【課題】本発明は電力増幅器に関し、電力効率を低下させることのない電力増幅器を提供することを目的としている。
【解決手段】ＲＦ信号を入力して少なくとも２方向に分岐させる分岐回路１と、該分岐回路１の出力を受ける整合回路２と、該整合回路２の出力を、又は前記分岐回路１の出力を直接受ける、飽和電力の異なった複数の増幅器３と、該増幅器３の出力を受ける整合回路４と、該整合回路４の出力を受ける合成回路５と、変調波エンベロープ信号を受けてその振幅を変換する変調波エンベロープ変換部６と、該変調波エンベロープ変換部６の出力を受けてドレイン電圧に変換して前記増幅器３のドレイン端子に供給するドレイン電圧供給部７と、を備え、前記合成回路５の出力をその出力とするように構成される。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の電力利用効率を向上するための小型で伝送ロスの少ない高調波制御回路を提供する。
【解決手段】増幅素子２０４と高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７と負荷抵抗２０８にて高周波電力増幅器を構成している。入力端２０１から入力された高周波信号が増幅素子２０４で増幅され、高調波制御回路２０９と出力整合回路２０７を通過し、負荷抵抗２０８に供給される。高調波制御回路２０９は第１の誘電体共振器２０６と第２の誘電体共振器２０５により構成されている。 （もっと読む）

回路であって、入力整合ネットワークと、入力整合ネットワークの出力に接続されるトランジスタ１４とを有し、入力整合ネットワーク１２は、該入力整合ネットワーク１２が相対的に低い電力レベルを有する入力信号を供給されるときに第１の入力インピーダンスを有し、該入力整合ネットワーク１２が相対的に高い電力レベルを有する入力信号を供給されるときに、第１の入力インピーダンスとは異なる入力インピーダンスを有する、回路。 （もっと読む）

【課題】温度に依存する素子特性のばらつき及び増幅用トランジスタのエミッタ端子への漏れ込み帰還が発生することを防止し、高い安定性を有する電力増幅回路を提供する。
【解決手段】出力整合回路３０の接地容量１０４を増幅用トランジスタ７の接地端子でなく、バイアス回路４０の接地端子に接地する一方で、増幅用トランジスタ７のベース端子を接地抵抗１０３経由で接地する。これにより、漏れ電流が増幅用トランジスタ７に帰還することがなくなり、また、増幅用トランジスタ７のベース端子に流れ込む、バイアス電流の温度変化による変動も接地抵抗１０３経由でグランドに流すことで電力増幅回路の温度特性のばらつきを最小化できる。 （もっと読む）

パッケージングされたＲＦトランジスタデバイスは複数のＲＦトランジスタセルを含んでいるＲＦトランジスタダイを含む。複数のＲＦトランジスタセルのそれぞれは制御端子と出力端子を含む。ＲＦトランジスタデバイスはさらにＲＦ入力リード線、およびＲＦ入力リード線とＲＦトランジスタダイとの間に接続されている入力整合ネットワークを含む。入力整合ネットワークはそれぞれの入力端子を有する複数のコンデンサを含む。コンデンサの入力端子はＲＦトランジスタセルのそれぞれの制御端子に接続されている。
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【課題】グランド電位の近くにゲートバイアス電圧を設定することができ、ＦＥＴ増幅素子を飽和領域近くで動作させた場合でも、ゲートバイアス電圧の変化を抑え、その出力電圧の低下を抑制することができるマイクロ波信号の増幅回路を提案する。
【解決手段】ゲート端子にゲートバイアス電圧を供給するように接続されたバイアス回路が、正電圧の供給を受ける第１電圧端子と前記ゲート端子との間に接続された正側電流増幅トランジスタと、負電圧の供給を受ける第２電圧端子と前記ゲート端子との間に接続された負側電流増幅トランジスタと、前記正側増幅トランジスタおよび前記負側電流増幅トランジスタに対する共通バイアス回路と、前記ゲートバイアス電圧に対応するゲートバイアス設定電圧を前記共通バイアス回路に供給するバイアス設定回路を含む。 （もっと読む）

【課題】後段のＨＢＴの破壊を防止する高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】コレクタ出力が検出される第１のヘテロバイポーラトランジスタを含む第１の増幅段と、第１の増幅段よりも前の段に備えられ、検出の結果が反映される第２のヘテロバイポーラトランジスタを含む第２の増幅段と、第２のヘテロバイポーラトランジスタのコレクタと電源との間に挿入される第１の抵抗と、第１のヘテロバイポーラトランジスタのコレクタと第２のヘテロバイポーラトランジスタのコレクタとの間に接続され、第１のヘテロバイポーラトランジスタのコレクタの出力を検出し、当該出力に応じて、第２のヘテロバイポーラトランジスタのコレクタ電圧を減少させる保護回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い線形性を有する小型化可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】エミッタ接地のトランジスタ１５と、アノードがキャパシタ２３を介してトランジスタ１５のコレクタと接続され、カソードが接地されたダイオード２５、及び、一端をダイオード２５のアノードと接続され、他端をトランジスタ１５のベースに接続された抵抗２７を有するフィードバック回路２１と、トランジスタ１５のベースに接続されたバイアス回路３１とを備えている。 （もっと読む）

