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Fターム[5J108JJ01]の内容

圧電・機械振動子、遅延・フィルタ回路 (44,500) | 複合素子 (1,217) | 圧電振動子 (386)

Fターム[5J108JJ01]に分類される特許

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コア共振器(42)を環境効果および経年劣化効果の両方から離隔するバルク音波共振器構造(52)。この構造は、少なくとも部分的に2つの電極(14、18)の間に配置された圧電層(16)を有する。この構造は、汚染、パッケージ漏れ、および外部効果による圧電材料(16)に対する変化に抗して保護されながら、依然として慣性抵抗をもたらす。この構造は、経年劣化効果を規定の閾値以下に制限する、1つまたは複数の保護要素を有する。共振器の挙動は、直列共振においてのみならず、共振の全帯域幅にわたって安定化される。保護要素の例は、周辺および縁部に関連する環境的現象および経年劣化現象をコア共振器から遠ざけておくようにコア共振器を取り巻く材料のカラー(44)と、圧電層の上または下に形成されたブラッグ反射器(34、48)と、圧電層を覆って形成されたキャップ(60)とを含む。
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【課題】各共振子の機械的品質係数を向上できるとともに共振子間を接続する金属配線の低抵抗化を図れてフィルタ特性の向上を図れ、且つ、支持基板の小型化を図れるBAWフィルタを提供する。
【解決手段】支持基板1の一表面に、共振子3の下部電極31および絶縁層4を露出させる複数の凹所1aがエッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより形成されている。下部電極31同士が電気的に接続された2個1組の共振子3の組を複数組備え、各組の2個の共振子3では、下部電極31と圧電層32とが連続して形成される一方で上部電極33同士が絶縁分離され、隣り合う共振子3の組間では、隣接する2個の共振子3の上部電極33同士が金属配線34を介して電気的に接続され、各共振子3それぞれの厚み方向に沿った中心線と各共振子3それぞれに最も近いエッチング孔5のエッジとの最短距離を同じとしてある。 (もっと読む)


【課題】圧電層の結晶性を向上できるとともに共振子全体の機械的品質係数を向上でき、且つ、堅牢化が可能なBAW共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板1の一表面側の共振子3における圧電層32がPZTにより形成されている。支持基板1に、共振子3の下部電極31および絶縁層4における支持基板1側の表面を露出させる空洞1aが形成されるとともに、絶縁層4に、空洞1aに連通するエッチングホール5が形成されている。支持基板1が、互いに厚さが異なる上層基板11と下層基板12との積層構造を有し、支持基板1において相対的に共振子3に近い側にある上層基板11が、単結晶MgO基板からなるとともに、相対的に共振子3から遠い側にある下層基板12に比べて薄く、且つ、空洞1aが、上層基板11の厚み方向に貫設されエッチングホール5に連通した開口部により構成されてなる。 (もっと読む)


【課題】電気機械結合係数を改善した、屈曲振動を利用する圧電振動子、および、安定した感度が得られる振動ジャイロ装置の提供を図る。
【解決手段】振動ジャイロ装置1は、圧電基板3と上面電極2と下面電極4とを備え、上面電極2と下面電極4との電位差に応じて主面法線方向に振動する。下面電極4は、電気機械結合係数が下限極値となる値から外した電極厚である。ここで、上面電極2には周波数信号が印加されるものであり、下面電極4は基準電位に接続されるものである。この振動ジャイロ装置の電気機械結合係数は下面電極4の電極厚を変更することで変化して電気機械結合係数の下限極値を示し、電気機械結合係数が下限極値となる値から下面駆動電極の電極厚が外れると、電気機械結合係数がクリップする値まで急峻に立ち上がる特性を有するものである。 (もっと読む)


【課題】共振中心周波数、帯域幅の調整が容易な結合共振器アレイ及びそれを使用したフィルタ並びに発振器を提供する。
【解決手段】結合共振器16のアレイ10は、入力電気信号Veを供給するための手段12と、この入力電気信号を使用してアレイのN個の結合共振器16を電気的に励起するための手段14とを備える。電気励起手段14は、これらN個の結合共振器16のそれぞれに関して、入力電気信号に従ってこの結合共振器を作動させるために入力電気信号供給手段12に接続された作動手段18と、この結合共振器16を作動させるための結合共振器固有の可変利得入力増幅手段20とを備える。さらに、それらは、入力増幅手段20のそれぞれの可変利得の特定の設定を制御するための手段22を備える。 (もっと読む)


