長／ブリージングモード、及び曲げモードを組み合わせて、実質的に同じ周波数において発振する（すなわち、ビーム部分は、伸長／ブリージングのような動き及び曲げのような動きを示す）。アレイ構造の共振器のうちの１つ又は複数は、１つ又は複数の節点（すなわち、実質的に静止しており、且つ／又はほとんど動くことがない点）を含む場合があり、節点は、構造の曲面を成す部分のうちの１つ又は複数のエリアにおいて、共振器／アレイを基板に固定するのに適しており、且つ／又は好ましい場所である。 （もっと読む）

【課題】 実装時に外部に配線を形成する必要がなく、更に基板に搭載する際の入出力方向を選択可能として、相互変調特性が良好な向きに実装することができ、基板上の集積度及び歩留まりを向上させることができる水晶フィルタを提供する。
【解決手段】 水晶片の一方の面に第１〜第４の電極を設け、他方の面に第５〜第８の電極を設け、第１〜第４の電極が設けられた面から見て左上に第１の端子、左下に第２の端子、右上に第３の端子、右下に第４の端子、中央上に第５の端子、中央下に第６の端子を設け、第１の電極を第２の端子に、第２の電極と第３の電極を第５の端子に、第４の電極を第３の端子に、第５の電極を第１の端子に、第６の電極と第７の電極を第６の端子に、第８の電極を第４の端子に接続した水晶フィルタとしている。 （もっと読む）

【課題】周波数調整における結合係数の劣化を低減した圧電フィルタを提供する。
【解決手段】圧電体１の両主面上に第１電極と第２電極を備えて第１の圧電振動子を形成し、第３電極と第４電極を備えて第２の圧電振動子を形成する。第１の圧電振動子の周波数を調整するため、第１電極と第２電極の最表面上には、第１負荷膜と第２負荷膜が形成され、第２の圧電振動子の周波数を調整するため、第３電極と第４電極の最表面上には、第３負荷膜と第４負荷膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の共振子を有し小型化が可能な共振装置を提供する。
【解決手段】支持基板１と、支持基板１の一表面側に形成された音響ミラー２と、音響ミラー２上に形成された共振子ユニット３とを備えている。共振子ユニット３は、支持基板１の上記一表面側において音響ミラー２上に形成された下部電極３１と、下部電極３１上に形成された圧電層３２と、圧電層３２上に形成された上部電極３３と、圧電層３２の側面に形成された横電極３４とを備え、横電極３４と圧電層３２と上部電極３３とで構成される共振子と、横電極３４と圧電層３２と下部電極３１とで構成される共振子とを有している。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させることが可能な共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、支持基板１の一表面側に下部電極３１と圧電層３２と上部電極３３とを有する共振子３を備え、支持基板１に下部電極３１のうち共振子３の共振領域に対応する部位を露出させる開孔部１ａが貫設されてなるＦＢＡＲ型のＢＡＷ共振器であり、共振子３のＱ値を調整するために共振子３の応力を制御する第１の応力制御膜５および第２の応力制御膜６が形成されている。ここで、第１の応力制御膜５は、支持基板１の他表面側に形成されてなり、支持基板１の上記他表面と開孔部１ａの内周面と下部電極３１の露出部位とを覆う形で形成されており、第２の応力制御膜６は、上部電極３３上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】面外振動を行う圧電振動片の漏れ振動を除去する。
【解決手段】圧電振動片１００は、直交するＸＹ平面に展開され、支持部１２に連続する基部１１と、基部１１の１辺から互いに離間してＸ方向に並列されると共にＹ方向に延在される３本の振動腕１３〜１５とを有する振動体１０と、振動腕１３〜１５それぞれの主面に設けられ励振信号が印加されることによりＹ方向に伸縮する薄膜圧電素子６１〜６３と、が備えられ、３本の振動腕１３〜１５のうちの隣り合う振動腕が互いに逆方向の面外振動を行い、振動体１０のＸ方向の中心軸Ｐ０に対して発生する振動腕１３〜１５それぞれの捩れモーメントの総和が略０となるように、各振動腕の質量と中心軸Ｐ０から振動腕１４または振動腕１５間での距離を設定する。このことにより圧電振動片の漏れ振動を除去する。 （もっと読む）

【課題】共振子のＱ値を向上させることが可能で且つ上部電極の形成のためのプロセス設計の自由度が高い共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上記一表面側に音響ミラー１２を形成し（図１（ａ））、音響ミラー１２上に、下部電極３１を形成してから、下部電極３１上にＰＺＴ層からなる圧電層３２を形成し（図１（ｂ））、その後、上部電極３３を形成する（図１（ｄ））。上部電極３３の形成にあたっては、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側の全面に第１の金属材料（例えば、Ａｌなど）からなる金属膜３３ａを形成する金属膜形成工程を行い、その後、金属膜３３ａをパターニングするパターニング工程を行い（図１（ｃ））、その後、金属膜３３ａの表面側に第１の金属材料よりも硬い第２の金属材料をドーピングするドーピング工程を行うことでドーピング領域３３ｂを形成する（図１（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】共振子全体のＱ値を高めることが可能な共振装置を提供する。
【解決手段】共振装置は、支持基板１の一表面側に形成された下部電極３１と、下部電極３１における支持基板１側とは反対側に形成された圧電層３２と、圧電層３２における下部電極３１側とは反対側に形成された上部電極３３との積層構造を有する共振子３を備えている。圧電層３２中における１次モードの弾性定在波の波長をλ〔ｎｍ〕、圧電層３２の厚さをｔ〔ｎｍ〕とするとき、０．０３λ≦ｔ≦０．１５λを満足するように圧電層３２の厚さｔ〔ｎｍ〕が設定されている。 （もっと読む）