【課題】各動作モードにおいてレベルシフト回路を用いることなく所望の入力電圧範囲となる多入力差動増幅器を提供する。
【解決手段】差動部１は、バイアス部２と出力部３との間に設けられ、第一入力部１０と第二入力部２０とを有する。第一入力部１０は、ソースがバイアス部２と接続され、ドレインが出力部３と接続された１個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ１１）からなる。第二入力部２０は、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２１）、（Ｍ２２）と、直列接続される２個のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｍ２３）、（Ｍ２４）とが２列に並列接続される。また、入力端ＩＮａはＭ１１のゲートに接続され、入力端ＩＮｘはＭ２２とＭ２３のゲートに接続され、入力端ＩＮｙはＭ２１とＭ２４のゲートに接続される。バイアス部２は１つの定電流源２１を有し、出力部３は２つのｐ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｑ１、Ｑ２）で構成のカレントミラー回路を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の差動増幅器は出力誤差が増大する問題がある。
【解決手段】本発明の差動増幅器は、内挿機能を有し、第１導電型トランジスタで形成される第１、第２の差動対（２１、２２）と、第２導電型トランジスタで形成される第３、第４の差動対（２３、２４）と、第１、第２の差動対に動作電流を供給する第１、第２の電流源（４１、４２）と、第３、第４の差動対に動作電流を供給する第３、第４の電流源（４３、４４）と、第１、第２の差動対にそれぞれ流れる電流量が第１、第２の電流源が出力する動作電流よりも小さくなる第１の動作範囲において、第１の差動対に供給される動作電流の変化点を制御する第１の制御回路５１と、第３、第４の差動対にそれぞれ流れる電流量が第３、第４の電流源が出力する動作電流よりも小さくなる第２の動作範囲において、第４の差動対に供給される動作電流の変化点を制御する第２の制御回路５２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】入力電力に対する利得の線形動作領域を広くすることができる差動増幅回路を提供することを課題とする。
【解決手段】差動増幅回路は、ゲートが第１の差動入力信号端子に接続され、ソースが基準電位ノードに接続され、ドレインが第１の差動出力信号端子に接続される第１のトランジスタ（２１１）と、ゲートが第２の差動入力信号端子に接続され、ソースが基準電位ノードに接続され、ドレインが第２の差動出力信号端子に接続される第２のトランジスタ（２１２）と、第１のトランジスタのゲート及び第２のトランジスタのドレイン間に接続される第１の可変容量（４０１）と、第２のトランジスタのゲート及び第１のトランジスタのドレイン間に接続される第２の可変容量（４０２）と、第１の差動出力信号端子又は第２の差動出力信号端子の信号の包絡線を検波する第１の包絡線検波器（４０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】非対称な信号の非対称性を補正する。
【解決手段】第１抵抗は、増幅器の入力ノード及び出力ノードの間に接続され、入力ノードは非対称信号を受信する。第２抵抗は、増幅器の入力ノードに接続される。第２抵抗は、線形レジスタを含む。第３抵抗は、第２抵抗に接続される。出力ノードにおける非対称信号を補正するべく、増幅器によって提供される非対称補正量を調整するように第３抵抗を変化させる。非対称補正量は、第１抵抗及び第２抵抗と第３抵抗との組み合わせの関数である。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の応答特性を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路部は、正の電源電位よりも高い第１の電位と、負の第２の電位と、を生成する。駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第１の電位をハイレベルとし前記第２の電位をローレベルとする制御信号を出力する。スイッチ部は、制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。前記駆動回路部は、第１と、第２のレベルシフタと、第１の回路と、を有する。前記第２のレベルシフタは、前記第１のレベルシフタの出力電位に応じて互いに排他的にオンする第２のハイサイドスイッチと第２のローサイドスイッチとを有し、前記制御信号を出力する。前記第１の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第２のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】出力期間の切替時における出力信号の遅延発生を抑制する出力回路、データドライバと表示装置の提供。
【解決手段】出力回路は差動増幅回路１１０、１０５，出力増幅回路１２０と第１の制御回路１６０、入力端子１０１、出力端子１０４、第１乃至第３の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳ、ＶＭＬを備える。差動増幅回路は前記入力端子の入力信号と前記出力端子の出力信号を入力する差動入力段１１０と第１及び第２のカレントミラー１３０、１４０を備える。出力増幅回路１２０は第１の電源端子ＶＤＤと出力端子１０４との間に接続された第１導電型の第１のトランジスタ１２１と出力端子１０４と第３の電源端子ＶＭＬとの間に接続された第２導電型の第２のトランジスタ１２２とを備える。第１の制御回路１６０は、第１導電型の第３のトランジスタ１６１と第１のスイッチ１６２を備える。 （もっと読む）

