ラダー型圧電フィルタ
【課題】ラダー型圧電フィルタにおいて、通過帯域幅を広げつつ、低周波数側及び高周波数側の阻止帯域における減衰を増やす。
【解決手段】ラダー型圧電フィルタ１は、並列腕１１，１３，１５と直列腕１２，１４とを交互に接続して構成される。並列腕１１，１３，１５は、それぞれ、並列共振子１１１，１３１，１５１とＬＣ素子網１１２，１３２，１５２とを直列接続して構成され、直列腕１２，１４は、それぞれ、直列共振子１２１，１４１から構成される。ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、それぞれ、直列接続された並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数において誘導性となるように構成されている。さらに、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、高周波数側の阻止帯域内における新たな直列共振点の形成に寄与するキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３を含む。
【解決手段】ラダー型圧電フィルタ１は、並列腕１１，１３，１５と直列腕１２，１４とを交互に接続して構成される。並列腕１１，１３，１５は、それぞれ、並列共振子１１１，１３１，１５１とＬＣ素子網１１２，１３２，１５２とを直列接続して構成され、直列腕１２，１４は、それぞれ、直列共振子１２１，１４１から構成される。ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、それぞれ、直列接続された並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数において誘導性となるように構成されている。さらに、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、高周波数側の阻止帯域内における新たな直列共振点の形成に寄与するキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラダー型圧電フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、従来のラダー型圧電フィルタ８の回路図である。図１３に示すように、ラダー型圧電フィルタ８は、並列腕８１，８３，８５と直列腕８２，８４とを交互に接続して構成される。並列腕８１，８３，８５は、それぞれ、並列共振子８１１，８３１，８５１から構成され、直列腕８２，８４は、それぞれ、直列共振子８２１，８４１から構成される。ラダー型圧電フィルタ８では、並列共振子８１１，８３１，８５１の反共振周波数と直列共振子８２１，８４１の共振周波数とを略一致させることにより、バンドバス特性を得ている。
【０００３】
しかし、ラダー型圧電フィルタ８の通過帯域幅は、並列共振子８１１，８３１，８５１及び直列共振子８２１，８４１の共振周波数と反共振周波数との差すなわち並列共振子８１１，８３１，８５１及び直列共振子８２１，８４１に使用する圧電体の電気機械結合係数によって決まってしまう。このため、ラダー型圧電フィルタ８では、所望の通過帯域幅を確保することが困難な場合がある。また、ラダー型圧電フィルタ８では、低周波数側および高周波数側の阻止帯域における減衰を十分に確保できない場合がある。
【０００４】
これらの問題を解決するため、図１４の回路図に示すラダー型圧電フィルタ９も従来から用いられている（例えば、特許文献１参照）。ラダー型圧電フィルタ９は、並列腕９１，９３，９５と直列腕９２，９４とを交互に接続して構成される。並列腕９１，９３，９５は、それぞれ、並列共振子９１１，９３１，９５１とインダクタ９１２，９３２，９５２とを直列接続して構成され、直列腕９２，９４は、それぞれ、直列共振子９２１，９４１から構成される。インダクタ９１２，９３２，９５２は、それぞれ、並列共振子９１１，９３１，９５１の共振周波数を低下させることにより、ラダー型圧電フィルタ９の通過帯域幅を広げる役割を果たしている。また、ラダー型圧電フィルタ９では、インダクタ９１２，９３２及び９５２のインダクタンスを調整して並列共振子９１１，９３１，９５１の共振周波数を少しづつ異ならせることにより、低周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２４４７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、並列共振子とインダクタとを直列接続して構成される並列腕を備えるラダー型圧電フィルタでは、高周波数側の阻止帯域において減衰を十分に確保できないという問題がある。
【０００７】
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、ラダー型圧電フィルタにおいて、通過帯域幅を広げつつ、低周波数側及び高周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、並列共振子を含む並列腕と、直列共振子を含む直列腕とを備え、全部又は一部の前記並列腕において、前記並列共振子の共振周波数において誘導性となり、高周波数側の阻止帯域内における新たな直列共振点の形成に寄与する容量性素子を含む素子網を、前記並列共振子に直列接続したラダー型圧電フィルタである。
【０００９】
請求項２の発明は、前記素子網は、インダクタとキャパシタとを組み合わせて構成される請求項１に記載のラダー型圧電フィルタである。
【００１０】
請求項３の発明は、前記キャパシタの寄与により形成された新たな直列共振点が異なる複数の前記素子網を備える請求項１又は請求項２に記載のラダー型圧電フィルタである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ラダー型圧電フィルタにおいて、通過帯域幅を広げつつ、低周波数側及び高周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことができる。
【００１２】
請求項３の発明によれば、広い周波数にわたって減衰を増やすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
｛ラダー型圧電フィルタの電気的な構成｝
以下では、５個の圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ；Film Bulk Acoustic Resonator）を組み合わせたバルク弾性波（ＢＡＷ；Bulk Acoustic Wave）フィルタを例として、本発明の望ましい実施形態に係るラダー型圧電フィルタについて説明する。ただし、バルク弾性波フィルタを構成する圧電薄膜共振子の数は、５個に限られず、４個以下又は６個以上であってもよい。また、バルク弾性波フィルタには、表面弾性波（ＳＡＷ；Surface Acoustic Wave）フィルタよりも、減衰特性が急峻で、耐電力が高く、小型に構成することができるという利点があるが、このことは、本発明を表面弾性波フィルタに適用することを妨げるものではない。
