【課題】種々の無線規格に適応したドハティ増幅器を実現する。
【解決手段】ＡＢ級動作のキャリア増幅器１４と、Ｃ級動作のピーク増幅器１５を備え、入力高周波信号をキャリア増幅器１４及びピーク増幅器１５に分配供給し、キャリア増幅器１４の出力とピーク増幅器１５の出力との合成出力をインピーダンス変換して出力するドハティ増幅器において、キャリア増幅器１４及びピーク増幅器１５の増幅素子であるＦＥＴのドレイン電圧を入力高周波信号の中心周波数に応じて最適化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の素子から構成される電子回路の所定の素子の不具合による異常発生を容易に検出することができる電子回路を提供する。
【解決手段】抵抗器２１と抵抗器２２の接続点に接続されたＡ／Ｄコンバータ２３により第１の増幅素子２のゲート電圧値がデジタル値に変換され、制御部２７に入力されると共に、抵抗器２４と抵抗器２５の接続点に接続されたＡ／Ｄコンバータ２６により第２の増幅素子５のゲート電圧値がデジタル値に変換され、制御部２７に入力される。制御部２７に接続されているパソコン端末２８からの命令コマンドに基づき、制御部２７に入力された第１の増幅素子２のゲート電圧値及び第２の増幅素子５のゲート電圧値がパソコン端末２８の画面上に表示される。 （もっと読む）

【課題】最低動作電圧を低減し、減衰モードにおける入出力のインピーダンス不整合を低減し、設計の自由度を大きくすることができ、かつ減衰モードにおいて大きな電力が入力された場合の歪み特性の劣化を抑制することができる電力増幅器を得る。
【解決手段】増幅用トランジスタＴｒ２のベースと接地点との間に直列共振回路ＳＲＣが接続され、その共振周波数はＴｒ２の動作周波数帯に設定されている。直列共振回路ＳＲＣと接地点との間にスイッチＳＷが接続されている。増幅モードにおいて、バイアス回路Ｂ２はＴｒ２にバイアス電流を供給し、第１のカレントミラー回路ＣＭ１は第１及び第２のダイオードＤａ１，Ｄａ２をＯＦＦにし、スイッチＳＷはＯＦＦする。一方、減衰モードにおいて、バイアス回路Ｂ２はＴｒ２にバイアス電流を供給せず、第１のカレントミラー回路ＣＭ１は第１及び第２のダイオードＤａ１，Ｄａ２をＯＮにし、スイッチＳＷはＯＮする。 （もっと読む）

【課題】増幅器回路
【解決手段】増幅器回路（１１）は、増幅器（１２）、所要の電力の表示器（１５）、電力制御回路（１４）および電力測定回路（１３）を具備する。増幅器（１２）は、入力信号を増幅して出力信号を生成し、増幅器を駆動するために、供給電流（Ｉ）を制御する入力と、供給電流（Ｉ）および供給電圧（Ｖ）を受け取る入力とを有する。電力制御回路は、広い範囲の電力レベルにわたって最大効率で増幅器を作動させるために、複数の所要の電力レベルの任意の１つにしたがって、供給電圧（Ｖ）と供給電流（Ｉ）の両方についての値を計算して適用する。電力制御回路は、電力制御ループをさらに具備していてもよく、これにより、出力電力の調節もまた、出力電力の測定値と所要のレベルの出力電力とにしたがって行われることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で直流電源の電圧オン後の電力増幅率を最適に補正して良好な通信を実現しつつ低電圧化も可能な高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】基準電圧生成回路３０は、直流電源Ｅ１からの直流電圧が抵抗Ｒ２を介してコレクタに印加されるエミッタ接地のバイポーラトランジスタＱ２と、バイポーラトランジスタＱ２のコレクタとベースが接続され、バイポーラトランジスタＱ２のベースとエミッタが接続されるバイポーラトランジスタＱ３とを有し、バイポーラトランジスタＱ３のエミッタは、抵抗Ｒ１を介して接地電位に接続され、抵抗Ｒ１にコンデンサＣ１を並列に接続し、バイポーラトランジスタＱ３のエミッタから基準電圧をバイアス電流増幅部４０に出力する。上記バイアス電流増幅部４０は、基準電圧生成回路３０からの基準電圧が高くなるほどバイアス電流を大きくする一方、基準電圧が低くなるほどバイアス電流を小さくする。 （もっと読む）

