【課題】 強入力時の出力電力の劣化が少なく、熱暴走に対して安定的であり、入力整合のとり易い高周波増幅回路を得ることができ、さらに、これを受信ならびに送信の機能に用いることにより、ダイナミックレンジの広い受信性能と送信性能に優れた安定的な受信機および送信機、ならびに送受信機を提供する。
【解決手段】 カレントミラー回路からなるバイアス回路と、バイアス用トランジスタを有するエミッタホロワ回路と、増幅用トランジスタを有したエミッタ接地増幅回路からなる高周波増幅回路において、接地コンデンサ１０１によりバイアス用トランジスタ４５のベースを接地し、バイアス用トランジスタ４５のエミッタを接地抵抗１０４と接地コンデンサ１０５を介して増幅用トランジスタ５のエミッタに接続するとともに、バイアス用トランジスタ４３のエミッタを接続して接地した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 ポーラーループ型送信機等に使用される高周波電力増幅器において、電力制御線形性を改善することができる技術を提供する。
【解決手段】 複数段構成のベースバイアス制御型高周波電力増幅器において、バイアス回路１４４により、初段トランジスタ１０３に供給されるベースバイアス電流Ｉａの立ち上がり電圧を、第２段トランジスタ１０７に供給されるベースバイアス電流Ｉｂの立ち上がり電圧よりも低くし、その差が、増幅段トランジスタのベース−エミッタ間電圧よりも小さくなるようにする。また、第３段トランジスタ１１１に供給されるベースバイアス電流Ｉｃの立ち上がり電圧をベースバイアス電流Ｉａの立ち上がり電圧と等しくする。 （もっと読む）

【課題】マルチフィンガー型のトランジスタを用いた場合に、歪特性を改善することができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のトランジスタセルを電気的に並列接続したマルチフィンガー型のトランジスタと、複数のトランジスタセルのゲート電極に接続された入力側整合回路と、各トランジスタセルのゲート電極と入力側整合回路の間にそれぞれ接続された共振回路とを有し、共振回路は、トランジスタの動作周波数の２次高調波の周波数又は２次高調波の周波数を中心とした所定の範囲内で共振してゲート電極に短絡又は十分に低い負荷を与える。 （もっと読む）

ドレイン、ゲートおよびソースをそれぞれ含む１つまたは複数のトランジスタを含む、パルスＲＦ信号を増幅するための装置および方法であって、ドレイン用の供給電圧をＲＦパルスと同期させるための装置を含むことを特徴とする装置および方法。 （もっと読む）

【課題】 増幅歪みの補償の調整範囲が広い電力増幅器およびこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】 可変インピーダンス回路３０は、バイポーラトランジスタ１０４のベースと接地ノードとの間に接続されており、キャパシタ１１１と、ＭＯＳＦＥＴ１１２とを含む。キャパシタ１１１は、直流成分に対して開放であるように作用する。ＭＯＳＦＥＴ１１２は、交流成分に対するインピーダンスを変化させる。ベース電圧生成部４０の抵抗１０９，１１０は、バイポーラトランジスタ１０４のベースにかかるバイアスを設定する。すなわち、ベース電圧生成部４０は、電圧端子１０５から供給される動作電圧ＶＢを抵抗１０９と抵抗１１０との比で分割することで、バイポーラトランジスタ１０４のベース電圧を生成する。 （もっと読む）

スイッチモード電力増幅器及びスイッチモード電力増幅器で使用するのに特に適した電界効果トランジスタが開示される。トランジスタは、ソース端子とドレイン端子とを有し、ゲート端子がそれらの端子の間の誘電体材料の上に位置付けされている化合物高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であることが好ましい。フィールドプレートは、少なくとも２つの層の誘電体材料上でゲート端子からドレインの方に延びている。誘電体層は、好ましくは、シリコン酸化物及びシリコン窒化物を含んでいる。シリコン酸化物の第３の層が設けられ、シリコン窒化物の層がシリコン酸化物の層の間に位置付けされてもよい。ゲート端子の凹部をエッチングする際に、エッチング選択性が使用される。
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【課題】 ドハーティ型電力増幅器の出力電力合成回路の電気長を可変にし、マルチバンドまたは広帯域に対して高電力付加効率を図る。
【解決手段】 キャリアアンプＡｍｐ１とピークアンプＡｍｐ２との入力側に、９０度位相遅延電力分配部ＰＳＰＤを接続し、出力側に可変電気長電力合成部ＶＴＬ２を接続する。搬送波信号ＲＦｓの搬送波周波数帯域に応じて、その搬送波周波数帯域の中心周波数に対して可変電気長電力合成部ＶＴＬ２の電気長がほぼ９０度になるように、可変電気長電力合成部ＶＴＬ２の制御端子Ｃｔｒｌから制御信号Ｓｉｇを印加することにより調整する。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ増幅回路では、ＡＭ−ＰＭ特性（振幅−位相特性）の変動が複雑であって、十分な歪補償を行うのが困難であるという問題点があり、本発明は、ＡＭ−ＰＭ特性を改善し、歪の小さいドハティ増幅回路を提供する。
【解決手段】 互いにＡＭ−ＰＭ特性の異なる複数のドハティ増幅部を縦続接続したものであって、例えば、ＡＭ−ＰＭ特性が逆特性となるＧａＡｓＦＥＴを用いた成るドハティ増幅部２０と、ＬＤ−ＭＯＳＦＥＴを用いたドハティ増幅部３０とを縦続接続したものであり、それぞれのドハティ増幅部で発生する位相変化を相殺して、全体として良好なＡＭ−ＰＭ特性を実現し、歪を低減するドハティ増幅回路である。 （もっと読む）

