【課題】半導体装置が動作状態から待機状態に移行するとき、内部電源電圧の目標電圧からの上昇を抑制する。
【解決手段】非動作状態の負荷回路への電源電流の供給に用いられる電源回路１５において、トランジスタＰＴＲＳ１は、外部電源電圧を受ける電源ノードと出力ノード１８との間に接続される。比較器５０は、第１の入力端子および参照電圧が入力される第２の入力端子を有し、第１および第２の入力端子間の電圧差に応じた制御電圧をトランジスタＰＴＲＳ１の制御電極に出力する。分圧回路４０は、出力ノードの電圧を分圧した電圧を比較器５０の第１の入力端子に出力する回路であり、分圧比を変更可能である。電源回路１５は、負荷回路が動作状態のときに、分圧回路４０の分圧比を第１の分圧比から第１の分圧比よりも高い第２の分圧比に変更する。 （もっと読む）

【課題】従来のＤＲＡＭでは微細化と共にデータの読み出しエラーが発生しやすくなる。
【解決手段】第１のビット線ＢＬ＿１の微弱な電位の変動はＮチャネル型トランジスタＴＮＲとＰチャネル型トランジスタＴＰＲで構成される第１のインバータで反転され、第１のスイッチである第１の選択トランジスタＳＴ１を介して、第２のビット線ＢＬ＿２に出力される。第２のビット線ＢＬ＿２の電位は、第１のビット線ＢＬ＿１の電位とは反転した電位であるため、第１のビット線ＢＬ＿１と第２のビット線ＢＬ＿２の電位差は拡大する。この拡大した電位差を公知のセンスアンプＳＡ＿１／２あるいは、第２のインバータ（Ｎチャネル型トランジスタＴＮＬとＰチャネル型トランジスタＴＰＬで構成される）と第１のインバータで構成されるフリップフロップ回路等で増幅する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リフレッシュ動作の時、電流消耗を減らすことができる半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】第１ビットライン分離信号に応答してビットラインとセンスアンプとを連結及び分離させる第１スイッチと、第２ビットライン分離信号に応答してビットラインバーとセンスアンプとを連結させる第２スイッチと、及びリフレッシュ動作の時、第２ビットライン分離信号のイネーブル区間の長さよりイネーブル区間が短いリフレッシュ用ビットライン分離信号を生成して第２スイッチに提供する制御部を備える。 （もっと読む）

【課題】容量素子の容量を低減し、また、集積度の高い半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】１つのビット線ＢＬ＿ｍに複数個のメモリブロックを接続させる。メモリブロックＭＢ＿ｎ＿ｍはサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍと書き込みスイッチと複数のメモリセルを有する。サブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍと隣接するサブビット線ＳＢＬ＿ｎ＋１＿ｍは２つのインバータと２つの選択スイッチよりなる増幅回路ＡＭＰ＿ｎ／ｎ＋１＿ｍに接続し、増幅回路は選択スイッチによりその回路構成を変更できる。また、増幅回路は読み出しスイッチを介してビット線ＢＬ＿ｍに接続する。サブビット線ＳＢＬ＿ｎ＿ｍの容量は十分に小さいため、各メモリセルの容量素子の電荷による電位変動を増幅回路ＡＭＰ＿ｎ／ｎ＋１＿ｍでエラーなく増幅でき、ビット線ＢＬ＿ｍに出力できる。 （もっと読む）

【課題】不要にリフレッシュ周期が変更されることによる無駄な消費電流を削減する。
【解決手段】複数の半導体チップを備え、複数の半導体チップのうちの第１の半導体チップは第１の温度センサを有し、第１の半導体チップとは異なる第２の半導体チップはリフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、第１の半導体チップの第１の温度センサの出力結果に応じて第２の半導体チップのリフレッシュ周期が変更される。 （もっと読む）

