【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金を含む基板の研磨に有用な、基板上の追加の材料に対して有利な選択性で、かつ低総欠陥及び低Ｔｅ残渣欠陥にて、カルコゲナイド相変化合金の高い除去速度を有する研磨方法を提供する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；及び酸化剤から実質的になるケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の研磨速度が大きく、被研磨面に研磨傷を発生させず、被研磨面の平坦性が高い金属用研磨液を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤及び水を含有した金属用研磨液であって、前記砥粒が、平均２次粒径が異なる砥粒を２種類以上含む。また、前記砥粒の平均２次粒径が１〜１０００ｎｍであることを特徴とする金属用研磨液。及び前記砥粒が、平均２次粒径５〜３９ｎｍの第一の砥粒と平均２次粒径４０〜３００ｎｍの第二の砥粒とを含むことを特徴とする金属用研磨液を含む。 （もっと読む）

【課題】セリウムのみに依存しない新たな研磨材料を提供する。
【解決手段】 以下の組成物式（１）で表される酸化物を研磨材料として用いる。
Ａ_y（Ｆｅ_1-zＢ_z）Ｏ_x （１）
（ただし、Ａは、Ｃａ及びＳｒからなる群から選択される１種又は２種以上を示し、Ｂは、Ｃｏ及びＮｉから選択される１種又は２種以上を示し、２．５≦ｘ≦３，０．６≦ｙ＜１であり、０≦ｚ＜１である。） （もっと読む）

【課題】セリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する工程の後に、ガラスに付着した該セリウム系研磨剤を、熱濃硫酸を用いることなく、且つ洗浄に対する高度の要求を満たすように洗浄する工程を含むガラスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ランタンを含むセリウム系研磨剤でガラスを研磨する研磨工程とその後に洗浄液で該ガラスを洗浄する洗浄工程とを含むガラス製品の製造方法であって、該ランタンを含むセリウム系研磨剤がＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤であり、かつ該洗浄液がアスコルビン酸およびエリソルビン酸の少なくとも一方を含む洗浄液であるガラス製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰスラリーの使用量を削減しても、実用的な研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、ターンテーブル（１１）に支持され回転している研磨布（１２）に半導体基板（１４）上の被研磨膜を当接させる工程と、前記研磨布上における前記被研磨膜が当接する領域に、研磨フォーム（１５）を供給して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備する。前記研磨フォームは、総量の０．０１〜２０質量％の研磨粒子および総量の０．１〜１０質量％の泡形成保持剤を含む水系分散体を泡状として得られる。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤおよび表面粗さを低減可能な研磨用組成物。
【解決手段】下記一般式（１）で表される少なくとも１種類の水溶性高分子と、アルカリとを含む。水溶性高分子は、例えば、変成ＰＶＡからなる。
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【課題】表面粗さが小さく平滑性の高いハードディスク用ガラス基板を安定して製造すること。
【解決手段】研磨砥粒を含む研磨液を用いてハードディスク用ガラス基板５０の表面を研磨する研磨工程を含むハードディスク用ガラス基板５０の製造方法において、研磨工程では、研磨液中の研磨砥粒の電荷と同じ符号の電荷を付与した研磨液貯留タンク１５，１７を用いる。研磨液のｐＨは１〜５である。研磨砥粒はコロイダルシリカであり、コロイダルシリカをマイナス帯電させた研磨液を用いる。研磨液貯留タンク１５，１７は樹脂製である。研磨工程は、研磨液を循環使用する循環使用工程と、この循環使用工程の後、研磨液を掛け流し使用する掛け流し使用工程とを含み、掛け流し使用工程において、電荷を付与した研磨液貯留タンク１７を用いる。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、研磨剤の化学的研磨作用に大きく依存せずに、ガラス表面に対する高い研磨レートを確保すること。
【解決手段】ガラス基板の主表面に対して遊離砥粒を含む研磨液を供給しつつ研磨パッドを摺接させて研磨する工程を備える。研磨パッドの表面には、ガラス基板の主表面と摺接する摺接部と、摺接部間に形成される溝とを設ける。そして、研磨パッドの表面の１平方メートル当たりに形成されている摺接部のエッジの長さの合計を２００ｍ以上とし、かつ、研磨パッドの表面の全領域に対する摺接部の領域の面積比率である充填率を８０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】高さが数十ｎｍ、大きさが数十ｎｍ〜２０００ｎｍの凸状欠陥の発生を抑制できるマスクブランク用ガラス基板の製造方法等を提供する。
【解決手段】マスクブランクス用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて両面研磨する研磨工程を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法において、前記研磨砥粒は、コロイダルシリカ砥粒を含み、研磨前の基板の濡れ性（接触角）は、θ／２法で測定したとき２０°未満である状態で前記研磨を行う、ことを特徴とするマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。 （もっと読む）