【課題】 汎用性が高く、低コストで省資源である方法で、任意の場所、任意の形状を持ち、導電性と透明性を両立したグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス膜は、レーザー照射により、様々な炭素材料基板もしくは炭素材料塗布基板から、それに対面して配置される様々な基板上に形成される。レーザーはアブレーション作用と黒鉛化作用を同時に担う。また、レーザーの相対的な走査により、任意の場所、任意の形状のグラフェン膜、グラファイト膜、もしくはアモルファス炭素膜が形成され、これら炭素膜からなる配線、電極、チャネルを備えた半導体装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の波長に対応した透過ガラスを有するＤＭＤユニットを選択可能とする。
【解決手段】複数波長のレーザ光を出射可能なレーザ発振器３１と、レーザ光の夫々の波長に対応する光学透過板４０で覆われた複数のＤＭＤユニット３７ａ，３７ｂと、複数のＤＭＤユニット３７ａ，３７ｂを搭載するスライドホルダ３６を有し、このスライドホルダ３６を移動させて所望のＤＭＤユニット３７ａ（又は３７ｂ）がレーザ光路上に配置されるように選択的に切替えるスライダ制御部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】欠陥修正装置において、均一な強度分布を有するレーザ光を基板に照射する。
【解決手段】レーザ光源７と、このレーザ光源７に接続された光ファイバ８と、この光ファイバ８により導光されたレーザ光を基板に照射する加工ヘッドと、を備える欠陥修正装置において、光ファイバ８を互いに異なる方向に蛇行させる複数のモードスクランブラ１１，１２と、レーザ光源７、光ファイバ８、加工ヘッド、及び、複数のモードスクランブラ１１，１２、を一体的に移動させる移動機構と、を備え、光ファイバ８には、加工ヘッド側の端部８ｂに一直線状に延びる直線部８ｃが形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】比較的膜厚の厚い金属支持体を有する半導体素子に対して歩留りおよびチップ収率の低下を伴うことなく、素子分割を行うことができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用基板上に半導体膜をエピタキシャル成長させる。次に半導体膜の表面に金属膜を積層して金属支持体を形成する。次に成長用基板を半導体膜から剥離する。次に成長用基板を剥離することによって表出した半導体膜を素子分割ラインに沿ってエッチングして半導体膜に金属支持体に達するストリート溝を形成する。次にストリート溝の底面において露出した金属支持体表面に素子分割ラインに沿ってレーザ光を照射して、金属支持体に断面形状が矩形又は台形である第１分割溝を形成する。次に第１分割溝の底面に素子分割ラインに沿ってレーザ光を照射して、金属支持体を貫通する第１分割溝の幅よりも狭い第２分割溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】表面に保護ウエーハが貼り合わされた貼り合わせウエーハをデバイスを損傷させることなく容易に分割可能な貼り合わせウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】デバイスウエーハ２表面に、保護ウエーハ１２が貼り合わされた貼り合わせウエーハ１４を、個々のデバイスに分割する貼り合わせウエーハの分割方法であって、保護ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該素子８と該電極１０との間に位置づけられた分割予定ライン４に照射し、該保護ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って第１変質層３２を形成する工程と、デバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射し、該デバイスウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って第２変質層３４を形成する工程と、これらの変質層が形成された該貼り合わせウエーハに外力を付与して第１及び第２変質層に沿って分割する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】改質領域の本数の増加を抑え、かつ、直進性に優れた分割を可能とする半導体ウェハを提供する。
【解決手段】半導体ウェハは、上面から下面に向かう複数の分割予定ライン３が設定され、分割予定ライン３により区画された複数のチップ領域２を有する半導体基板７を備えている。半導体基板７のうち、分割予定ライン３が設定された領域に引っ張り応力が印加されており、分割が容易になっている。 （もっと読む）

【課題】表面に保護ウエーハが貼り合わされたウエーハを容易に分割可能な貼り合わせウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】デバイスウエーハ２の表面に保護ウエーハ１２が貼り合わされた貼り合わせウエーハ１４を分割予定ライン４に沿って分割する貼り合わせウエーハの分割方法であって、保護ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを分割予定ラインに沿って電極を跨ぐように照射し、保護ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って２条の第１変質層３２を形成する工程と、デバイスウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを、保護ウエーハ内部に形成された２条の第１変質層の中間に対応する位置でデバイスウエーハの電極を避けて分割予定ラインに沿って照射し、内部に第２変質層３４を形成する工程と、このウエーハに外力を付与して該第１及び第２変質層に沿って貼り合わせウエーハを個々のチップに分割する分割工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】研磨に起因したシリコンウェーハの表面の局所的な凹凸欠陥を縮小または消滅でき、これによりデバイスの歩留まりを高めることが可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面を研磨後、ウェーハ表層のみを高エネルギ光の照射により溶融させる。これにより、研磨に起因して発生したシリコンウェーハの表面の局所的な凹凸欠陥を縮小または消滅させることができる。その結果、デバイスの歩留まりを高めることができる。 （もっと読む）

【課題】電極と配線部材との接合部の信頼性を確保することができる、配線接続された半導体素子形成基板およびそのレーザ接合方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成される基板５と、基板５上に形成される電極部材６と、基板５上の電極部材６以外の表面を覆う絶縁部材７と、絶縁部材７の上方に配置され、電極部材６同士を接続し、芯材２およびこの芯材２の周囲を被覆する低融点金属部材３を含む配線部材１とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板接合時に、基板間のボイド発生による不良を防止できる静電チャック及びこれを備えた基板接合装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック１５０は、一つの面の中央部が凸状に形成された弾性ホルダ１５２と、弾性ホルダ１５２が帯電するように弾性ホルダ１５２に結合された電極１５６と、弾性ホルダ１５２の他方の面を保持する支持部１５４とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）