【課題】エナメル塗装面やクリア塗装面の劣化を抑制するように２μｍをこえる厚膜で塗膜する場合でも高度な光触媒分解活性を得ることの可能な光触媒塗装体および光触媒コーティング液を提供すること。
【解決手段】基材表面に光触媒層を備えた光触媒塗装体であって、前記光触媒層は、光触媒コーティング液を塗布後乾燥させることにより得られ、前記光触媒コーティング液は、光触媒性金属酸化物粒子と、親水性シリカ粒子と、硬化性シリコーンエマルジョンと、を備え、前記親水性シリカ粒子は疎水性基を有する物質により部分的に被覆或いは変性処理されていることを特徴とする光触媒塗装体。 （もっと読む）

【課題】基材の劣化を長期に亘り防止しながら、有害ガス分解性を発揮する建材を提供する。
【解決手段】基材と、該基材上に設けられる中間層と、該中間層上に設けられた光触媒層とを備えた窓サッシであって、前記光触媒層が紫外線で励起される金属酸化物よりなる光触媒粒子を含み、前記中間層が、耐候性樹脂と、ヒドロキシフェニルトリアジン化合物とを含んでなる、窓サッシであり、前記光触媒層が、紫外線で励起される金属酸化物からなる光触媒粒子とアミンとを含有する光触媒ゾルを含むコーティング液を塗布後乾燥することにより形成されてなる窓サッシ。 （もっと読む）

【課題】 基材の劣化を長期に亘り防止しながら、有害ガス分解性を発揮する建材を提供することを目的とする。
【解決手段】 この建材は、基材と、該基材上に設けられる中間層と、該中間層上に設けられた光触媒層とを備えてなる。光触媒層は紫外線で励起される金属酸化物よりなる光触媒粒子を含んでなる。中間層は、耐候性樹脂と、ヒドロキシフェニルトリアジン化合物とを含んでなる。本発明の建材は、好適には、太陽光に晒される利用形態で用いられる。 （もっと読む）

本発明は、シアノアクリレートエステルの製造方法に関する。本方法は、実質的にエステル交換反応に基づき、ここで、エステル交換反応を、少なくとも１種のヒドロキシル基を含有する支持物質と少なくとも１種の遷移金属アルコキシドとを反応させることにより形成させた少なくとも１種の遷移金属触媒の存在下で行う。 （もっと読む）

第三級ハロゲン化炭化水素を含有する流れにおける第三級ハロゲン化炭化水素を、ハロゲン化水素の放出とともに、対応する非ハロゲン化又は低ハロゲン化された不飽和炭化水素生成物に変換するためのプロセスは、第三級ハロゲン化炭化水素を反応帯域において収着剤型脱ハロゲン化水素触媒と接触させること、及び、必要な場合には、ストリッピング用ガスを反応帯域に通して、気相の反応生成物を反応帯域から除くことを伴う。第三級塩素化炭化水素不純物を１，３−ジクロロ−１−プロペンから除くためのプロセスは、１，３−ジクロロ−１−プロペン及び第三級塩素化炭化水素不純物を含有する混合物を、第三級塩素化炭化水素不純物を対応する非塩素化又は低塩素化された不飽和炭化水素及び塩化水素に変換することを触媒するために効果的な脱塩化水素触媒と接触させること、そして、１，３−ジクロロ−１−プロペンを蒸留して、精製ｃｉｓ−１，３−ジクロロ−１−プロペン画分及び精製ｔｒａｎｓ−１，３−ジクロロ−１−プロペン画分を分離及び回収することを伴う。
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本発明は、一酸化窒素（ＮＯ）および窒素酸化物（ｘ＞１であるＮＯx）をガス流から除去する方法であって、ＮＯの少なくとも一部をｘ＞１であるＮＯxに変換する触媒床と、ｘ＞１であるＮＯxを低減するユニットとを含むデバイスを提供し、ｘ＞１であるＮＯxを低減するユニットに入る前に、ガス流を触媒床に接触させる方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、平均径が１０〜１２０μｍの範囲にあり、ＢＥＴ表面積が４００〜８００ｍ^２／ｇの範囲にあり、気孔体積が０．３〜３．０ｃｍ^３／ｇの範囲にある、少なくとも一種の金属及び／又は半金属酸化物を含む球状ビーズであって、あるビーズのいずれの位置でのビーズ径も該ビーズの平均径から１０％以上相違することがなく、該ビーズの表面が実質的に平滑であることを特徴とするビーズと、これらの球状ビーズ製造方法、該球状ビーズを含む粒子状触媒、および該球状ビーズの触媒または触媒担体としての利用に関する。 （もっと読む）

【課題】活性が低下したチタニウムシリカ系触媒を再生してなるチタニウムシリカ系再生触媒を使用する場合でも、高いクロスフローろ過速度が得られるろ過方法を提供する。
【解決手段】予め、ろ過対象のチタニウムシリカ系再生触媒よりも平均粒子径が大きく、チタニウムシリカ系触媒が関与する化学反応に対して不活性である不活性物質を、クロスフローろ過器６のクロスフローろ過フィルタ６ａに堆積させておくことにより、粒子径が小さいチタニウムシリカ系再生触媒をろ過する場合のろ過速度が向上する。 （もっと読む）

【課題】水熱合成反応を抑制して、必要なガス流通量を増やすことなく、活性が低下したチタニウムシリカ系触媒の活性を容易に再生できる方法を提供する。
【解決手段】活性が低下したチタニウムシリカ系触媒に対して、流通量が再生対象のチタニウムシリカ系触媒１ｋｇに対して０．１〜５０ｍ³ ／時の範囲であるガス流通下で、チタニウムシリカ系触媒を１００〜２００℃の温度範囲にて乾燥させる工程と、乾燥させたチタニウムシリカ系触媒を２５０〜５００℃の温度範囲にて焼成する工程との２工程を実施することにより、チタニウムシリカ系触媒の活性を回復させて再生する。 （もっと読む）

【課題】チタノシリケート触媒を活性化する方法を提供すること。
【解決手段】Ti-MWW前駆体をカルボン酸もしくはカルボン酸塩と接触させることを特徴とするTi-MWW前駆体の活性化方法。 （もっと読む）