【課題】 回路規模の増加を抑えつつ、高い精度の電流電圧変換を行い、低ノイズの電圧信号を出力する電流電圧変換回路等を提供する。
【解決手段】 電流電圧変換回路１０であって、電圧信号１０１Ｐ、１０１Ｎを出力するオペアンプ２０と、入力された電流信号１００Ｐ、１００ＮのＤＣオフセット電流に応じた電荷を充放電する第１のキャパシタ４０Ｐ、４０Ｎと、オペアンプのオフセット電圧に応じた電荷を充放電する第２のキャパシタ４１Ｐ、４１Ｎと、第１の期間においてオン状態となり第２の期間においてオフ状態となる第１のスイッチ３０Ｐ、３０Ｎおよび第３のスイッチ３２Ｐ、３２Ｎと、第１の期間においてオフ状態となり第２の期間においてオン状態となる第２のスイッチ３１Ｐ、３１Ｎとを含む。 （もっと読む）

【課題】単一の演算増幅器を使用して積分器と加算器の両方を実現するスイッチトキャパシタ回路を提供する。
【解決手段】１つの入力信号は、（１）１つまたは複数の積分ブランチと、（２）１つまたは複数の第１の加算ブランチとを介して演算増幅器の入力に送られる。第２の入力信号は、１つまたは複数の第２の加算ブランチを介して演算増幅器の入力に送られる。ブランチの各々は、キャパシタと、異なるクロック位相によって制御されるいくつかのスイッチとを含む。スイッチトキャパシタ回路はシングルエンドまたは差動とすることができる。 （もっと読む）

【課題】負帰還回路の構成によってゲインが変化することを防止できる増幅回路を提供する。
【解決手段】オペアンプ１において、初段増幅回路１０は、反転入力端子４１に入力される入力信号６１と、非反転入力端子４２に入力される入力信号６２とを増幅して初段増幅信号を出力する。後段増幅回路２０は、後段増幅信号を出力する。初段増幅回路１０において、トランジスタＴＲ１は、正成分６１Ａを入力とするエミッタフォロワ回路を形成する。トランジスタＴＲ２は、負成分６１Ｂを入力とするエミッタフォロワ回路を形成する。これにより、オペアンプ１における反転入力端子４１側の入力インピーダンスを高くすることができる。トランジスタＴＲ５は、正成分６１Ａ，６２Ａを増幅して初段増幅信号の正成分を出力する。トランジスタＴＲ６は、負成分６１Ｂ，６２Ｂを増幅して初段増幅信号の負成分を出力する。 （もっと読む）

【課題】変調信号の大きさ及び応答速度を向上可能な駆動回路及び光送信装置を提供する。
【解決手段】差動信号の入力に応じて発光素子ＬＤの駆動電流を増減する駆動回路３である。差動信号の正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子と、差動信号の逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子と、発光素子ＬＤのアノードに接続されている端子と、正相信号Ｖｉｎｐが入力される端子及びアノードに接続されている端子に接続されている正相信号処理回路と、逆相信号Ｖｉｎｎが入力される端子及びアノードに接続されている逆相信号処理回路と、を備える。正相信号処理回路は、正相信号Ｖｉｎｐに応じて、駆動電流を増加するように制御し、逆相信号処理回路は、逆相信号Ｖｉｎｎに応じて、駆動電流を減少するように制御する。 （もっと読む）

