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Fターム[5J500AK29]の内容

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Fターム[5J500AK29]に分類される特許

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【課題】低消費電力無線通信用システムにむけて、低電圧で動作し、低歪、高可変範囲を有する利得可変増幅回路を実現する。
【解決手段】本発明の増幅回路は、3個のリアクタンス機能素子によって構成する広い可変インピーダンス範囲を有する可変負荷回路が、入力電圧に対してコンダクタンスに比例する電流を出力端子から正相出力するコンダクタ回路に接続されている。 (もっと読む)


【課題】低歪みな高効率増幅器を提供する。
【解決手段】ソース接地トランジスタ2を主たる増幅手段とするものであって、ソース接地トランジスタ2の出力側に、ソース接地トランジスタ2の入力信号レベルに依存して変化するソース接地トランジスタの出力位相と逆相になる位相特性を持つ受動回路からなる位相補正回路5が接続された高効率増幅器10である。 (もっと読む)


信号増幅を含む種々の用途のための電子回路及び方法が提供される。模範的な電子回路はカスコード構成にされたMOSFET及びデュアルゲートJFETを備える。デュアルゲートJFETはチャネルの上及び下に配置されたトップ及びボトムゲートを含む。JFETのトップゲートはMOSFETのゲートを制御する信号に依存する信号で制御される。JFETのボトムゲートはトップゲートに依存して又は独立して制御することができる。MOSFET及びJFETは同じ基板上に個別の構成要素として、異なる寸法、例えばゲート幅で実装することができる。
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【課題】 電力分配器で分岐された複数の増幅回路の相互干渉を防止し、伝送線路長の短い電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 電力分配回路から分岐された第1増幅器4aからの高周波をインピーダンス整合する第1変成回路10aと、第1変成回路より細長の第2変成回路11aと、第2変成回路より細長の第3変成回路12aと、電力分配回路から分岐された第2増幅器4bからの高周波をインピーダンス整合する第4変成回路10bと、第4変成器より細長の第5変成回路11bと、第5変成器より細長の第6変成回路12bと、第3変成回路及び第6変成回路のそれぞれの出力側に接続された電力合成器とを設けて、第3変成回路及び第6変成回路を屈曲させると共に第1及び第2増幅器出力端から電力合成器6出力端までの伝送線路長を伝送周波数波長に略等しくするようにした。 (もっと読む)


本発明は、平面XYに平行な少なくとも1つのプレートと、そのプレート上に装着される少なくとも2つの増幅器モジュール(41a、41b)とを含む低容積の増幅装置に関する。各増幅器モジュール(41a、41b)は、増幅器素子(11a、11b)と、縦の伝播の方向に合致する同じ方向Xに配置される入力接続導波路(12a、12b)および出力接続導波路(13a、13b)とを含み、その増幅器素子(11a、11b)は、伝播の方向Xに垂直な方向Yに配置される入力および出力軸(18a、18b)を有するこの低容積の増幅装置において、2つの増幅器モジュール(41a、41b)の入力接続導波路(12a、12b)は、別個のものであって、異なる長さ(La1、La2)を有すると共に互いに平行に装着され、前記2つの増幅器モジュール(41a、41b)の出力接続導波路(13a、13b)は、別個のものであって、異なる長さ(La2、Lb2)を有すると共に互いに平行に装着されること、および、同じ増幅器モジュールの入力および出力導波路の長さの合計(La1+La2、Lb1+Lb2)は各増幅器モジュールについて同一である、すなわち、La1+La2=Lb1+Lb2であること、が特徴である。
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【課題】コスト高を招くモノリシック化を行うことなく、高周波帯でも利得特性が単調に変化する歪補償回路を得ることを目的とする。
【解決手段】高周波信号hfsを2分配して、位相が180度異なる2つの分配信号ds1,ds2を出力する分配器1と、分配器1から出力された分配信号ds1,ds2を伝送する信号路5,8と、信号路5,8により伝送された分配信号ds1と分配信号ds2の位相を揃えて、その分配信号ds1と分配信号ds2を合成する合成器11とを設け、直流電源15から供給される直流電流がバイアス印加用抵抗16を介して順方向に印加されるダイオード18を信号路5,8の間に挿入する。 (もっと読む)


【課題】異なる系統の電力増幅回路を含む半導体装置を小型にする。
【解決手段】2つの周波数帯の高周波信号を取り扱うことが可能なデュアル方式のデジタル携帯電話機のRFパワーモジュールを構成する系統の異なる電力増幅回路2A,2Bを同一のICチップ1C内に配置した。この場合、電力増幅回路2A,2BをICチップ1Cの周辺に配置し、周辺回路3を電力増幅回路2A,2Bの間に配置させた。これにより、異なる系統の電力増幅回路2A,2Bを同一のICチップ1C内に設けて小型化が図れる上、異なる系統の電力増幅回路2A,2Bを同一のICチップ1Cに設けても電力増幅回路2A,2B間の距離が確保されるので電力増幅回路2A,2B間の結合を抑制させることができ、電力増幅回路2A,2B間でのクロストークを抑制できる。 (もっと読む)