振幅偏移変調を用いて信号を符号化するための装置が開示される。前記装置はスイッチングトランジスタを備えるＥ級増幅器を含み、スイッチングトランジスタのゲートには、Ｅ級増幅器を作動するための動作周波数を持つ電圧が供給される。Ｅ級増幅器の出力信号において振幅偏移変調を実現するために、Ｅ級増幅器の、スイッチングトランジスタのゲートに供給される電圧の動作周波数（ＦＴ）、または共振周波数（ＦＲ）を、第一の値と第二の値の間で切り替える回路が、動作周波数と共振周波数の間の偏移度を第一の値と第二の値の間で切り替えるために備えられる。
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【課題】入力信号が微小レベル時のリニアリティを改善したフルブリッジ方式Ｄ級アンプを提供する。
【解決手段】４個のスイッチング素子２２，２４，２６，２８をフルブリッジ接続してスピーカ３０を駆動する。スイッチング素子２２，２４をパルス信号ＰＷＭ１で駆動し、スイッチング素子２６，２８をパルス信号ＰＷＭ２で駆動する。パルス信号ＰＷＭ１，ＰＷＭ２は入力信号レベルに応じてパルス幅変調された信号である。パルス信号ＰＷＭ１，ＰＷＭ２の入力信号レベル対デューティ比特性は、通常の入力信号レベル対デューティ比特性に偶関数でオフセットを与えた特性である。これにより、入力信号が微小レベル時にスイッチング素子は細いパルスで駆動されなくなり、リニアリティが改善される。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ電力増幅トランジスタのゲート電極に対して、波形歪みのない制御信号を印加することができ、またさらに、制御回路の電源電圧を低く抑えることができ、また出力インピーダンスを低くした制御回路を備えた高効率増幅器を提供する。
【解決手段】ＲＦ信号を入力して増幅するトランジスタを含む増幅装置(１１０)と、前記ＲＦ信号の包絡線信号又はベースバンド信号からこれに応じた制御信号を発生する制御信号発生手段(１０１，１０８，１０９)と、前記制御信号発生手段からの制御信号を前記増幅装置のトランジスタのゲート電極に印加する制御ドライバ(１１５)と、を備え、前記制御ドライバを出力インピーダンスの低い回路で構成した。 （もっと読む）

【課題】増幅素子（ＦＥＴ）の出力容量が無視できない高周波でも高効率のＦ級増幅回路。
【解決手段】入力信号の角周波数ωo及び高調波を含む信号を出力するＦＥＴ１０と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OFと接地端子を接続する第１のリアクタンス二端子回路１２と、ＦＥＴの出力端子Ｎ_OF側に配置される基本波整合回路１６と、基本波整合回路の入力端子とＦＥＴの出力端子間に接続される第２のリアクタンス二端子回路１４と、基本波整合回路の出力端子と接地端子を接続する負荷２２とを備え、ＦＥＴの出力インピーダンスを出力抵抗Ｒoと出力容量Ｃoからなる並列回路とし、第１のリアクタンス二端子回路１２は、ＤＣに対して開放、角周波数ｂωo（０＜ｂ＜１）、偶数調波に対して短絡、角周波数ωo、奇数調波に対して出力容量Ｃoと並列共振し、第２のリアクタンス二端子回路１４はＤＣに対して短絡、奇数調波に対して開放となる。 （もっと読む）

【課題】電力増幅及び送信のためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】同じプロセスでベースバンド信号を搬送波周波数の信号にシフトするため、アップコンバータにより中心周波数を変更し合成される電力増幅を可能にするシステム及び方法。そして、デジタルにより実現し、電力効率がよく、線形性問題がほとんど、又は全く無く、シリコンチップ及び広帯域動作に適した技術である。それぞれの入力サンプルは、同じサンプリング間隔内のいくつかのサブサンプルと置き換えられ、サブサンプルの合計の重みは、置換されたサンプルに等しい。このサブサンプルへのプロセスは、サンプリング信号の周波数応答を変え、負荷ドライバの振幅ダイナミックレンジを減少させ、デジタルアナログ変換のためのフィルター要件を簡素化し、負荷ドライバの線形性要件を減少させる。このプロセスは、デジタル回路でもよく、広帯域動作をもたらす。 （もっと読む）