【００１４】
図１は、本発明の望ましい実施形態に係るラダー型圧電フィルタ１の回路図である。
【００１５】
図１に示すように、ラダー型圧電フィルタ１は、信号ライン１７と接地ライン１８とを架する並列腕１１，１３，１５と、信号ライン１７に挿入される直列腕１２，１４とを交互に接続して構成される。並列腕１１，１３，１５は、それぞれ、並列共振子１１１，１３１，１５１とＬＣ素子網１１２，１３２，１５２とを直列接続して構成され、直列腕１２，１４は、それぞれ、直列共振子１２１，１４１から構成される。なお、図１に示すように並列腕１１，１３，１５の全部にＬＣ素子網を設けることは必須ではなく、並列腕１１，１３，１５の一部のみにＬＣ素子網を設けるようにしてもよい。また、直列腕１２，１４を、それぞれ、直列共振子１２１，１４１のみで構成することは必須ではなく、直列共振子１２１，１４１とインダクタ等とを直列接続して構成してもよい。
【００１６】
一般的に言って、ラダー型圧電フィルタには、奇数個の共振子を含み直列腕から始まって直列腕に終わるＴ型と、奇数個の共振子を含み並列腕から始まって並列腕に終わるπ型とがあるが、ラダー型圧電フィルタ１ではπ型が採用されている。ラダー型圧電フィルタ１でπ型を採用したのは、Ｔ型よりもπ型の方が並列腕の数を増やすことができるので、低周波数側および高周波数側の阻止帯域における減衰を効果的に増やすことができるからである。ただし、Ｔ型のラダー型圧電フィルタにも本発明を適用することは可能である。また、偶数個の共振子を含み直列腕から始まって並列腕に終わるラダー型圧電フィルタ又は偶数個の共振子を含み並列腕から始まって直列腕に終わるラダー型圧電フィルタにも本発明を適用することは可能である。
【００１７】
ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、それぞれ、直列接続された並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数付近において誘導性となるように構成されている。これにより、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、従来のラダー型圧電フィルタ９におけるインダクタ９１２，９３２，９５２と同様に、並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数を低下させることにより、ラダー型圧電フィルタ１の通過帯域幅を広げる役割を果たしている。また、ラダー型圧電フィルタ１でも、直列接続された並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数におけるＬＣ素子網１１２，１３２，１５２のリアクタンス成分を調整して並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数を少しづつ異ならせることにより、低周波数側及び高周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことができる。
【００１８】
さらに、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、それぞれ、高周波数側の阻止帯域内に並列腕１１，１３，１５の直列共振点を増加させるように構成されている。「直列共振点」とは、インピーダンスのリアクタンス成分が０となり、インピーダンスが極小となる周波数のことである。ここで、図１４に示す従来のラダー型圧電フィルタ９のように、インダクタ９１２，９３２，９５２のみを並列共振子９１１，９３１，９５１に直列接続した場合は、高周波数側の阻止帯域内に１個の直列共振点を形成することができるだけであるが、図１に示すラダー型圧電フィルタ１のように、新たな直列共振点の形成に寄与するキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３を含むＬＣ素子網１１２，１３２，１５２を並列共振子１１１，１３１，１５１に直列接続した場合は、高周波数側の阻止帯域内に２個の直列共振点を形成することができるので、高周波数側の阻止帯域内に新たな減衰極を作ることができ、高周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことができる。
【００１９】
なお、ラダー型圧電フィルタ１が複数の並列腕１１，１３，１５を有している場合は、並列腕１１，１３，１５ごとにキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３の寄与により形成された新たな直列共振点を異ならせてもよい。そうすれば、高周波数側の阻止帯域内に複数の新たな減衰極を作ることができ、広い周波数にわたって減衰を増やすことができる。
【００２０】
ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、上述の要件を満たすように、インダクタとキャパシタとを組み合わせて構成される。例えば、図１に示すように、ＬＣ素子網１１２は、インダクタ１１２１とインダクタ１１２２とを直列接続しインダクタ１１２２とキャパシタ１１２３とを並列接続した上で、上述の要件を満たすようにインダクタ１１２１，１１２２のインダクタンス及びキャパシタ１１２３のキャパシタンスを決定することで構成することができる。ＬＣ素子網１３２も、インダクタ１３２１，１３２２及びキャパシタ１３２３をＬＣ素子網１１２と同様に組み合わせて構成することができ、ＬＣ素子網１５２も、インダクタ１５２１，１５２２及びキャパシタ１５２３をＬＣ素子網１１２と同様に組み合わせて構成することができる。
【００２１】
なお、図１に示すＬＣ素子網１１２，１３２，１５２の各々は、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２もインダクタも設けない場合と比較すれば、並列腕１１１，１３１，１５１の直列共振点を２個増加させることになるが、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２を構成するインダクタやキャパシタの数を増やして、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２の各々が並列腕１１１，１３１，１５１の直列共振点を３個以上増加させるようにしてもよい。また、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２を集中定数素子だけで構成することも必須ではなく、分布定数素子を混在させて構成してもよい。さらに、インダクタ１１２１，１１２２，１３２１，１３２２，１５２１，１５２２が純誘導性であることやキャパシタ１１２３，１３２２，１５２２が純容量性であること、すなわち、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２が完全な２端子リアクタンス回路であることは要求されず、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２が若干のレジスタンス成分を有していてもよい。