【課題】水晶振動子を保持する水晶振動子保持装置、および、水晶振動子保持装置を備える電極処理システムを提供する。
【解決手段】1対の電極から水晶片の両主面に平行に伸びるリードが固定部材96に固定された水晶振動子9の電極に所定の処理を行う電極処理システムにおいて、水晶振動子9を保持するホルダ81が、固定部材96に形成された第1嵌合構造960と嵌り合う第2嵌合構造810を備え、第2嵌合構造810に設けられた開口から吸引が行われることにより第1嵌合構造960と第2嵌合構造810との嵌合状態が維持される。これにより、水晶振動子9を強固かつ位置精度良く保持することができる。また、水晶振動子9を保持する際に第1嵌合構造960と第2嵌合構造810との摩擦により発生するパーティクルが、第2嵌合構造810の開口から吸引されるため、水晶振動子9に対するパーティクルの付着を防止しつつ水晶振動子9を保持できる。 (もっと読む)


【課題】2次元状に配置された多数の圧電素子を狭いピッチに優位なシリコンなどの剛性基板に電気的に接続するにあたって、前記剛性基板の割れを防止する。
【解決手段】前記多数の圧電素子5間を分離するために設けられる素子間充填剤層7を、前記圧電素子5の表面を超えて延在させて前記圧電素子5の表面を剛性基板6から離間させ、すなわち前記延在させた素子間充填剤層7を圧電素子5の表面と剛性基板6との間隔を一定に保つスペーサとして機能させ、生じた隙間に、導電性接着剤層8を充填して、個別電極4を剛性基板6の電極6aに電気的に接続する。したがって、剛性基板6がPZTなどから成る圧電層2に直接接触せず、それらの間に、比較的柔らかい素子間充填剤層7や導電性接着剤層8が介在されることになるので、前記剛性基板6の割れを防止することができる。また、両者の平面性が悪い場合でも、確実に電気接続を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】 生産性を低下することなく挿入損失が少ない特性に優れた小型のフィルタおよびデュプレクサ、ならびにフィルタの製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルタ1は、共振子10とキャパシタ30とを含み、キャパシタ30は、基板19の主面上に形成される第1キャパシタ用電極31と、第1キャパシタ用電極31上に形成される第1圧電膜12と同一材料からなる第2圧電膜32と、第1キャパシタ用電極31と対向する部分を有するように第2圧電膜32上に形成される第2キャパシタ用電極33とを含んで構成される。さらに、UBM層21と同時に、第2キャパシタ用電極33上に、ピークシフト層34を設ける。 (もっと読む)


【課題】圧電薄膜共振子を用いたフィルタにおいて、圧電薄膜共振子の横モードの不要波による影響を抑制しつつ、中空構造をなす電極の機械強度を損なうことなく小型化を実現することができるフィルタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された下部電極2と上部電極4とで圧電膜3を挟持した圧電薄膜共振子S1〜S4を複数備えたフィルタであって、圧電薄膜共振子S1〜S4は、上部電極4と下部電極2とが重なっている電極領域4a〜4dの外郭形状が曲線を含み、複数の圧電薄膜共振子S1〜S4のうち互いに隣接する圧電薄膜共振子は、隣接対向する電極領域の外郭形状が相補形状となっている。 (もっと読む)


本発明は、音響波デバイスの分野に係わり、特に数百MHzから数GHzの高い周波数での作業が可能なトランスデューサの分野、とりわけ、少なくとも2基板と強誘電体層2とを含む界面音響波デバイス1に関するものである。強誘電体層は、第1電極3と第2電極4との間に配置され、かつ第1正偏向分域7と第2負偏向分域8とを含み、該第1と第2の分域は交互に配置されている。該音響波デバイスは、第1電極3と、強誘電体層2と、第2電極4とから成る集成体が、第1基板5と第2基板6との間に設けられていることを特徴とする。
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【課題】 ダイシング処理後の保護テープ剥離やピックアップ治具の接触による共振部の破壊が防止され、テープ糊残りの発生が防止され、共振部と第2基板とが接触するのが防止されて優れた共振特性を有する共振器を提供する。
【解決手段】 共振子10が第2基板23に実装された共振器1である。共振子10は、第1基板22と、圧電膜12を介して対向するように配置される第1電極13および第2電極14を有し、第1基板22の厚み方向一表面上に形成される共振部11とを含んで構成される。そして、本発明の共振器1は、第1基板22と第2基板23との間隔が、共振部11が第1基板22の厚み方向一表面から突出する突出高さよりも大きくなるように、第1基板22と第2基板23との間隔を規定するスペーサ20を含む。 (もっと読む)