スイッチングモード回路50と共に使用する負荷回路40である。本発明の負荷回路40はスイッチングモード回路50の出力に結合されている直列の誘導性−容量性ネットワーク32、34と、スイッチングモード回路50の出力に結合されているキャパシタンスを提供するための回路42を含んでいる。例示的な実施形態では、キャパシタンスを提供するための回路42はスイッチングモード回路50中の固有のキャパシタンスを補償するように構成されている１以上の集中定数キャパシタを含んでいる。負荷回路40はスイッチングモード回路の出力に結合されているシャントインダクタンスを含むこともできる。例示的な実施形態では、負荷回路40はＥ級の負荷を２段のＥ級の高電力増幅器100に提供するように構成されている。増幅器100は駆動装置段102、本発明のＥ級段間整合ネットワーク（ＩＳＭＮ）104、優秀な負荷回路40を使用する高電力段106を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 バイアス固定入力可変方式の無線通信システムに用いられる高周波電力増幅回路において、温度変化によって増幅素子のｇｍが変化しても、回路全体としての利得が変化しないようなバイアスを与えることができるようにする。
【解決手段】 バイアス固定入力可変方式の無線通信システムに用いられる高周波電力増幅回路において、ダイオードの順方向電圧の温度依存性を利用して、初段の増幅素子のバイアス電圧を、温度の変化に対して高周波電力増幅回路全体としての利得を一定に保つように変化させるようにした。 （もっと読む）

【課題】高増幅率を有する、一般的な電力増幅器を提供すること。
【解決手段】本発明により、高周波電力増幅器は、パワートランジスタがブレークダウン領域において動作されるように接続され、ブレークダウン内で生じる荷電担体を演算増幅器の出力から運び去るために用いられる制御ループが提供されるという点で特徴的である。また、制御ループは少なくとも１つのトランジスタを備える。さらに、制御ループのトランジスタは、パワートランジスタと並列に接続される。さらにまた、制御ループは、荷電担体増倍の時定数よりも大きい時定数を有し、少なくとも１つのダイオード（Ｄ１、Ｄ２）との組合せによってブレークダウン領域における動作信頼度が向上する。 （もっと読む）

【課題】周波数依存性が極力少ないＲＦ接地回路を有し、かつ、チップ面積を増加させることのない電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅用バイポーラトランジスタ１へベースバイアス電流をエミッタフォロワにより供給する第２のバイポーラトランジスタ２のベースとアースとの間には、第１及び第２のダイオード５，６が、各々のアノードが第２のバイポーラトランジスタ２のベース側に位置するように直列接続されると共に、当該ベースには、エミッタ接地された第３のバイポーラトランジスタ３のコレクタが接続される一方、第３のバイポーラトランジスタ３のベースは、第１及び第２のダイオード５，６の段間に接続されており、第３のバイポーラトランジスタ３により周波数依存性が極めて小さなＲＦ接地効果が得られるようになっている。 （もっと読む）

モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）電力増幅器に対して調整されたバイアス電流を供給する、ＭＭＩＣ電力増幅器に組み込まれた電圧レギュレータ。該ＭＭＩＣ電力増幅器は、温度及び電圧供給変動が補償される。前記レギュレータ回路は、カレントミラー（Ｑ１、Ｑ２）のためのＨＢＴトランジスタと、ベース−エミッタ電圧降下（Ｑ３）が類似のベースエミッタ電圧降下（Ｑ２）を該カレントミラー内において補償する電圧レギュレータとを含む。該レギュレータ回路は、Ｖｃｃ及び温度における変化に伴って、バイアス電圧とミラー電流とを一定に維持するように設計される。ＭＭＩＣ電力増幅器に対する、補償された一定バイアス電流が、該電力増幅器に対する動作パラメータを均一に維持する。
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【課題】 信号を増幅する増幅装置で、高効率化を実現する。
【解決手段】 供給される制御値に応じた特性で増幅対象となる信号を増幅する非線形な能動素子１と、前記増幅対象となる信号のレベルを検出するレベル検出手段１１と、前記能動素子１について所定の入出力特性が実現されるように前記検出されたレベルに基づいて前記能動素子１へ供給する制御値を決定する決定手段１２、１３と、前記決定された制御値を前記能動素子１へ供給する供給手段（電圧変換トランス２１、コイルＡ１〜Ａ８と整流回路Ｂ１〜Ｂ８と充電回路Ｃ１〜Ｃ８を有する８系統の電源電圧部、マトリクス回路２２）と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】 高効率高周波増幅器を構成するために増幅器切替え方式を使用した場合、大小増幅器の大出力側増幅器動作かつ小出力側増幅器非動作時、および大出力側増幅器非動作かつ小出力側増幅器動作時の双方での整合条件を満足させなければならず、増幅器間の利得差を最小とする回路の構成が困難である。
【解決手段】 並列に配置した複数の電力増幅器と、前記各々の電力増幅器の入力信号ラインに直列に挿入されたインダクタンス素子と、直列接続された前記各電力増幅器と前記インダクタンス素子を並列接続した後に入力整合を行う入力整合回路と、前記各々の電力増幅器の出力を並列接続した後に出力整合を行う出力整合回路と、前記電力増幅器に対する制御信号が入力される制御信号端子と、前記電力増幅器中の1台を常時動作状態とし他の電力増幅器を動作、非動作状態に制御する制御部とを備えた高周波電力増幅器。 （もっと読む）