【００２２】
｛ラダー型圧電フィルタの構造｝
図２は、ラダー型圧電フィルタ１の構造を模式的に示す斜視図である。
【００２３】
図２に示すように、ラダー型圧電フィルタ１は、ベアチップ２１を基板２２の表面にフリップチップ実装することにより構成されている。ラダー型圧電フィルタ１では、並列共振子１１１，１３１，１４１及び直列共振子１２１，１４１はベアチップ２１の側に形成され、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は基板２２の側に形成されている。もちろん、素子網１１２，１３２，１５２の一部又は全部をベアチップ２１の側に形成してもよい。
【００２４】
図３に示すように、基板２２は、厚膜の電極のパターンを印刷した誘電体層を積層した多層基板である。図３は、ＬＣ素子網１１２（１３２，１５２）が形成された部分に着目して基板２２の積層構造を示す分解斜視図となっている。基板２２は、線状のパターン２２１が印刷された誘電体層２２２、面状のパターン２２３が印刷された誘電体層２２４、面状のパターン２２５及び線状のパターン２２６が印刷された誘電体層２２７並びに線状のパターン２２８が印刷された誘電体層２２９を積層した積層構造を有する。また、基板２２では、パターン２２１がインダクタ１１２１（１３２１，１５２１）として機能し、誘電体層２２４を挟んで対向するパターン２２３，２２５がキャパシタ１１２３（１３２３，１５２３）として機能し、パターン２２８がインダクタ１１２２（１３２２，１５２２）として機能する。さらに、基板２２では、パターン２２１の一端とパターン２２８の一端とを誘電体層２２２，２２４，２２７を貫通するスルーホールによって接続し、パターン２２１とパターン２２３とを誘電体層２２２を貫通するスルーホールによって接続し、パターン２２６の一端をパターン２２５に接続し、パターン２２６の他端を接地し、パターン２２８の他端を接地することにより、ＬＣ素子網１１１（１３１，１５１）を形成している。もちろん、基板２２に実装されたチップインダクタやワイヤボンディング用のワイヤをインダクタ１１２１，１１２２，１３２１，１３２２，１５２１，１５２２としてもよい。また、基板２２に実装されたチップキャパシタをキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３としてもよい。基板２２の誘電体層の材質としては、誘電率が７前後の低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ；Low Temperature Co-fired Ceramics）や誘電率が４前後の樹脂を好適に採用することができる。
【００２５】
｛ベアチップの構造｝
図４は、ベアチップ２１の構造を模式的に示す斜視図である。
【００２６】
図４に示すように、ベアチップ２１は、支持基板３１の上に、接着層３２、キャビティ形成膜３３、下面電極３４、圧電体薄膜３５及び上面電極３６をこの順序で積層した構造を有している。
【００２７】
支持基板３１は、圧電体薄膜３５を支持する支持体としての役割を有している。支持基板３１は、圧電体薄膜３５を構成する圧電材料と同じ材料で構成されることが望ましく、支持基板３１における結晶方位と圧電体薄膜３５における結晶方位とが一致していることがさらに望ましい。
【００２８】
接着層３２は、圧電体薄膜３５を支持基板３１に接着固定する役割を有している。接着層３２の望ましい例としては、有機接着剤、望ましくは、充填効果を有し、接着対象が完全に平坦ではなくても十分な接着力を発揮するエポキシ接着剤（熱硬化性を利用するエポキシ樹脂の接着剤）やアクリル接着剤（光硬化性及び熱硬化性を併用するアクリル樹脂の接着剤）により形成された接着層３２をあげることができる。
【００２９】
キャビティ形成膜３３は、二酸化ケイ素(SiO2)等の絶縁材料を成膜することにより得られた絶縁体膜である。キャビティ形成膜３３は、後述する励振領域３１１〜３１５において、下面電極３４、圧電体薄膜３５及び上面電極３６からなる振動積層体を支持基板３１から離隔させるキャビティを形成している。
【００３０】
圧電体薄膜３５は、圧電体基板を除去加工することにより得られる。より具体的には、圧電体薄膜３５は、単独で自重に耐え得る厚み（例えば、５０μｍ以上）を有する圧電体基板を、単独で自重に耐え得ない膜厚（例えば、１０μｍ以下）まで除去加工で薄肉化することにより得られる。
【００３１】
圧電体薄膜３５を構成する圧電材料としては、所望の圧電特性を有する圧電材料を選択することができるが、水晶（SiO2）、ニオブ酸リチウム(LiNbO3）、タンタル酸リチウム（LiTaO3）、四ホウ酸リチウム（Li2B4O7）、酸化亜鉛（ZnO）、ニオブ酸カリウム（KNbO3）及びランガサイト（La3Ga3SiO14）等の粒界を含まない単結晶材料を選択することが望ましい。圧電体薄膜３５を構成する圧電材料として単結晶材料を用いることにより、電気機械結合係数及び機械的品質係数を向上させることができるからである。
【００３２】
圧電体基板の除去加工は、切削、研削及び研磨等の機械加工並びにエッチング等の化学加工等により行う。ここで、複数の除去加工方法を組み合わせ、加工速度が速い除去加工方法から、加工対象に生じる加工変質が小さい除去加工方法へと除去加工方法を段階的に切り替えながら圧電体基板を除去加工すれば、高い生産性を維持しつつ、圧電体薄膜３５の品質を向上し、ベアチップ２１の特性を向上することができる。例えば、圧電体基板を固定砥粒に接触させて削る研削及び圧電体基板を遊離砥粒に接触させて削る研磨を順次行った後に、当該研磨によって圧電体基板に生じた加工変質層を仕上げ研磨により除去するようにすれば、圧電体基板を削る速度が早くなり、ベアチップ２１の生産性を向上可能であるとともに、圧電体薄膜３５の品質を向上することにより、ベアチップ２１の特性を向上可能である。
【００３３】
このようなベアチップ２１では、圧電体薄膜３５をスパッタリング等により成膜した場合と異なり、圧電体薄膜３５を構成する圧電材料や圧電体薄膜３５における結晶方位が下地の制約を受けないので、圧電体薄膜３５を構成する圧電材料や圧電体薄膜３５における結晶方位の選択の自由度が高くなっている。したがって、ベアチップ２１では、所望の特性を実現することが容易になっている。ただし、このことは、圧電体薄膜３５をスパッタリング等の付加加工で成膜した圧電薄膜共振子を用いることを妨げるものではない。
【００３４】
下面電極３４及び上面電極３６は、それぞれ、圧電体薄膜３５の下面及び上面に導電材料を成膜することにより得られた導電体薄膜である。
【００３５】
