【課題】デバイスの温度変動および／またはプロセス変動に起因するＭＯＳデバイスのバイアス条件の変動を正確に補償できる技術を提供する。
【解決手段】ＩＣデバイスがゲート端子、ソース端子およびドレイン端子を有するＭＯＳデバイスを備え、ゲート端子はＩＣデバイスの入力部に動作可能に結合され、ドレイン端子はＩＣデバイスの出力部に動作可能に結合され、ソース端子は負電圧供給源に結合している。ＩＣデバイスは、さらに、ＭＯＳデバイスのゲート端子に動作可能に結合されているバイアス発生器を備え、このバイアス発生器は、ＭＯＳデバイスにほぼ一定の静止動作点でバイアスをかけるバイアス電圧および／またはバイアス電流を発生する。バイアス発生器は、バイアス電圧および／またはバイアス電流がＭＯＳデバイスの接合温度の関数として変化するように構成されている。このようにして、バイアス発生器が、ＭＯＳデバイスの１つまたは複数の動作条件を正確にたどり、それによってデバイスの性能を向上させる。 （もっと読む）

【課題】Ｆ級増幅器における効率を改善することができる電力増幅回路を提供する。
【解決手段】電力増幅回路は、予め定められた周波数の基本波を含む信号を増幅する増幅素子と、増幅素子が増幅した信号に含まれる基本波と、基本波の２倍波と、基本波の３倍波とそれぞれの特性インピーダンスとのインピーダンス整合をとる出力整合回路と、２倍波の反射位相を変化させる２倍波用チューナーと、３倍波の反射位相を変化させる３倍波用チューナーと、出力整合回路が出力する信号に含まれる基本波を通過させるとともに、信号に含まれる２倍波及び３倍波を反射する高調波反射フィルタであって、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーが接続され、２倍波用チューナー及び３倍波用チューナーを用いて２倍波及び３倍波の反射位相を独立に変化させる高調波反射フィルタとを備える。 （もっと読む）

【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮから入力した入力信号を増幅素子Ｔｒ１が増幅する。増幅素子Ｔｒ１の出力信号を増幅素子Ｔｒ２が増幅する。増幅素子Ｔｒ２の出力信号は出力端子ＯＵＴから出力される。増幅素子Ｔｒ２の出力と出力端子ＯＵＴとの間に整合回路Ｍ３ａ，Ｍ３ｂが接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力と増幅素子Ｔｒ２の入力との間にスイッチＳＷ１が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力にスイッチＳＷ２の一端が接続されている。整合回路Ｍ３ａ，Ｍ３ｂは、増幅素子Ｔｒ２の出力と接地点との間に直列に接続されたインダクタＬ５及びキャパシタＣ１を有する。インダクタＬ５とキャパシタＣ１を接続する接続点Ｘに、スイッチＳＷ２の他端が接続されている。 （もっと読む）

【課題】２倍波処理回路の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得る。
【解決手段】バイアス回路５において、基本波整合回路４の出力側に接続され、基本波周波数成分を全通過させ、２倍波周波数成分を反射するフィルタ回路５１と、基本波整合回路４の出力側とフィルタ回路５１との間に接続され、基本波周波数で並列共振し、２倍波周波数に対してほぼ純抵抗となる２倍波吸収回路５２と、２倍波吸収回路５２に接続され、バイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路５３とを備えた。
バイアス回路５において、２倍波周波数成分を高周波トランジスタ２側に反射させずに吸収することによって、２倍波処理回路３とバイアス回路５とで並列共振を起こすことがなく、その結果、２倍波処理回路３の動作の阻害を防ぎ、動作効率の劣化を防ぐ能動回路を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】低出力時の回路損失を低減し、低出力時の効率を高める可変出力増幅器を得る。
【解決手段】トランジスタ５と共に並列接続されたトランジスタ１１と、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも小さくするときには、トランジスタ５のみ動作するようにバイアス電圧を印加し、信号出力される平均電力レベルを所定の値よりも大きくするときには、トランジスタ５，１１の両方が動作するようにバイアス電圧を印加するバイアス制御回路１２とを備えた。
このように構成したことにより、低出力時および高出力時に関わらずバイパス経路を用いずに、トランジスタ５，１１の信号出力をそのまま出力するため、低出力時の回路損失を低減し、低出力時の効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 デューティ比が変化する入力信号を高効率で増幅することが可能な増幅回路ならびにそれを用いた送信装置および通信装置を提供する。
【解決手段】 デューティ比が変化するパルス波状の第１信号が入力されて、第１信号を増幅した第２信号を出力するトランジスタ回路10と、第２信号が入力されて、第１信号の基本波と周波数が等しい第３信号を出力する出力回路30とを有しており、出力回路30は、第１信号の基本波の周波数を含む通過帯域を有するとともに、第１信号のデューティ比が小さくなるにつれて通過帯域の幅が大きくなる帯域通過フィルタ31と、帯域通過フィルタ31とトランジスタ回路10とのインピーダンスを整合させる整合回路とを有する増幅回路ならびにそれを用いた送信装置および通信装置とする。デューティ比が変化する入力信号を高効率で増幅できる増幅回路ならびに消費電力が小さい送信装置および通信装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】インピーダンス整合の切り替えと経路の切り替えを同時に行うことができ、回路設計の自由度を向上させることができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】トランジスタＴｒ１は、外部から入力された高周波信号を増幅する。トランジスタＴｒ２は、トランジスタＴｒ１の出力信号を増幅する。トランジスタＴｒ３は、トランジスタＴｒ１と並列に接続され、外部から入力された高周波信号を増幅する。トランジスタＴｒ１の出力とトランジスタＴｒ２の入力との間に切り替え素子ＳＷ１が接続されている。トランジスタＴｒ３の出力と切り替え素子ＳＷ１との間に切り替え素子ＳＷ２が接続されている。トランジスタＴｒ１の出力及び切り替え素子ＳＷ２とトランジスタＴｒ２の出力との間に切り替え素子ＳＷ３，ＳＷ４が直列に接続されている。切り替え素子ＳＷ３と切り替え素子ＳＷ４との間にキャパシタＣ１が接続されている。 （もっと読む）

