【課題】広い出力電力範囲で動作効率を向上させる。
【解決手段】トランジスタ１０，１２は互いに並列に接続され、外部から入力された高周波信号を増幅する。スイッチ１８は、トランジスタ１０の出力及びトランジスタ１２の出力に接続された入力端子１８ａと、出力端子１８ｂと、出力端子１８ｃとを有する。スイッチ１８は、入力端子１８ａを出力端子１８ｂと出力端子１８ｃの何れか一方に接続する。トランジスタ２０は、出力端子１８ｂから出力された信号を増幅する。スイッチ２４は、トランジスタ２０の出力に接続された入力端子２４ａと、出力端子１８ｃに接続された入力端子２４ｂと、出力端子２４ｃとを有する。スイッチ２４は、入力端子２４ａと入力端子２４ｂの何れか一方を出力端子２４ｃに接続する。トランジスタ１０の出力電力はトランジスタ１２の出力電力よりも大きく、トランジスタ１０の動作効率はトランジスタ１２の動作効率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 ドハティ増幅器においてキャリア増幅器のみが飽和状態となる第一の飽和状態での電力変換効率を向上させることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 ドハティ増幅器のキャリア増幅器３に、キャリア増幅器３のみが飽和動作する第一の飽和状態において最大効率が得られる２次高調波負荷となるようそれぞれ調整されたキャリア側最適化入力高調波処理回路９とキャリア側最適化出力高調波処理回路１１を備え、ピーク増幅器６に、キャリア増幅器３とピーク増幅器６とが両方飽和動作する第二の飽和状態において最大効率が得られる２次高調波負荷となるようそれぞれ調整されたピーク側最適化入力高調波処理回路１４とピーク側最適化出力高調波処理回路１６とを備えた電力増幅器としている。 （もっと読む）

【課題】ドハティ増幅器においては、キャリア増幅器が飽和になった時直ぐにピーク増幅器が動作させるのではなく、キャリア増幅器が飽和する前から既に多少ピーク増幅器を動作させている。キャリア増幅器の飽和領域付近において、増幅器全体としての効率を向上させる。
【解決手段】増幅素子をＡＢ級又はＢ級で動作させる第１の増幅回路の出力と、増幅素子をＢ又はＣ級で動作させる第２の増幅回路の出力を合成して出力とするドハティ増幅器において、前記第２の増幅回路の増幅素子のドレイン電圧を当該増幅器への入力電力に対応するように制御する制御部を備え、前記制御部における入力電力とドレイン電圧との対応は、前記第２の増幅回路の増幅素子の動作点付近における効率が最大となるように対応付けられる。 （もっと読む）

【課題】バイアス回路を組み込んだ通信機器や電子機器の小型化を促進させるため、１つのチップにて構成することができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】ＲＦチョークとバイパスコンデンサとを有するバイアス回路において、少なくとも下面もしくはその内部にグランド電極４０が形成された誘電体基板３０と、前記誘電体基板３０の表面に形成された入力端子３２及び出力端子３４と、前記誘電体基板３０内もしくは表面に形成され、一端が前記入力端子３２に接続され、且つ、他端が前記出力端子３４に接続され、前記ＲＦチョークを形成するＲＦチョーク形成電極３６と、前記誘電体基板３０内に、前記グランド電極４０に対向して形成され、且つ、一端が前記出力端子３４に接続され、前記バイパスコンデンサを形成するためのコンデンサ形成電極３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＴ（Envelope Tracking）方式やＥＥＲ（Envelope Elimination and Restoration）方式等の電源変調方式で使用される増幅器の歪補償処理を行う増幅回路において、増幅器の利得の周波数特性を改善して、歪補償が容易な状態にする。
【解決手段】増幅器１０と、入力信号に基づいて変調された電源電圧を増幅器１０に付与する電源変調回路１７と、増幅器１０に対して前置され、増幅器１０の歪特性を打ち消す逆歪特性を生成して入力信号に付加する歪補償回路１１とを備えた増幅回路１であって、歪補償回路１１と増幅器１０との間に利得調整回路１２を設け、電源電圧に関わらず増幅器１０の周波数特性の形を揃える逆特性を利得調整回路１２の周波数特性とする。 （もっと読む）