下面電極３４及び上面電極３６を構成する導電材料は、特に制限されないが、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、銅（Cu）、白金（Pt）、金（Au）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）、モリブデン（Mo）、タングステン(W)及びタンタル（Ta）等の金属から選択することが望ましい。もちろん、下面電極３４及び上面電極３６を構成する導電材料として合金を用いてもよい。また、複数種類の導電材料を重ねて成膜することにより、下面電極３４及び上面電極３６を形成してもよい。
【００３６】
図５は、下面電極３４（３４１〜３４３）及び上面電極３６（３６１〜３６５）のパターンを上方から見た図である。
【００３７】
上面電極３６１は、励振領域３１１において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４１と対向して並列共振子１１１を形成するとともに、励振領域３１２において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４２と対向して直列共振子１２１を形成する。上面電極３６１の一部３６１１は、フリップチップ接合により第１のポートに接続される。
【００３８】
上面電極３６２は、励振領域３１３において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４２と対向して並列共振子１３１を形成する。上面電極３６２の一部３６２１は、フリップチップ接合によりＬＣ素子網１３２に接続される。
【００３９】
上面電極３６３は、励振領域３１４において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４２と対向して直列共振子１４１を形成するとともに、励振領域３１５において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４３と対向して並列共振子１５１を形成する。上面電極３６３の一部３６３１は、フリップチップ接合により第２のポートに接続される。
【００４０】
上面電極３６４は、非励振領域３１６において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４１と対向する。下面電極３４１と上面電極３６４とは、バイアホール２５６によって短絡されている。上面電極３６４の一部３６４１は、フリップチップ接合によりＬＣ素子網１１２に接続される。
【００４１】
上面電極３６５は、非励振領域３１７において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４３と対向する。下面電極３４３と上面電極３６５とは、バイアホール２５７によって短絡されている。上面電極３６５の一部３６５１は、フリップチップ接合によりＬＣ素子網１５２に接続される。
【実施例】
【００４２】
以下では、本発明の実施例と本発明の範囲外の比較例とを説明する。
【００４３】
｛実施例｝
実施例では、圧電体薄膜３５としてニオブ酸リチウムを使用したベアチップ２１を用いて図６の回路図に示すラダー型圧電フィルタ１ａを作製し、その濾波特性をネットワークアナライザで測定した。電圧反射係数Ｓ11及び電圧透過係数Ｓ21の測定結果を図７及び図８に示す。ラダー型フィルタ１ａは、並列腕１１ａが並列共振子１１１ａとＬＣ素子網１１２ａとを直列接続して構成され、並列腕１３ａ，１５ａが、それぞれ、並列共振子１３１ａ，１５１ａとインダクタ１３２ａ，１５２ａとを直列接続して構成され、直列腕１２ａ，１４ａは、それぞれ、直列共振子１２１ａ，１４１ａから構成される。インダクタ１１２１ａ，１１２２ａ，１３２ａ，１５２ａのインダクタンスは、それぞれ、０．８ｎＨ，０．７ｎＨ，１．０ｎＨ，２．９ｎＨであり、キャパシタ１１２３ａのキャパシタンスは、２．３５ｐＦである。これにより、ラダー型圧電フィルタ１ａは、低周波数側の阻止帯域内に３個の減衰極（１．８０ＧＨｚ付近，１．９８ＧＨｚ付近，２．０５ＧＨｚ付近）を持つようになり、高周波側の阻止帯域内に５個の減衰極（２．２５ＧＨｚ付近，２．３５ＧＨｚ付近，２．６０ＧＨｚ付近，４．１ＧＨｚ付近，６．２ＧＨｚ付近）を持つようになる。
【００４４】
｛比較例１｝
比較例１では、実施例と同様のベアチップ２１を用いて図１３の回路図に示すラダー型圧電フィルタ８を作製し、その濾波特性をネットワークアナライザで測定した。電圧反射係数Ｓ11及び電圧透過係数Ｓ21の測定結果を図９及び図１０に示す。
【００４５】
｛比較例２｝
比較例２では、実施例と同様のベアチップ２１を用いて図１４の回路図に示すラダー型圧電フィルタ９を作製し、その濾波特性をネットワークアナライザで測定した。電圧反射係数Ｓ11及び電圧透過係数Ｓ21の測定結果を図１１及び図１２に示す。比較例２では、インダクタ９１２，９３２，９５２のインダクタンスは、それぞれ、１．５ｎＨ，１．０ｎＨ，２．９ｎＨとなっている。
【００４６】
｛実施例と比較例との対比｝
実施例と比較例との対比から明らかなように、実施例のラダー型圧電フィルタ１ａは、通過帯域の幅が比較例１のラダー型圧電フィルタ８より広がっており、低周波数側の阻止帯域における減衰を比較例１のラダー型圧電フィルタ８より増加させることに成功している。さらに、実施例のラダー型圧電フィルタ１ａは、６．２ＧＨｚ付近に新たな減衰極を作り、高周波数側の阻止帯域における減衰を比較例２のラダー型圧電フィルタ９より増加させることに成功している。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の望ましい実施形態に係るラダー型圧電フィルタの回路図である。
【図２】本発明の望ましい実施形態に係るラダー型圧電フィルタの斜視図である。
【図３】基板の積層構造を示す分解斜視図である。
【図４】ベアチップの斜視図である。
【図５】上面電極及び下面電極のパターンを示す図である。
【図６】実施例のラダー型圧電フィルタの回路図である。
【図７】実施例のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図８】実施例のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図９】比較例１のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図１０】比較例１のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図１１】比較例２のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図１２】比較例２のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図１３】従来のラダー型圧電フィルタの回路図である。
【図１４】従来のラダー型圧電フィルタの回路図である。