【課題】通過損失を低減することができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】増幅器１０は、第１の入力端子ＩＮ１から入力した信号を増幅して出力端子ＯＵＴに出力する。バイパス経路１２は、増幅器１０を介さずに第２の入力端子ＩＮ２と出力端子ＯＵＴを接続する。コンデンサ２０の一端は増幅器１０に接続され、コンデンサ２０の他端は出力端子ＯＵＴに接続されている。第１のスイッチ２２の一端はコンデンサ２０の他端及び出力端子ＯＵＴに接続され、第１のスイッチ２２の他端はバイパス経路１２に接続されている。インダクタ２４はコンデンサ２０に並列に接続されている。第２のスイッチ２６は、コンデンサ２０に並列に接続され、インダクタ２４に直列に接続されている。制御部２８は、高出力時には第１のスイッチ２２及び第２のスイッチ２６をＯＦＦにし、低出力時には制御部２８は第１のスイッチ２２及び第２のスイッチ２６をＯＮにする。 （もっと読む）

【課題】飽和型の非線形増幅の第１動作モードでの電力付加効率を改善すると伴に非飽和型の線形増幅の第２動作モードでの隣接チャンネル漏洩電力比を改善すること。
【解決手段】ＲＦ電力増幅器１００は、初段増幅段１０、最終段増幅段１１、レギュレータ１２、バイアス回路１７、直流電圧検出回路１４、１５、１６を具備して、飽和型の非線形増幅の第１動作モードと非飽和型の線形増幅の第２動作モードとで動作する。両動作モードのＲＦ送信出力信号ＲＦoutは、レギュレータ１２に供給される制御信号Ｖrampに従って調整された電源電圧Ｖddのレベルに従って設定される。第１動作モードの送信出力が低下する際に、最終段トランジスタＱn2に供給される直流バイアス電圧Ｖgs2が低下される。第２動作モードの送信出力が低下する際に、最終段増幅段の前記最終段トランジスタＱn2に供給される初段増幅段１０からの増幅信号振幅レベルが低下される。 （もっと読む）

【課題】多段増幅式の高周波電力増幅器において、各段のバイアス供給端子および配線同士が電磁気的に結合することにより生ずる出力電力の不安定性を低減し、さらに、各段のバイアス供給端子および配線同士が電磁気的に結合することにより生ずる出力電力の歪みを低減して、高効率な高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅用のトランジスタ１０，１１にコレクタ駆動用電圧を供給する端子４０に接続する第１の配線５０と、トランジスタ１０，１１のベースバイアスを制御する第２のトランジスタ１２，１３にコレクタ駆動用電圧を供給する端子４１に接続する第２の配線６０と、１つ以上のシールド接地部材７０を備え、第１の配線と第２の配線とが１つ以上のシールド接地部材７０で隔てられることにより高周波電力増幅器における電源ラインを介した回路間の相互干渉を低減する。 （もっと読む）

【課題】温度検出素子を用いることなく、立ち上げ時の発熱による増幅信号の歪み増加を抑えることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】この電力増幅器によれば、スピードアップ回路１２２は増幅部をなす増幅トランジスタ１０３による電力増幅の開始時にバイアス回路１１１,電源回路１１２によるバイアス電源部が増幅トランジスタ１０３に供給するバイアスを過渡的に増加させる。これにより、増幅トランジスタ１０３による電力増幅の開始時に増幅トランジスタ１０３の電力増幅率を過渡的に上げる。これにより、増幅トランジスタ１０３の発熱による温度変動が回路全体で平衡状態になるまでの時間を短縮し変調波信号等の増幅信号の歪みを低減する。 （もっと読む）

