【課題】出力特性の平坦度が良好な広帯域増幅器を提供する。
【解決手段】第１中心周波数有する第１増幅ユニットと、第１増幅ユニットに並列に配置され、第１中心周波数よりも高い第２中心周波数を有する第２増幅ユニットと、第１増幅ユニットの入力と第２増幅ユニットの入力に接続された電力分配器と、第１増幅ユニットの出力と第２増幅ユニットの出力に接続された電力合成器とを備える広帯域増幅器。 （もっと読む）

【課題】 ドライブ増幅器を組み合わせた電力増幅器であって、電力増幅器全体の効率を向上させると共に、ドハティ増幅器の効率を低下させることなくＡＭ−ＡＭ変換特性及びＡＭ−ＰＭ変換特性を改善することができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 ドハティ増幅器の入力段にＥＴ方式で動作するドライブ増幅器２０４を備え、入力電力レベルを検出する検波回路１０５と、入力された補正信号に基づいて、ドライブ増幅器２０４にドレイン電圧を出力する電源回路１０７と、予め記憶された情報に基づいて、検出された入力電力レベルに応じて、ドライブ増幅器２０４が飽和に近い状態で動作し、且つ、ドライブ増幅器２０４の出力信号のゲイン特性及び位相特性が、ドハティ増幅器におけるゲイン特性及び位相特性の逆特性となるよう、電源回路１０７に最適なドレイン電圧を出力させるための補正信号を出力する波形整形回路１０６とを備えた電力増幅器としている。 （もっと読む）

【課題】スイッチングアンプにおけるＯＮのトランジスタの数に応じて、インピーダンスの不整合に基づく出力信号の歪みを低減することができる増幅器を提供する。
【解決手段】増幅器は、入力信号をΔΣ変調器によって離散信号に変調し、スイッチングアンプによって増幅する。ΔΣ変調器は、出力値ｐ・閾値ｘを制御可能な量子化器を有する。スイッチングアンプは、離散信号に応じてスイッチングされる複数のトランジスタと、トランジスタからの出力信号を合成するトランスと、該トランスの出力側に接続される整合回路と、該整合回路を負荷Ｒloadとの間の出力電力における電力値を検出する電力検出器とを有する。スイッチングアンプに対してＯＮとなるトランジスタの数Ｎを変化させてスイッチングを制御し、電力検出器から電力値Ｐを入力し、ΔΣ変調器の量子化器に対して、電力値Ｐに応じた出力値ｑ・閾値ｘを設定する制御部を更に有する。 （もっと読む）

【課題】線形動作領域での歪特性を改善することができる電力増幅器を得る。
【解決手段】電力増幅器は、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２と、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２にバイアス電流を供給するバイアス回路１０と、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２のコレクタに接続されたコレクタ電圧端子Ｖｃとを備える。バイアス回路１０は、増幅用トランジスタＲＦＴｒ１，ＲＦＴｒ２に参照電圧に応じたバイアス電流を供給するトランジスタＴｒ１と、トランジスタＴｒ１のコレクタと接地点との間に接続された可変容量１８と、可変容量１８の容量値を制御するロジック回路２０とを有する。ロジック回路２０は、コレクタ電圧端子Ｖｃに印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合に、コレクタ電圧が所定電圧以下の場合よりも可変容量１８の容量値を大きくする。 （もっと読む）

【課題】温度変化によって最適動作点が変動しても電力効率を高効率化することができる。
【解決手段】増幅部１は、信号を増幅する第１の増幅器１ａと、信号が所定レベル以上になると信号を増幅する第２の増幅器１ｂとを備える。検出部２は、温度変化を検出する。算出部３は、検出部２の温度変化の検出により、増幅部１から出力される出力信号の隣接チャネル漏洩電力比を算出する。制御部４は、算出部３によって算出された隣接チャネル漏洩電力比に基づいて、第１の増幅器１ａおよび第２の増幅器１ｂのゲートバイアスを制御する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を大きくすることなく、電力効率を改善する高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器は、第１スイッチ素子１０４の他端と第２スイッチ素子１０５の他端との間に接続され、第１スイッチ素子１０４および第２整合回路１１５を介して第２アンプに電源を供給し、第２スイッチ素子１０５および第３整合回路１１６を介して前記第３アンプ１０３に電源を供給するための第１電源ライン１３３を具備し、第１スイッチ素子１０４の前記他端は、第１整合回路１１４の入力ノードと接続され、第２スイッチ素子１０５の前記他端は、第１電源ライン１３１を介して、第１整合回路１１４の入力ノードと接続され、第３アンプ１０３の出力ノードから当該高周波電力増幅器の出力側をみたインピーダンスが、第２アンプ１０２の出力ノードから当該高周波電力増幅器の出力側をみたインピーダンスより高い。 （もっと読む）