【符号の説明】
【００４８】
１，１ａ ラダー型圧電フィルタ
１１，１３，１５ 並列腕
１２，１４ 直列腕
１１１，１３１，１４１ 並列共振子
１２１，１４２ 直列共振子
１１２，１３２，１４２ ＬＣ素子網
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラダー型圧電フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、従来のラダー型圧電フィルタ８の回路図である。図１３に示すように、ラダー型圧電フィルタ８は、並列腕８１，８３，８５と直列腕８２，８４とを交互に接続して構成される。並列腕８１，８３，８５は、それぞれ、並列共振子８１１，８３１，８５１から構成され、直列腕８２，８４は、それぞれ、直列共振子８２１，８４１から構成される。ラダー型圧電フィルタ８では、並列共振子８１１，８３１，８５１の反共振周波数と直列共振子８２１，８４１の共振周波数とを略一致させることにより、バンドバス特性を得ている。
【０００３】
しかし、ラダー型圧電フィルタ８の通過帯域幅は、並列共振子８１１，８３１，８５１及び直列共振子８２１，８４１の共振周波数と反共振周波数との差すなわち並列共振子８１１，８３１，８５１及び直列共振子８２１，８４１に使用する圧電体の電気機械結合係数によって決まってしまう。このため、ラダー型圧電フィルタ８では、所望の通過帯域幅を確保することが困難な場合がある。また、ラダー型圧電フィルタ８では、低周波数側および高周波数側の阻止帯域における減衰を十分に確保できない場合がある。
【０００４】
これらの問題を解決するため、図１４の回路図に示すラダー型圧電フィルタ９も従来から用いられている（例えば、特許文献１参照）。ラダー型圧電フィルタ９は、並列腕９１，９３，９５と直列腕９２，９４とを交互に接続して構成される。並列腕９１，９３，９５は、それぞれ、並列共振子９１１，９３１，９５１とインダクタ９１２，９３２，９５２とを直列接続して構成され、直列腕９２，９４は、それぞれ、直列共振子９２１，９４１から構成される。インダクタ９１２，９３２，９５２は、それぞれ、並列共振子９１１，９３１，９５１の共振周波数を低下させることにより、ラダー型圧電フィルタ９の通過帯域幅を広げる役割を果たしている。また、ラダー型圧電フィルタ９では、インダクタ９１２，９３２及び９５２のインダクタンスを調整して並列共振子９１１，９３１，９５１の共振周波数を少しづつ異ならせることにより、低周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２４４７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、並列共振子とインダクタとを直列接続して構成される並列腕を備えるラダー型圧電フィルタでは、高周波数側の阻止帯域において減衰を十分に確保できないという問題がある。
【０００７】
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、ラダー型圧電フィルタにおいて、通過帯域幅を広げつつ、低周波数側及び高周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、並列共振子を含む並列腕と、直列共振子を含む直列腕とを備え、全部又は一部の前記並列腕において、前記並列共振子の共振周波数において誘導性となり、高周波数側の阻止帯域内における新たな直列共振点の形成に寄与する容量性素子を含む素子網を、前記並列共振子に直列接続したラダー型圧電フィルタである。
【０００９】
請求項２の発明は、前記素子網は、インダクタとキャパシタとを組み合わせて構成される請求項１に記載のラダー型圧電フィルタである。
【００１０】
請求項３の発明は、前記キャパシタの寄与により形成された新たな直列共振点が異なる複数の前記素子網を備える請求項１又は請求項２に記載のラダー型圧電フィルタである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ラダー型圧電フィルタにおいて、通過帯域幅を広げつつ、低周波数側及び高周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことができる。
【００１２】
請求項３の発明によれば、広い周波数にわたって減衰を増やすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
｛ラダー型圧電フィルタの電気的な構成｝
以下では、５個の圧電薄膜共振子（ＦＢＡＲ；Film Bulk Acoustic Resonator）を組み合わせたバルク弾性波（ＢＡＷ；Bulk Acoustic Wave）フィルタを例として、本発明の望ましい実施形態に係るラダー型圧電フィルタについて説明する。ただし、バルク弾性波フィルタを構成する圧電薄膜共振子の数は、５個に限られず、４個以下又は６個以上であってもよい。また、バルク弾性波フィルタには、表面弾性波（ＳＡＷ；Surface Acoustic Wave）フィルタよりも、減衰特性が急峻で、耐電力が高く、小型に構成することができるという利点があるが、このことは、本発明を表面弾性波フィルタに適用することを妨げるものではない。
【００１４】
図１は、本発明の望ましい実施形態に係るラダー型圧電フィルタ１の回路図である。
【００１５】
図１に示すように、ラダー型圧電フィルタ１は、信号ライン１７と接地ライン１８とを架する並列腕１１，１３，１５と、信号ライン１７に挿入される直列腕１２，１４とを交互に接続して構成される。並列腕１１，１３，１５は、それぞれ、並列共振子１１１，１３１，１５１とＬＣ素子網１１２，１３２，１５２とを直列接続して構成され、直列腕１２，１４は、それぞれ、直列共振子１２１，１４１から構成される。なお、図１に示すように並列腕１１，１３，１５の全部にＬＣ素子網を設けることは必須ではなく、並列腕１１，１３，１５の一部のみにＬＣ素子網を設けるようにしてもよい。また、直列腕１２，１４を、それぞれ、直列共振子１２１，１４１のみで構成することは必須ではなく、直列共振子１２１，１４１とインダクタ等とを直列接続して構成してもよい。
【００１６】
一般的に言って、ラダー型圧電フィルタには、奇数個の共振子を含み直列腕から始まって直列腕に終わるＴ型と、奇数個の共振子を含み並列腕から始まって並列腕に終わるπ型とがあるが、ラダー型圧電フィルタ１ではπ型が採用されている。ラダー型圧電フィルタ１でπ型を採用したのは、Ｔ型よりもπ型の方が並列腕の数を増やすことができるので、低周波数側および高周波数側の阻止帯域における減衰を効果的に増やすことができるからである。ただし、Ｔ型のラダー型圧電フィルタにも本発明を適用することは可能である。また、偶数個の共振子を含み直列腕から始まって並列腕に終わるラダー型圧電フィルタ又は偶数個の共振子を含み並列腕から始まって直列腕に終わるラダー型圧電フィルタにも本発明を適用することは可能である。
