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国際特許分類[B24B37/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 研削;研磨 (20,708) | 研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給 (15,323) | ラッピング機械または装置,すなわち,比較的柔らかいが剛性のある材料から出来ているラップと,ラップ仕上されるべき工作物表面との間に,浮遊状態にある研磨物質が注ぎ込まれることを要する機械または装置;そのための附属装置 (4,544)

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【課題】被加工物を1回で精度良く加工できるようにすること。
【解決手段】加工方法は、単位除去形状と被加工物との相対向きを変え、各相対向きの計算除去形状と目標除去形状の差分の内、最小の差分となる相対向きに回転研磨工具の回転軸と被加工物との相対位置を位置決めし、かつ滞留時間分布に従った、相対速度で被加工物を加工するようになっている。このため、本発明の加工方法は、1回の走査で、誤差の少ない加工が可能であるため、被加工面の高精度化と、繰返し加工する回数が減ることによる加工能率の向上が可能になる。 (もっと読む)


【課題】4−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてCMP工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】CMP処理後の基板洗浄用である洗浄液を、アニオン性界面活性剤、水及びpH調整剤を含有して構成する。また基板の研磨方法は、4−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むCMP研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部11と、該磁性部11に形成された複数の凹部120を覆うように埋め込まれた非磁性材料125とからなる複合体15を、磁性部11と凹部120内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部12とが露出して平坦な研磨面16を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水と極圧剤とを含有する。極圧剤は、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル又はその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル又はその塩、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩、α−オレフィンスルホン酸又はその塩、及びアルキルアミン又はそのアルキレンオキシド付加物から選ばれる少なくとも1種である。 (もっと読む)


【課題】高性能配線板等の厚い銅膜の研磨で必要な研磨速度を維持しながら、バリア層の研磨速度の充分な抑制を可能とする金属用研磨液及び当該金属用研磨液を用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の金属用研磨液は、有機酸、無機酸、アミノ酸、保護膜形成剤、砥粒、酸化剤及び水を含み、有機酸は、カルボキシル基を2つ有しかつpKaが2.7以下である有機酸、及びカルボキシル基を3つ以上有する有機酸の少なくとも一方であり、砥粒は、表面がスルホン酸基又はフェニル基で化学修飾されている。 (もっと読む)


【課題】コロイダルシリカを含み、pHが1〜5の研磨スラリーの調製方法であって、酸性となるようにpH調整する際に、コロイダルシリカが凝集することが抑制された研磨スラリーの調製方法の提供。
【解決手段】コロイダルシリカを含み、pHが1〜5の研磨スラリーの調製方法であって、pH調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のpHを0.5〜5に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。 (もっと読む)


【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて研磨面を形成する際に、非磁性部の研磨ムラを防止すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部11と、該磁性部11に形成された複数の凹部120を覆うように埋め込まれた非磁性材料125とからなる複合体15を、磁性部11と凹部120内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部12とが露出して平坦な研磨面16を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、上記非磁性材料に対する接触角が10°以下である。好ましくは、研磨液は、界面活性剤を0.01〜20質量%含有することがよい。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、研磨加工能率が高く、研磨時の結晶欠陥(COP)数の増加を防止することができ、且つウェーハの平坦度を改善可能な研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 COPが存在するシリコンウェーハを研磨する方法であって、少なくとも水、シリカ、及びテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを含む研磨剤であって、前記研磨剤の全質量に対して前記テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が0.01以上0.3質量%未満であり、前記研磨剤の全質量に対して前記シリカの濃度が0.1以上1.2質量%以下であり、前記シリカの一次粒子径が18nm以上である研磨剤を用いて、前記COPが存在するシリコンウェーハを研磨することを特徴とする研磨方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】銅膜を高研磨速度でかつ平滑に研磨するとともにバリア膜の研磨速度を抑制することが可能であり、高性能配線板やTSV等の厚い金属膜の研磨においても、良好な仕上がりと充分な生産性を確保できる銅研磨用研磨剤及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】(A)二価以上の無機酸と、(B)アミノ酸と、(C)保護膜形成剤と、(D)砥粒と、(E)酸化剤と、(F)水とを含み、(A)成分の含有量が0.08mol/kg以上、(B)成分の含有量が0.20mol/kg以上、(C)成分の含有量が0.02mol/kg以上、(D)成分の平均粒径が100nm以上であり、下記(i)及び(ii)の少なくとも一方を満たす銅研磨用研磨剤。
(i)(C)成分の含有量に対する(A)成分の含有量の比率が2.00以上である。
(ii)(G)有機酸及びその酸無水物から選ばれる少なくとも一種を更に含む。 (もっと読む)


【課題】磁性部とその凹部内に埋め込まれた非磁性部とを露出させて平坦な研磨面を形成させることができる研磨液を提供すること。
【解決手段】磁性材料を含む磁性部11と、該磁性部11に形成された複数の凹部120を覆うように埋め込まれた非磁性材料125とからなる複合体15を、磁性部11と凹部120内に埋め込まれた非磁性材料からなる非磁性部12とが露出して平坦な研磨面16を形成するまで研磨するために用いられる研磨液である。研磨液は、水と極圧剤とエッチング剤とを含有する。極圧剤は、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル又はその塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル又はその塩、アルキルベンゼンスルホン酸又はその塩、α−オレフィンスルホン酸又はその塩、及びアルキルアミン又はそのアルキレンオキシド付加物から選ばれる少なくとも1種である。エッチング剤は、酸からなる。 (もっと読む)


【課題】研磨不良の発生を抑制した研磨装置を提供する。
【解決手段】この研磨装置は、下記のようなスラリー配管300と、純水供給部320と、を備えている。スラリー配管300は、鉛直下向きに延伸した出口部302と、出口部302から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第1屈曲部304と、第1屈曲部304から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第2屈曲部306と、を備えている。また、純水供給部320は、スラリー配管300の外部から、出口部302に向けて純水を供給する。 (もっと読む)


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