【課題】共振周波数及び反共振周波数の調整に好適な薄膜バルク波共振器の製造方法を提供する。
【解決手段】並列腕共振器１０Ｂの上部電極５０Ｂ上に保護膜６０を形成する。そしてドライエッチングにより保護膜６０に複数の開口部をメッシュ状に形成し、上部電極５０Ｂの一部を露出させる。保護膜６０の開口率を調整することにより、並列腕共振器１０Ｂの反共振周波数を直列共振器１０Ａの共振周波数に一致させることができる。複数の開口部がメッシュ状に形成される保護膜６０は、その重みにより並列腕共振器１０Ｂの共振周波数及び反共振周波数を調整する機能を有するため、一度の製造工程で保護膜と周波数調整膜とを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】不要振動である横モード振動を抑止する音響共振子構造およびそれを用いた電気フィルタを提供する。
【解決手段】圧電共振子の一種である薄膜バルク音響共振子（ＦＢＡＲ）において、共振子２００は、基板２０５に形成された空洞２０８上に下側電極２０７、圧電素子２０６、上側電極２０１が順次積層されており、下側電極２０７と上側電極２０１は、実質的に同じ形状と寸法を有し、下側電極２０７と上側電極２０１のオーバーラップ領域は、共振子２００の作用領域を画定し、上側電極２０１と上側接続部２０３の界面に、上側電極２０１と上側接続部２０３の間の音響インピーダンス不整合をもたらすフレーム素子２０４を配置した構造とする。 （もっと読む）

【課題】１つのパッケージ内に２つの周波数の異なる音叉型振動素子を実装し、且つ相互間の干渉を抑圧した圧電デバイスを得る。
【解決手段】収容凹所を有したパッケージ本体、及び該パッケージ本体の収容凹所を閉止する蓋部材を有したパッケージと、該パッケージ本体の内底面上に並行な姿勢にて近接配置され且つ夫々片持ち支持される少なくとも２個の音叉型振動素子と、を備えた圧電デバイスにおいて、前記パッケージ本体の内底面に２つの傾斜面から成る山形の凸部を設け、両傾斜面上に夫々前記音叉型振動素子を搭載し、前記各音叉型振動素子は、夫々の固定端部が逆方向を向くように互い違いに配置するように圧電デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】電極への給電経路を確保しつつ、不要振動を抑制することができる圧電薄膜デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】下面電極１４１と上面電極１６１とは、対向領域１９１において圧電体薄膜１５を挟んで対向し、直列腕共振子１０１を形成している。下面電極１４２と上面電極１６２とは、対向領域１９３において圧電体薄膜１５を挟んで対向し、並列腕共振子１０２を形成している。下面電極１４１と上面電極１６２とは、自由振動領域１９２，１９４の外側の領域１９５において圧電体薄膜１５を挟んで対向し、１２個のバイアホール１５５によって電気的に接続されている。下面電極１４２と上面電極１６３とは、自由振動領域１９２，１９４の外側の領域１９７において圧電体薄膜１５を挟んで対向し、１２個のバイアホール１５６によって電気的に接続されている。バイアホール１５５，１５６には、樹脂１７が充填されている。 （もっと読む）

