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国際特許分類[B23K101/40]の内容

国際特許分類[B23K101/40]に分類される特許

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【課題】必要な部分のみを照射することで設備の小型化かつ安価を実現でき、生産性の高い結晶化処理が可能な半導体の結晶化照射方法および結晶化照射装置を提供する。
【解決手段】レーザ発振器1から出射したレーザビームLを回折光学素子3により複数に分岐し、テレセントリックfθレンズ4と、分岐されたレーザビームLのビーム列に対して直交する方向に移動する移載ステージ6とを使用して、基板5上に形成されるトランジスタ位置のピッチごとにレーザビームLを照射する。これにより、照射痕が少なく、プロセスパラメータの変更が少なく、かつ基板5への熱負荷が少ない状態で、複数のトランジスタ位置を同時にかつ均一に結晶化することができる。 (もっと読む)


【課題】 ウエーハに保護膜を均一に被覆することが可能な保護膜の被覆方法を提供することである。
【解決手段】 ウエーハの加工面に水溶性樹脂からなる保護膜を被覆する保護膜の被覆方法であって、ウエーハを保持する保持面を有する保持テーブルで、ウエーハの非加工面側を該保持面に対向させてウエーハを保持するウエーハ保持ステップと、ウエーハの加工面に紫外線を照射してオゾンを生成するとともに活性酸素を生成して、該加工面に親水性を付与する親水性付与ステップと、親水性が付与された該加工面に水溶性樹脂を塗布して保護膜を被覆する保護膜被覆ステップと、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウエーハからデバイスを分割するのに半導体ウエーハの裏面の研削を不要とする半導体ウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 半導体ウエーハの加工方法であって、デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの半導体ウエーハの全領域に剥離層を形成して、該半導体ウエーハをデバイスが形成されるデバイス形成基板と該デバイス形成基板を補強する補強基板との2層構造にする剥離層形成工程と、該デバイス形成基板の上面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスを形成するデバイス形成工程と、該デバイス形成基板の上面に形成された分割予定ラインに沿って少なくとも剥離層に至る深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、該デバイス形成基板の上面に保持部材を貼着する保持部材貼着工程と、該補強基板に外的刺激を付与して該剥離層を破壊し、該デバイス形成基板から該補強基板を剥離する補強基板剥離工程と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 偏光面が相互に直交するレーザビームを偏光ビームスプリッタを用いて合成した場合には、戻り光を遮断する構成を適用することが困難である。
【解決手段】 複数のレーザダイオードアレイの各々が、長軸方向に長いビーム断面を持つレーザビームを出射する。レーザダイオードアレイから出射されたレーザビームの各々が、第1の方向に向かって伝搬し、かつビーム断面の長軸方向同士が平行になり、かつ該長軸に直交する短軸方向に配列し、各レーザビームの偏光面が揃うように、再配置光学系がレーザビームを再配置する。ステージが対象物を保持する。再配置された複数のレーザビームが、ステージに保持された対象物の表面で重なり合う。再配置されたレーザビームの経路内に、レーザビームを透過させるか、または反射させる姿勢で、偏光ビームスプリッタが配置されている。再配置光学系から見て偏光ビームスプリッタよりも後ろ側に1/4波長板が配置されている。 (もっと読む)


【課題】金属部材とセラミッ部材との信頼性の高い接合が可能で、かつセラミック部材にクラックが発生することのない接合構造体、及びそのような接合構造体を備えた高信頼性の半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】金属からなる第1の部材11と、この第1の部材11に接合される、表面に金属層12aを有するセラミックからなる第2の部材12と、第1の部材11上から第2の部材12の金属層12a上に跨って配置される金属からなる第3の部材13と、第1の部材11および第2の部材12の金属層12aと、第3の部材13との間に配置されるろう材14と、第3の部材13の周囲にろう材14により形成されるフィレット15,16とを具備し、第3の部材13は、第1の部材12と対向する部分にのみろう材14の溜まり部となる面取部17を備える接合構造体、及びこのような接合構造体を有する半導体素子収納用パッケージ。 (もっと読む)


【課題】所望の形状に基板を変形でき且つ固定できる基板固定装置を提供する。
【解決手段】吸引孔12が形成された基板支持面15を覆うように載置板2を取り付けるとともに、吸引孔12が連通する減圧室11a〜11cを負圧にする真空ポンプPを設ける。そして、調整弁Va〜Vcの開度を調整することによって、減圧室11a〜11c内を異なる負圧とし、吸引孔12の吸引力を部分的に異なるものとして、基板を変形させた状態で載置板2上に吸着固定する。ここで、所望形状に滑らかに基板を変形させる観点からは、前記弾性多孔質部材の厚みは0.1mm〜5mmの範囲であるのが好ましい。また、前記弾性多孔質部材の弾性率は10〜25N/mmの範囲であるのが好ましい。さらに、前記弾性多孔質部材の気孔率は20〜50%の範囲であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】パワーデバイス用冷却器1における底板4の反りを低減する。
【解決手段】冷却器底板4、放熱フィン5、冷却器天板3、パワーデバイス用基板(DBA基板)2をロウ材と共に積層し、加熱して、ロウ付けにより接合する。ここにおいて、予め、冷却器底板4の底面に該底面と直角な方向の深さを有する複数の窪み10を形成しておく。そして、ロウ付け工程において、ロウ硬化が始まる前に、治具ベース台11に支持された複数の係止治具12を、それぞれ、前記複数の窪み10に対し深さ方向に突入させ、冷却器底板4の、底面と平行な方向の動き(熱収縮)を規制する。 (もっと読む)


【課題】異種材料、例えば光アイソレータを製造する際の半導体製基板と磁気光学材料等の材料との間のクラック発生を解消した異種材料接合体を提供する。
【解決手段】半導体材料から成る基板と、前記基板と材質の異なる異種材料とを接合して成る異種材料接合体であって、前記基板又は前記異種材料の表面上に、離間部を有して複数の分割島状接合部が配置されることを特徴とする異種材料接合体。 (もっと読む)


【課題】 被加工物をレーザにより加工する場合に加工装置から発生する熱による影響によりレーザ光の照射位置が変化しても、加工位置の補正を高精度に行なうことが可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ光を照射して被加工物を加工する加工装置に、第1カメラおよび第2カメラを設けその加工工程において、夫々のカメラにてレーザ加工前にレーザ照射しそのスポット位置を確認し位置補正する工程を設けた。
【効果】 レーザ加工中に発生する熱によりレーザ加工装置の熱膨張等によりレーザ照射位置が変化しても、加工前に被加工物や別置のダミー加工物にレーザ照射しその位置を第1カメラおよび第2カメラにより確認して位置補正を行なうことができるので、レーザ加工の位置精度を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】バンプの凝固を検出する精度を高めることにより、バンプの接合品質を向上できる、電子部品製造装置等を提供する。
【解決手段】本発明の電子部品製造装置10は、液状のバンプ11を半導体チップ12と実装基板13とで挟んだ状態で半導体チップ12と実装基板13との重なり合う方向での位置を保持する位置保持手段20と、半導体チップ12と実装基板13とに挟まれたバンプ11の凝固による力fを測定する電力測定器14と、電力測定器14によって測定された力fに基づき位置保持手段20による位置の保持を解放する制御部30と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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