【課題】前段のプロセスでレーザ光により基板に形成したパターンと、後段のプロセスでレーザ光によりこの基板に形成するパターンとが接触や間隔ずれを起こさないようにする。
【解決手段】基板（Ｋ）とレーザ光（ｂ２）とを相対駆動することで基板（Ｋ）に所定のパターンを加工形成するレーザ加工方法であって、前段のプロセスで基板（Ｋ）に形成された第１パターン（ＬＡ１）の形状を特定するデータを倣元線データ（Ｄ２）として取得する倣元線データ取得ステップ（Ｓ２００）と、倣元線データ（Ｄ２）に基づいて、後段のプロセスでレーザ光（ｂ２）が辿る軌跡が第１パターン（ＬＡ１）の形状に倣う形状となるように、基板（Ｋ）とレーザ光（ｂ２）とを相対駆動して第２パターン（Ｌ１）を形成する第２パターン形成ステップ（Ｓ３００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】はんだボールのリフロー工程を効率的に行うことができ、はんだボールのリフロー工程を行う際に処理速度を向上させることができるリフロー装置及びリフロー方法を提供する。
【解決手段】被処理体に提供されたはんだボールをリフローする装置において、電源と、前記電源から電流が印加されて前記被処理体を加熱するコイルと、前記コイルの前方又は後方に提供され、前記被処理体を支持する支持部材と、前記被処理体が、前記コイルによって囲まれて提供される内部空間を貫通して通過するように前記被処理体又は前記コイルを相対移動させる移動部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】構造体に損傷を与えることなく犠牲層を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上に犠牲層１２が形成され、この犠牲層１２の上に形成された半導体層１３が形成されたＳＯＩ基板１０において、半導体層１３を貫通した開口部１５により構成された可動部２０および固定部３０と開口部１５とを含んだ犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２に焦点を合わせてレーザ光を照射する。これにより、犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２を多孔質化する。そして、犠牲層１２を多孔質化した後、開口部１５からエッチング媒体を導入し、多孔質化した犠牲層１２をエッチングして除去する。これにより、支持基板１１に対して可動部２０の梁部２４等を浮遊させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板とハンドル基板との貼り合わせに際し、熱膨張率の違いによる基板破損が生じず、かつ転写される半導体薄膜に未転写部が生じない貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面５からイオンを注入してイオン注入層２を形成する工程、前記ハンドル基板３の前記表面、および、前記イオンを注入した半導体基板１の前記表面５の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、前記半導体基板１の前記表面５と前記ハンドル基板３の前記表面とを５０℃以上４００℃以下で貼り合わせる工程、前記貼り合わせた基板に、最高温度として２００℃以上４００℃以下の熱処理を加え、接合体６を得る工程、前記接合体６のハンドル基板側または半導体基板側から前記半導体基板のイオン注入層２に向けて可視光を照射して前記イオン注入層２の界面を脆化し、前記半導体薄膜４を転写する。 （もっと読む）

【課題】マスクと基板との位置合わせの時間を短縮できる装置を提供する。
【解決手段】ボール搭載装置２は、マスク１０に設けられたマスク側の基準マーク１５ａと基板１００に設けられた基板側の基準マーク１０５ａを観察するための観察用カメラ５０ａと、マスク１０に設けられたマスク側の基準マーク１５ｂと基板１００に設けられた基板側の基準マーク１０５ｂを観察するための観察用カメラ５０ｂとを有する。観察用カメラ５０ａは、マスク１０の複数の開口１２から離れた位置に設けられた観察用窓１７ａを介して基板側の基準マーク１０５ａを観察する。観察用カメラ５０ｂは、マスク１０の複数の開口１２から離れた位置に設けられた観察用窓１７ｂを介して基板側の基準マーク１０５ｂを観察する。 （もっと読む）

【課題】レーザビームを透過する搬送中の基板に対して、基板の一方の面に形成された被加工層を他方の面側からレーザビームを照射して加工する際の加工精度の向上を図る。
【解決手段】基板１の一方の面に形成された被加工層２に他方の面側からビーム３を照射して加工するビーム加工装置である。基板１の搬送中に基板１の移動に同期してビーム３を照射するヘッド１０を移動することで、基板１の搬送を停止することなく被加工層２を加工する。この際にヘッド１０から照射するビーム３は、基板１に対して直角に照射される。しがたがって、ガルバノミラーでビームをスキャンした場合のように基板１に斜めに照射されることがなく、より精密な加工ができる。 （もっと読む）

【課題】インゴットの切断代を縮小することができるインゴット切断方法を提供する。
【解決手段】このインゴット切断方法では、インゴット１に集光点Ｐを合わせ、切断予定面５に沿う方向をレーザ光入射方向としてレーザ光Ｌを照射することで、インゴット１内部に改質領域７を切断予定面５に沿って形成する。その後、エッチング処理を施してエッチングを改質領域７に沿って進行させることで、インゴットを切断予定面に沿って切断する。ここで、上記のように切断予定面５に沿う方向をレーザ光入射方向とすると、切断予定面５に垂直な方向に改質領域７が広がるのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された膜を除去するレーザ加工において、デブリ及び膜が残留することを回避する。
【解決手段】レーザ加工装置１０は、２個のレーザ光源１２、１４と、２本の導光ファイバ１６、１８及び矩形状光ファイバ２４、２６とを備える。レーザ光源１２から出射されるレーザ光Ｌ１は、好適には高パルス且つ低エネルギに設定され、一方、レーザ光源１２から出射されるレーザ光Ｌ２は、低パルス且つ高エネルギに設定される。ワークＷの加工部位に対しては、レーザ光Ｌ１が先に照射され、該レーザ光Ｌ１が通過して所定時間が経過した後、好ましくは０．００５〜０．５秒が経過した後にレーザ光Ｌ２が照射される。 （もっと読む）

【課題】レーザリペア装置が高速に欠陥を修理することを可能とする。
【解決手段】ＣＣＤカメラ１１１がガラス基板１０２を撮像して画像データを生成する。制御部１１２は画像データに基づいて、ガラス基板１０２上の欠陥の外形を抽出する。また、制御部１１２は、レーザ発振器１０３から出射されたレーザ光がガラス基板１０２上に照射される範囲が、欠陥の外形とその外形に外接する外接矩形との複数の接点のうち少なくとも１つを含むように、ガラス基板１０２上にレーザ光を照射する位置を決定する。制御部１１２は、決定した位置と上記範囲とに基づいて欠陥の外形を狭めながら、上記の決定を繰り返す。そして、レーザリペア装置１００は、繰り返しにより決定した複数の位置に、光学系を介してレーザ発振器１０３からのレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの接合の信頼性の向上。
【解決手段】カートリッジ１１と、カートリッジ１１を搬送する搬送装置と、カートリッジ１１を保持する下側ステージと、下側ステージがカートリッジ１１を保持するときにカートリッジ１１に載せられるウェハ５０−１に対向する上側ステージと、上側ステージと下側ステージとを接近させる圧接機構とを備えている。上側ステージに保持される上側ウェハ５０−１は、上側ステージに直接に接触する。このような常温接合装置１は、搬送装置がウェハ５０−１に直接に接触することなく、ウェハ５０−１を搬送することができる。このような常温接合装置は、ウェハ５０−１が下側ステージに直接に接触することなく、ウェハ５０−１を下側ステージに保持させることができる。この結果、このような常温接合装置は、接合されるウェハ５０−１の汚染を防止することができる。 （もっと読む）