【課題】ダイオードから見るインピーダンスが変化しても、利得特性と位相特性の単調変化を実現することができるリニアライザを得ることを目的とする。
【解決手段】アノードが信号路３に接続されて、順方向に電圧が印加されているダイオード１５と、アノードが信号路４に接続されて、順方向に電圧が印加されているダイオード１６とを備え、ダイオード１５のカソードとダイオード１６のカソードとの接続点がバイアス接地用ビアホール１７に接地されている。 （もっと読む）

【課題】ゲインの切替えを行っても入力インピーダンスが変化することがなく安定した受信性能を得ることができる低雑音増幅器及び無線通信機を得る。
【解決手段】受信側のローノイズアンプ２０を、ゲイン切替え機能を備えたアンプ部２０１と、アンプ部２０１をローゲインに設定したときのローノイズアンプ２０の入力インピーダンスがハイゲインに設定したときの入力インピーダンスに合うようなインピーダンス素子２０２と、インピーダンス素子２０２のアンプ部２０１の入力端への接続／切り離しを行うスイッチ２０３とで構成し、アンプ部２０１をローゲインに設定したときにインピーダンス素子２０２をアンプ部２０１の入力端に接続するようにした。これにより、アンプ部２０１のゲインの切替えを行ってもローノイズアンプ２０の入力インピーダンスを一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力側分布回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力側分布回路と、入力側分布回路に接続された高周波入力端子と、出力側分布回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップのドレイン端子電極近傍に配置された平滑化キャパシタとを備え、高周波半導体チップと、入力側分布回路と、出力側分布回路と、平滑化キャパシタとが１つのパッケージに収納されたことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】クラスＥのＨＰＡが広い帯域幅にわたって同時に高いＰＡＥ及び電力を維持することを可能にする。
【解決手段】スイッチングモード電力増幅器の出力に結合されたシャント誘導素子と、前記増幅器の前記出力に結合されている直列の誘導素子と、前記直列の誘導素子に結合されている直列の容量素子とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】 平衡型増幅器の性能を損なわず、小型のモジュールを提供すること、他の回路機能とともに複合して無線通信装置の高周波回路部を構成可能なモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】
絶縁体層と導体パターンとを含む多層基板に、一対の増幅器の入力側に第１ハイブリッド回路を出力側に第２ハイブリッド回路を有する平衡型増幅器を構成したモジュールで、 積層方向に連なる複数のビアホールでなるビアホール群を縦列して構成されたシールドによって、前記第１ハイブリッド回路と前記第２ハイブリッド回路とを区画した。 （もっと読む）

【課題】高調波信号が基本波増幅器に効率よく注入され、高効率化を図る電力増幅器を得る。
【解決手段】基本波増幅器３と、基本波増幅器３から発生する高調波信号を基本波信号から分波する第１分波回路と、第１分波回路から出力された高調波信号を基本波増幅器３の入力側又は出力側に注入するための高調波伝達回路１５と、高調波伝達回路１５から出力された高調波信号を基本波増幅器３に注入する第２分波回路とを備え、高調波信号を基本波増幅器３に注入し、基本波増幅器３の効率を高めるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 温度変動や製造ばらつきに伴う利得変動を抑制する。
【解決手段】 電力増幅器は、信号を増幅する複数の増幅部が多段接続された増幅回路と、各増幅部にバイアス電圧を供給するバイアス供給回路とを有し、バイアス供給回路は、増幅部のトランスコンダクタンスを安定させるための第１モードでバイアス電圧を制御する第１バイアス回路と、増幅部のバイアス電流を安定させるための第２モードでバイアス電圧を制御する第２バイアス回路とを有し、複数の増幅部の少なくとも１つの増幅部のバイアス電圧は、第１モードで制御可能であり、複数の増幅部の残りの少なくとも１つの増幅部のバイアス電圧は、第２モードで制御可能である。 （もっと読む）