【００１７】
ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、それぞれ、直列接続された並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数付近において誘導性となるように構成されている。これにより、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、従来のラダー型圧電フィルタ９におけるインダクタ９１２，９３２，９５２と同様に、並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数を低下させることにより、ラダー型圧電フィルタ１の通過帯域幅を広げる役割を果たしている。また、ラダー型圧電フィルタ１でも、直列接続された並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数におけるＬＣ素子網１１２，１３２，１５２のリアクタンス成分を調整して並列共振子１１１，１３１，１５１の共振周波数を少しづつ異ならせることにより、低周波数側及び高周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことができる。
【００１８】
さらに、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、それぞれ、高周波数側の阻止帯域内に並列腕１１，１３，１５の直列共振点を増加させるように構成されている。「直列共振点」とは、インピーダンスのリアクタンス成分が０となり、インピーダンスが極小となる周波数のことである。ここで、図１４に示す従来のラダー型圧電フィルタ９のように、インダクタ９１２，９３２，９５２のみを並列共振子９１１，９３１，９５１に直列接続した場合は、高周波数側の阻止帯域内に１個の直列共振点を形成することができるだけであるが、図１に示すラダー型圧電フィルタ１のように、新たな直列共振点の形成に寄与するキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３を含むＬＣ素子網１１２，１３２，１５２を並列共振子１１１，１３１，１５１に直列接続した場合は、高周波数側の阻止帯域内に２個の直列共振点を形成することができるので、高周波数側の阻止帯域内に新たな減衰極を作ることができ、高周波数側の阻止帯域における減衰を増やすことができる。
【００１９】
なお、ラダー型圧電フィルタ１が複数の並列腕１１，１３，１５を有している場合は、並列腕１１，１３，１５ごとにキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３の寄与により形成された新たな直列共振点を異ならせてもよい。そうすれば、高周波数側の阻止帯域内に複数の新たな減衰極を作ることができ、広い周波数にわたって減衰を増やすことができる。
【００２０】
ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は、上述の要件を満たすように、インダクタとキャパシタとを組み合わせて構成される。例えば、図１に示すように、ＬＣ素子網１１２は、インダクタ１１２１とインダクタ１１２２とを直列接続しインダクタ１１２２とキャパシタ１１２３とを並列接続した上で、上述の要件を満たすようにインダクタ１１２１，１１２２のインダクタンス及びキャパシタ１１２３のキャパシタンスを決定することで構成することができる。ＬＣ素子網１３２も、インダクタ１３２１，１３２２及びキャパシタ１３２３をＬＣ素子網１１２と同様に組み合わせて構成することができ、ＬＣ素子網１５２も、インダクタ１５２１，１５２２及びキャパシタ１５２３をＬＣ素子網１１２と同様に組み合わせて構成することができる。
【００２１】
なお、図１に示すＬＣ素子網１１２，１３２，１５２の各々は、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２もインダクタも設けない場合と比較すれば、並列腕１１１，１３１，１５１の直列共振点を２個増加させることになるが、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２を構成するインダクタやキャパシタの数を増やして、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２の各々が並列腕１１１，１３１，１５１の直列共振点を３個以上増加させるようにしてもよい。また、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２を集中定数素子だけで構成することも必須ではなく、分布定数素子を混在させて構成してもよい。さらに、インダクタ１１２１，１１２２，１３２１，１３２２，１５２１，１５２２が純誘導性であることやキャパシタ１１２３，１３２２，１５２２が純容量性であること、すなわち、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２が完全な２端子リアクタンス回路であることは要求されず、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２が若干のレジスタンス成分を有していてもよい。
【００２２】
｛ラダー型圧電フィルタの構造｝
図２は、ラダー型圧電フィルタ１の構造を模式的に示す斜視図である。
【００２３】
図２に示すように、ラダー型圧電フィルタ１は、ベアチップ２１を基板２２の表面にフリップチップ実装することにより構成されている。ラダー型圧電フィルタ１では、並列共振子１１１，１３１，１４１及び直列共振子１２１，１４１はベアチップ２１の側に形成され、ＬＣ素子網１１２，１３２，１５２は基板２２の側に形成されている。もちろん、素子網１１２，１３２，１５２の一部又は全部をベアチップ２１の側に形成してもよい。
【００２４】
図３に示すように、基板２２は、厚膜の電極のパターンを印刷した誘電体層を積層した多層基板である。図３は、ＬＣ素子網１１２（１３２，１５２）が形成された部分に着目して基板２２の積層構造を示す分解斜視図となっている。基板２２は、線状のパターン２２１が印刷された誘電体層２２２、面状のパターン２２３が印刷された誘電体層２２４、面状のパターン２２５及び線状のパターン２２６が印刷された誘電体層２２７並びに線状のパターン２２８が印刷された誘電体層２２９を積層した積層構造を有する。また、基板２２では、パターン２２１がインダクタ１１２１（１３２１，１５２１）として機能し、誘電体層２２４を挟んで対向するパターン２２３，２２５がキャパシタ１１２３（１３２３，１５２３）として機能し、パターン２２８がインダクタ１１２２（１３２２，１５２２）として機能する。さらに、基板２２では、パターン２２１の一端とパターン２２８の一端とを誘電体層２２２，２２４，２２７を貫通するスルーホールによって接続し、パターン２２１とパターン２２３とを誘電体層２２２を貫通するスルーホールによって接続し、パターン２２６の一端をパターン２２５に接続し、パターン２２６の他端を接地し、パターン２２８の他端を接地することにより、ＬＣ素子網１１１（１３１，１５１）を形成している。もちろん、基板２２に実装されたチップインダクタやワイヤボンディング用のワイヤをインダクタ１１２１，１１２２，１３２１，１３２２，１５２１，１５２２としてもよい。また、基板２２に実装されたチップキャパシタをキャパシタ１１２３，１３２３，１５２３としてもよい。基板２２の誘電体層の材質としては、誘電率が７前後の低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ；Low Temperature Co-fired Ceramics）や誘電率が４前後の樹脂を好適に採用することができる。