【課題】
高周波パワーアンプの試験工程のコストを低減する。
【解決手段】
高周波パワーアンプは，インダクタを有する入力整合回路と，前記入力整合回路を通過した入力信号を増幅する増幅トランジスタと，入力整合回路内のインダクタに第１の試験スイッチにより接続されるキャパシタと，インダクタに第２の試験スイッチを介して第１の基準電圧との間に設けられた負性抵抗用トランジスタと，第２の基準電圧とインダクタとの間に設けられた電流源トランジスタとを含む試験用回路とを有し，試験時に第１，第２の試験スイッチ及び電流源トランジスタが導通してインダクタと試験用回路とで高周波発振器が構成され，通常動作時に第１，第２の試験スイッチ及び前記電流源トランジスタが非導通になる。 （もっと読む）

【課題】平均とピークの電力比が高い信号入力時でも高効率な動作ができるエンベロープトラッキング電力増幅器及びエンベロープトラッキング増幅方法を提供する。
【解決手段】レベル比較器１６がエンベロープアンプ４へ入力される前記信号レベルを所定のレベルと比較し、所定のレベルよりも低い場合、ＲＦアンプ６にからエンベロープアンプ４電源電圧を供給する一方、ＲＦアンプ１２への入力信号を遮断すると共に、そのドレインソース容量を予め設定した値になるよう前記信号レベルに対応してドレイン電圧制御回路１５から出力するドレイン電圧を設定する制御を行い、所定のレベルよりも高い場合、ＲＦアンプ１２へ前記入力信号を供給すると共に、その動作がＲＦアンプ６と揃うようにＲＦアンプ２のゲート電圧のバイアスの設定と、一定の電源電圧になるようをドレイン電圧制御回路１５設定する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅電界効果トランジスタのゲート長の依存性による電力利得の変動を軽減する。
【解決手段】高周波電力増幅器は、バイアス制御回路１１２とカレントミラー接続のバイアストランジスタ５１６と増幅トランジスタ５１３と、複製トランジスタ４２１を有するゲート長モニタ回路１０１を半導体チップに具備する。５１３はＲＦ信号を増幅して、５１６にバイアス制御回路１１２のバイアス電流が供給される。５１６、５１３、４２１は同一の半導体製造プロセスで形成され、同一のゲート長のばらつきを有する。ゲート長モニタ回路１０１はゲート長Ｌに依存した検出電圧Ｖｍｏｎを生成して、検出電圧に従ってバイアス制御回路１１２がバイアス電流を制御して増幅トランジスタ５１３のトランスコンダクタンスのゲート長依存性を補償する。 （もっと読む）

【課題】本発明は高周波送信モジュールに関する。
【解決手段】予め設定された高域周波数信号の電力を増幅する高域電力増幅部と、予め設定された低域周波数信号の電力を増幅する低域電力増幅部と、前記低域電力増幅部の出力インピーダンスを整合させるＬＣ整合回路部と、前記高域電力増幅部の出力端に接続された第１の端子と前記ＬＣ整合回路部に接続された第２の端子のうち一方を共通端子に接続させるアンテナスイッチ回路と、前記アンテナスイッチ回路とアンテナ間のインピーダンスを整合させ、前記アンテナから流入される静電気を遮断する整合／ＥＳＤ保護部とを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を少なくし、動作の高速性を妨げることなく、差動対間のインピーダンスを調整可能にした差動信号受信回路、及び差動信号受信回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の差動信号が入力する第１、第２の差動トランジスタと、第１、第２の差動トランジスタの出力端子にそれぞれ接続された負荷回路と、第１、第２の差動トランジスタの電源端子に接続された電流源回路と、第１の差動トランジスタの電源端子と前記第２の差動トランジスタの電源端子との間に接続されたインピーダンス調整回路及びスイッチトランジスタと、を備える差動信号受信回路であって、スイッチトランジスタは、差動信号受信回路に供給される電源電圧より高電圧になる信号が印加されて導通、非導通が制御される。 （もっと読む）