【課題】自発分極の方向が厚み方向に揃って配向性が高い圧電性薄膜を製造することが可能な圧電性薄膜の製造方法、自発分極の方向が厚み方向に揃って配向性が高い圧電性薄膜を圧電変換部として備えた共振装置およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供する。
【解決手段】下部電極３１と圧電変換部３２と上部電極３３とからなる共振子３を備える共振装置の圧電変換部３２の形成にあたっては、ベース基板１の一表面側にＰＺＴの前駆体からなるＰＺＴ前駆体部２８ａと高熱膨張率材料からなる熱膨張部２９とがベース基板１の厚み方向に直交する面内で混在し且つ密着した複合層２７を形成し、続いて、複合層２７をアニールすることでＰＺＴからなる圧電性結晶部３０ａと高熱膨張率材料からなる高熱膨張率材料部３０ｂとがベース基板１の厚み方向に直交する面内で混在する圧電性薄膜３０を形成し、圧電性薄膜３０をパターニングすることで圧電変換部３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】下部電極間でクロストークが発生することを抑制できるとともに、製造コストの低減が図れる共振装置を提供することにある。
【解決手段】共振装置は、ベース基板１と、ベース基板１の主表面側に形成された下部電極３０、下部電極３０におけるベース基板１側とは反対側に形成された圧電体薄膜４０、および圧電体薄膜４０における下部電極３０側とは反対側に形成された上部電極５０とで構成された複数の共振子２とを備え、隣り合う２つの共振子２の上部電極５０が共通に接続されてなり、ベース基板１は、低音響インピーダンス層１３と、高音響インピーダンス層１４とを、支持基板１１の主表面側を覆う形で、最上層が低音響インピーダンス層１３となるように交互に積層することにより形成された音響多層膜１２を有し、隣り合う２つの共振子２の一方と厚み方向で重なる部位に、ベース基板１を貫通する空洞部１ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】目的の通過帯域のみを通過させ、目的外の周波数の減衰率を大きくとることができ、しかも小型化が可能な帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】ＢＡＷフィルタ１は、圧電体層１０を上部電極１２および下部電極１１の間に挟み込んだ構造を有し目的の通過帯域に設計されている。平面パターンフィルタ２は、ＢＡＷフィルタ１と共通の基板３に形成され誘電体層２０を介して地導体層２１および帯状の信号導体層２２を積層した伝送線路２３と、信号導体層２２の一部に連続する導体層により形成されたスタブ回路２４とを有しＢＡＷフィルタ１の阻止帯域を減衰させる。ＢＡＷフィルタ１と平面パターンフィルタ２とは信号導体層２２を介して接続される。スタブ回路２４は、信号導体層２２から離間したローディング部２４ａと、一端が伝送線路２３に連続し他端がローディング部２４ａに連続するタップ部２４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】下部電極と圧電体薄膜との積層膜のベース基板からの剥離を防止することが可能な共振装置の製造方法、共振装置およびＵＷＢ用フィルタを提供する。
【解決手段】共振装置の製造にあたっては、ベース基板１の一表面側に下部電極３１の基礎膜となる第１の多孔質金属層３１ａを形成する多孔質金属層形成工程を行ってから、ＰＺＴの成分元素を含む金属アルコキシドを溶媒に溶かした溶液を第１の多孔質金属層３１ａ上に塗布する塗布工程を行い、その後で上記溶媒を除去することによりＰＺＴ薄膜３２ｂの前駆体膜３２ａを形成する仮焼成工程を行い、続いて、前駆体膜３２ａを焼結することによりＰＺＴ薄膜３２ｂを形成する焼結工程を行い、その後、ＰＺＴ薄膜３２ｂの一部からなる圧電体薄膜３２上に上部電極３３を形成する上部電極形成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】機械的品質係数並びに電気機械結合係数の双方を大きくする。
【解決手段】例えば、ＡｌＮで形成した１層目の圧電薄膜３０とＰＺＴで形成した２層目の圧電薄膜３１を積層して圧電薄膜層３を構成し、この圧電薄膜層３を下部電極２０と上部電極４０で厚み方向に挟み込んでいる。従って、互いの分極率の大小関係と機械的品質係数の大小関係とが異なる複数種類の圧電材料（ＡｌＮとＰＺＴ）で各々形成された複数の圧電薄膜３０，３１を積層して圧電薄膜層３を構成しているので、単一の圧電材料で圧電薄膜を構成する場合と比較して、機械的品質係数並びに電気機械結合係数の双方を増大することができる。 （もっと読む）

【課題】受信フィルタ及び送信フィルタとしてバルク弾性波フィルタを用いたデュプレクサにおいて、受信フィルタ及び送信フィルタの選択の自由度を高め、デュプレクサの特性を向上する。
【解決手段】デュプレクサ１は、受信フィルタ１１と位相器１３とを直列に接続し、送信フィルタ１２と位相器１４とを直列に接続した上で、並列接続された位相器１３，１４を送受信で共通の接続点１８に接続し、受信フィルタ１１を送受信で非共通の受信ポート１６に接続し、送信フィルタ１２を送受信で非共通の送信ポート１７に接続して構成される。位相器１３は、受信フィルタ１１の阻止帯域Ｒ２において、接続点１８から見た受信フィルタ１１の位相を開放側へ回転し、位相器１４は、送信フィルタ１２の阻止帯域Ｔ２において、接続点１８から見た送信フィルタ１２の位相を開放側へ回転する。 （もっと読む）

