【課題】高周波増幅用のＦＥＴのドレインに印加されるパルス電圧の安定化を図る。
【解決手段】駆動用電源１１の出力電圧に基づきＭＯＳ−ＦＥＴＱ１を駆動する。Ｑ１はパルス信号源１２から出力される基準パルス信号ｂでスイッチングさせ、Ｑ１オン時は、コンデンサＣ１の電荷を移行させて得られる電圧でＱ１を非飽和状態で駆動する。Ｑ１のスイッチングによりソース電極に得られるパルス電圧を、ゲート電極に供給される高周波信号を増幅する高周波電力ＦＥＴＱ２の駆動電圧としてドレイン電極に印加する。Ｑ２のドレイン電極に発生するパルス電圧ｄと基準パルス信号ｂの電圧をオペアンプＯＰ２で比較し、Ｑ１のゲート電極にフィードバックする。非飽和状態で駆動されるＱ１にフィードバックさせたことで、Ｑ１に印加されるパルス内ドレイン電圧の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 増幅素子のバイアス入力部の近傍に大容量のコンデンサが接続された場合であっても、バイアス電圧制御の応答遅れを抑制することが可能なスイッチ制御回路、増幅器、および送信装置を提供する。
【解決手段】 バイアスが印加されることによって増幅作用を発生する増幅素子の前記バイアスのオン／オフを制御するスイッチ制御回路であって、二つのスイッチ素子が相補的に動作するコンプリメンタリ回路を複数並列に接続した回路を含む。 （もっと読む）

【課題】回路規模を大きくすることなく、電力効率を改善する高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器は、第１スイッチ素子１０４の他端と第２スイッチ素子１０５の他端との間に接続され、第１スイッチ素子１０４および第２整合回路１１５を介して第２アンプに電源を供給し、第２スイッチ素子１０５および第３整合回路１１６を介して前記第３アンプ１０３に電源を供給するための第１電源ライン１３３を具備し、第１スイッチ素子１０４の前記他端は、第１整合回路１１４の入力ノードと接続され、第２スイッチ素子１０５の前記他端は、第１電源ライン１３１を介して、第１整合回路１１４の入力ノードと接続され、第３アンプ１０３の出力ノードから当該高周波電力増幅器の出力側をみたインピーダンスが、第２アンプ１０２の出力ノードから当該高周波電力増幅器の出力側をみたインピーダンスより高い。 （もっと読む）

【課題】低電力出力時の消費電流を低減して、ＤＣ電圧変換器による実装面積の増大を軽減する。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置２００は、外部電源電圧Ｖｃｃ１、２、３によって動作するドライバー段増幅器２３０と第１のＲＦ増幅器２７０ａと第２のＲＦ増幅器２７０ｂとＤＣ電圧変換器２８０を具備する。ドライバー段増幅２３０の出力は第１と第２のＲＦ増幅器２７０ａ、２７０ｂの入力に供給され、第１のＲＦ増幅器２７０ａの実効素子サイズは第２のＲＦ増幅器２７０ｂのそれより大きな素子サイズに設定される。ＤＣ電圧変換器２８０に外部電源電圧Ｖｃｃ３が供給され、ＤＣ電圧変換器２８０は低電圧の動作電源電圧Ｖｃｃ４を生成して、第２のＲＦ増幅器２７０ｂの出力端子に供給する。第１のＲＦ増幅器２７０ａの出力端子には、ＤＣ電圧変換器２８０を介することなく、外部電源電圧Ｖｃｃ２が供給可能とされる。 （もっと読む）