【課題】回路ブロックの数が２のべき乗で表すことのできない数であっても、簡単な回路構成でプリデコード動作を行う。
【解決手段】それぞれ異なるロウアドレスが割り当てられた複数のワード線ＷＬを含む複数のメモリマットと、メモリマットにそれぞれ含まれるワード線ＷＬの最小アドレスＭＩＮＡＤＤとアドレス信号のビットとを比較することによって、メモリマットのいずれかを選択するマットセレクタ１２ａと、アドレス信号のビットに基づいて、選択されたメモリマットに含まれるワード線ＷＬのいずれかを選択するワードセレクタ１２ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】 フレームメモリにすでに書き込まれた直前のフレームを構成する画素の画素値を示すデータの出力を開始するまでの遅延時間の短縮化が図られたメモリ制御回路、および回路規模の削減化が図られた画像処理装置を提供する。
【解決手段】 垂直同期信号ＶＳＹＮＣの立ち下がりエッジをＳＤＲＡＭコントローラ２２で検知して、初期アドレスにクリアされたアドレス信号Ａ，読み出しを指示するコマンドＣを生成してＳＤＲＡＭ１０に供給し、ＳＤＲＡＭ１０から所定の範囲の過去データを先読みして読み出し用ＦＩＦＯ２３に格納しておき、現在データの入力が開始された後に読み出し用ＦＩＦＯ２３から読み出して出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリ装置の読み出し動作および書き込み動作フェイルを防止することができる半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】読み出し信号または書き込み信号に応答して、選択的にイネーブルされる第１テストモード信号ないし第３テストモード信号に応じて遅延量が調整されるストローブクロックを生成するストローブクロック生成部１０と、ストローブクロックの第１レベルに応答してアドレスをラッチし、ストローブクロックの第２レベルに応答して、アドレスをデコーディングして内部アドレスを生成する内部アドレス生成部２０と、内部アドレスをデコーディングして選択的にイネーブルされる出力イネーブル信号を生成する出力イネーブル信号生成部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡略化された回路構成でノイズ低減効果を持つ多相駆動型の昇圧回路を実現する。
【解決手段】昇圧回路は、所定周期のクロック信号を出力する発振回路と、前記クロック信号の１本の配線に直列接続され、トータル遅延時間が前記所定周期よりも長い複数の遅延回路と、前記複数の遅延回路に対応して前記１本の配線に接続された複数の分割昇圧回路と、を含む。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモード入り後初期期間に周期が制御されたセルフリフレッシュパルスを生成することにより、リフレッシュフェイルを防止することが可能なセルフリフレッシュパルス生成回路を提供する。
【解決手段】セルフリフレッシュパルス生成回路は、セルフリフレッシュモード入り後初期期間の終了時点でレベルが遷移する制御信号を生成する制御信号生成部と、前記セルフリフレッシュモードにおいて、前記制御信号に応答して、周期が制御されたセルフリフレッシュパルスを生成するセルフリフレッシュパルス生成部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダミーマットの占有面積を縮小する。
【解決手段】半導体装置は、ビット線３２と、ビット線に接続された複数のメモリセル３１と、ダミービット線５２と、ダミービット線にソース及びドレインの一方が接続された複数のダミーセルトランジスタ５１と、ビット線とダミービット線との間に接続されたセンスアンプ３３とを有し、複数のダミーセルトランジスタの各々のソース及びドレインの他方は、フローティング状態にされるか、又はダミービット線に接続されている。 （もっと読む）