入力電力レベルの広いレンジにわたる動作のためのロウノイズ増幅器(LNA)を設計する技術である。実施形態では、第1のゲインパスが第2のゲインパスに並列に設けられている。第1のゲインパスは、インダクタソースディジェネレーションを有する差動カスコード増幅器を含む。第2のゲインパスは、インダクタソースディジェネレーションを有していない差動カスコード増幅器を含む。ゲインパスのカスコードトランジスタは、第1及び/又は第2のゲインパスをイネーブル又はディセーブルにするように選択的にバイアスされるかもしれない。カスコードトランジスタ及び入力トランジスタを選択的にバイアスすることにより、第1及び第2のゲインパスの種々の組み合わせが、任意の入力電力レベルに対する最適化されたゲイン構成を与えるように選択されるかもしれない。
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【課題】マイクロ波帯及びミリ波帯において用いられる高出力且つ高利得な電力増幅器を得られるようにする。
【解決手段】マイクロストリップ線路109上には、入力整合回路102の中央部へ入力端子110から入力される高周波信号の高周波信号の伝送方向に沿って、スリット116及びスリット117が形成され、スリット117の長さより上記中央部の隣接位置のスリット116の長さが長く設定される。 (もっと読む)


【課題】微小解像度かつ高ダイナミックレンジで小占有面積かつ低消費電力の送信信号増幅用半導体装置を実現する。
【解決手段】ラダーネットワーク(40)により入力信号振幅を1/2倍ずつ低減し、このラダーネットワークそれぞれに対応してトランスコンダクタンスアンプステージ(43)を配置する。トランスコンダクタンスアンプステージ43の出力は共通に出力信号線(48)に結合する。制御ワードWC<21:0>に従って選択的にトランスコンダクタンスアンプステージをイネーブルし、出力信号線に現われる出力電流を加算する。 (もっと読む)


【課題】低雑音増幅性能を有しつつ、高電力レベルの高周波信号が入力されても、増幅経路からの信号の漏洩を防止できる利得可変増幅器を提供する。
【解決手段】増幅経路と迂回経路とを有する利得可変増幅器において、前記増幅経路は、増幅用トランジスタQ1と遮断用トランジスタQ5を具備し、Q1のドレインとQ5のソースが接続され、Q5のドレインがキャパシタを介して出力端子に接続され、Q1のゲートには第一の制御電圧が印加され、Q1のゲートはキャパシタを介して入力端子に接続され、Q1のソースはインダクタを介して接地されており、前記迂回経路は、遮断用トランジスタQ3を具備し、Q3のソースと入力端子がキャパシタを介して接続され、Q3のドレインがキャパシタを介して前記出力端子に接続されており、Q5のゲートとQ3のゲートは、第二の制御電圧に応じて前記迂回経路または前記増幅経路を遮断状態とする。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの最高発振周波数fmaxに近く、その性能に余裕のない高い周波数領域において、平坦な利得を広い帯域に渡って保持する広帯域な増幅回路を得るには、大きな損失のため整合回路に抵抗素子を用いることができないため、無損失素子のみを用いて、できるだけ簡便な回路構成にする必要がある。
【解決手段】入力から出力に向かって、サイズが段階的に大きくなるトランジスタ11、12・・・1nを縦続接続させたn段増幅回路において、整合回路21、22・・・2nが、ハイパス特性を持つように設計されており、そのカットオフ周波数(低域遮断周波数)f1, f2・・・fnが、入力から出力に向かって、段階的に低くなるように構成する。 (もっと読む)


【課題】従来の高周波増幅器ではショートスタブと使用周波数における中心周波数の1/4波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成するが、使用周波数の中心周波数以外ではインピーダンス整合がとれず、出力整合回路が狭帯域となる。
【解決手段】入力整合回路からの信号を増幅する、出力インピーダンスが50Ωより低く、容量性領域にある高周波トランジスタの出力側に直列接続された直列インダクタと、この直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと並列に接続された並列インダクタと、直列インダクタの出力側に高周波トランジスタと直列に接続された使用周波数における中心周波数の1/4波長程度の長さの線路とで出力整合回路を構成し、並列インダクタと1/4波長程度の長さの線路との間のインピーダンス値が高周波トランジスタの出力インピーダンスと50Ωの間となるようにされる。 (もっと読む)