【課題】パワーアンプのバイアスを変えて複数のモードを設定してもそれぞれに最適な温度補償を実現できる手段を提供する。
【解決手段】温度が下がった場合に減衰量が増加するアッテネータを並列に接続した３極管動作をさせるＦＥＴ１００でパワーアンプモジュールを構成する。ＦＥＴ１００のゲート電圧は制御電圧発生回路３００で制御する。この制御電圧発生回路３００により温度特性を決定することで最適な温度補償を実現可能ならしめる。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性が高く、かつ、小型化が可能なパルス電力増幅器を提供すること。
【解決手段】増幅器１１と、増幅器１１のドレイン端子Ｄに接続され、第１の制御パルスＰ１に従って動作が制御されるスイッチ１７と、スイッチ１７に接続された正電圧源１８と、増幅器１１のゲート端子Ｇに並列に接続された第１の抵抗１９、第２の抵抗２０と、第１の抵抗１９に接続された負電圧源２１と、第１の制御パルスＰ１に同期して入力された第２の制御パルスＰ２を微分波形Ｐ３に変換して、増幅器１１のゲート端子Ｇに出力するキャパシタ２２と、を具備し、第１、第２の抵抗値１９、２０、およびキャパシタ２２の容量値は、これらの値によって定められる微分波形Ｐ３の時定数が、増幅器１１の熱時定数に一致する値であり、ゲート端子Ｇとキャパシタ２２の他端との間から入力された高周波を、スイッチ１７の動作に対応した高周波パルスに変換して、ドレイン端子Ｄとスイッチ１７の一端との間から出力するパルス電力増幅器。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチング素子にて増幅したＰＷＭ信号を低損失で合成し、変調信号を復調することが可能なスイッチング回路、及び該スイッチング回路を備える包絡線信号増幅器を提供する。
【解決手段】スイッチング回路３３は、一端が電源Ｖｄｄに接続されたコイルＬ２と、該コイルＬ２の他端及びドレインＤ１，・・Ｄｎ間にコイルＬ３が各別に介装されたｎ個のトランジスタＭ１，・・Ｍｎと、コイルＬ１，・・Ｌ１を介してゲートＧ１，・・Ｇｎを縦続接続する接続回路とを備える。入力端子３３１から与えられて接続回路を伝播するＰＷＭ信号によってトランジスタＭ１，・・Ｍｎが順次オンする。ドレインＤ１，・・Ｄｎから各別のコイルＬ３を介して出力されるＰＷＭ信号が、コイルＬ２の他端において加算されるときに、パルス幅変調の基本波及びｎ−１次以下の高調波が打ち消される。 （もっと読む）

【課題】
高周波パワーアンプの試験工程のコストを低減する。
【解決手段】
高周波パワーアンプは，インダクタを有する入力整合回路と，前記入力整合回路を通過した入力信号を増幅する増幅トランジスタと，入力整合回路内のインダクタに第１の試験スイッチにより接続されるキャパシタと，インダクタに第２の試験スイッチを介して第１の基準電圧との間に設けられた負性抵抗用トランジスタと，第２の基準電圧とインダクタとの間に設けられた電流源トランジスタとを含む試験用回路とを有し，試験時に第１，第２の試験スイッチ及び電流源トランジスタが導通してインダクタと試験用回路とで高周波発振器が構成され，通常動作時に第１，第２の試験スイッチ及び前記電流源トランジスタが非導通になる。 （もっと読む）

