【課題】レーザビームの照射エネルギーの維持管理が容易で、且つ照射パターンの形状乱れを抑制する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０上に形成されたアモルファスシリコン膜に複数のレーザビームＬｂを照射してアニール処理するレーザアニール装置であって、ＴＦＴ基板１０上の被アニール領域の形状に相似形の複数の開口を形成したマスク３と、マスク３の複数の開口を夫々通過した複数のレーザビームＬｂを、一面に形成した複数のマイクロレンズを介してＴＦＴ基板１０上に集め、アモルファスシリコン膜に一定の光エネルギーを付与するマイクロレンズ基板４と、半円柱状の形状を成し、マイクロレンズ基板４を挟んでその両縁部の位置に軸心を略平行にして対向配置され、頂部がマイクロレンズの頂部の位置よりもＴＦＴ基板１０側に突出した一対のガイド２５と、一対のガイド２５間に移動可能に張設されレーザビームＬｂを透過するフィルム２２と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用時の２５０℃程度の発熱に対しても放熱性が優れ、また半導体素子と電極とを品質良く接合すること。
【解決手段】 半導体素子１０２と電極１０３との間に形成され、それらを接合する接合部２０４を備え、接合部２０４は、Ａｌ層１０５と、その両側に形成された各金属間化合物層１０９−１、１０９−２とを有し、接合部２０４は、箔状のＡｌ１０５の外層に、ＮｉまたはＺｎよりなる中間層１０６−１、１０６−２と、ＣｕまたはＮｉまたはＡｇよりなる第１金属層１０７−１、１０７−２と、Ｓｎよりなる第２金属層１０８−１、１０８−２とをこの順で有する接合材料１０４を利用して形成される、半導体素子の接合構造体。 （もっと読む）

【課題】安価な高温はんだ用の接続端子用ボールおよびそれを用いた接続構造の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の接続端子用ボール２０Ａは、ボール状のコア１と、コア１を包囲するように設けられたＡｇ₂Ｏを含む銀酸化物層４とを有する。銀酸化物層を還元剤の存在下で１００℃以上の温度に加熱すると、焼結された銀層を形成する。銀層は、銀の融点まで溶融しないので、高温での信頼性の高い接続構造が得られる。 （もっと読む）

【課題】はんだ表面の酸化物の生成を抑制できる手段を提供する。
【解決手段】ある実施例では、システムは、堆積システム及びプラズマ/ボンディングシステムを有する。当該堆積システムは、多数の基板のうちの1つの基板表面にはんだを堆積する。当該プラズマ/ボンディングシステムは、前記基板をプラズマ洗浄するプラズマシステム、及び、前記基板のボンディングを行うボンディングシステムを有する。当該プラズマ/ボンディングシステムは、前記はんだの再酸化を少なくとも緩和する。ある実施例では、基板表面にはんだを堆積する工程、前記基板から金属酸化物を除去する工程、及び、前記基板の表目にキャップ層を堆積することで、前記はんだの再酸化を少なくとも緩和する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】上部電極と被接合部材間の隙間を毛細管現象の発生する隙間に維持する必要が無く、且つ被接合部材と上部電極との接合強度を高めることが可能な電子部品における電極の接続構造の提供にある。
【解決手段】平面状の基部１１と、第１電極１３および第２電極１４とを備えた被接合部材としての半導体素子１２と、半導体素子１２と隙間を空けて対向配置される板状の電極としての上部電極１５とを備えた電子部品における電極の接続構造であって、上部電極１５は、水平に延びる水平部１５Ａと、該水平部１５Ａに対して傾斜して延びる傾斜部１５Ｂとを有し、水平部１５Ａ及び傾斜部１５Ｂが半導体素子１２の第２電極１４と対向すると共に、水平部１５Ａから離間するに従い傾斜部１５Ｂと第２電極１４との隙間距離ｄが小さくなるように配置され、水平部１５Ａの貫通孔１５Ｃを介して上部電極１５と第２電極１４間の隙間に半田を供給し、半田接合する。 （もっと読む）

