【課題】 濡れ性、接合性、加工性、及び信頼性に優れた、３００〜４００℃程度の融点を有する高温用のＺｎ系Ｐｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 Ｚｎを主成分とするＰｂフリーはんだ合金であって、Ａｌを１.０〜９.０質量％、好ましくは３.０〜７.０質量％含有し、Ｐを０.００２〜０.８００質量％、好ましくは０.００５〜０.５００質量％含有し、残部が製造上、不可避的に含まれる元素を除きＺｎから成る。このＰｂフリーはんだ合金には、更にＭｇ及びＧｅの少なくとも１種が、Ｍｇの場合は０.３〜４.０質量％、Ｇｅの場合は０.３〜３.０質量％含まれていてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱交換器用のアルミニウム合金クラッド材について、伸びに優れ、薄肉形状として凹凸などを形成しても減肉が生じ難いクラッド材を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、少なくとも芯材の一方の面に皮材をクラッドしてなるアルミニウム合金クラッド材であって、前記芯材の結晶粒組織が繊維状組織であり、さらに、転位下部組織が亜結晶粒組織であって、その亜結晶粒径の平均が１．５μｍ以下であることを特徴とする成形性に優れた自動車熱交換器用アルミニウム合金クラッド材に関する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用時の２５０℃程度の発熱に対しても放熱性が優れ、また半導体素子と電極とを品質良く接合すること。
【解決手段】 半導体素子１０２と電極１０３との間に形成され、それらを接合する接合部２０４を備え、接合部２０４は、Ａｌ層１０５と、その両側に形成された各金属間化合物層１０９−１、１０９−２とを有し、接合部２０４は、箔状のＡｌ１０５の外層に、ＮｉまたはＺｎよりなる中間層１０６−１、１０６−２と、ＣｕまたはＮｉまたはＡｇよりなる第１金属層１０７−１、１０７−２と、Ｓｎよりなる第２金属層１０８−１、１０８−２とをこの順で有する接合材料１０４を利用して形成される、半導体素子の接合構造体。 （もっと読む）

【課題】フラックスや真空設備を必要とすることなく大気圧下でのフラックスレスろう付けを可能にする。
【解決手段】Ｓｉを３〜１３％、Ｍｇを０．１〜５．０％含有するＡｌ―Ｓｉ系ろう材が芯材にクラッドされ、該Ａｌ−Ｓｉ系ろう材は、少なくとも、ろう付に際し被ろう付け部材と接触密着する接触密着部６の表面上に、無孔質陽極酸化皮膜が形成されているアルミニウム合金ブレージングシート１を用い、減圧を伴わない非酸化性雰囲気で、加熱温度５５９〜６２０℃において、前記Ａｌ−Ｓｉ系ろう材３と被ろう付け部材５とを接触密着させ、前記Ａｌ−Ｓｉ系ろう材によりフラックスレスで接触密着部６の密着面において前記芯材と前記被ろう付け部材とを接合するので、フラックスや真空設備を必要とせずに大気圧下でのフラックスレスろう付けが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ろう付けを行う際に、形状やクリアランス、およびフラックスの使用，非使用、ろう付け方式等により、ろう材の種類や使用方法が制約されており、作業効率が悪いという問題がある。また、フラックスを使用してろう付け加熱を行った場合、複雑形状部に残留したフラックスの残渣を取り除く工程も必要であり、生産性を低下させるという問題があった。
【解決手段】Ｓｉ５〜１３ｍａｓｓ％、Ｍｇ０．１〜５ｍａｓｓ％を含み、残部Ａｌと不可避的不純物からなるアルミニウム合金ろう材の外側に、該ろう材の液相線温度より高い固相線温度を有するアルミニウム材料からなる皮材を配したことを特徴とするアルミニウム合金ろう材ワイヤーを用いてフラックスを使用することなくろう付けを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ろう付け加熱後に高い耐食性を有するアルミニウム製熱交換器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】ろう付けにより製造されるアルミニウム製熱交換器において、Ｓｉ０．４〜１．６ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌおよび不可避的不純物からなるアルミニウム合金材を通路部材として用いた熱交換器であって、当該アルミニウム合金材を用いた通路部材の導電率が、当該アルミニウム合金を製造する際のろう付加熱後の導電率よりも２％ＩＡＣＳ以上高いことを特徴とする耐食性に優れたアルミニウム製熱交換器。 （もっと読む）

【課題】高い強度、良好なろう付性と耐食性を有するアルミニウム合金ブレージングシートを提供する。
【解決手段】アルミニウム合金の心材と、心材の少なくとも一方面にクラッドされたＡｌ−Ｓｉ系合金のろう材を備え、心材がＳｉ：０．０５〜１．２ｍａｓｓ％（以下、「％」と記す）、Ｆｅ：０．０５〜１．０％、Ｃｕ：０．０５〜１．２％、Ｍｎ：０．６〜１．８％を含有し残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金であり、ろう材がＳｉ：２．５〜１３．０％、Ｆｅ０．０５〜１．０％を含有し残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金であり、ろう付前の心材の任意断面において０．２〜０．５μｍの金属間化合物が占める割合が面積分率で５％以下であり、ろう付後の心材のＭｎ固溶量が０．２％以上である高強度アルミニウム合金ブレージングシートと、その製造方法。 （もっと読む）

【課題】先行技術の方法の欠点を全く示さないジルコニウムのライニングを有する化学デバイス要素を得ることを可能にする方法を提供する。
【解決手段】化学デバイス要素のためのライニングされた組立部品の製造方法であって、以下の連続した段階を含む。ａ）鋼の支持部品、ジルコニウムライニング、及び支持部品とライニングとの間の銀及び銅を含む合金であるろう材を含む初期アセンブリの形成段階、ｂ）制御雰囲気ろう付けチャンバ内に初期アセンブリを導入する段階、ｃ）前記チャンバ内で制御雰囲気を形成する段階、ｄ）前記ろう材の溶融温度に少なくとも等しい温度まで前記ユニットを再加熱する段階。前記初期アセンブリの形成前に、前記ジルコニウムライニングにチタン層の被着を実施し、かつチタンでライニングした面を前記ろう材と接触させるように前記ジルコニウムのライニングを位置づける。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム又はアルミニウム合金材と鋼材とを溶接する場合に、溶接継手部の引張剪断強度及び溶接部界面の剥離強度を向上させることができる異材溶接用フラックス入りワイヤ並びに異材レーザ溶接方法及び異材ＭＩＧ溶接方法を提供する。
【解決手段】フラックス入りワイヤは、Ｓｉを１．５乃至２．５質量％、Ｚｒを０．０５〜０．２５質量％含有し、残部がアルミニウム及び不可避的不純物であるアルミニウム合金からなる筒状の皮材と、この皮材内に充填されフッ化セシウムを２０乃至６０質量％含有するフラックスと、を有し、前記フラックスの充填率がワイヤの全質量あたり５乃至２０質量％である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板、または、金属板と金属板との接合を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Zn系金属層101がAl系金属層102a，102bによって挟持され、さらにAl系金属層102a，102bの外側がX系金属層103a，103b（X=Cu、Au、Ag、Sn）によって挟持された積層材料を接合材料として用いることによって、高酸素濃度雰囲気においても、表面のX系金属層が、当該接合材料が溶融する時点まで、ZnとAlを酸化から保護し、当該接合材料のはんだとしての濡れ性、接合性を保つことができ、接合部の高い信頼性を確保することができる。 （もっと読む）