デュプレクサは、アンテナ端子(ANT)と、送信アンプ端子(PA)と、受信アンプ端子(LNA)とを備える。送信アンプ端子(PA)は、送信フィルタ(TX)を介してアンテナ端子(ANT)に結合される。受信アンプ端子(LNA)は、受信フィルタ(RX)に結合され、受信フィルタ(RX)は、帯域阻止フィルタ(BS)を介してアンテナ端子(ANT)に結合される。
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アンテナ整合回路が提供され、少なくとも2つの信号経路が1つのアンテナ接続に接続される。信号経路は、RF信号を送信および/または受信するように設計され、位相シフトのための離散線を備える整合回路が、少なくとも1つの信号経路におけるアンテナ端部において統合される。この場合、その離散線に含まれる少なくとも1つのキャパシタンスが、マイクロ音波共振器の形態をとり、その共振は、それぞれの信号経路の通過帯域の外になるように十分に遠くシフトさせられる。
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【課題】メンブレンの機械的強度を損なうことなく、圧電薄膜共振子のQを向上させる。
【解決手段】圧電薄膜共振子10は、基板1と、下部電極2と、圧電膜3と、上部電極4とを備え、上部電極4および下部電極2が対向する対向領域Tと外側との境界部分を跨ぐように対向領域Tの内側から外側にかけて空隙8が形成されており、空隙8は、圧電膜3の膜厚方向の一部に形成される。 (もっと読む)


【課題】 2つの振動片を備えた圧電素子であっても、薄く形成することができ且つ電界の影響を小さくした小型な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス(100)は、第1圧電振動片とこの第1圧電振動片を囲む第1枠状部とが一体的に形成されてなる第1圧電振動フレーム(20)と、第2圧電振動片とこの第2圧電振動片を囲む第2枠状部とが一体的に形成されてなる第2圧電振動フレーム(40)と、第1圧電振動フレームと第2圧電振動フレームとの間に配置され金属膜が中央領域に形成されたスペーサ板(30)と、第1圧電振動フレームに接合するリッド部材(10)と、第2圧電振動フレームに接合するベース部材(50)と、を備える。 (もっと読む)


【課題】TV電波の帯域外における互いに接近した減衰域では急峻で大きな減衰量を得ること、インダクタの使用個数を抑えてデバイスの小型化に寄与できるフィルタを提供すること。
【解決手段】複数の減衰域を夫々形成するための複数の並列腕の弾性波共振子をインダクタを介さずに信号路の同電位点に接続する。あるいは直列共振を起こす複数の素子部の直列回路を信号路に並列腕として接続する。このため複数の減衰域の夫々に大きな減衰量が得られるが、隣り合う極間にはいわば零(ゼロ)点に相当する領域が存在する。しかし零点が存在してもその両側にて急峻に減衰する特性が得られる。そして同電位点に接続した弾性波共振子の組(共振子の組)あるいは前記直列回路からなる並列腕を信号路に複数段接続し、各段間には位相を反転させるためのインダクタを介在させている。 (もっと読む)


【課題】電気機械結合係数とQ値を両方共に大きくしたBAW共振器およびそれを用いたUWB用フィルタを提供することにある。
【解決手段】BAW共振器は、ベース基板10と、ベース基板10の一表面側に形成された下部電極20と、下部電極20におけるベース基板10側とは反対側に形成された単結晶のKNNからなる圧電層30と、圧電層30における下部電極20側とは反対側に形成された上部電極40とを備える。ここで、下部電極20の材料は、ベース基板10に比べて圧電層30との格子整合性が良好な材料を用いており、KNNからなる圧電層30の場合、下部電極20の材料としてはLNO又はSROを用いるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】圧電薄膜共振子を積層することによって共振デバイスを小型化する際に、積層された複数の圧電薄膜共振子間の振動の干渉を完全に排除する。
【解決手段】圧電薄膜共振子を積層構造とすることで、圧電薄膜共振子を形成する基板における占有面積を縮小することができ、共振デバイスを小型化することができる。また、第1の圧電薄膜共振子3及び第2の圧電薄膜共振子2のメンブレン領域は物理的に分離しているため、一方の共振子における振動が他方の共振子に伝わることがなく、両共振子間の振動の干渉を無くすことができる。 (もっと読む)


【課題】FBARを用いた弾性波デバイスにおいてデッドスペースを減らし、弾性波デバイスの小型化を可能にする。
【解決手段】弾性波デバイスは、基板1と、基板1上に設けられた下部電極2と、下部電極2上に設けられた圧電膜4と、圧電膜4上に設けられた上部電極6とを有し、上部電極6と下部電極2が圧電膜4を挟んで対向するメンブレン領域が、空隙9を介して基板1上に設けられて構成される圧電薄膜共振器を複数備え、複数の圧電薄膜共振器が一つの空隙を共有している。 (もっと読む)


【課題】低入力ロスと急峻なフィルター特性を持つ高周波フィルターを提供する。
【解決手段】本発明の音響共振器は、高音響インピーダンス材料層と低音響インピーダンス材料層とが交互に積層されてなる音響反射器と、前記音響反射器上に設けられた圧電膜を有する音響共振部とを備え、低音響インピーダンス材料層は酸化珪素(SiO、1.8≦X≦2.0)を含み、かつ低音響インピーダンス材料層の音速はブリルアン振動を用いた測定法において6100m/s以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


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