【課題】ラダー型圧電フィルタにおいて、通過帯域幅を広げつつ、低周波数側及び高周波数側の阻止帯域における減衰を増やす。
【解決手段】ラダー型圧電フィルタ１は、並列腕１１，１３，１５と直列腕１２，１４とを交互に接続して構成される。並列腕１１，１３，１５は、それぞれ、並列共振子１１１，１３１，１５１とＬＣ素子網１１２，１３２，１５２とを直列接続して構成され、直列腕１２，１４は、それぞれ、直列共振子１２１，１４１から構成される。ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、それぞれ、直列接続された並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数において誘導性となるように構成されている。さらに、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、高周波数側の阻止帯域内における新たな直列共振点の形成に寄与するキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３を含む。 （もっと読む）

【課題】小型で消費電力が小さく高精度な水晶振動子を提供する。
【解決手段】水晶振動子１０は、基部２１と、基部２１から水晶のＹ軸方向に沿って平行
に延在される一対の振動腕３０，４０と、振動腕３０の表面３１、裏面３２、外側側面３
３、内側側面３４に電極５１〜５４が設けられ、振動腕４０の表面４１、裏面４２、外側
側面４３、内側側面４４に電極５６〜５９が設けられて水晶振動片２０が形成され、振動
腕３０の表面３１をＸ軸方向に２分して内側側面３４方向（水晶の結晶軸方向）には、圧
電体薄膜７１とその表面に電極５５とが設けられて圧電体薄膜素子１００を形成され、振
動腕４０の表面４１をＸ軸方向に２分して外側側面４３方向（水晶の結晶軸方向）には、
圧電体薄膜７２とその表面に電極６０とが設けられて圧電体薄膜素子１０１を形成される
。そして、水晶振動片２０と圧電体薄膜素子１００，１０１とは直列に接続されている。 （もっと読む）

開示されているのは、音響的に結合された電気音響変換器（１１、１２、１３）でトラックを囲む帯域通過フィルタ（１００）を含む電気フィルタである。さらに、フィルタは、少なくとも１つの電気音響直列素子（２１、２２）および少なくとも１つの電気音響並列素子（２３、２４）を備える帯域阻止フィルタ（２００）を含む。帯域阻止フィルタの直列素子（２１、２２）は帯域通過フィルタの少なくとも１つの変換器（１１、１２）に連続的に接続される。帯域阻止フィルタの並列素子（２３、２４）は、帯域通過フィルタの少なくとも１つの変換器（１１、１２、１３）に電気接続されるシャントアーム内に配置される。少なくとも１つの電気音響素子（２１、２２、２３、２４）の共振周波数および反共振周波数は、帯域通過フィルタ（１００）の帯域の外側にある。 （もっと読む）

【課題】小型化と低消費電力化と、周波数温度変化が小さい高精度の水晶振動子を提供す
る。
【解決手段】水晶振動子１０は、基部２１と、基部２１から平行に延在される少なくとも
一対の振動腕３０，４０と、振動腕３０，４０それぞれの表面３１，４１または裏面３２
，４２または外側側面３３と内側側面４４とに電極５１〜５４，５６〜５９と、を有する
水晶振動片２０と、水晶振動片２０と直列接続され、振動腕３０，４０それぞれの表面３
１，４１に設けられる圧電体薄膜７１，７２と、圧電体薄膜７１，７２の表面に形成され
る電極５５，６０とを含む圧電体薄膜素子１００，１０１と、圧電体薄膜７１，７２それ
ぞれの表面に設けられ、圧電体薄膜７１，７２の一次温度係数とは逆の一次温度係数を有
する温度補償膜１１０，１１１と、が備えられている。 （もっと読む）

【課題】音響ミラーを介した共振子間のクロストークの発生を抑制でき且つ製造が容易な高性能の共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１の一表面側に絶縁性薄膜からなる低音響インピーダンス層２１を形成する工程と絶縁性炭素薄膜からなる高音響インピーダンス層２２を形成する工程とを交互に繰り返すことにより音響ミラー２を形成し、音響ミラー２の表面側の全面に各共振子３の下部電極３１の基礎となる導電性層３１ａを形成し、ゾルゲル法により導電性層３１ａの表面側の全面にＰＺＴ薄膜３２ａを形成し、ＰＺＴ薄膜３２ａをパターニングすることでそれぞれＰＺＴ薄膜３２ａの一部からなる複数の圧電体薄膜３２を形成し、導電性層３１ａをパターニングすることでそれぞれ導電性層３１ａの一部からなる複数の下部電極３１を形成し、各ＰＺＴ薄膜３２それぞれの表面側に上部電極３３を形成する。 （もっと読む）