【課題】消費電流を増加させずにスルーレートを向上する差動増幅回路、表示用駆動回路を提供する。
【解決手段】差動増幅回路は、差動信号を入力する入力段と、入力段の出力に基づいて容量性負荷を駆動する出力段とを具備する。入力段は、差動信号を入力する差動信号入力部（ＭＮ１／ＭＮ２、ＭＮ１１／ＭＮ１２／ＭＰ２１／ＭＰ２２）と、差動入力部にバイアス電流を供給する電流源（ＭＮ３、ＭＮ１０／ＭＰ２０）と、電流源（ＭＮ３、ＭＮ１０／ＭＰ２０）に並列に挿入される可変容量（Ｃｓ）を含むスルーレート調整部（４１４、４１５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い周波数までの二次歪成分を除去し、出力電流信号の線形性を向上させることができ、二次歪耐性（IIP２）を向上させることができる広帯域増幅器を実現する。
【解決手段】第１及び第２のＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２による差動対が発生する二次歪成分電流と逆極性の電流信号を差動対の負荷電流源となる第３及び第４のＭＯＳトランジスタＱ３，Ｑ４によって発生し、逆極性の二次歪電流を相互に打ち消し合うように作用させて線形性を向上させ、更に、第１及び第２のＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２の入力へのバイアスを設定する第１のバイアス回路を第１及び第２のＭＯＳトランジスタのドレイン電流が流れるように、且つ、該ドレイン電流をゲート電圧で二回微分した成分の絶対値が極小となるようなバイアス値を得るようにし、且つ、第３及び第４のＭＯＳトランジスタＱ３，Ｑ４のサイズを二次歪み成分が主成分である電流を生成するように設定する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣオフセットキャンセル回路の回路規模と消費電力とを低減する。
【解決手段】差動増幅器５の非反転出力端子と反転出力端子にＤＣオフセットキャンセル回路５１の差動入力端子が接続され、キャンセル回路５１の出力信号は差動増幅器５の出力ＤＣオフセット電圧を低減する。回路５１はオンチップローパスフィルタ５１と直流制御増幅器５１２を有し、フィルタ５１１は第１定電流源ＣＳ１、差動対の第１と第２のトランジスタ素子Ｍp1、Ｍp2、オンチップ容量Ｃ１を含む。第１定電流源ＣＳ１は素子Ｍp1、Ｍp2の共通電極に接続され、回路５１の差動入力端子Ｖinp、Ｖiinは素子Ｍp1、Ｍp2の制御入力電極に接続される。オンチップ容量Ｃ１の一端と他端に素子Ｍp1、Ｍp2の出力電極とが接続され、直流制御増幅器５１２は容量Ｃ１の両端の電圧に直流的に応答する。 （もっと読む）

【課題】受信装置の終端抵抗器の抵抗値がばらついている場合であっても安定した通信を行うことができる送信装置を提供する。
【解決手段】送信装置１０Ａは、第１トランジスタ１１、第２トランジスタ１２、電流源１３、送信回路１４、差演算部１５および電流調整部１６を備える。トランジスタ１１，１２は差動対を構成している。差演算部１５は、トランジスタ１１，１２のうちの一方がオン状態で他方がオフ状態であるときの第１出力端１０ａおよび第２出力端１０ｂそれぞれからの出力電圧値を入力して、これら２つの出力電圧値の差（対象電圧）を求める。電流調整部１６は、この対象電圧を入力するとともに、参照電圧入力端１０ｄに入力された参照電圧を入力して、参照電圧に基づいて対象電圧を評価し、その評価結果に基づいて、対象電圧が目標値または目標範囲内となるように電流源１３の出力電流値を調整する。 （もっと読む）

【課題】プロセス、温度及び／又は電源電圧の変動による電流源の電流の変動を防止することができるバイアス回路を提供することを課題とする。
【解決手段】バイアス回路は、第１の定電位のノードと前記第１の定電位よりも低い第２の定電位のノードとの間の第３の電位のノードに接続される第１の抵抗（Ｒ１１）と、ドレインが前記第１の抵抗を介して前記第３の電位のノードに接続され、ゲート及びソースが前記第２の定電位のノードに接続されるデプレッション型電界効果トランジスタ（Ｑ１１）とを有し、前記デプレッション型電界効果トランジスタのドレインは、第１の電流源のバイアス電圧を出力する。 （もっと読む）