【課題】 低歪で、且つ高出力が得られるバイアス回路およびそれを用いた電力増幅器、無線通信装置を提供する。
【解決手段】 第１の電圧を所定の値に分圧する分圧回路１３と、分圧回路１３の出力端Ｖｏｕｔに一端が接続され、他端が接地されたコンデンサＣ２と、分圧回路１３の出力端Ｖｏｕｔに抵抗Ｒ２を介してベースｂ１が接続され、第２の電源にコレクタｃ１が接続された第１トランジスタＱ１と、エミッタｅ１にコレクタｃ２が接続され、コレクタｃ２とベースｂ２が接続され、エミッタｅ２が接地された第２トランジスタＱ２とを備えたバイアス回路１２と、エミッタｅ１にコイルＬを介してベースｂ３が接続された第３トランジスタＱ３を備えた電力増幅部１１と、を具備する。
等価容量Ｈｆｅ１×Ｃ２により、コイルＬからリークする高周波信号Ｐｌをバイパスし、負帰還抵抗Ｒ２により、大振幅動作時のＨｆｅ１の低下を押さえる。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の少ない過入力防止手段を有する電力増幅器、およびそれを用いた無線通信装置を提供する。
【解決手段】 搬送波ｆ１の高周波入力信号Ｐｉｎを増幅する電力増幅部１１と、増幅された出力信号Ｐｏｕｔより第２および第３高調波ｆ２、ｆ３を主とする高周波信号ＡＣを選択する信号選択部１４と、選択された高周波信号ＡＣを直流信号ＤＣに変換する信号変換部１５と、直流信号ＤＣに応じて電力増幅部１１に入力される入力信号Ｐｉｎの一部をバイパスさせる信号制御部１６と、を具備する。
無要な高調波を用いて過入力をモニタすることにより、消費電力を削減する。 （もっと読む）

【課題】 電源回路の動作に悪影響を与えることなく、飽和を検出することのできる電源装置を提供する。
【解決手段】 オペアンプ２とトランジスタ３と帰還回路４とで構成される電源回路１と、電源回路１の飽和を検出する飽和検出回路５と、電源回路１を制御する制御電圧から飽和検出回路５の出力電圧を減算し、減算した電圧を電源回路１へ入力電圧として与える減算回路６とを備える。電源回路１は、減算回路６からの電圧に応じた電圧を出力し、電源回路１が飽和したときに、電源回路１の出力電圧を制御する制御電圧から飽和検出回路５からの出力電圧を減算し、電源回路１へ出力する電圧を減少させることにより電源回路１の飽和を防止する。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐破壊性と良好な高周波特性とを両立させた高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 高周波信号ＲＦは、容量Ｃ１〜Ｃｎを介してトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースにそれぞれ入力され、増幅されてトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのコレクタから出力される。各トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのエミッタは、接地されている。バイアス回路Ｂｉａｓから与えられるバイアス電圧ＤＣは、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎを介してトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースにそれぞれ供給される。このバイアス電圧ＤＣの信号線は、ブリッジ抵抗Ｒを介して高周波信号ＲＦの入力線と直流的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】増幅特性の劣化なしにインダクタで発生する逆起電力による破壊を防止することが可能な電力増幅器及び電力増幅器用バイアス回路を実現することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタ２のコレクタ端子と電源端子６とを接続しているバイアス線路５に、アノードがコレクタ端子側になるように並列にダイオード９ａを接続することにより、あるセルで暴走が始まったときは、ダイオード９ａによりその逆起電圧をクリップして下げるため、バイポーラトランジスタ２に大きな電圧がかかるのを抑制するとともに、暴走の起こっていない段階では、ベース端子に供給される経路で抵抗成分等によるロスを無くし、結果的に従来のような高出力時の出力電力の低下を抑制する。 （もっと読む）