電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

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【課題】 2次高調波の反射レベルを増大させると共に、寄生容量による電力損失を無くして、ドハティ増幅装置の電力効率を更に向上させることができる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 ドハティ増幅器において、2次高調波を発生する高調波発生器32と、発生した2次高調波の位相を調整する可変移相器33と、2次高調波の振幅を調整する可変減衰器34とを備え、基本波信号に2次高調波を注入した合成信号を、高調波反射回路64を備えたキャリア増幅回路6の入力信号とし、更にキャリア増幅回路6のFET62と出力整合回路63との間にE級処理回路65を備えた高周波電力増幅器としている。 (もっと読む)


【課題】2次高調波注入増幅器で発生する歪を補償するプリディストータにおいて、2次高調波注入増幅器で発生する歪を効果的に補償する。
【解決手段】2次高調波注入増幅器で発生する歪を補償するプリディストータ(例えば、メモリレスPD31a)において、振幅値検出手段41a(基本波振幅検出部51、2次高調波振幅検出部52、乗算器53、加算器54)が入力信号に基づく振幅とその2次高調波信号に基づく振幅を加算した結果の値を検出し、歪補償処理実行手段(歪補償テーブル42、PD実行部43)が振幅値検出手段41aにより検出された値に基づいて2次高調波注入増幅器で発生する歪を補償するための処理を実行する。 (もっと読む)


【課題】多段増幅段を含むRF電力増幅回路の低パワーおよび中間パワー時における電力付加効率(PAE)の低下を軽減する。
【解決手段】RF電力増幅回路313は、前段増幅器310、後段増幅器311、制御部312を具備する。前段増幅器310はRF送信入力信号Pinに応答して、前段増幅器310の出力の増幅信号に後段増幅器311が応答する。制御部312は、出力電力制御電圧Vapcに応答して、前段増幅器310と前記後段増幅器311のアイドリング電流を制御して前段増幅器310と前記後段増幅器311の利得を制御する。出力電力制御電圧Vapcに応答して、前段増幅器310のアイドリング電流と利得とは第1の連続関数2ndAmpに従って連続的に変化して、後段増幅器311のアイドリング電流と利得とは第2の連続関数3rdAmpに従って連続的に変化する。第2の連続関数3rdAmpは、第1の連続関数2ndAmpよりも1次以上高次の関数である。 (もっと読む)


【課題】 スタブを用いることなく高調波インピーダンスの調整を行い、高調波処理可能な高効率で広帯域の高周波半導体増幅器を提供する。
【解決手段】 半導体増幅素子5と、マイクロ波の1/4波長の長さで形成した第1インピーダンス変成器1と、マイクロ波の1/4波長の長さで形成した第2インピーダンス変成器2と、第1及び第2インピーダンス変成器とで変成されたインピーダンスと整合する高調波インピーダンス調整線路3と、誘導性リアクタンス成分でインピーダンス変換する素子近傍整合回路4と、抵抗器を備え、高調波インピーダンス調整線路3は高調波に対するインピーダンス変換を行い、素子近傍整合回路4は基本波に対しては半導体増幅素子5のインピーダンスと整合するようにインピーダンス変換して収束させ、高調波に対しては開放インピーダンス近傍となるようにインピーダンス変換して収束させるようにした。 (もっと読む)


【課題】増幅用IC及びスイッチ回路を多層基板を用いてモジュール化し、電力効率の良い増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】増幅器モジュールは少なくとも2つの枝B11,B12を有する第1の増幅器回路PAC1を含む集積回路デバイスを有する。各枝は所望の電力レベルの増幅された信号を出力端子Tout1、Tout2、Tout3に送出するようになされる。各枝は整合回路MC11,MC12によって所望の出力インピーダンスレベルに整合され、それぞれの枝を所望の出力端子に接続するようになされた切り替え装置SWに接続される。集積回路デバイスおよび切り替え装置は多層基板に取り付けられた別々の構成要素である。整合回路の部分であるパッシブな整合要素は多層基板へと統合されてもよく、集積回路であってもよく、個々の構成要素として形成されてもよい。 (もっと読む)


【課題】出力が大きく、効率が高い電力増幅器を提供する。
【解決手段】本発明の電力増幅器100は、ベースに入力された信号を増幅し、コレクタから増幅された信号を出力するバイポーラトランジスタ102と、バイポーラトランジスタ102のエミッタと接地との間にインダクタ107とを備える。前記エミッタと接地との間のインダクタンスは、インダクタ107を設けないときの前記エミッタと接地との間の寄生インダクタンスよりも大きいので、バイポーラトランジスタ102は、エミッタを大きくすることなく、出力を大きくすることができる。 (もっと読む)


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