【課題】 線型の電力増幅器において、高周波特性に影響を及ぼす帰還容量のドレイン電圧依存性を抑えて歪み特性の劣化を防ぐことができる技術を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０上にゲート絶縁膜４４を介してゲート電極４５を形成する。このゲート電極４５のドレイン領域側の側壁を覆うようにフィールドプレート電極５９ａを形成する。そして、このフィールドプレート電極５９ａの電位をフローティング状態にする。フィールドプレート電極５９ａは、例えばポリシリコン膜より形成される。 （もっと読む）

【課題】 伝送線路長の違いによって生じる高周波信号の位相変化を低減し、複数のトランジスタにおける均一動作を確保して増幅効率の改善を図った高周波増幅器を提供する。
【解決手段】 直流電流ＤＣは、抵抗２１〜２ｎを介してトランジスタ１１〜１ｎのベースＢにそれぞれ入力される。増幅される高周波信号ＲＦは、容量３０を介してトランジスタ１１〜１ｎのベースＢにそれぞれ入力される。位相器４１〜４ｍは、電気長を有する伝送線路であり、隣接するトランジスタのベースＢ間をそれぞれ接続する。この位相器４１〜４ｍを接続することによって、分岐点ａから各トランジスタのベースＢへ高周波信号ＲＦが流れる経路を複数並列に設けることになり、経由する伝送線路５１及び５２の長さの違いによって生じるベースＢ入力での高周波信号ＲＦ間の位相差を、低減させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 過入力による電流の増加が増幅用素子に及ぼす影響を抑制することができる送信回路を提供する。
【解決手段】 入力端子３１に入力される送信信号を増幅して出力端子３５に出力する増幅用トランジスタ３３と増幅用トランジスタ３３の入力端子３１に供給される直流バイアスとを有する電力増幅回路３０と、増幅用トランジスタ３３の入力端子３１と接地との間に接続された過電流保護トランジスタ４５を有し、電力増幅回路３０の出力端子３５に接続した並列共振回路４３により、増幅用トランジスタ３３の送信信号の出力電力から周波数選択して検出された電力が、所定値以下の場合には、過電流保護トランジスタ４５を高抵抗状態にし、検出された電力が所定値を超える場合には、過電流保護トランジスタ４５を低抵抗状態とする保護回路４０とを具備する （もっと読む）

【課題】 サイズが大きくなるのを可及的に防止することのできる高周波回路モジュールおよび高周波電力増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】 受動回路素子および発熱量の少ない能動素子が搭載された半導体チップ４を、表面に配線６が形成された多層配線基板２の配線の前記配線上に実装した。 （もっと読む）

デシベル利得制御において線形を供給する無線周波数(ＲＦ）ドライバ増幅器システムおよび方法が提供される。ＲＦドライバ増幅器システムは、入力電圧を受信し、受信した入力電圧に基づいて制御された電流を供給するリニアトランスコンダクタと、絶対温度に従ってリニアトランスコンダクタからの電力を変化させる温度補償回路、温度に従って変更された電力を受信し、それに応答して指数関数電流を供給する指数関数電流コントローラと、および指数関数電流を受信し、制御電流をドライバ増幅器回路類に供給し、それにより、ドライバ増幅器回路類内の少なくとも１つのインダクタによりインダクティブデジェネレーションを補償するインダクティブデジェネレーション補償器を含む。制御電流は、インダクティブデジェネレーション補償器からドライバ増幅器回路を通過する。ドライバ増幅器回路からの出力利得は、入力電圧に対してデシベルでリニアに変化する。
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【課題】非対称電力駆動を用いて高効率を維持しながら最適の線形性を達成するドハーティ増幅器を提供する。
【解決手段】非対称電力駆動器５００，伝送ライン５０２，互いに並列に連結されているキャリア増幅器５０４及びピーク増幅器５０６、オフセットライン５０８，第１λ／４伝送ライン５１０，及び第２λ／４伝送ライン５１２から構成される。 （もっと読む）

【課題】 高周波信号を増幅する増幅段に変曲点を持たないバイアス電流を流すことができるようにバイアス制御回路を構成して送信スペクトラムの良好な高周波電力増幅回路を提供する。
【解決手段】 複数の増幅素子（１１１〜２１３）を従属接続した多段構成の高周波電力増幅回路（２１０）において、各増幅素子に流すバイアス電流を生成するバイアス制御回路（２３０）を、出力電力制御信号（Ｖapc）に対して２乗特性で変化するバイアス電流を生成できるように構成した。 （もっと読む）

