【課題】レーザ加工におけるタクトタイムを短縮化し、且つ改質領域を精度よく形成することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】切断予定ライン５に沿って互いに離れた集光位置Ｐ１〜Ｐ２にレーザ光Ｌ１〜Ｌ３を同時集光させる集光工程を繰り返しながら、レーザ光Ｌ１〜Ｌ３を切断予定ライン５に沿って相対移動させる。これにより、複数の改質スポットＳを切断予定ライン５に沿って形成し、これらの複数の改質スポットＳによって改質領域７を形成する。ここで、繰り返される集光工程における集光位置Ｐ１〜Ｐ３は、互いに重畳せず、また、後段の集光工程における集光位置Ｐ２１〜Ｐ２３のうち少なくとも１つは、前段の集光工程における集光位置Ｐ１１〜Ｐ１３間に位置されている。 （もっと読む）

【課題】溶融はんだ液循環噴流式自動はんだ付装置および方法において、フラックスや酸化銅など不純物が経時的に混入蓄積することを防止することにより、極狭リードピッチ部のオーバーボリュームの問題等を解決し、更に劣化したはんだを頻繁に廃棄することに伴う経済的不効率を改善する装置を提供する。
【解決手段】溶融はんだを電子部品５の電極パッドまたはリード表面に、ノズル４、１４から有機脂肪酸溶液８と、溶融はんだ１を噴流状に吹きつけてはんだ皮膜を形成させた後、溢流する該有機脂肪酸溶液と該溶融はんだを撹拌器９に移送し、該撹拌器内部において激しく撹拌混合することにより、該溢流液中に混入した酸化銅とフラックス成分およびそれらの反応生成物、酸化不純物などを該有機脂肪酸溶液中に取り込ませて清浄化し、循環使用することにより、該溶融はんだ液中に銅が蓄積されることを防止し、安定したはんだ接合を長期継続的に行う。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接続材料として、Al系合金層１０２がZn系合金層１０１によって挟持されたクラッド材による接続材料を用いる。クラッド材にはZn-Al合金１０３が存在するが、Zn-Al合金１０３の割合は全体の４０％以下とする。また、Zn合金層１０１の平均結晶粒径は0.85μm 以上、50μm以下である。このようなクラッド材を用いて接続することによって接続部のボイド率を１０％以下に抑えることが出来る。また、半導体とフレームあるいは基板との濡れ性も確保できる。したがって、接続部の高い信頼性を確保することが出来る。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工装置に堆積した粉塵が舞い上がって被加工基板に付着することを防止すること。
【解決手段】レーザ加工装置は、基板と、基板に設けられた薄膜とを有する被加工基板６０をレーザ加工するために用いられる。レーザ加工装置は、被加工基板６０を保持する保持部１０と、薄膜にレーザ光Ｌを照射するレーザ発振器２０と、保持部１０で保持された被加工基板６０の薄膜側に設けられ、薄膜から発生する粉塵を回収する粉塵回収部材１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＤＡＦがダイシングテープに溶着することのないレーザビームを使用したウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 裏面にダイシングテープで支持されたダイアタッチフィルムが配設されたウエーハの加工方法であって、第１の方向に伸長する第１分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、チャックテーブルとレーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして第１分割予定ラインに沿ってウエーハとダイアタッチフィルムとを分割する第１の分割工程と、第１分割予定ラインと直交する第２分割予定ラインにレーザビームを位置づけて照射するとともに、チャックテーブルとレーザビーム照射手段とを相対的に加工送りして第２分割予定ラインに沿ってウエーハとダイアタッチフィルムとを分割する第２の分割工程とを具備し、第１の分割工程又は第２の分割工程の何れか一方において、第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとの交差点においてレーザビームのエネルギーを低減させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱ストレスに強く、スパッタを発生させることなく大きな接合面積を確保することができる接合構造及び接合方法を提供すること。
【解決手段】パワー半導体素子１３に備わる放熱ブロック１４に対して配線テープ１８を接合している接合部２０において、放熱ブロック１４と配線テープ１８が、拡散接合部材３１ａによって接合されている拡散接合部３０と、放熱ブロック１４と配線テープ１８とが溶融接合された溶融接合部４０と、を備え、拡散接合部４０を囲むように溶融接合部４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】生産コストを低減し、高精度に基板を分割し得る基板分割装置、及び電子部品の製造方法を提供を提供する。
【解決手段】発明に係る基板分割装置は、第１〜第３の押圧部３１〜３３を備え、張設されたフィルム２に貼着された基板１を、この基板１に形成された分割溝１２に従って、電子部品の個片に分割する。第１の押圧部３１は、分割溝１２に従って基板１を押圧する。また、第２及び第３の押圧部３２，３３は、それぞれ、分割溝１２を挟んだ両側の等距離ｄの位置Ｓ２，Ｓ３において、第１の押圧部３１の押圧方向の反対方向に、分割溝１２に沿って基板１を同時に同一圧力Ｐ２，Ｐ３で押圧する。これにより、分割溝１２を支点として基板１を折り曲げ、分割溝１２を中心とする両側に、バランスの取れた均一な圧力が加わることになる。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダに塵埃をなるべく付着させないような技術が求められている。
【解決手段】複数の半導体基板を接合して製造される半導体デバイスの製造方法であって、重ね合わされた複数の半導体基板を加熱して接合する接合ステップと、接合ステップにより接合された複数の半導体基板を冷却室で冷却する冷却ステップと、接合ステップに先立って複数の半導体基板を冷却室に載置し、複数の半導体基板の温度と冷却室の温度差によって生じる熱泳動により複数の半導体基板に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】溶接ムラを防止し、溶接不良が生じ難い抵抗溶接方法、抵抗溶接用電極及びキャップ構造を提供する。
【解決手段】抵抗溶接方法は、ステージ5の凹部51に半導体素子41を搭載したステム4をセットする。一方、キャップ3の頭部31にワッシャ2を装着する。次いで、ワッシャ2から突出する頭部31を電極1の穴14に挿入し、電極1の先端面13をワッシャ2の上面と接触させた状態で、電極片11の外側からクランプして、電極1でキャップ3を把持する。次に、電極1を移動し、穴14から露出するキャップ3のフランジ部35をステム4に当接させた状態で調芯を行い、フランジ部35をステム4に位置合わせする。そして、電極1の先端面13とフランジ部35との間にワッシャ2を介在させた状態で、電極1からワッシャ2、フランジ部35、ステム4、ステージ5に電流を流して、キャップ3とステム4とを溶接する。 （もっと読む）

【課題】基板接合過程において、加熱される接合基板の温度分布の均一化を図る。
【解決手段】複数の基板を挟んだ一対の基板ホルダを保持する保持部と、保持部に保持された一対の基板ホルダを誘導加熱する誘導加熱部とを備える加熱装置が提供される。加熱装置は、一対の基板ホルダを備え、一対の基板ホルダの少なくとも一方は、誘導加熱部からの磁場により渦電流を生じる導電部材が配される。一対の基板ホルダの少なくとも一方は、導電部材に供給される電圧により基板を静電吸着する。 （もっと読む）