【課題】変換効率及び／又は増幅線形性を向上させることができる増幅器を提供することである。
【解決手段】ソースが基準電位ノードに接続され、ドレインが出力ノードに接続される第１及び第２の電界効果トランジスタ（Ｔｒ１，Ｔｒ２）と、第１の電界効果トランジスタのゲート及び入力ノード間に接続される第１の容量（Ｃ１）と、第１の電界効果トランジスタのゲートに接続される第１のゲートバイアス電位ノード（Ｖｇ１）と、第２の電界効果トランジスタのゲート及び入力ノード間に接続される第２の容量（Ｃ２）と、第２の電界効果トランジスタのゲートに接続される第２のゲートバイアス電位ノード（Ｖｇ２）と、出力ノードに接続されるドレインバイアス電位ノード（Ｖｄｄ）とを有し、第１の電界効果トランジスタのゲート幅は、第２の電界効果トランジスタのゲート幅より広く、第１の容量の容量値は、第２の容量の容量値より大きい増幅器が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＲＦダウンコンバージョンミキサのための共通ゲート共通ソース相互コンダクタンスステージを提供する。
【解決手段】無線デバイス受信機チェーンは、共通ゲート共通ソース（ＣＧＣＳ）入力ステージ３１２を有するミキサ３１４を含む。チップ３０３外マッチングネットワーク３０８からの差動信号３１０、３１１は、ミキサのＣＧＣＳ入力ステージに入力されることができて、ミキサは、信号をベースバンドあるいはいくつかの中間周波数にダウンコンバートする。入力ステージは、共通ゲート構成における１ペアのＮＭＯＳトランジスタと、共通ソース構成における１ペアのＰＭＯＳトランジスタと、を含む。存在するＣＧＯ相互コンダクタンス入力構成に対する、ＣＧＣＳ入力ステージの潜在的な利点は、ＰＭＯＳ差動ペアを通して、共通のソースステージを加えることによって、相互コンダクタンス利得が、高いＱマッチングネットワークからデカップルされる。 （もっと読む）

【課題】 回路構成の簡素化と回路面積の低減とコストの削減とを図ることが可能な無線通信機器を提供する。
【解決手段】 無線送信回路は、送信出力を１−ポートＲＦ出力あるいはハイバンド出力とローバンド出力との２−ポートＲＦ出力にまとめたＲＦＩＣ（１）と、マルチ通信方式及びマルチバンド送信に対応するための広帯域パワーアンプ（２１）と、広帯域パワーアンプの出力を各送信バンドに対応した信号パスに出力するバンドスイッチ（２４）と、各送信バンドにおいて広帯域パワーアンプの入力とＲＦＩＣの出力との間でマッチングを取る第１のマッチング補正回路（２２）及び各送信バンドにおいて広帯域パワーアンプの出力とバンドスイッチの入力との間でマッチングを取る第２のマッチング補正回路（２３）とを含む送信部分（２）とを有する。 （もっと読む）

【課題】メモリ効果歪みを効果的に打ち消すことのできる歪み補償装置を得る。
【解決手段】直流電源（３０）と、直流電源から供給される直流電圧をパラメータとして変化させることで入力電力に対する利得特性および通過位相特性を調整する歪み補償回路（２０）と、変調波信号の偶数次高調波、奇数次高調波、またはベースバンド変調波周波数のうち、少なくとも１つに対して振幅と位相を制御することで、歪み補償回路の能動素子からみた負荷インピーダンスを決定する整合回路（１０）とを備え、整合回路は、歪み補償装置の入出力端子を結ぶ信号路に対して縦続に接続され、振幅と位相を制御することで、歪み補償装置の前段または後段に接続される増幅器の歪み成分と逆特性を持つ歪み成分を歪み補償回路から発生させる。 （もっと読む）

【課題】広帯域特性の改善と隣接セルからの干渉問題の抑制を両立できる増幅器を得る。
【解決手段】３セル以上のユニットセルトランジスタ（１１）が等間隔に配置されたマルチセルトランジスタ（１０）と、スリット（２３）で区切られたオープンスタブ（２２）により、基本波の整数倍の周波数で短絡状態を形成するように各ユニットセルトランジスタに対応して設けられた高調波処理回路（２１）を複数有し、各高調波処理回路がトーナメント構成となるように線路構成された出力整合回路（２０）とを備えた増幅器であって、各高調波処理回路（２１）は、マルチセルトランジスタを構成する各ユニットセルトランジスタのゲートまたはドレイン端子の少なくとも一方から、電気長で１／２波長未満の距離に配置され、オープンスタブ（２２）が、主線路と平行して片側に１本で配置されている。 （もっと読む）