【課題】発振対策を容易に講ずることができる高周波半導体増幅装置を提供すること。
【解決手段】パッケージ１４内部に、半導体増幅素子１１、入力整合回路基板１７の表面上に形成された入力整合回路パターン１５、および出力整合回路基板２４の表面上に形成された出力整合回路パターン２３を、パッケージ１４内部に有する高周波半導体装置であって、出力整合回路基板２４の表面上には、出力整合回路基板２４の表面上に、出力整合回路パターン２３に接続するように形成された出力信号ライン２５に対して、容易に電気的に接続・切断可能な減衰器２９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】入力の整合回路での損失の低減、並びに、回路の簡略化及び小型化が可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１００であって、第１金属配線である環状１次コイル１２１と、複数の第２金属配線である複数の直線２次コイル１２２とを有し、入力インピーダンスの整合をとるとともに、入力信号を複数の分配信号に分配する入力側トランスフォーマ１２０と、複数の分配信号の１つを増幅する１対のトランジスタ１１１をそれぞれが備える複数のプッシュプル増幅器１１０と、第３金属配線である環状２次コイル１３１と、複数の第４金属配線である複数の直線１次コイル１３２とを有し、増幅された複数の分配信号を合成するとともに、出力インピーダンスの整合をとる出力側トランスフォーマ１３０とを備え、１対のトランジスタ１１１の２つの入力端子は、第２金属配線を介して互いに接続され、２つの出力端子は、第４金属配線を介して互いに接続される。 （もっと読む）

【課題】外部部品を必要とせず、異なる周波数帯域で整合をとることができ、低コスト化を図ることができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】増幅器の入力側、出力側に接続するインピーダンス制御回路を備え、このインピーダンス制御回路は、インピーダンス素子とスイッチ素子の直列回路で構成する。そして、スイッチ素子は、スイッチ素子制御端子が開放状態あるいは接地状態に制御されることで、スイッチング動作される構成とする。 （もっと読む）

【課題】高利得特性を有するとともに、小型でかつ安定な差動増幅動作を実現した差動増幅回路を得る。
【解決手段】１対のバイポーラトランジスタ１、２と、１対のバイポーラトランジスタ１、２の各々に対する出力バイアス印加回路および入力バイアス印加回路と、１対のバイポーラトランジスタ１、２の２つの出力端子の一方を接地するための終端抵抗１５と、を備えている。１対のバイポーラトランジスタ１、２は、互いに異なるサイズからなり、２つの出力端子の他方は、振幅が大きい線路側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】低電力出力時の消費電流を低減して、ＤＣ電圧変換器による実装面積の増大を軽減する。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置２００は、外部電源電圧Ｖｃｃ１、２、３によって動作するドライバー段増幅器２３０と第１のＲＦ増幅器２７０ａと第２のＲＦ増幅器２７０ｂとＤＣ電圧変換器２８０を具備する。ドライバー段増幅２３０の出力は第１と第２のＲＦ増幅器２７０ａ、２７０ｂの入力に供給され、第１のＲＦ増幅器２７０ａの実効素子サイズは第２のＲＦ増幅器２７０ｂのそれより大きな素子サイズに設定される。ＤＣ電圧変換器２８０に外部電源電圧Ｖｃｃ３が供給され、ＤＣ電圧変換器２８０は低電圧の動作電源電圧Ｖｃｃ４を生成して、第２のＲＦ増幅器２７０ｂの出力端子に供給する。第１のＲＦ増幅器２７０ａの出力端子には、ＤＣ電圧変換器２８０を介することなく、外部電源電圧Ｖｃｃ２が供給可能とされる。 （もっと読む）

【課題】アクティブ回路を線形化する。
【解決手段】第１、第２のトランジスタで構成される主信号経路は、主信号経路内の回路素子の非線形性に起因する歪みを生成する。第３及び第４のトランジスタで構成される補助信号経路は、主信号経路によって生成された歪み成分を除去するために用いられる歪み成分をアクティブに生成することによって、３次歪み成分を除去することが可能となる。前記第２及び第３のトランジスタのサイズは、前記増幅器に関する利得損失を低減させて優れた線形性を達成させるサイズが選択される。 （もっと読む）

