【課題】 被加工物をレーザにより加工する場合に加工装置から発生する熱による影響によりレーザ光の照射位置が変化しても、加工位置の補正を高精度に行なうことが可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ光を照射して被加工物を加工する加工装置に、第１カメラおよび第２カメラを設けその加工工程において、夫々のカメラにてレーザ加工前にレーザ照射しそのスポット位置を確認し位置補正する工程を設けた。
【効果】 レーザ加工中に発生する熱によりレーザ加工装置の熱膨張等によりレーザ照射位置が変化しても、加工前に被加工物や別置のダミー加工物にレーザ照射しその位置を第１カメラおよび第２カメラにより確認して位置補正を行なうことができるので、レーザ加工の位置精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハーなどの脆性基板をレーザで割断する従来の方法では、加工に用いる装置が複雑化、大型化するという課題があった。
【解決手段】半導体ウェハー１のストリート２に波長が紫外域以下の第１のレーザを照射してスクライブ溝を形成しながら半導体ウェハー１を加工位置に従って相対移動し、この相対移動中にスクライブ溝に沿って半導体ウェハー１の内部に焦点を合わせた波長が赤外域以上の第２のレーザを照射して半導体ウェハー１を割断するので、第１のレーザの照射による熱影響が第２のレーザの照射に影響せず、同時に加工でき、簡単な構成で残留ストレスを有効に活用した割断が行える。 （もっと読む）

【課題】導電性・放熱性の低下を抑えつつ、コンパクトで信頼性の高い接合構造を実現する。
【解決手段】基板パッド１１３への金属端子１２０の超音波接合において、端子縁―パッド間に軟らかい、もしくは摺動性の高い薄いバッファー金属層１４０を設けることにより、接合時の端子１２０の端部が直接パッド１１３と接触することを防止する。これによって超音波接合時に、圧力と超音波によってパッド１１３に端子１２０の端部によって磨耗・亀裂が発生することを防止する。本発明によって、コンパクトで、かつ、信頼性の高い接合構造を実現することが出来る。 （もっと読む）

【課題】従来の接合装置では、電極の平坦化及びＣＭＰ処理以降の工程における接合面酸化により、十分な接合を達成できないことがあった。
【解決手段】複数の半導体基板がそれぞれの接合面で接合されて積層された半導体装置を製造する製造装置であって、接合面を活性化する活性化装置と、重ね合わせた半導体基板を加圧及び加熱の少なくともいずれかにより接合する接合装置と、接合装置で接合される前の接合面の表面粗さを計測する計測器と、活性化装置、接合装置及び計測器のそれぞれに対して制御を行う制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】供給された半田を矩形状に成形することができ、不良品の発生を防止することができる半田平坦化用治具を提供する。
【解決手段】ワーク上に供給された半田２１を押圧して平坦状とする半田平坦化用治具である。半田２１を押圧して外側へはみ出させる矩形状の平坦状押圧面１と、押圧面の外周側に配設される矩形状の外壁９と、外壁９と押圧面１との間に、押圧面１からはみ出た半田２１を外壁９のコーナー部９ｂを含む各辺９ａまで行き渡らせる半田案内構造２とを設けた。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の接合部材を狭隣接した状態で、各接合部材の加圧力を一定にしながら偏加重なく、安価に短時間で接合を行うことを可能にする。
【解決手段】複数の接合部材２の表面に弾性率Ａの硬化性物質７を載置する。加圧治具５により硬化性物質７を変形または弾性変形して、各硬化性物質７と接触している面と反対の面（接合部材２側の面）を平面にする。硬化性物質７をＵＶあるいは熱などにより弾性率Ｂ（Ｂ＞Ａ）に硬化させた後、加圧治具５により各硬化性物質７と接触している面と反対の面を加圧加熱して基板１方向へ押し込み、基板１の接合部３と接合部材２とを接合させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工時の照射ドットの配列をオーバーラップさせて千鳥配列状となるように形成して、絶縁帯形成効率を向上させること。
【解決手段】レーザ光を除去加工部Ｚの幅方向に往復スキャンさせ、照射ドットＤをオーバーラップさせながらｎ列の照射ドット列を形成する際に、第（ｍ＋１）照射ドット列の照射ドットの中心位置を、その前に形成された照射ドット列である第ｍ照射ドット列の照射ドットの中心位置と、照射ドット列方向に、ドットピッチ（Ｐ）の半分ずらし、第ｍ照射ドット列の照射ドットの中心位置を結んだ直線と、第（ｍ＋１）照射ドット列の照射ドットの中心位置を結んだ直線との間隔を、ドットピッチの√３／２倍とし、かつ、第ｍ照射ドット列と第（ｍ＋１）照射ドット列とをオーバーラップさせ、上記の照射ドット列の形成を除去加工部の幅方向と直角方向に順次繰り返すことによって、太陽電池パネルの端部に絶縁帯を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光加工時のタクトタイムを短くし、全体的なスループットを大幅に向上する。
【解決手段】ステージが一定速度で移動する前後の時間、すなわちステージが一定速度に到達するまでの加速時及びステージが停止するまでの減速時の両方又はいずれか一方でレーザ加工処理を行なう。この場合、レーザ加工処理時のレーザパワー及びレーザ周波数をステージの移動速度に応じて制御する。例えば、ステージ速度が徐々に加速して一定速度ｖ０となるまでの加速時は、ステージ速度の増大に応じてレーザ周波数を徐々大きくすると共に最大限抑制していたレーザパワーを徐々に解除していくように制御する。一方、ステージ速度が停止するまでの減速時は、ステージ速度の減少に応じてレーザ周波数を徐々小さくすると共にレーザパワーの抑制値を徐々に大きくするように制御してレーザ加工処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】
屈折率の異なる中間層を備えたウェーハであっても、中間層に影響されず高精度にレーザーダイシングを行うことが可能なレーザーダイシング方法及びレーザーダイシング装置を提供すること。
【解決手段】
ウェーハＷの表面側ＷＡからレーザー光Ｌを入射して表面側ＷＡへ改質領域Ｐを形成する第１ダイシング工程と、ウェーハＷを反転させて裏面側ＷＢよりレーザー光Ｌを入射し裏面側ＷＢへ改質領域Ｐを形成する第２ダイシング工程とによりウェーハＷのダイシングを行う。 （もっと読む）

【課題】歩留まり良く高精度にスクライブ加工を実施する。
【解決手段】スクライブ加工装置１は、表面に被スクライブ加工膜Ｍが形成された連続した帯状の可橈性基板Ｂを、張力を付与しながらウェブ搬送する搬送手段１０と、被スクライブ加工膜Ｍが形成されていない側から可橈性基板Ｂに対して凸曲面２１Ｓを接触させて、可橈性基板Ｂを押圧する押圧手段２０と、被スクライブ加工膜Ｍに対してスクライブ加工を行うスクライブ手段３０とを備えた装置であり、スクライブ加工の際に可橈性基板Ｂに掛かる単位断面積あたりの張力Ｔ_ｎ及び押圧力Ｐが、下記式（１）〜（３）を充足する。
１．５ＭＰａ≦Ｔ_ｎ≦２５ＭＰａ・・・（１）、
４ｋＰａ≦Ｐ≦５０ｋＰａ・・・（２）、
５ＧＰａ²≦Ｔ_ｎ×Ｐ≦８００ＧＰａ²・・・（３） （もっと読む）