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国際特許分類[B23K101/40]の内容

国際特許分類[B23K101/40]に分類される特許

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【課題】合わせガラスを切断する際の工程数を削減する。
【解決手段】マトリクス状に配置された複数のセルを区画するシーリング材5により張り合わされた第1ガラス基板G1と第2ガラス基板G2を含むディスプレイパネルのマザーガラス基板1を切断する方法が提供される。第1工程では、隣接するセルのシーリング材5の間隙に加工予定線L1を配置し、加工予定線L1に沿って、第1ガラス基板G1にレーザを照射し、第1ガラス基板G1にスクライブラインを形成する。第2工程では、加工予定線L1に沿って、第2ガラス基板G2にレーザを照射するとともに、レーザが照射される領域40の近傍を冷却し、第2ガラス基板G2を割断する。第2ガラス基板G2が割断する際に発生する応力がシーリング材5を介して第1ガラス基板G1に伝わることにより、第2ガラス基板G2の割断と実質的に同時に、第1ガラス基板G1をスクライブラインに沿って割断する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの接合時に形成される半田層の厚みを適度な厚みに容易に設定することができる半導体チップ位置決め治具ユニットを提供する。
【解決手段】半導体チップ位置決め治具ユニットにより半導体チップ12が位置決めされた後、半導体チップ12の接合が行われる。まず半田シート11が溶融されることにより、半田用の隙間に溶融状態の半田が流れ込んで第2の治具3が沈み込む。このときに、第2の治具3の規制部32が第1の治具2の上面に当接して第2の治具3の移動が止められる。次に、溶融された半田が冷却されて固まることにより、基板10の上面に半田層110が形成される。この半田層110の厚み110tは、基板10の上面から、半導体チップ12の接合前の半田シート11の上面までであり、半田層110が半導体チップ12と基板10との接合強度を適度な大きさに確保しつつ、適度な熱伝導性を有する厚みである。 (もっと読む)


【課題】被処理対象物が大面積であっても可能な設備や、プロセスと共に、大幅なコスト削減が可能なレーザーによる被処理対象物の処理装置及びその処理方法の開発。
【解決手段】複数のローラーを有する被処理対象物搬送用ローラー搬送手段と、被処理対象物を処理するためのレーザー加工装置とからなり、レーザー加工装置が、レーザー発振器とオートフォーカス機構とを有し、レーザー発振器にオートフォーカス機構が接続されて、レーザー発振器から発振されるレーザービームをオートフォーカス機構を介して被処理対象物の表面へ照射せしめて処理できるように構成されていること。この製造装置を用いて被処理対象物を処理する。 (もっと読む)


【課題】レーザ加工時のデブリによる悪影響を防止するためのレーザ加工前の保護膜の形成工程およびレーザ加工後の保護膜の除去工程に要する時間を短縮して、品質を確保しながら製造速度の高速化を図る。
【解決手段】レーザ加工前にウェーハ1の表面に水溶性樹脂Pを塗布して保護膜P1を形成する際、塗布した樹脂Pに温風を吹き付けて樹脂Pの硬化を速める。また、レーザ加工後に保護膜P1を除去して洗浄する際には、洗浄水を温水に加熱して保護膜P1に供給し除去作用を促進させ、保護膜P1の除去後には、ウェーハ1に温風を吹き付けて乾燥を速める。 (もっと読む)


【課題】サファイア基板のような透明体基板を分割できるだけの加工溝を確実に形成しつつ、チップ断面の溶融層を低減させて品質の低下を最小限に抑える。
【解決手段】ウエーハ1のストリート4に対して加工溝210が形成される加工領域Gと加工溝210より浅い浅溝211が形成される加工起点領域Hとを交互に設定し、ストリート4に沿ってレーザビームの照射点Pを走査させて加工溝210と浅溝211とを連続的に形成するようにした。 (もっと読む)


【解決手段】 レーザ加工装置1は、レーザ光Lを発振するレーザ発振器2と、高圧の液体を供給する液体供給手段14と、上記液体を液柱Wにして噴射するとともに該液柱Wにレーザ光を導光して被加工物Pに照射する加工ヘッド3と、上記加工ヘッド3と被加工物Pとを相対移動させる移動手段としての加工テーブル5とを備えている。
上記レーザ発振器2が発振したレーザ光Lは、上記ビームホモジナイザ7を透過してから、上記噴射ノズル12より噴射される液柱Wに導光され、該液柱Wを導光路として上記被加工物Pに照射されるようになっている。
【効果】 光起電用パネルを構成する薄膜にレーザ光を照射しても、発電に寄与しない熱影響部分の形成される範囲を小さくするとともに、分割溝の幅を狭くすることが可能である。 (もっと読む)


【課題】基板表面に凹凸がある場合でも、基板を損傷することなく10μm以下の微細なパターンを容易に修正することが可能なパターン修正方法を提供する。
【解決手段】このパターン修正方法では、配線2のオープン欠陥部2aに応じた形状の貫通孔3aをフィルム3に形成し、貫通孔3aを覆うようにして修正ペースト4を供給し、フィルム3の裏面と基板1とを隙間を開けて対峙させ、フィルム3の表面に気体を噴射して貫通孔3aを基板1に接触させ、貫通孔2aを介して修正ペースト4をオープン欠陥部2aに塗布し、気体の噴射を停止してフィルム3を基板1から剥離させる。したがって、基板1の表面に凹凸がある場合でも、基板1を局部的に強く押圧することなく修正ペースト4を塗布できる。 (もっと読む)


【課題】発塵や変形などの、ガラス物体の外側への影響がないように、ガラス物体の内部の任意の範囲を改質して強化する。
【解決手段】クラック修正装置100は、超短パルスレーザ光を射出するレーザーユニット102と、レーザ光をガラス基板1の内部に集光する集光光学系104を備える。クラック修正装置100は、レーザ光を照射すべき照射範囲2が決定すると、集光光学系104の焦点が照射範囲2に位置するように、集光光学系104とガラス基板1との相対位置を制御する。レーザーユニット102は、照射範囲2においてガラス基板1の内部が溶融するように、上記のようにして相対位置が制御された状態で、レーザ光を照射する。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウエハの回路面側にダイシングシートを貼付し、シート側からの短波長のレーザー光照射によりウエハを回路毎に個片化し、半導体チップを作成する際に使用されるレーザーダイシングシートを提供すること。
【解決手段】 本発明に係るレーザーダイシングシートは、基材と、その片面に形成された粘着剤層とからなるレーザーダイシングシートであって、300〜400nmの波長領域における全光線透過率が60%以上であり、ヘイズが20%以下であり、光学くしの幅が0.25mmにおける透過鮮明度が30以上であることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】レーザーダイシングにより半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断でき、かつ、レーザーダイシング後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと容易に剥離できるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。
【解決手段】レーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープであって、ダイボンディングフィルム3と、ダイボンディングフィルム3の一方面3aに貼付された非粘着フィルム4とを有し、ダイボンディングフィルム3が、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、非粘着フィルム4は、樹脂組成物の架橋体を主成分として含み、25℃における貯蔵弾性率が1〜1000MPaの範囲にあり、かつ60℃における貯蔵弾性率が1MPa以上であるダイシング−ダイボンディングテープ。 (もっと読む)


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