【課題】出力整合回路のインピーダンス可変素子を、構成が簡単で実装が容易な出力電力検出器により制御した高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】負荷インピーダンスを構成する整合回路３０中の可変容量ダイオードを制御する情報源として、ＦＥＴ１６の消費電流Ｉｐを電圧降下によりモニタ電圧Ｖｐとして抵抗器２０により検出し、検出したモニタ電圧Ｖｐに応じた制御電圧Ｖｃにより整合回路３０に設けられた可変容量ダイオードのインピーダンスであるキャパシタンスを電力効率が大きくなるように変化させているので、出力高周波電力に応じて電力効率が増加するように負荷インピーダンスを変化させることができる。抵抗器２０は構成が簡単で又電源側に挿入しているので実装が容易である。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域において動作する通信用増幅器の相互変調歪みの信号レベルを一定に保つことにより通信品質を確保し、また、環境温度が変化しても高効率で低消費電力動作が可能な高周波増幅器を提供する。
【解決手段】 高周波電力を入力する増幅器２と、増幅器２の出力ラインの分岐出力を検波出力とする歪レベル検波回路５と、この検波電圧と基準電圧とを比較する比較器６と、この比較器６の出力電圧が入力され、内部に比較器６の出力電圧に対応して増幅器２のゲート電極及びドレイン電極に対する供給電圧を定めるデータテーブルを書き込んだＲＯＭを有する制御回路７とを備えるようにし、ＲＯＭデ−タに基づき増幅器２のドレイン電圧とゲート電圧を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】動作時の出力低下が少なく、熱雑音の影響が少なく、高周波動作が安定で、かつ信頼性に優れた高周波電力増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート電極、半導体基板の表面部分に形成されたソース領域及びドレイン領域が、それぞれ共通接続された複数のトランジスタと、半導体基板の表面部分であって、かつ隣り合うトランジスタ間に設けられた複数の音響反射層とを備え、音響反射層は、ゲート電極が配置された方向に対して斜め方向に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】熱劣化によるループ電流発生に起因する線形性の劣化を抑制することを可能にする。
【解決手段】入力端子１と、それぞれの一端が入力端子に共通接続される第１および第２のスイッチ３，４と、半導体基板上に形成され第１のスイッチまたは第２のスイッチの他端に接続されたゲートを有するマルチフィンガー型の第１のＦＥＴ５および第２のＦＥＴ６と、第１および第２のＦＥＴのそれぞれのドレインが共通接続される出力端子２と、第１、第２のＦＥＴのチャネルの温度および半導体基板の温度を検出する第１、第２、第３の温度検出器９、１０、１２と、第１、第３の温度検出器の出力差および第２、第３の温度検出器の出力差を熱起電力によって検出する第１および第２の検出回路１３、１４と、第１および第２の検出回路の出力を比較して、第１および第２のスイッチのうちの一方をＯＮにし、他方をＯＦＦにする比較器１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高周波特性をより向上させることができる高周波電力増幅器モジュールを提供する。
【解決手段】 配線基板上に多段の増幅段トランジスタを有する半導体チップが設置された高周波電力増幅器モジュールにおいて、ある一つの初段トランジスタ（増幅段トランジスタ）１０２に対応するゲート電極（ボンディング用入力電極）１０２ａと配線基板１１３を接続する入力ボンディングワイヤ１０５の両端のボンディング部同士を結ぶ第１の補助線と、この一つの増幅段トランジスタの次段に位置する２段目トランジスタ（増幅段トランジスタ）１０３に対応するドレイン電極（ボンディング用出力電極）１０３ｂと配線基板１１３を接続する出力ボンディングワイヤ１０８の両端のボンディング部同士を結ぶ第２の補助線のなす角度を７２〜１８０゜、ゲート電極（ボンディング用入力電極）１０２ａとドレイン電極（ボンディング用出力電極）１０３ｂのボンディング部の間隔を０．３ｍｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の周波数帯域で歪み調整が容易な電力増幅器を提供する。
【解決手段】 電力増幅器１は、ベースに入力する高周波信号を増幅してコレクタから出力するエミッタ接地型の第１バイポーラトランジスタＱ１、直流電流が導通可能で一方端が第１バイポーラトランジスタＱ１のベースに接続するインピーダンス回路２、エミッタがインピーダンス回路２の他方端に接続する第２バイポーラトランジスタＱ１、第２バイポーラトランジスタＱ２のコレクタからインピーダンス回路２を経由して第１バイポーラトランジスタＱ１のベースにバイアス電圧を供給する電圧供給端子Ｎｖｂ、第２バイポーラトランジスタＱ２のベース電圧を生成するベース電圧生成回路４、及び、第２バイポーラトランジスタＱ２のエミッタと接地ノード間に設けられ、直流成分に対して非導通であって、交流成分に対して周波数に応じてインピーダンスが変化するフィルタ回路３を備える。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器に関し、速やかに高効率動作を開始し、また、広帯域信号にも速やかに効率を落すことなく対応にする。
【解決手段】インダクタＬ１，Ｌ２とキャパシタＣ１，Ｃ２とから成る第１及び第２のタンク回路を、それぞれ、バランス型増幅器を構成する第１及び第２のトランジスタＺ１，Ｚ２に接続し、第１及び第２のトランジスタＺ１，Ｚ２のドレーン間に出力負荷抵抗Ｒ１を接続し、入力信号の極性を互いに反転した差動電圧信号を入力するバランス型増幅器に、両側のタンク回路に共通に、給電エネルギーを蓄積するインダクタＬ０を接続し、片側のタンク回路から非並衡にスイッチングトランジスタＺ０を導通して、インダクタＬ０に給電エネルギーを蓄え、スイッチングトランジスタＺ０をカットオフしたときに、該インダクタＬ０からバランス型増幅器給電が開始され、出力負荷抵抗Ｒ１から出力電力が立ち上がる。 （もっと読む）