【００２５】
｛ベアチップの構造｝
図４は、ベアチップ２１の構造を模式的に示す斜視図である。
【００２６】
図４に示すように、ベアチップ２１は、支持基板３１の上に、接着層３２、キャビティ形成膜３３、下面電極３４、圧電体薄膜３５及び上面電極３６をこの順序で積層した構造を有している。
【００２７】
支持基板３１は、圧電体薄膜３５を支持する支持体としての役割を有している。支持基板３１は、圧電体薄膜３５を構成する圧電材料と同じ材料で構成されることが望ましく、支持基板３１における結晶方位と圧電体薄膜３５における結晶方位とが一致していることがさらに望ましい。
【００２８】
接着層３２は、圧電体薄膜３５を支持基板３１に接着固定する役割を有している。接着層３２の望ましい例としては、有機接着剤、望ましくは、充填効果を有し、接着対象が完全に平坦ではなくても十分な接着力を発揮するエポキシ接着剤（熱硬化性を利用するエポキシ樹脂の接着剤）やアクリル接着剤（光硬化性及び熱硬化性を併用するアクリル樹脂の接着剤）により形成された接着層３２をあげることができる。
【００２９】
キャビティ形成膜３３は、二酸化ケイ素(SiO2)等の絶縁材料を成膜することにより得られた絶縁体膜である。キャビティ形成膜３３は、後述する励振領域３１１〜３１５において、下面電極３４、圧電体薄膜３５及び上面電極３６からなる振動積層体を支持基板３１から離隔させるキャビティを形成している。
【００３０】
圧電体薄膜３５は、圧電体基板を除去加工することにより得られる。より具体的には、圧電体薄膜３５は、単独で自重に耐え得る厚み（例えば、５０μｍ以上）を有する圧電体基板を、単独で自重に耐え得ない膜厚（例えば、１０μｍ以下）まで除去加工で薄肉化することにより得られる。
【００３１】
圧電体薄膜３５を構成する圧電材料としては、所望の圧電特性を有する圧電材料を選択することができるが、水晶（SiO2）、ニオブ酸リチウム(LiNbO3）、タンタル酸リチウム（LiTaO3）、四ホウ酸リチウム（Li2B4O7）、酸化亜鉛（ZnO）、ニオブ酸カリウム（KNbO3）及びランガサイト（La3Ga3SiO14）等の粒界を含まない単結晶材料を選択することが望ましい。圧電体薄膜３５を構成する圧電材料として単結晶材料を用いることにより、電気機械結合係数及び機械的品質係数を向上させることができるからである。
【００３２】
圧電体基板の除去加工は、切削、研削及び研磨等の機械加工並びにエッチング等の化学加工等により行う。ここで、複数の除去加工方法を組み合わせ、加工速度が速い除去加工方法から、加工対象に生じる加工変質が小さい除去加工方法へと除去加工方法を段階的に切り替えながら圧電体基板を除去加工すれば、高い生産性を維持しつつ、圧電体薄膜３５の品質を向上し、ベアチップ２１の特性を向上することができる。例えば、圧電体基板を固定砥粒に接触させて削る研削及び圧電体基板を遊離砥粒に接触させて削る研磨を順次行った後に、当該研磨によって圧電体基板に生じた加工変質層を仕上げ研磨により除去するようにすれば、圧電体基板を削る速度が早くなり、ベアチップ２１の生産性を向上可能であるとともに、圧電体薄膜３５の品質を向上することにより、ベアチップ２１の特性を向上可能である。
【００３３】
このようなベアチップ２１では、圧電体薄膜３５をスパッタリング等により成膜した場合と異なり、圧電体薄膜３５を構成する圧電材料や圧電体薄膜３５における結晶方位が下地の制約を受けないので、圧電体薄膜３５を構成する圧電材料や圧電体薄膜３５における結晶方位の選択の自由度が高くなっている。したがって、ベアチップ２１では、所望の特性を実現することが容易になっている。ただし、このことは、圧電体薄膜３５をスパッタリング等の付加加工で成膜した圧電薄膜共振子を用いることを妨げるものではない。
【００３４】
下面電極３４及び上面電極３６は、それぞれ、圧電体薄膜３５の下面及び上面に導電材料を成膜することにより得られた導電体薄膜である。
【００３５】
下面電極３４及び上面電極３６を構成する導電材料は、特に制限されないが、アルミニウム（Al）、銀（Ag）、銅（Cu）、白金（Pt）、金（Au）、クロム（Cr）、ニッケル（Ni）、モリブデン（Mo）、タングステン(W)及びタンタル（Ta）等の金属から選択することが望ましい。もちろん、下面電極３４及び上面電極３６を構成する導電材料として合金を用いてもよい。また、複数種類の導電材料を重ねて成膜することにより、下面電極３４及び上面電極３６を形成してもよい。
【００３６】
図５は、下面電極３４（３４１〜３４３）及び上面電極３６（３６１〜３６５）のパターンを上方から見た図である。
【００３７】
上面電極３６１は、励振領域３１１において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４１と対向して並列共振子１１１を形成するとともに、励振領域３１２において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４２と対向して直列共振子１２１を形成する。上面電極３６１の一部３６１１は、フリップチップ接合により第１のポートに接続される。
【００３８】
上面電極３６２は、励振領域３１３において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４２と対向して並列共振子１３１を形成する。上面電極３６２の一部３６２１は、フリップチップ接合によりＬＣ素子網１３２に接続される。
【００３９】
上面電極３６３は、励振領域３１４において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４２と対向して直列共振子１４１を形成するとともに、励振領域３１５において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４３と対向して並列共振子１５１を形成する。上面電極３６３の一部３６３１は、フリップチップ接合により第２のポートに接続される。
【００４０】
