【課題】裏面に第２の半導体デバイスを接合したウエーハを、ストリートに沿って切削ブレードによって切削してもチッピングが生じないウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】表面２ａに複数の第１のデバイス２２が形成されたウエーハ２の裏面に第２の半導体デバイス２２０を接合した積層ウエーハ２２２を、第１の半導体デバイス２２を区画するストリート２１に沿って分割するウエーハの加工方法であって、第１のデバイス２２が形成されたウエーハ２の裏面に紫外線を照射すると固化し温水によって除去可能な液状樹脂を被覆して第２の半導体デバイス２２０を埋没させる樹脂被覆工程と、液状樹脂に紫外線を照射して固化する樹脂固化工程と、積層ウエーハ２２２の第１のデバイス２２が形成されたウエーハ２をストリート２１に沿って切削ブレードによって切断する切断工程と、温水に浸漬して樹脂を膨潤させて除去する樹脂除去工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】相対的に面積が大きい方にも僅かに膨張する膨張分を考慮し、ウエーハに形成されたストリートに沿って品質上影響を及ぼすことなく効率よくレーザー加工することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。
【解決手段】面積が最も大きい中央領域のレーザー加工が最後になるように被加工用ウエーハをストリートに沿ってレーザー加工するレーザー加工方法であって、予めゲージ用ウエーハに対して被加工用ウエーハに形成されたストリートに対応する加工領域に所定本数の加工領域毎に第１のレーザー加工工程および第２のレーザー加工工程を実施して所定本数の加工領域毎にゲージ用ウエーハのＹ軸方向における中心側のズレ量を検出することにより所定本数の加工領域毎に補正データを作成し、被加工用ウエーハに対して第１のレーザー加工工程および第２のレーザー加工工程を実施する際に、所定本数のストリートに沿ってレーザー加工を実施する毎に、補正データに基づいて割り出し送り量を補正する。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工中に発生する加工分解物（デブリス）による表面汚染を回避する。
【解決手段】ＸＹステージ１の移動方向に平行に配置された２対のガスポート２１〜２４をレーザ光の光軸方向に積み上げる。下層側のガスポート２１、２２よりガスをレーザ光の加工点に向けて噴出させ、上層側のガスポート２３、２４のうちのステージ進行側のガスポート２４にガスを吸引し、これに対向するガスポート２３は、加工点に対してガスを噴出する。加工対象物の表面に形成される高圧部をＸＹステージ１の移動方向にシフトさせ、レーザ加工で生じるデブリスを高圧部の壁を利用して吸引回収する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子用結晶を含む薄層を、レーザ照射を用いて成長基板から剥離する半導体素子の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の主面に半導体素子用結晶が形成された成長基板にレーザ光を照射して前記半導体素子用結晶または前記成長基板の内部の所定位置に前記レーザ光を集光し、前記第１の主面に対して平行な方向に前記レーザ光を移動し、前記半導体素子用結晶を含む薄層を前記成長基板から剥離する工程を備え、前記レーザ光の波長は、前記レーザ光を内部に集光させる前記半導体素子用結晶または前記成長基板の吸収端波長よりも長いことを特徴とする半導体素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】メタライズ膜とセラミック枠体の接合強度が高いと共に、セラミック枠体の反りの発生を防止でき、メタライズ膜とＮｉめっき被膜の界面強度が高く、接合体の接合信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】ヒートシンク板１１と、セラミック枠体１２と、外部接続端子１３を有する高放熱型電子部品収納用パッケージ１０において、ヒートシンク板１１と外部接続端子１３に接合するセラミック枠体１２の当接部分に設けられるメタライズ膜１４が第１と第２のメタライズ膜１４ａ、１４ｂの２層構造からなり、セラミック枠体１２に設けられる第１のメタライズ膜１４ａがＷ、Ｍｏ、又はこれらの両方を含む高融点金属にセラミック枠体１２を構成するセラミック粉末を含有してなり、この上面に設けられる第２のメタライズ膜１４ｂがセラミック粉末を含有しない高融点金属からなる。 （もっと読む）

【課題】フィルム状にしたときの埋込性に十分に優れるとともに、接続信頼性に優れる半導体装置の作製を可能な接着剤組成物、それを用いた回路部材接続用接着剤シート、及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、（Ａ）熱可塑性樹脂と、（Ｂ）熱硬化性樹脂と、（Ｃ）潜在性硬化剤と、（Ｄ）無機フィラーと、（Ｅ）有機微粒子と、（Ｆ）室温で固体であり、最大粒径が２５μｍ以下である粉体化合物とを含み、（Ｆ）成分は、カルボキシル基を有する化合物、メチロール基を有する化合物及びヒドラジド化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物である接着剤組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】 高品質の加工を行う。
【解決手段】 レーザビームを出射するレーザ出射装置と、レーザ出射装置を出射したレーザビームが入射する加工対象物を保持するステージと、ステージに保持された加工対象物の、レーザビームが入射する位置の温度を測定する温度測定装置と、温度測定装置によって測定された加工対象物の温度が、（ｉ）第１の温度範囲にある場合には、ステージに保持された加工対象物に入射するレーザビームの照射エネルギを変化させず、（ｉｉ）第１の温度範囲にない場合には、ステージに保持された加工対象物の、レーザビームが入射する位置の温度が第１の温度範囲内の温度となるように、レーザ出射装置を制御して、ステージに保持された加工対象物に入射するレーザビームの照射エネルギを変化させる制御装置とを有するレーザ照射装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】接合材料の主成分であるＢｉは、延性が低いことから、パワー半導体素子とリードフレームとの間の接合部の接合材料に用い、ヒートサイクルによる繰り返し応力が加わると、モールド樹脂と接合部との界面で剥離が発生しやすくなる。
【解決手段】接合構造体２００は、半導体素子１０１と、半導体素子１０１に対向して配置される電極１０３と、半導体素子１０１の裏面電極２０１に対向する側の表面のバリア層２０４と、半導体素子１０１と電極１０３とを接続するＢｉを主成分とする接合材料からなる接合部１０５とを有し、半導体素子１０１、バリア層２０４、電極１０３及び接合部１０５の外周をモールド樹脂２０６により封止されている接合構造体２００であって、接合材料が有機物由来の官能基２０７を含有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 抗折強度の高いデバイスを得ることのできるレーザ加工装置を提供することである。
【解決手段】 レーザ加工装置のレーザビーム照射ユニットは、第１及び第２のレーザビーム発生ユニットと、集光器と、第１及び第２のレーザビーム発生ユニットが発生したレーザビームを集光器に導く光学系とを含んでいる。光学系は、第１のレーザビームを透過し、第２のレーザビームを反射する偏光ビームスプリッタを含んでおり、偏光ビームスプリッタを透過した第１のレーザビーム及び偏光ビームスプリッタで反射された第２のレーザビームは集光器により半導体ウエーハ上に集光される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成によって、薄い被加熱物に対して減圧雰囲気中でリフローを行うことを可能とする。
【解決手段】搬送治具（微粘着フィルム２１、内周リング２２および外周リング２３）に支持されたウエハＷがチャンバ３内に搬送される。ウエハＷが下降され、微粘着フィルム２１がヒータプレート７の加熱面に対して密着される。蓋８が下降され、弾性体４１の端面によって、微粘着フィルム２１が加熱面に対して押し付けられる。最初の加熱およびプリヒート時には、蓋８の内側に気密な空間に窒素ガスが充填される。さらに、蓋８の内側の空間が排気され、ほぼ真空雰囲気とされ、ヒータプレート７によって加熱される。 （もっと読む）