【課題】
従来、送信電力増幅用パワーアンプのバイアス回路の制御電圧が上昇すると、パワーアンプの回路電流が増加するため、回路の発熱が大きくなり、パワーアンプが熱暴走する問題がある。
【解決手段】
本発明のバイアス回路は、制御電圧入力端子から電流制限抵抗を介して接地電位との間に接続される電圧安定部と、前記電流制限抵抗と電圧安定部の間のノードと抵抗を介しベースが接続されるバイアス供給用エミッタフォロワと、前記バイアス供給用エミッタフォロワのベースとエミッタの間に接続される前記電流制限部とを有している。これにより、バイアス回路の制御電圧が上昇した場合にバイアス電流を減少させる。よって、制御電圧の上昇による増幅用トランジスタの熱暴走を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】低い電源電圧に適するとともに所要面積の少ないポーラー変調器を提供する。
【解決手段】ポーラー変調器では、位相同期回路（２）によって位相変調信号から変調されたキャリア信号が生成される。このキャリア信号は、リミッタ増幅器（３０）を介して方形波信号に変換され、増幅器（４）へ入力される。同時に、第２入力部（１１）の振幅変調信号が、制御可能な電流源（３）の制御入力部（３１）に入力される。制御可能な電流源は、制御入力部（３１）の振幅変調信号に応じた電流を出力部（３２）に出力するように形成されている。制御可能な電流源（３）の出力部（３２）は、増幅器（４）の電流入力部（４３）と接続されている。その結果、増幅器（４）の電源電流は、伝送される振幅情報に応じて変調される。電流ドメインの範囲の振幅情報の処理によって、本発明のポーラー変調器をＣＭＯＳ技術で集積回路として実現できる。 （もっと読む）

【課題】高周波信号ラインとＤＣバイアス供給ラインとが共通ラインとなっていることによって発生する、入力された高周波信号の一部の信号のＤＣバイアス供給ライン側への漏れを低減させ、高出力で高利得が可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】
ベースをバイアス供給端子１１に接続し、コレクタを高周波出力端子１２に接続し、エミッタを接地して電流増幅を行い、かつヘテロ接合バイポーラトランジスタからなる増幅用トランジスタＱ１，……，Ｑｎを複数並列に接続し、増幅用トランジスタＱ１，……，Ｑｎのベース端子毎にベースバラスト抵抗Ｒ１，……，Ｒｎの一方の接続部をそれぞれ接続し、他方の接続部をバイアス供給端子１１に共通接続してバイアス回路１８９に接続し、増幅用トランジスタＱ１，……，Ｑｎのベースを共通接続し、容量Ｃを介してＲＦ信号入力端子１０に接続する。 （もっと読む）

【課題】歪補償テーブルの如き増幅器歪特性を生成のための補間点数、または、近似曲線の次数を増加することなしに、変曲点を正確に生成し、かつ、増幅器の効率を向上することができる増幅装置を提供する。
【解決手段】複数の増幅素子の各出力を合成した合成出力を送出する増幅装置であって、増幅装置の入力信号の電力（振幅）が予め定めた閾値以下であるか以上であるかに従って、前記複数の増幅素子のうち、当該増幅装置の入力信号が大きい時にのみ動作する少なくとも一つの増幅素子に供給する電源が遮断されるか供給される。前記閾値は、当該増幅器による所望の信号出力特性上で、前記ピーク領域を支配する少なくとも一つの増幅素子の出力が支配的となる電力より低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子入力信号５１を増幅するための電力増幅器およびそのような電力増幅器を伴うマルチバンドが可能なフロントエンドに関する。
【解決手段】電力増幅器は、入力部５２および出力部５３を有する増幅器トランジスタステージ１と、増幅器トランジスタステージ１の出力部５３と入力部５２の間に配置された帰還ループ４を備える。帰還ループ４は、ＲＦ経路にコンデンサ４１および抵抗性要素４４を、ＤＣ給電経路に誘導性要素４２を備え、前記抵抗性要素は、帰還ループ内に可変抵抗として構成された帰還トランジスタ４５およびバイアス制御回路４６を備える。 （もっと読む）

【課題】電源の破壊を防止することが可能な増幅器およびその増幅器を搭載した無線通信装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る増幅器は、電源部から供給される直流電力で駆動され、入力信号の電力を増幅するトランジスタ３１と、トランジスタ３１と同一の半導体基板３０上で、かつ電源部２１とトランジスタ３１との電源供給線路上に形成され、所定値以上の電流が流れた場合に、直流電気的に開放状態となる過電流防止素子３２とを備えている （もっと読む）