【課題】低周波発振と高周波発振とを共に抑制することができる高周波回路を提供する。
【解決手段】高周波回路は、複数のトランジスタ１２、複数の入出力整合回路１４−１，１４−２、複数の抵抗体１８、低周波発振抑制回路１７を含む。複数のトランジスタは、半導体基板１１上に並列に配列形成される。複数の入出力整合回路は、それぞれ第１の絶縁基板１３−１上、第２の絶縁基板１３−２上に、複数のトランジスタにそれぞれ接続されて設けられている。低周波発振抑制回路は、所望の周波数帯域を透過帯域として有し、並列に配列形成された複数のトランジスタのうち、両側のトランジスタのゲート端子に接続される。複数の抵抗体は、複数の入出力整合回路間のうち、トランジスタに最も近い位置に形成されるとともに、透過帯域の最も低い周波数の発振に対して低周波発振抑制回路を作用させることが可能な長さで、複数の入出力整合回路間に形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の入力ポートと少なくとも１つの出力ポートとを備え、高い変圧器結合効率及び高い電力合成効率を達成するオンチップ変圧器電力合成器を提供する。
【解決手段】変圧器電力合成器は、複数の一次巻線導体と複数の二次巻線導体とを含む。一次巻線導体は、入力ポートにそれぞれ電気的に接続される。加えて、各一次巻線導体は対応する入力ポートのプラス端子とマイナス端子との間に電気的に接続されている。二次巻線導体は、一次巻線導体にそれぞれ磁気的に結合される。二次巻線導体は、出力ポートのプラス端子とマイナス端子との間に直列接続及び並列接続を含むトポロジー構造を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】温度変化や、入力信号の周波数等に応じて生じるおそれのある入出力特性の歪を抑制することができる増幅回路、及びこれを用いた無線通信装置を提供する。
【解決手段】本発明の増幅回路１は、入力信号の電力を増幅する増幅器２と、増幅器２に電源電圧を付与する電源部３と、増幅器２の温度を検知するための温度センサ１１と、入力信号の送信周波数を決定する周波数決定部８とを備えている。さらに、温度センサ１１から得られる検知温度、及び周波数決定部８から得られる送信周波数に基づいて電源部３の電源電圧、及び入力信号の信号電力を調整する制御部１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】高温通電時にはバイアスジャンプを回避し、実運用時には外部電源を製品によらず共通化し、かつ端子数を削減する。
【解決手段】半導体装置２４と、入力整合回路１７と、出力整合回路１８と、運用時用ゲートバイアス回路７０と、運用時用ゲートバイアス回路７０に接続された運用時用ゲートバイアス端子４１ａと、入力整合回路１７に接続された高周波入力端子兼高温動作時用ゲートバイアス端子２１ａと、出力整合回路１８に接続されたドレインバイアス回路８０と、ドレインバイアス回路８０に接続されたドレインバイアス端子４１ｂと、出力整合回路１８に接続された高周波出力端子２１ｂとを備え、１つのパッケージに収納された高周波モジュール１およびその動作方法。 （もっと読む）

【課題】無線通信機の送信系に用いられる電力増幅器において、電力増幅器の出力強度が変化すると効率が低下するため、高効率で電力増幅器を動作させるためには出力電力に追随して電力増幅器の負荷を可変する必要があった。しかし、基地局の電力増幅器は出力インピーダンスが小さいため、誤差が特性に大きく影響する。また、通信の大容量化に伴い広帯域特性も求められるようになり、広帯域・低損失・細かなインピーダンス可変を行える負荷可変方式が必要である。
【解決手段】電力増幅のトランジスタとアンテナ前段の負荷可変回路との間に、伝送線路トランスを配置し、広帯域かつ低損失な整合回路を用いた電力増幅器。 （もっと読む）

【課題】
無線周波数（ＲＦ）電力増幅装置。
【解決手段】
電力増幅システムは、電力トランジスター（３５４、３５８）およびバイアス回路類（３１０）を含む電力制御装置およびパワーアンプ（２２０）を含んでいる。
バイアス回路類は、電力制御装置によって供給される電圧における変化全体にわたって、実質上一次的な動作で自動的に電力トランジスターを維持するような方式によって、１つ以上の電力トランジスター（３５４、３５８）の基部に電流を提供する。 （もっと読む）

【課題】広い出力電力範囲で動作効率を向上させる。
【解決手段】トランジスタ１０，１２は互いに並列に接続され、外部から入力された高周波信号を増幅する。スイッチ１８は、トランジスタ１０の出力及びトランジスタ１２の出力に接続された入力端子１８ａと、出力端子１８ｂと、出力端子１８ｃとを有する。スイッチ１８は、入力端子１８ａを出力端子１８ｂと出力端子１８ｃの何れか一方に接続する。トランジスタ２０は、出力端子１８ｂから出力された信号を増幅する。スイッチ２４は、トランジスタ２０の出力に接続された入力端子２４ａと、出力端子１８ｃに接続された入力端子２４ｂと、出力端子２４ｃとを有する。スイッチ２４は、入力端子２４ａと入力端子２４ｂの何れか一方を出力端子２４ｃに接続する。トランジスタ１０の出力電力はトランジスタ１２の出力電力よりも大きく、トランジスタ１０の動作効率はトランジスタ１２の動作効率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】複数の増幅器のうちの一部が故障しても、電力合成分配器の分配損、合成損を最小とする。
【解決手段】複数の並列接続された第１の分岐側端子（１１３、１１４）と１つの第１の合成側端子（１１５）が第１の電力合成点（１１６）を介して接続された第１の分岐回路（１２７）と、複数の並列接続された第２の分岐側端子（１３３、１３４）と１つの第２の合成側端子（１３５）が第２の電力合成点（１３６）を介して接続された第２の分岐回路（１３７）とを有し、第１の合成側端子と複数の第２の分岐側端子が接続された電力合成あるいは電力分配を行う電力合成分配器において、第１の電力合成点から第２の電力合成点までの長さが１／２波長の整数倍である。 （もっと読む）