【課題】多段接続される増幅器からのバイアス電流の逆流に起因するバイアス変動を効果的に抑制し、安定して信号増幅できる電力増幅器を提案する。
【解決手段】電力増幅器１００は、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３を有する増幅系統１０と、トランジスタＴｒ４〜Ｔｒ６を有する増幅系統２０と、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ６のバイアス点を制御するバイアス回路３１，３２，３３とを備える。増幅系統１０は、最終段のトランジスタＴｒ３以外のトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を含む第一のグループと、少なくとも最終段のトランジスタＴｒ３を含む第二のグループとを含む２つ以上のグループにグループ分けされている。バイアス回路３１は、第一のグループに属するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２にバイアス電流を分岐供給する。バイアス回路３２は、第二のグループに属するトランジスタＴｒ３にバイアス電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】高精度な温度補償を実現できる温度補償回路を提案する。
【解決手段】バイアス回路２０は、絶対温度に関して正の線形温度特性を有するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の電流又は電圧の温度変化を相殺するように、絶対温度に関して負の線形温度特性を有する基準電流をベースバイアス電流としてそれぞれのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３に供給するＣＴＡＴ回路３０と、ＣＴＡＴ回路３０の温度特性とトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３の温度特性とのずれを補償するための温度特性補償回路４０を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ブートストラップダイオードを備える半導体装置の省エネルギー化ができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トーテムポール接続された高圧側パワーデバイスと低圧側パワーデバイスの駆動を制御する半導体装置であって、回路負荷を有し、該高圧側パワーデバイスを制御する高圧側駆動回路と、該低圧側パワーデバイスを制御する低圧側駆動回路と、該低圧側駆動回路と接続され該低圧側駆動回路の電源電位であるＶＣＣ電位を該低圧側駆動回路に与えるＶＣＣ端子と、アノードが該ＶＣＣ端子と接続されカソードが該高圧側駆動回路と接続され、該高圧側駆動回路の電源電位であるＶＢ電位の充電に用いられるブートストラップダイオードと、該ＶＢ電位が該ＶＣＣ電位よりも小さくなる前に該回路負荷を遮断する手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バイアス電流の制御電圧の設定範囲を拡大させつつ、バイアス回路の構成の自由度を向上させ、簡単かつ小規模な構成で複数の通信方式への対応を実現する高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路１２を、入力されるベース電流に応じたバイアス電流を増幅器１１に供給するトランジスタＱ５と、基準電圧Ｖｒｅｆに応じた電流を流すトランジスタＱ３と、トランジスタＱ３に流れる電流に応じて、トランジスタＱ５のベース電流を補正することにより、トランジスタＱ５の温度特性を補償するトランジスタＱ２と、トランジスタＱ５のベースに接続され、制御電圧ＶＳＷの切り替えに応じてトランジスタＱ５のベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部（トランジスタＱ４及び抵抗Ｒ５〜Ｒ７）とで構成する。増幅器１１は、バイアス回路１２から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する。 （もっと読む）

【課題】異なる周波数、出力電力または変調方式において動作可能な電力増幅器および通信機器を提供できる。
【解決手段】入力端子および出力端子を有する第１増幅器ＰＡ２と、入力端子および出力端子を有する受動回路ＰＣ３と、単極端子と、２つの多投端子とを有する第１スイッチＳＷ２と、を備えた電力増幅器であって、該第１スイッチＳＷ２の該多投端子の一方は、該第１増幅器ＰＡ２０１の該入力端子に接続されており、該第１スイッチＳＷ２の該多投端子の他方は、該受動回路ＰＣ３の該入力端子に接続されている。 （もっと読む）

【課題】温度変動時においても、広範囲の出力電力にわたって高効率動作を実現できる高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】ＲＦ増幅器１１の電力増幅用トランジスタＱ０のベースには、コンデンサＣ１を介して高周波信号が入力されており、かつ、温度補償回路Ｔ１を含んだ高出力用バイアス回路Ｂ１を介して基準電圧印加端子ＶＲＥＦ１が接続されており、さらに、温度補償回路Ｔ２を含んだ低出力用バイアス回路Ｂ２を介して基準電圧印加端子ＶＲＥＦ２が接続され、各バイアス回路Ｂ１,Ｂ２へのバイアス電圧ＶＤＣは共通接続されている。また、電力増幅用トランジスタＱ０のコレクタはコンデンサＣ２を介して高周波信号が出力されており、そのエミッタは接地されている。 （もっと読む）

【課題】奇数次高調波を抑制するフィルタにおける伝送線路の線路長を低減する。
【解決手段】フィルタ３は、伝送線路１０から分岐するスタブ２０、２１と、スタブ２０、２１と電磁結合し、且つ伝送線路１０を伝送される基本波の奇数次高調波に共振する共振部３０、３０−１、３０−２、３１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】出力レベルの立上りを滑らかにしてスプリアスの発生を軽減でき、過電流によるＦＥＴの損傷を確実に防止できる送信増幅器を提供する。
【解決手段】送信増幅器２０のGaAsＦＥＴ２１としてゲート電圧Ｖｇに正の電圧を印加するタイプのものを使用し、ソースを接地し、ドレインに第１電源部２２から出力される「ＤＣ＋４Ｖ」をローパスフィルタ２４を介して供給する。ＦＥＴ２１のゲートには、第２電源部２３から出力される「ＤＣ＋０．７Ｖ」のゲートバイアスを時定数回路２５及びローパスフィルタ２６を介して供給する。第１電源部２２のＳＷ端子２２ａにHigh／Lowの制御信号を入力し、その出力電圧をＯＮ／ＯＦＦすることにより、ＦＥＴ２１をＯＮ／ＯＦＦして送信出力をバースト的に制御する。 （もっと読む）