【課題】高周波帯域でも優れた安定係数を有する増幅回路を提供すること。
【解決手段】増幅回路は、エミッタ接地された第１のバイポーラトランジスタと、第１のバイポーラトランジスタのバイアス回路と、を備える。バイアス回路は、第１のバイポーラトランジスタとカレントミラー回路を構成する第２のバイポーラトランジスタと、第２のバイポーラトランジスタのエミッタに接続された抵抗と、第２のバイポーラトランジスタのエミッタに、抵抗と並列に接続された第１のコンデンサと、第１のバイポーラトランジスタ及び第２のバイポーラトランジスタの各ベースにエミッタが接続され、第２のバイポーラトランジスタのコレクタにベースが接続された第３のバイポーラトランジスタと、を有する。第１のバイポーラトランジスタは、当該第１のバイポーラトランジスタのベースに入力された信号を増幅して第１のバイポーラトランジスタのコレクタから出力する。 （もっと読む）

【課題】 従来のＦ級増幅器やドハティ増幅器では、出力レベルが低いと高調波の出力レベルも低くなって、高調波反射による効率向上の効果が小さくなるという問題点があり、広範囲の出力レベルにわたって、高い効率が得られる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 高調波反射回路１６を備えた増幅器２０の入力段に、２次高調波を発生する高調波発生器３２と、発生した２次高調波の位相を調整する可変移相器３３と、２次高調波の振幅を調整する可変減衰器３４とを備え、基本波の入力信号に２次高調波を注入して合成器３６で合成し、合成された信号を増幅器２０に入力して増幅し、更に、高調波反射回路１６で２次高調波をＦＥＴ１４へ反射することで、２次高調波反射レベルを上げて、電圧電流波形の重なりを低減し、電力効率を向上させる高周波電力増幅器である。 （もっと読む）

【課題】 周波数変換回路において、変換出力であるＲＦ信号のレベルを所望値まで増幅する多段ＦＥＴ増幅部の途中に挿入される可変減衰器に要求されるダイナミックレンジを抑制し、更にはＦＥＴ増幅素子数の増大を抑制する。
【解決手段】 入力信号の周波数変換をなす周波数変換部１０１と、この周波数変換出力を増幅する多段ＦＥＴ増幅部１０２と、周波数変換部から多段ＦＥＴ増幅部の出力までの信号経路に挿入された信号レベルを可変する可変減衰器（Ｖ−ＡＴＴ）とを含む周波数変換回路において、周波数変換出力の周波数に応じた周波数情報と、温度に応じた温度情報とに基づいて、多段ＦＥＴ増幅部１０２の各ＦＥＴのゲート電圧を制御するゲート電圧制御部１０３を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で広い周波数帯域幅を持つ高効率かつ安価なドハティ増幅器を提供する。
【解決手段】入力信号を分配する分配回路７と、分配回路で分配された一方の信号を常時増幅する、内部整合回路を含まないキャリア増幅器１と、キャリア増幅器の出力電力が飽和状態に近づいた場合に、分配回路で分配された他方の信号を増幅する、内部整合回路を含まないピーク増幅器２と、キャリア増幅器の出力電力とピーク増幅器の出力電力を、キャリア増幅器の出力側およびピーク増幅器の出力側の各々に形成されたテーパを有するパターンで整合をとって合成して出力する合成部３〜５を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の電力増幅器制御回路のように予め出荷時に測定を行いゲイン補正データを不揮発性メモリに書き込む必要がなく、電力増幅器の周囲温度が変化した場合や経年変化をした場合であっても所望のゲインで出力制御ができ、高効率な電力増幅が可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１００は、第１の整合回路１０３と第２の整合回路１０４とバイポーラトランジスタ１０５と第１のインダクタ１０６と第２のインダクタ１０７とバイアス回路１０８とレジストリ１０９と計算機１１０と第１の電流検出回路１１１と第２の電流検出回路１１２とを備え、計算機１１０は、第１の電流検出回路１１１および第２の電流検出回路１１２が検出した結果からパラメータを計算し、レジストリ１０９は、予め格納された相関テーブルから計算機１１０で得られたパラメータに対応するバイアス条件を選択し、バイアス回路１０８を制御する。 （もっと読む）

【課題】制御電圧に応じて増幅素子のアイドル電流をアナログ的に制御することができ、かつ制御電圧に応じてバイアスモードを切り替えることもできる電力増幅器を得る。
【解決手段】増幅素子Ｔｒ１は、ＲＦ信号を増幅する。エミッタフォロワ部は、外部から参照端子Ｖｒｅｆに印加された参照電圧に応じて増幅素子Ｔｒ１を定電圧駆動する。電流注入部は、参照電圧に応じて増幅素子Ｔｒ１を定電流駆動する。アナログ制御部は、外部から制御端子Ｖｃｏｎに印加された制御電圧に応じてエミッタフォロワ部の出力電圧をアナログ的に制御する。モード切替部は、制御電圧に応じてエミッタフォロワ部を動作させるか否かを切り替える。 （もっと読む）