【課題】寄生抵抗の影響で、歪み補償回路の減衰特性が電力増幅器の歪み特性と異なってしまう場合においても、電力増幅器の出力信号の歪みを低減することが可能な増幅器およびその増幅器を搭載した無線通信装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる増幅器は、半導体トランジスタを含み、入力信号の電力を増幅する電力増幅器３３と、電力増幅器３３の入力側に設けられ、入力信号レベルの増加に伴って減衰量が減少する特性を有し、電力増幅器３３の出力信号の歪みを補償する歪み補償回路３２と、電力増幅器３３の利得抑圧特性と歪み補償回路３２の減衰特性との傾きのズレを解消すべく、電力増幅器３３の利得抑圧特性を調整する利得抑圧調整回路３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 小型化および低消費電力化を図りつつ負荷変動時のＨＢＴの破壊を有効に防止することのできる高周波電力増幅用電子部品（ＲＦパワーモジュール）および移動体通信システムを提供する。
【解決手段】 高周波電力増幅回路の少なくとも最終段の増幅素子（Ｑ１）がＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ）で構成されている高周波電力増幅用電子部品おいて、上記ＨＢＴとしてそのコレクタ電流−コレクタ電圧特性の非破壊領域と破壊領域との境界が逆Ｓ字カーブを有し、該逆Ｓ字カーブの極小値が当該高周波電力増幅用電子部品（ＲＦパワーモジュール１００）に接続される電源（２００）の実使用時に想定される電圧の最大値の４倍以上の領域に存在するＨＢＴを用いるようにした。 （もっと読む）

【課題】 利得の温度依存性が小さく、入力の整合が良好で、広帯域、低雑音、かつ、小型な高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 抵抗値が温度に強く依存する抵抗１１０と通常の抵抗１１１との並列回路を、増幅部３０の入力整合回路中に信号経路に直列に挿入し、各々の抵抗値を適切な値、例えば増幅部の入力インピーダンスの２／３程度に設定する。 （もっと読む）

【課題】 従来の電力増幅器と比較して低雑音、高安定で良好な制御特性を有する高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 電力増幅器の初段をＱ１，Ｑ２で構成する差動増幅器とし、初段と２段目との段間にキャパシタＣｐ１，Ｃｐ２，Ｃｔ１，Ｃｔ２とインダクタＬｐ1，Ｌｔ１の受動素子からなる平衡−不平衡変換兼段間整合回路を設け、２段目を不平衡シングルエンド型回路とする。差動増幅器の構成をエミッタカップル型として、そのエミッタ電流を決定する電流源電流を変化させることにより初段増幅器の出力制御を行う。 （もっと読む）

【課題】増幅器としての高周波特性を損ねることなく、バイポーラトランジスタの過電流による熱的な粗密を緩和することができ、半導体素子の破壊を小規模な回路構成で防ぐことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のＨＢＴを並列接続した高出力トランジスタの各ベースごとにバイアス電流の印加を制御し、また、エミッタ数が、ベースの数ｎに対して２の（ｎ−１）乗倍で増大するマルチエミッタ素子を使うことにより、２進数により表せる値で各ベースごとのバイアス電流の印加を制御し、また、非常に大きな構造を有する方向性結合器の代わりに、高出力トランジスタのエミッタをマルチエミッタ構造にし、そのエミッタの一つの電流をモニタする。 （もっと読む）

【課題】 複数の出力に対応した各音声出力接続端子ごとに、最適なゲイン制御による最適な出力電圧レベルを有する出力音声信号を、簡素な構成により生成し得る構成を有する音声出力装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る音声出力装置は、音声信号が出力され得る複数の音声出力接続端子のそれぞれに機器が接続されているか否かを検出する接続検出部と、上記接続検出部による接続検出結果に応じて音声信号を出力する一つ以上の音声出力接続端子を決定すると共に、当該音声出力接続端子に出力する音声信号に対する最適なゲイン制御を行うためのゲイン設定テーブルを参照して、ボリューム調整値に応じたゲインの値を設定するゲイン設定部と、設定されたゲインの値を用いてデジタル音声信号データのボリューム調整を行うデジタルボリュームコントローラと、デジタル音声信号データをアナログ音声信号にＤ／Ａ変換するＤ／Ａコンバータと、アナログ音声信号に所定の変換を行い、音声出力接続端子の接続検出結果に応じて決定された一つ以上の音声出力接続端子に出力する出力部と、を備えているものである。 （もっと読む）

本発明は、増幅回路の少なくとも一つのステージにバイアス信号を供給するためのバイアス制御回路及び方法に関し、デュアルバイアス制御は、バイアス電流を生成するとともに、このバイアス電流を使用して制御信号を得て、制御信号に応じて少なくとも一つの増幅ステージの供給電圧を制限することにより行われる。その結果、ベース電流ステアリングに加えて、電圧制限によって生じる増幅ステージの出力信号の圧縮を実現できる。これにより、小信号利得が減少し、従って、出力ノイズが減少する。
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