【課題】上部電極と被接合部材間の隙間を毛細管現象の発生する隙間に維持する必要が無く、且つ被接合部材と上部電極との接合強度を高めることが可能な電子部品における電極の接続構造の提供にある。
【解決手段】上面が平面状の基部１１と、表面が平面状で第１電極１３および第２電極１４とを備えた被接合部材としての半導体素子１２と、半導体素子１２と間隔を空けて配置された板状の電極としての上部電極１５と、半導体素子１２と上部電極１５とを接合する半田とをそなえた電子部品における電極の接続構造であって、上部電極１５の側面１５Ｃ〜１５Ｅは、下面１５Ｂから上面１５Ａに向かうほど外側に広がるような傾斜面で形成され、上部電極１５の下面１５Ｂと半導体素子１２の第２電極１４とが平行となるように配置して、側面１５Ｃ〜１５Ｅを第２電極１４と対向して配置させる。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板をインサート物質を介して接合する複合基板の製造方法において、該インサート物質の移動を制御する複合基板の製造方法、及び該複合基板の製造方法によって得られる複合基板の提供。
【解決手段】平面をなす主面２ａに機能素子８が配された第一基板２と、該第一基板２と接合させる主面３ａを有する第二基板３とを用い、主面２ａ，３ａのうち少なくとも一方の主面にインサート物質４を形成する工程Ａと、主面２ａ，３ａどうしを向かい合わせて圧接することにより、インサート物質４を介して、第一基板２と第二基板３とを接合させる工程Ｂと、を含む複合基板の製造方法であって、工程Ａにおいてインサート物質４の表面に段差を設けること、及び工程Ｂにおいて前記段差の高い側から低い側に向けて、インサート物質４が移動するように圧接することを特徴とする複合基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板、または、金属板と金属板との接合を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Zn系金属層101がAl系金属層102a，102bによって挟持され、さらにAl系金属層102a，102bの外側がX系金属層103a，103b（X=Cu、Au、Ag、Sn）によって挟持された積層材料を接合材料として用いることによって、高酸素濃度雰囲気においても、表面のX系金属層が、当該接合材料が溶融する時点まで、ZnとAlを酸化から保護し、当該接合材料のはんだとしての濡れ性、接合性を保つことができ、接合部の高い信頼性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】半田の溶融に併せて基板に超音波振動を印加するリフロー半田付け装置において、基板の加熱時に発生する基板の湾曲の防止と、半田付け処理時間の短縮化を図ること。
【解決手段】
半田の溶融に併せて基板Ｐに超音波振動を印加する構成を有するリフロー半田付け装置において、半田接合部が形成される基板Ｐに搭載されている半田ボールＨＢを加熱し溶融させる加熱機構４と、この加熱を行う前に、基板Ｐを予熱する予熱機構３と、半田ボールＨＢが溶融された後、溶融された半田を冷却する冷却機構５と、予熱時、および加熱時において、基板Ｐの雰囲気を窒素雰囲気とすることができる窒素ガス噴出部３０，３１と、基板Ｐを、予熱領域５８、加熱領域５９、冷却領域６４の順で搬送する搬送機構８とを備える。 （もっと読む）

【課題】大気中、ガス中、真空中でワーク（対象物）を非常に短い時間で高温度へ昇温加熱する。又、銅ベースに付属しているハンダの溶融を可能とする。
【解決手段】高周波誘導加熱装置のコイルに流した高周波電流でワークの放熱板（金属板）に渦電流を発生させ、ワークの放熱板自身を発熱させる。また、高周波誘導加熱装置で直接ワークを加熱できない場合は、ワークに接触させて配設したサセプター（磁束吸収体）を発熱させ、接触面からワークへ熱を伝導させる事により、急速に昇温させる。 （もっと読む）