上面電極３６４は、非励振領域３１６において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４１と対向する。下面電極３４１と上面電極３６４とは、バイアホール２５６によって短絡されている。上面電極３６４の一部３６４１は、フリップチップ接合によりＬＣ素子網１１２に接続される。
【００４１】
上面電極３６５は、非励振領域３１７において圧電体薄膜３５を挟んで下面電極３４３と対向する。下面電極３４３と上面電極３６５とは、バイアホール２５７によって短絡されている。上面電極３６５の一部３６５１は、フリップチップ接合によりＬＣ素子網１５２に接続される。
【実施例】
【００４２】
以下では、本発明の実施例と本発明の範囲外の比較例とを説明する。
【００４３】
｛実施例｝
実施例では、圧電体薄膜３５としてニオブ酸リチウムを使用したベアチップ２１を用いて図６の回路図に示すラダー型圧電フィルタ１ａを作製し、その濾波特性をネットワークアナライザで測定した。電圧反射係数Ｓ11及び電圧透過係数Ｓ21の測定結果を図７及び図８に示す。ラダー型フィルタ１ａは、並列腕１１ａが並列共振子１１１ａとＬＣ素子網１１２ａとを直列接続して構成され、並列腕１３ａ，１５ａが、それぞれ、並列共振子１３１ａ，１５１ａとインダクタ１３２ａ，１５２ａとを直列接続して構成され、直列腕１２ａ，１４ａは、それぞれ、直列共振子１２１ａ，１４１ａから構成される。インダクタ１１２１ａ，１１２２ａ，１３２ａ，１５２ａのインダクタンスは、それぞれ、０．８ｎＨ，０．７ｎＨ，１．０ｎＨ，２．９ｎＨであり、キャパシタ１１２３ａのキャパシタンスは、２．３５ｐＦである。これにより、ラダー型圧電フィルタ１ａは、低周波数側の阻止帯域内に３個の減衰極（１．８０ＧＨｚ付近，１．９８ＧＨｚ付近，２．０５ＧＨｚ付近）を持つようになり、高周波側の阻止帯域内に５個の減衰極（２．２５ＧＨｚ付近，２．３５ＧＨｚ付近，２．６０ＧＨｚ付近，４．１ＧＨｚ付近，６．２ＧＨｚ付近）を持つようになる。
【００４４】
｛比較例１｝
比較例１では、実施例と同様のベアチップ２１を用いて図１３の回路図に示すラダー型圧電フィルタ８を作製し、その濾波特性をネットワークアナライザで測定した。電圧反射係数Ｓ11及び電圧透過係数Ｓ21の測定結果を図９及び図１０に示す。
【００４５】
｛比較例２｝
比較例２では、実施例と同様のベアチップ２１を用いて図１４の回路図に示すラダー型圧電フィルタ９を作製し、その濾波特性をネットワークアナライザで測定した。電圧反射係数Ｓ11及び電圧透過係数Ｓ21の測定結果を図１１及び図１２に示す。比較例２では、インダクタ９１２，９３２，９５２のインダクタンスは、それぞれ、１．５ｎＨ，１．０ｎＨ，２．９ｎＨとなっている。
【００４６】
｛実施例と比較例との対比｝
実施例と比較例との対比から明らかなように、実施例のラダー型圧電フィルタ１ａは、通過帯域の幅が比較例１のラダー型圧電フィルタ８より広がっており、低周波数側の阻止帯域における減衰を比較例１のラダー型圧電フィルタ８より増加させることに成功している。さらに、実施例のラダー型圧電フィルタ１ａは、６．２ＧＨｚ付近に新たな減衰極を作り、高周波数側の阻止帯域における減衰を比較例２のラダー型圧電フィルタ９より増加させることに成功している。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の望ましい実施形態に係るラダー型圧電フィルタの回路図である。
【図２】本発明の望ましい実施形態に係るラダー型圧電フィルタの斜視図である。
【図３】基板の積層構造を示す分解斜視図である。
【図４】ベアチップの斜視図である。
【図５】上面電極及び下面電極のパターンを示す図である。
【図６】実施例のラダー型圧電フィルタの回路図である。
【図７】実施例のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図８】実施例のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図９】比較例１のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図１０】比較例１のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図１１】比較例２のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図１２】比較例２のラダー型圧電フィルタの濾波特性を示す図である。
【図１３】従来のラダー型圧電フィルタの回路図である。
【図１４】従来のラダー型圧電フィルタの回路図である。
【符号の説明】
【００４８】
１，１ａ ラダー型圧電フィルタ
１１，１３，１５ 並列腕
１２，１４ 直列腕
１１１，１３１，１４１ 並列共振子
１２１，１４２ 直列共振子
１１２，１３２，１４２ ＬＣ素子網
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列共振子を含む並列腕と、
直列共振子を含む直列腕と、
を備え、
全部又は一部の前記並列腕において、
前記並列共振子の共振周波数において誘導性となり、高周波数側の阻止帯域内における新たな直列共振点の形成に寄与する容量性素子を含む素子網を、前記並列共振子に直列接続したラダー型圧電フィルタ。
【請求項２】
前記素子網は、インダクタとキャパシタとを組み合わせて構成される請求項１に記載のラダー型圧電フィルタ。
【請求項３】
前記キャパシタの寄与により形成された新たな直列共振点が異なる複数の前記素子網を備える請求項１又は請求項２に記載のラダー型圧電フィルタ。
【請求項１】
並列共振子を含む並列腕と、
直列共振子を含む直列腕と、
を備え、
全部又は一部の前記並列腕において、
前記並列共振子の共振周波数において誘導性となり、高周波数側の阻止帯域内における新たな直列共振点の形成に寄与する容量性素子を含む素子網を、前記並列共振子に直列接続したラダー型圧電フィルタ。
【請求項２】
前記素子網は、インダクタとキャパシタとを組み合わせて構成される請求項１に記載のラダー型圧電フィルタ。
【請求項３】
前記キャパシタの寄与により形成された新たな直列共振点が異なる複数の前記素子網を備える請求項１又は請求項２に記載のラダー型圧電フィルタ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００８−２０５９４７（Ｐ２００８−２０５９４７Ａ）
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−４１１６７（Ｐ２００７−４１１６７）
【出願日】平成１９年２月２１日（２００７．２．２１）
【出願人】（０００００４０６４）日本碍子株式会社 (2,325)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２１日（２００７．２．２１）
【出願人】（０００００４０６４）日本碍子株式会社 (2,325)
【Ｆターム（参考）】
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