【課題】最低動作電圧を低減し、減衰モードにおける入出力のインピーダンス不整合を低減し、設計の自由度を大きくすることができる電力増幅器を得る。
【解決手段】ＲＦ信号を増幅する増幅用トランジスタＴｒを入力端子と出力端子の間に設ける。ダイオードＤａ１のカソードを入力端子に接続し、ダイオードＤａ２のアノードを出力端子に接続する。ダイオードＤａ１のアノードとダイオードＤａ２のカソードとの間に整合減衰回路ＭＡを接続する。整合減衰回路ＭＡは、入力端子側と出力端子側のインピーダンス不整合を低減し、ＲＦ信号を減衰する。増幅モードにおいて、バイアス回路Ｂ２は増幅用トランジスタＴｒにバイアス電流を供給し、カレントミラー回路ＣＭはダイオードＤａ１，Ｄａ２をＯＦＦにする。減衰モードにおいて、バイアス回路Ｂ２は増幅用トランジスタＴｒにバイアス電流を供給せず、カレントミラー回路ＣＭはダイオードＤａ１，Ｄａ２をＯＮにする。 （もっと読む）

【課題】電力増幅回路と検波回路との集積化を容易とすると伴に検波回路の検波感度を向上すること。
【解決手段】半導体集積回路は、ＲＦ入力信号が供給される電力増幅回路３０、検波回路４０を半導体チップ内部に具備する。検波回路４０の入力に、ＲＦ出力信号に関係した信号が供給される。検波回路４０は、検波素子８、エミッタフォロワもしくはソースフォロワのバイアストランジスタ１０３、バイアス抵抗１０７、第１バイアス素子１０４、第２バイアス素子１０５、平滑容量１５を含む。素子１０４と素子１０５との直列接続と、トランジスタ１０３と検波素子８と滑容量１５との直列接続とが、並列に接続される。トランジスタ１０３と第１バイアス素子１０４は同一の製造プロセスで形成される第１の同種のデバイスで、検波素子８と第２バイアス素子１０５は同一の製造プロセスで形成される第２の同種のデバイスである。 （もっと読む）

【課題】特別な信号源の搭載を不要にして、回路の簡単化を図ることができるとともに、タイミングの調整精度を高めて、高効率化と低歪み化を実現することができるようにする。
【解決手段】ＲＦ電力増幅トランジスタ２により増幅されたＲＦ信号の電力を検波する電力検波装置７と、電力検波装置７により検波されたＲＦ信号の電力から、ＲＦ電力増幅トランジスタ２に対するＲＦ信号と制御信号ＡＦに対応するドレイン電圧信号の入力タイミングのずれを検出する位相制御装置８とを設け、入力タイミングのずれの検出結果に応じて制御信号ＡＦの位相を調整して、入力タイミングのずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】高周波数帯で高出力及び高効率な特性並びに低消費電力の半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器であって、III−Ｖ族窒化物半導体から構成された高周波電力を増幅するＦＥＴを有する最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３と、商用電源１０５から供給される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路１０６を有し、直流電圧を最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３のＦＥＴのドレインに印加するドレイン電圧源１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＷＢＧデバイス等を有する高出力増幅器を低熱伝導率の樹脂基板に搭載する場合、チップキャパシタの僅かな損失による発熱で、チップキャパシタの半田が柔らかくなる、もしくは溶けるため、高出力増幅器の信頼性が著しく低下してしまう。
【解決手段】 高出力増幅素子の出力信号をＤＣカットするキャパシタと電気的に接続し、キャパシタの発熱を熱伝導する誘電体棒と、グランドと接続するスルーホールを含むとともに、誘電体棒と電気的に接続し、誘電体棒を熱伝導するキャパシタの発熱をグランドへ排熱する金属島とを備える排熱回路であり、金属島の容量成分とスルーホールのインダクタ成分とを並列共振させることを特徴とする。 （もっと読む）