【課題】多段接続される増幅器からのバイアス電流の逆流に起因するバイアス変動を効果的に抑制し、安定して信号増幅できる電力増幅器を提案する。
【解決手段】電力増幅器１００は、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３を有する増幅系統１０と、トランジスタＴｒ４〜Ｔｒ６を有する増幅系統２０と、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６のバイアス点を制御するバイアス回路３１，３２，３３とを備える。増幅系統１０は、最終段のトランジスタＴｒ３以外のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を含む第一のグループと、少なくとも最終段のトランジスタＴｒ３を含む第二のグループとを含む２つ以上のグループにグループ分けされている。バイアス回路３１は、第一のグループに属するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２にバイアス電流を分岐供給する。バイアス回路３２は、第二のグループに属するトランジスタＴｒ３にバイアス電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】 高調波成分の負荷を、基本波の調整に影響されることなく短絡から開放までの範囲で最適な負荷となるよう独立して設定することができ、高い電力変換効率を得ることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 トランジスタ３の出力に、高調波に対する負荷を設定して反射する高調波反射回路４と、設定された高調波に対する後段の負荷の影響を分離する負荷分離回路５と、基本波についてトランジスタ３と出力負荷との整合を取る基本波整合調整回路６を備え、高調波反射回路４に設けられた先端開放スタブ２３の長さが調整されることで、高調波の負荷を調整する電力増幅器としており、高調波成分及び基本波について独立して最適な負荷調整を行うことができ、電力変換効率を向上させることができるものである。 （もっと読む）

【課題】バイアス電流の制御電圧の設定範囲を拡大させつつ、バイアス回路の構成の自由度を向上させ、簡単かつ小規模な構成で複数の通信方式への対応を実現する高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路１２を、入力されるベース電流に応じたバイアス電流を増幅器１１に供給するトランジスタＱ５と、基準電圧Ｖｒｅｆに応じた電流を流すトランジスタＱ３と、トランジスタＱ３に流れる電流に応じて、トランジスタＱ５のベース電流を補正することにより、トランジスタＱ５の温度特性を補償するトランジスタＱ２と、トランジスタＱ５のベースに接続され、制御電圧ＶＳＷの切り替えに応じてトランジスタＱ５のベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部（トランジスタＱ４及び抵抗Ｒ５〜Ｒ７）とで構成する。増幅器１１は、バイアス回路１２から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴセルごとに電源を用意・制御することなく、所望の出力電力値に合わせて、出力電力値を調整可能な高周波半導体装置を提供する。
【解決手段】分配・入力整合回路３２と入力伝送線路パターン３６とを搭載した分配・入力整合回路基板１４と、複数の入力キャパシタセル４０を搭載した入力キャパシタ基板１６と、複数の電界効果トランジスタセルを搭載した半導体基板１８と、複数の出力キャパシタセル４１を搭載した出力キャパシタ基板２０と、出力伝送線路パターン３８と合成・出力整合回路３４とを搭載した合成・出力整合回路基板２２とを備え、所望の出力電力値に合わせて複数のセルからなる電界効果トランジスタのセル数を接続・非接続により、総ゲート電極長を実質的に変化させて、出力電力値を調整可能な高周波半導体装置３０。 （もっと読む）

【課題】アイソレータを用いなくても良好な高周波特性を実現し、かつ、消費電力の少ない高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】高周波信号を増幅する電力増幅器１１と、電力増幅器１１にコレクタ電圧を供給する電圧供給部１４と、電力増幅器１１にバイアス電流を供給する電流供給部と、バイアス電流を検出するバイアス電流検出部１３とを備え、電圧供給部１４は、バイアス電流がバイアス電流の基準値以下の場合に電源電圧を第１電圧、バイアス電流がバイアス電流の基準値より高い場合に電源電圧を第１電圧未満の第２電圧に制御する制御部１８を備える。 （もっと読む）