【課題】ゲート容量が大きなトランジスタを有する増幅器に接続しても発振を防止できる定電圧回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】定電圧回路４０は、所定の電圧が印加される第１の入力端子４４と、出力端子４６に接続された第２の入力端子とを備えた差動増幅部４１と、ソースが接地され、ドレインが出力端子４６に接続され、ゲートに差動増幅部４１の出力が与えられるトランジスタＴ46を備えたソース接地型増幅器４２とを有する。そして、トランジスタＴ46のゲートとドレインとの間には、抵抗４７とコンデンサ４８とが直列に接続されている。定電圧回路４０から出力される電圧Ｖｇは、増幅器２０のバイアス端子２６ｂからバイアス給電用インダクタ２５ａ，２５ｂを介してトランジスタＴ3，Ｔ4に供給される。 （もっと読む）

【課題】２つのピーク増幅器のデバイス特性差による出力電流の違いから生ずる負荷変動の影響を低減して、相互変調歪み特性を改善すること。
【解決手段】分配回路により分配された第１の信号を増幅するキャリア増幅器と、キャリア増幅器の出力電力が飽和状態に近づいた場合に、上記分配された第２の信号を増幅する第１のピーク増幅器と、同分配された第３の信号を増幅する第２のピーク増幅器と、第１のピーク増幅器と第２のピーク増幅器との各出力信号を合成する第１の合成回路と、キャリア増幅器と第１の合成回路との各出力側のそれぞれから合成点に向かって整合を取ってキャリア増幅器と第１の合成回路との各出力信号を合成して出力する第２の合成回路とを具備し、第１の合成回路は、キャリア増幅器の出力の飽和時から所定の値だけバックオフしたバックオフ時に、合成点から第１及び第２のピーク増幅器側を見たインピーダンスを無限大に調整可能とする。 （もっと読む）

【課題】入力信号を４分配した分配信号をそれぞれ増幅させた後、これらの全ての分配信号を合成することにより高出力信号を出力するができるとともに、高出力電力増幅器を構成する回路全体の大きさを小型化することが可能な高出力電力増幅器を提供する。
【解決手段】高出力電力増幅器１０は、１つの４合成型電力増幅回路１１によって構成されている。４合成型電力増幅回路１１は、位相差９０°で２分配／２合成するハイブリッド回路２２及び２６と、位相差１８０°で２分配／２合成する平衡不平衡回路２３（２３ａ、２３ｂ）及び２５（２５ａ及び２５ｂ）と、電力増幅器２４（２４ａ〜２４ｄ）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】トークカレントの低減または出力における位相偏差の低減を実現可能な高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】例えば、トランジスタサイズが異なる複数の電力増幅用トランジスタＱ１〜Ｑ５と、複数のインピーダンス整合回路ＩＭＮ１４，ＩＭＮ２ｉ，ＩＭＮ３ｉ，ＩＭＮ５ｉ，ＩＭＮ２ｏ，ＩＭＮ３ｏ，ＩＭＮ５ｏ，ＩＭＮｏを備え、電力指示信号Ｖｒｍｐに応じて使用する信号経路を切り替える。高パワー時にはＱ１→Ｑ２の経路が使用され、中パワー時にはＱ１→Ｑ３の経路が使用され、低パワー時にはＱ４→Ｑ５の経路が使用される。ここで、当該高周波電力増幅装置は、各信号経路で経由する電力増幅用トランジスタの段数とインピーダンス整合回路の個数が等しくなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】単相信号を高利得で増幅することができる小型の増幅回路を提供することを課題とする。
【解決手段】増幅回路は、第１のインダクタ（３０３）及び第２のインダクタ（３０４）が磁気結合されている第１のトランスフォーマ（３０６）と、ゲートが前記第１のインダクタ（３０３）を介して第１の入力ノード（Ｎ１）に接続され、ドレインが前記第２のインダクタ（３０４）を介してドレインバイアス電位ノード（Ｖｄ）に接続され、ソースが基準電位ノードに接続される第１の電界効果トランジスタ（３０５）と、前記第１の電界効果トランジスタ（３０５）のドレインに接続される第１の出力ノード（ＯＵＴ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】低周波数帯域の利得を効果的に抑圧して発振の発生を抑制すると共に、回路の高密度実装を可能とする多段増幅器を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１，２に、ゲートバイアス電圧を印加する入力整合回路３，５と、ＦＥＴ１，２に、ドレインバイアス電圧を印加する出力整合回路４，６と、出力整合回路４と入力整合回路５との間に直列接続されたコンデンサ１５，１６、および、一端がコンデンサ１５，１６間の接続点に接続され他端が接地された誘導性の線路１７を含み構成されたハイパスフィルタ１８と、を備え、コンデンサ１５，１６のキャパシタンス値および線路１７のインダクタンス値は、増幅素子の動作周波数よりも低い周波数帯域において、出力整合回路６と出力整合回路４とハイパスフィルタ１８とを介して形成されるドレインバイアスループ１１の損失が、ＦＥＴ２の利得よりも大きくなるように設定する。 （もっと読む）