【課題】共振子の圧電体薄膜の品質を向上できるＢＡＷ共振器の製造方法を提供することにある。
【解決手段】ＢＡＷ共振器の製造にあたっては、支持基板１１の主表面側に、前記主表面側の全面を覆うようして設けられる低音響インピーダンス層１２ａと、複数の共振子５それぞれに対応するようにパターニングされた高音響インピーダンス層１２ｂとを、最上層が低音響インピーダンス層１２ａとなるように交互に積層して音響多層膜１２を形成した後に、音響多層膜１２の表面側の全面に、当該表面の凹所１２ｃを埋めるようにして下部電極２０の基礎となる導電性層２を形成してから、導電性層２における音響多層膜１２側とは反対側の表面を研磨によって平坦化した後に、導電性層２の表面側に圧電体薄膜３０の基礎となる圧電体層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数とＱ値を両方共に大きくしたＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供することにある。
【解決手段】ＢＡＷ共振器は、ベース基板１０と、ベース基板１０の一表面側に形成された下部電極２０と、下部電極２０におけるベース基板１０側とは反対側に形成された単結晶の圧電材料からなる圧電薄膜３０と、圧電薄膜３０における下部電極２０側とは反対側に形成された上部電極４０とを備える。ここで、下部電極２０の材料は、下部電極２０の格子定数と圧電薄膜３０の格子定数との差に起因して下部電極２０と圧電薄膜３０の間に発生する応力が、圧電薄膜３０の単結晶性を崩してしまう応力値よりも小さくなるような格子定数の材料を用いており、圧電薄膜３０がＰＺＴからなる場合、下部電極２０の材料としてＬＮＯ又はＳＲＯを用いるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】周波数温度特性の異なる複数の積層構造を組み合わせることにより、従来よりも安定した周波数特性を得ることのできるバルク音響振動子を実現する。
【解決手段】本発明のバルク音響振動子１０は、圧電体膜１２Ａ，１２Ｂ、該圧電体膜を挟む一対の電極１１Ａ，１１Ｂ，１３Ａ，１３Ｂ、及び、温度補償膜１４Ａ，１４Ｂを含む積層構造を有するバルク音響振動子において、前記圧電体膜、前記一対の電極を備えると同時に、負の周波数温度特性を備えた第１構造部１０Ａと、前記温度補償膜１４Ｂにより正の周波数温度特性を備えた第２構造部１０Ｂとが形成され、前記第１構造部と前記第２構造部とが電気的に並列に結合されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】横音響モードの発生を抑制した高いＱ値を有する薄膜圧電共振器を提供する。
【解決手段】圧電層２とそれを挟んで互いに対向するように形成された上部電極１０及び下部電極８とを有する圧電共振スタック１２と、その下に形成された空隙４と、圧電共振スタック１２を支持する基板６とを含んでなる薄膜圧電共振器。圧電共振スタック１２は、上部電極１０と下部電極８とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域１８と、基板に接する支持領域２２と、振動領域１８及び支持領域２２の間に位置する緩衝領域２０とからなる。緩衝領域２０は、振動領域１８よりも、１次厚み縦振動の共振周波数が低くなるように構成されている。圧電層２は高域遮断型の分散曲線を示す材料からなる。緩衝領域２０は振動領域１８を内包している。 （もっと読む）

【課題】誘電体基板の主面電極と側面電極の接続を安定にすることで信頼性に優れた圧電共振部品を得ることを目的とする。
【解決手段】誘電体基板１１はその内部において誘電体層を介して重なり合うように配置された複数の内部電極１６、１７と、この内部電極１６、１７のいずれかに電気的に接続される、誘電体基板１１の側面に形成された側面電極２０ａ、２０ｂ、２０ｃと、前記誘電体基板１１の主面の少なくとも一方に形成された主面電極１９ａ、１９ｂ、１９ｃとを有し、この主面電極１９ａ、１９ｂ、１９ｃは下地電極２３とめっきにより構成され、前記下地電極２３のうち少なくとも圧電共振素子１３に対向する側の主面の下地電極２３の少なくとも一部分が誘電体基板１１に埋め込まれて設けられていることを特徴とする圧電共振部品である。 （もっと読む）