【課題】第２の入力信号に重畳されたノイズを増幅せずに第１の入力信号の信号レベルを変換することができる信号レベル変換回路並びにこれを用いた物理量検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】信号レベル変換回路１は、第１の差動増幅回路１０と第２の差動増幅回路２０とを含む。第１の差動増幅回路１０は、第１の入力信号と第２の入力信号の電位差をＧ１倍して出力する。第２の差動増幅回路２０は、第１の差動増幅回路１０の出力信号と第２の入力信号との電位差をＧ２倍して出力する。この２つのゲインＧ１とＧ２は、Ｇ１×Ｇ２＜０かつ０＜−（Ｇ１＋１）×Ｇ２＜２の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】線形性能が優れたＧｍアンプ、このＧｍアンプを用いて高速動作が可能で、入力電圧範囲が広く、かつ線形性能の優れたＧｍ−Ｃフィルタを提供する。
【解決手段】入力信号が端子１７、１８から供給され、ソース端子が電源端子に接続されるＭＯＳトランジスタ１１、１２、同相制御信号がゲート端子から供給されるＭＯＳトランジスタ１３、１４、出力信号を出力する出力端子対の平均電圧を一定にするためＭＯＳトランジスタ１３、１４のゲート端子に同相制御信号を出力する同相制御アンプ１５、入力信号を入力して、ＭＯＳトランジスタ１１、１２に入力される入力信号の大小に応じて基板電圧を制御する基板制御信号をＭＯＳトランジスタ１１、１２の基板端子に供給する基板電圧制御回路２１、２２によってＧｍアンプを構成する。 （もっと読む）

【課題】物理量の検出精度が低下することを抑制することができる物理量検出方法および物理量検出装置を提供する。
【解決手段】第１スイッチ群ＳＷ１〜ＳＷ３を制御して第３ノードＮ３を第１ノードＮ１に接続すると共に第２スイッチ群ＳＷ４〜ＳＷ６を制御して第４ノードＮ４を第２ノードＮ２に接続した状態で、センシング部１０に基準電圧より所定電圧高いまたは低い第１電圧を印加し、センシング部１０から出力された電気的信号を増幅回路３０で増幅して第１増幅信号を出力する。その後、センシング部１０に第１電圧を印加したときの第１、第２スイッチ群ＳＷ１〜ＳＷ６をそのまま維持し、センシング部１０に基準電圧を基準として反対の極性となる第２電圧を印加し、センシング部１０から出力された電気的信号を増幅回路３０で増幅して第２増幅信号を出力する。そして、演算回路３０にて、第１、第２増幅信号を減算する演算工程を行う。 （もっと読む）

【課題】アンプの動作周波数に依存性を有するバイアス電流を供給することにより、消費電流を大幅に低減する。
【解決手段】ＤＬＬ回路２は、入力されたクロック信号ＣＫに基づいて、該クロック信号ＣＫの周波数に比例関係を持つ制御電圧ＶＣＮＴＬを生成する。トランスリニア回路３は、ＤＬＬ回路２が生成した制御電圧ＶＣＮＴＬに基づいて、クロック信号ＣＫの周波数の２乗の関係を持つ電流を生成する。カレントミラー回路５は、トランスリニア回路３が生成した電流からアンプ電流を生成し、アンプ４のテール電流として該アンプ４に供給する。 （もっと読む）

【課題】２つ以上の送信周波数を使用する金属検出システムを提供する。
【解決手段】少なくとも２つの送信周波数グループから選択される送信周波数を有する送信信号を生成する送信装置３と接続される送信コイル４と、受信装置５に含まれる少なくとも１つの増幅装置１４，１５の信号入力へ出力信号を提供し、出力信号が、システムが平衡状態にあるように相互に相殺する第１及び第２の受信コイル６，７とを備えた、平衡コイルシステムを含む金属検出システム１を作動させる。制御装置１６が、少なくとも１つの増幅装置１４，１５の信号入力と接続される少なくとも１つの制御可能インピーダンス装置１２，１３の制御入力に提供される制御信号を送信装置３の送信周波数に従って生成し、送信周波数が増減されるとき、インピーダンス値が増減されるような方法で制御信号が、制御可能インピーダンス装置１２，１３のインピーダンス値を制御する。 （もっと読む）