【課題】メモリにおけるピーク消費電力管理のためのメカニズムを提供する。
【解決手段】サブ・アレイ・ブロックを含むメモリ・ストレージ・アレイにおけるピーク電力を管理するためのメカニズムが、サブ・アレイ・ブロックの各々に対するワードライン信号の起動を互い違いにすることにより、読み出し動作及び書き込み動作と関連したピーク電流を削減することができる。具体的には、１つのサブ・アレイ・ブロックの読み出しワードライン信号が、別のサブ・アレイ・ブロックの書き込みワードライン信号と同時に１つの論理レベルから別の論理レベルに遷移しないように、各々のサブ・アレイ・ブロックに対してワードライン信号を生成することができる。さらに、ワードライン・ユニットは、所与のサブ・アレイ・ブロックの読み出しワードライン信号が、別のサブ・アレイ・ブロックの読み出しワードライン信号と同時に１つの論理レベルから別の論理レベルに遷移しないように、ワードライン信号を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】小規模な論理回路によって基準レイテンシとオフセットレイテンシを用いた演算を行う。
【解決手段】例えば、基準レイテンシＣＬの値を示す複数のビットＡ０〜Ａ３のそれぞれと、オフセットレイテンシＳＲＬの値を示す複数のビットＣ０〜Ｃ２のそれぞれと、を論理合成して複数の制御信号Ｅ０〜Ｅ３を生成する論理回路１００と、複数の制御信号Ｅ０〜Ｅ３をデコードして複数の制御信号ＵＬＰＣＬ４〜ＵＬＰＣＬ１５を生成する論理回路２００とを備える。本発明によれば、基準レイテンシＣＬの値とオフセットレイテンシＳＲＬの値をデコードする前に演算していることから、より小規模な論理回路によって調整レイテンシＵＬＰＣＬを算出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】メモリ書き込み時の消費電力を削減できるメモリ制御装置を提供する。
【解決手段】メモリ制御装置は、データバスを介してメモリ装置にデータをバースト転送するデータ出力バッファ回路３９０と、データのうちのメモリ装置内のメモリセルへの書き込みを禁止するデータを示すマスク信号をメモリ装置に出力するマスク信号出力バッファ回路１９０とを具備し、データ出力バッファ回路３９０は、マスク信号が書き込み禁止を示すときに出力ノードをハイインピーダンスにする。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ状態時における第１導電型のトランジスタでの劣化を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１導電型のトランジスタを含み縦列接続された複数の回路と、複数の回路の其々の入力端子のうち他の回路と接続された接続入力端子と接続し接続入力端子の電圧を制御するための制御信号の活性化に応じて、接続入力端子に、該接続入力端子から電圧を受け付ける回路内の第１導電型のトランジスタを非導通状態とする第１の電圧を供給する制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マルチバンク構成のメモリにおいて、選択バンクの読み出しデータを低面積、低電力、高速に出力可能な方法を提供する。
【解決手段】第１バス１２８に結合された第１トライステートデバイスにおいて、センスアンプの第１センスアウトプットおよび第２センスアウトプットを受け取ることと、第２バス１３０に結合された第２トライステートデバイスにおいて、センスアンプの第１センスアウトプットおよび第２センスアウトプットを受け取ることと、バス選択インプットに応じて第１バスまたは第２バスを駆動するために第１トライステートデバイスおよび第２トライステートデバイスの１つを選択的にアクティブにする。 （もっと読む）

【課題】オープンビット線方式における電源ノイズの影響を低減した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は，列方向に両側に延びる一対のビット線に接続するセンスアンプを列方向に直交する行方向に複数配置したセンスアンプ群が列方向に複数配置され，列方向に隣接するセンスアンプ群それぞれに接続される複数のビット線が互いに平行に配置され，列方向の両端に配置されたセンスアンプ群に接続された一対のビット線のうち列方向の両端側の複数のビット線にそれぞれ平行に配置された複数の未使用ビット線を有し，複数のワード線が行方向に配線され，複数のビット線及び複数の未使用ビット線と複数のワード線との交差位置にメモリセルが配置されたメモリセルアレイと，メモリセルアレイの列方向の一端に配置され，複数のセンスアンプ群に内部電源を内部電源線を介して供給する内部電源回路とを有し，未使用ビット線は内部電源配線に接続されている。 （もっと読む）