【課題】マルチフィンガー型のトランジスタを用いた場合に、歪特性を改善することができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】複数のトランジスタセルを電気的に並列接続したマルチフィンガー型のトランジスタと、複数のトランジスタセルのゲート電極に接続された入力側整合回路と、各トランジスタセルのゲート電極と入力側整合回路の間にそれぞれ接続された共振回路とを有し、共振回路は、トランジスタの動作周波数の２次高調波の周波数又は２次高調波の周波数を中心とした所定の範囲内で共振してゲート電極に短絡又は十分に低い負荷を与える。 （もっと読む）

【課題】携帯型通信装置用のＲＦフロントエンド等を有するモノリシックＩＣ等の提供。
【解決手段】ＲＦフロントエンドは、電力増幅器（ＰＡ）と、マッチング、カップリング及びフィルタリング回路と、調整されたＰＡ出力信号をアンテナ結合するアンテナスイッチとを有する。出力信号センサは、アンテナスイッチにより切り替えられた信号の少なくとも電圧振幅を検知して、検知された出力の過度な値に応答してＰＡ出力電力を制限するようＰＡ制御回路に指示する。好ましい製造技術は、スイッチングデバイスを形成するよう複数のＦＥＴをスタックする。ＰＡ出力信号の不要な高調波を散逸的に終端するｉ級ＰＡアーキテクチャについて記載される。ＲＦ送受信機ＩＣの好ましい実施例は、２つの区別可能なＰＡ回路と、２つの区別可能な受信信号増幅器回路と、４つの回路のうちの何れか１つへ単一のアンテナ接続を選択的に結合する４方向アンテナスイッチとを有する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じてアイドル電流を制御することにより、低歪特性を実現することができる電力増幅器用バイアス回路を提供する。
【解決手段】電力増幅器用バイアス回路が、電圧駆動バイアス回路と電流駆動バイアス回路とを並列に設けた併用バイアス回路を備えている。Ｖｃ２によるアイドル電流制御回路１０が付加されている。増幅用トランジスタのコレクタ電圧Ｖｃ２がＴｒｘ２の閾値電圧（約１．３Ｖ）以下の場合、Ｔｒｘ２がオフする。Ｖｒｅｆ（２．４〜２．５Ｖ）はＴｒｘ１とＤｘ２がオンする電圧（約１．３＋０．７Ｖ）より高いため、電流Ｉｘ１が流れてＴｒｘ１がオンする。そのため、抵抗Ｒｘ１やＲｘ２を介して、Ｔｒ２ａやＴｒ２ｂのベースからＧＮＤへ向けて、電流が引き抜かれる。その結果、Ｔｒ２ａ、Ｔｒ２ｂのアイドル電流が下がる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ−ＦＥＴを増幅素子とするマイクロ波帯の増幅回路で、バックオフ動作時でも良好な通信品質を確保する。
【解決手段】バイアス調整手段（たとえば、検波回路３１、帰還回路３２及びリミタ回路３３）により、増幅素子２０ａ（たとえば、ＧａＮ−ＦＥＴ）の出力パワーが検波され、同出力パワーが同増幅素子２０ａの飽和出力パワーに対して相対的に小さい動作状態のとき、同増幅素子２０ａの出力電流が相対的に小さくなるようにゲートバイアス電圧ｇｂが調整される一方、上記出力パワーが増加する動作状態のとき、同出力パワーの増加に対応して増幅素子２０ａの出力電流を増加させるようにゲートバイアス電圧ｇｂが調整される。 （もっと読む）